JP2008206106A - 高周波増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力信号を増幅するキャリア増幅素子Q1と、前記入力信号のうちの振幅が所定以上となる該入力信号を増幅するピーク増幅素子Q2とを備え、前記キャリア増幅素子と前記ピーク増幅素子の増幅出力を合成して出力するドハティ型の高周波増幅器において、前記キャリア増幅素子Q1よりも大きい出力容量の前記ピーク増幅素子Q2を備え、該ピーク増幅素子はE級又はF級の出力回路を備えると共に、略C級の範囲で動作可能にバイアスされている。
【選択図】図1
Description
ンスは共にR0になり、より大きい飽和電力が得られる。
を維持できる。
リングコンデンサ、C1は基本波成分の短絡用コンデンサ、32はキャリア増幅素子Q1に給電する給電回路(λ/4長スタブ)、40はピーク入力信号を増幅するピーク増幅器、Q2はピーク増幅器を構成するFET等からなるピーク増幅素子、41はピーク増幅素子Q2の入力インピーダンスに整合するための整合回路、C2は基本波成分の短絡用コンデンサ、42はピーク増幅素子Q2に給電する給電回路(λ/4長スタブ)、53,54は基本波成分を通過させるLC直列共振同調回路、55は特性インピーダンス50Ωでλ/4線路長のストリップ線路(インピーダンス変成器)、56は特性インピーダンス50のストリップ線路、RLは負荷抵抗(例えば50Ω)である。
η=(Pout−Pin)/PDC
で定義される。また、図の実線は本実施の形態によるドハティ増幅器にシングルキャリア信号を加えた場合の特性を表し、点線はOFDM(マルチキャリア)信号を加えた場合の特性を表している。但し、OFDM信号については平均入力及び平均出力のパワーを表している。
20 ピーク信号入力処理部
30 キャリア増幅器
31,41 整合回路
40 ピーク増幅器
51,52 D/A変換器
53,54 直列共振同調回路
55 インピーダンス変成器
Q1 キャリア増幅素子(MESFET)
Q2 ピーク増幅素子(MESFET)
Claims (8)
- 入力信号を増幅するキャリア増幅素子と、前記入力信号のうちの振幅が所定以上となる該入力信号を増幅するピーク増幅素子とを備え、前記キャリア増幅素子と前記ピーク増幅素子の増幅出力を合成して出力するドハティ型の高周波増幅器において、
前記キャリア増幅素子よりも大きい出力容量の前記ピーク増幅素子を備え、該ピーク増幅素子はE級又はF級の出力回路を備えると共に、略C級の範囲で動作可能にバイアスされていることを特徴とする高周波増幅器。 - 前記ピーク増幅素子の出力容量が前記キャリア増幅素子の出力容量よりも7倍以上大きいことを特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。
- 前記キャリア増幅素子はB級に近いAB級にバイアスされていることを特徴とする請求項2記載の高周波増幅器。
- 前記ピーク増幅素子に加える電源電圧が前記キャリア増幅素子に加える電源電圧よりも高いことを特徴とする請求項3記載の高周波増幅器。
- 前記キャリア増幅器又はピーク増幅器の出力を送信すべき距離に応じて該キャリア増幅器又はピーク増幅器の電源電圧を変化させる電圧制御手段を備えることを特徴とする請求項4記載の高周波増幅器。
- 前記キャリア増幅素子又はピーク増幅素子に入力する入力信号の振幅に応じて該入力信号の位相を変化させる移相手段を備えることを特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。
- 前記キャリア増幅素子又はピーク増幅素子に入力する入力信号の振幅に応じて該入力信号の振幅を変化させる振幅変調手段を備えることを特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。
- 前記キャリア増幅素子に入力する入力信号の振幅を所定閾値でクランプするクランプ手段を備えることを特徴とする請求項2又は3記載の高周波増幅器。
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