JP2008203808A - 熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたtftトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Ag:0.01〜0.5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。
【選択図】なし
Description
これらTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイを製造する際に、アモルファスシリコンや窒化珪素等をPECVDで成膜する工程を通過するが、その際にガラス基板表面に形成された金属薄膜からなる配線および電極は熱履歴を受ける。
これらTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイのガラス基板表面に密着して形成される配線および電極となる金属薄膜は一般に純銅薄膜が使用されているが、近年、Mn、Zn、Ga、Li、Ge、Sr、Ag、In、Sn、Ba、PrおよびNdからなる群から選択される少なくとも1種以上の金属を0.1〜20原子%を含有する銅合金薄膜が使用されるようになってきた(特許文献1参照)。さらに、Mg:0.1〜5モル%を含有し、残部がCu:95モル%以上の銅合金薄膜なども使用されるようになってきた(特許文献2参照)。
これら要求に対して、従来の純銅薄膜は電気抵抗が極めて低いもののガラス基板表面に対する密着性が悪く、さらに高温に曝されるとヒロックおよびボイドが発生するので好ましくない。また、従来の銅合金薄膜は高温に曝されるとヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を十分に防止することができない。
(イ)純銅(特に純度:99.99%以上の無酸素銅)に、Agを0.01〜0.5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%を含有した成分組成を有する銅合金薄膜は、従来の銅合金薄膜に比べて、電気抵抗が低く、高温に曝されてもヒロックおよびボイドの熱欠陥が発生することが少なく、さらに、ガラス基板表面に対する密着性に優れていることから、かかる成分組成を有する銅合金薄膜はTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極として使用した場合に優れた効果を奏する、
(ロ)前記銅合金薄膜は、Ag:0.1〜5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.1〜3原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することができる、という研究結果が得られたのである。
(1)Ag:0.01〜0.5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線、
(2)Ag:0.01〜0.5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用電極、
(3)Ag:0.1〜5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.1〜3原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線または電極を形成するためのスパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
配線および電極を構成する銅合金薄膜に含まれるAgを0.01〜0.5原子%に限定したのは、Agは結晶粒を微細化し、TFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイにおける配線および電極を構成する銅合金薄膜のヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制する作用を有するが、その含有量が0.01原子%未満では所望の効果が得られないので好ましくなく、一方、0.5原子%を越えて含有すると電気抵抗は低下するが、膜の密着性が低下するので好ましくないからである。
さらに、配線および電極を構成する銅合金薄膜に含まれるMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%に限定したのは、これら成分はAgと共存することによりガラス基板表面に対する密着性を一層向上させ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制する作用を有するので添加するが、これら成分のうちの1種または2種以上を合計で0.01原子%未満添加しても密着強度向上の効果が得られず、一方、2.5原子%を越えて添加すると、配線および電極の電気抵抗が上昇するので好ましくないことによるものである。
銅合金薄膜を成膜するためのターゲットに含まれるAgを0.1〜5原子%に限定したのは、ターゲットに含まれるAgが0.1原子%未満ではスパッタリングすることにより形成される銅合金薄膜に含まれるAgが0.01原子%未満となって所望の効果が得られなくなるので好ましくなく、一方、ターゲットに含まれるAgが5原子%を越えて含まれるようになると、ターゲット製造工程における熱間加工中に割れが発生し、歩留まりが極端に低下するようになるので好ましくないからである。
さらに、銅合金薄膜を成膜するためのターゲットに含まれるMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.1〜3原子%に限定したのは、これら成分のうちの1種または2種以上を合計で0.1原子%より少なく添加したターゲットは、これを用いてスパッタリングしてもMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01原子%未満含有する銅合金薄膜が形成され、所望の効果を有する銅合金薄膜が得られないので好ましくないからであり、一方、3原子%を越えて添加したターゲットを使用してスパッタリングすると、成膜される銅合金薄膜に含まれるこれら成分の含有量が2.5原子%を越えるようになり、電気抵抗が上昇するので好ましくないことによるものである。
電源:直流方式、
スパッタパワー:600W、
到達真空度:4×10−5Pa、
雰囲気ガス組成:Ar、
Arガス圧:0.67Pa、
ガラス基板加熱温度:150℃、
の条件でガラス基板の表面に、厚さ:300nmを有し、表2〜3に示される成分組成を有する本発明銅合金配線用薄膜(以下、本発明配線用薄膜という)1〜20および比較銅合金配線用薄膜(以下、比較配線用薄膜という)1〜6および従来銅合金配線用薄膜(以下、従来配線用薄膜という)1〜4を形成した。
さらに、得られた本発明配線用薄膜1〜20、比較配線用薄膜1〜6および従来配線用薄膜1〜4の5点の比抵抗を四探針法により測定し、その平均値を求め、それらの結果を表2〜3に示した。
さらに、JIS-K5400に準じ、1mm間隔で本発明配線用薄膜1〜20、比較配線用薄膜1〜6および従来配線用薄膜1〜4に碁盤目状に切れ目を入れた後、3M社製スコッチテープで引き剥がし、ガラス基板中央部の10mm角内でガラス基板に付着していた配線用薄膜の面積%を測定する碁盤目付着試験を実施し、その結果を表2〜3に示し、ガラス基板に対する本発明配線用薄膜1〜20、比較配線用薄膜1〜6および従来配線用薄膜1〜4の密着性を評価した。
