JP2008209710A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素電極9と遮光膜13を備えた第1基板と、これに対向配置される第2基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極9に対応する位置が表示領域Pとされ、この表示領域P間が非表示領域BMとされる液晶装置の製造方法である。画素電極9を表示領域Pとなる位置に、その周縁部9bを非表示領域BMとなる位置に形成し、画素電極9上の表示領域Pとなる位置に垂直配向膜を形成し、非表示領域BMの少なくとも画素電極9の周縁部9b上に水平配向膜42を形成する。ここで水平配向膜42は、前駆体10Bの画素電極9側に配向膜材料層(フォトレジスト)42aを形成し、これにラビング処理し、遮光膜13をマスクにして露光、現像し、水平配向膜42をパターニングして形成する。
【選択図】図5
Description
このようにすれば、例えば前記画素の周辺部に対応して設けられた遮光膜や配線等をマスクとして前記水平配向膜をセルフパターニングすることができ、レジストマスク等を用いることなく水平配向膜を高精度にパターニングすることができる。
図1に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極9と当該画素電極9への通電制御を行うためのスイッチング素子であるTFT素子30がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT素子30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線6aに対してグループ毎に供給される。
なお、第2の基板側にも前記遮光膜13および水平配向膜42を形成してもよい。
まず、水平配向膜42が形成された第1基板10の前駆体10Cに、例えばN2雰囲気にて150〜180℃程度の温度で3時間程度乾燥処理を行い、その後、前記前駆体10Cを例えばODS(Octadecyltrimethoxysilane)溶液を有した容器とともに密閉容器内に放置する。そして、この容器を例えば150℃の温度で一時間程度加熱することによって、前記ODS溶液の蒸気を前記前駆体10Cの画素電極9露出面に接触させる。
また、本実施形態では、ポジ型のフォトレジスト(配向膜材料)を用いて、水平配向膜42を形成したが、ネガ型のフォトレジストを用いて配向膜材料層42aを形成し、これをラビング処理した後に、メタルマスク等を用いて露光し現像することで水平配向膜42を形成するようにしてもよい。
また、垂直配向膜41を形成する方法としては、水平配向膜42を形成した後に、例えば画素電極9に対して選択的に結合する配向材料であるポリシロキサンを含有する溶剤を、スピンコート法等の液相法によって第1基板の前記水平配向膜42を形成した面側に塗布し、200℃程度の温度で硬化させることによって形成してもよい。
上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図7(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図7(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置(プロジェクタ)の構成について、図8を参照して説明する。図8は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図8において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815、816、817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822、823、824は液晶光変調装置、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投写レンズを示す。
Claims (2)
- 互いに対向して配置された一対の基板間に誘電異方性が負の液晶からなる液晶層が挟持され、複数の画素部を備え、前記基板の液晶層側には配向膜が形成されてなり、前記配向膜が、前記画素部の液晶を配向させる垂直配向膜と、前記画素部の周辺部の液晶を配向させ且つ所定の方位角を備えたプレチルトを具備する水平配向膜とからなる液晶装置の製造方法であって、前記水平配向膜をフォトレジストを用いて光露光し、方位角および極角情報を付与するラビング工程を行った後、現像処理を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
- 前記フォトレジストは、前記水平配向膜が光露光によって可溶化するポジ型フォトレジストであることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造方法。
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