JP2008211112A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された共振器面に接触する第１保護膜と、該第１保護膜上に形成された第２保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
   第２保護膜は、共振器面側の面及びその面と対向する面に突出した厚膜部を有してなる窒化物半導体レーザ素子。
2. 第２保護膜の厚膜部は、共振器面の光導波路領域近傍に形成されてなる請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
3. 窒化物半導体層の表面にリッジが形成されており、第２保護膜が、該リッジの下方及びその近傍領域において、前記厚膜部を有してなる請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
4. 第２保護膜の厚膜部は、共振器面において、前記窒化物半導体層の積層方向である縦方向に対して横長の楕円形状である請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
5. 第２保護膜の厚膜部は、同一面における厚膜部以外の領域に対して膜厚が５％以上厚い請求項１〜４のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ。
6. 第２保護膜の厚膜部は、１０００Å〜３０００Åの膜厚を有する請求項１〜５のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
7. 第２保護膜は、酸化物膜である請求項１〜６のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
8. 共振器面側の面に形成された厚膜部の面積は、対向する面に形成された厚膜部の面積よりも小さい請求項１〜７のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
9. 第１保護膜は、少なくとも共振器面の活性層に接触する領域が、第１保護膜の最大膜厚よりも膜厚が薄い請求項１〜８のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
10. 第１保護膜は、六方晶系の結晶構造を有する材料で形成されてなる請求項１〜９のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
11. 第１保護膜は、共振器面と接触する側において、共振器面と同軸配向の結晶構造を有する請求項１〜１０のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
12. 共振器面が、Ｍ面（１−１００）、Ａ面（１１−２０）、Ｃ面（０００１）又はＲ面（１−１０２）からなる群から選ばれる面である請求項１〜１１のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。