(i)高純度銅からなる従来配線用薄膜4は比抵抗が極めて小さいもののヒロックおよびボイドが発生し、さらにガラス基板に対する密着性が劣る。これに対し、本発明配線用薄膜1〜20はヒロックおよびボイドの発生がなく、さらにAgを単独で含む従来配線用薄膜1は比抵抗が小さく、ヒロックおよびボイドの発生がないもののガラス基板に対する密着性が劣り、さらにMn、Mgをそれぞれ単独で含む従来配線用薄膜2、3はガラス基板に対する密着性が優れているが、比抵抗が高く、ヒロックおよびボイドが発生するので好ましくないことがわかる。
(ii)この発明の条件から外れて少ないAgを含む比較配線用薄膜1はヒロックおよびボイドが発生するので好ましくなく、一方、Agをこの発明の条件から外れて多く含む比較配線用薄膜2は比抵抗が大きくなり過ぎて好ましくないことが分かる。さらにこの発明の条件から外れて添加元素を含む比較配線用薄膜3〜6は少なくとも一つの好ましくない特性が現れることが分かる。
Claims (4)
- Ag:0.01〜0.5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線。
- Ag:0.01〜0.5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用電極。
- Ag:0.1〜5原子%を含有し、さらにMg、AlおよびLiのうちの1種または2種以上を合計で0.1〜3原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線または電極を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 請求項1記載の配線および請求項2記載の電極を形成したTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8400594B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-03-19 | Ulvac, Inc. | Wiring layer, semiconductor device and liquid crystal display device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0372045A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Nippon Mining Co Ltd | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 |
JPH08248442A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH10153788A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP2002069550A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属材料、薄膜形成用スパッタリングターゲット材及び薄膜 |
JP2002075101A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Furuya Kinzoku:Kk | 配線、電極及び接点 |
JP2003064431A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-03-05 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 積層板用銅合金箔 |
JP2004091907A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Dept Corp | 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法、電子部品の製造方法及び電子光学部品 |
JP2004193553A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-07-08 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層 |
WO2006025347A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | National University Corporation Tohoku University | 銅合金及び液晶表示装置 |
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2007
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0372045A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Nippon Mining Co Ltd | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 |
JPH08248442A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH10153788A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP2002069550A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属材料、薄膜形成用スパッタリングターゲット材及び薄膜 |
JP2002075101A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Furuya Kinzoku:Kk | 配線、電極及び接点 |
JP2003064431A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-03-05 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 積層板用銅合金箔 |
JP2004091907A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Dept Corp | 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法、電子部品の製造方法及び電子光学部品 |
JP2004193553A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-07-08 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層 |
WO2006025347A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | National University Corporation Tohoku University | 銅合金及び液晶表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8400594B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-03-19 | Ulvac, Inc. | Wiring layer, semiconductor device and liquid crystal display device |
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