JP2008182267A - 基板の製造方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 反応管1内部を500℃に加熱する。水素ガスを放電管7に導入する。発振器12の出力する高周波電力を整合器13を介して電極端部4に供給する。これにより放電管7内部にプラズマ15が発生し導入した水素が活性化され、放電管7に多数設けた***14から回転している被処理基板2に供給される。被処理基板2表面の自然酸化膜などの不純物は主に活性化された水素によって除去される。自然酸化膜などの不純物の除去が完了したら、ガス導入管17からモノゲルマン(GeH4)とモノシラン(SiH4)を導入し圧力を調節しながらシリコンゲルマニウム(SiGe)を500℃で成膜する。
【選択図】 図2
Description
2 …被処理基板
3 …フランジ
4 …電極端部
5 …電極
6 …保護管
7 …放電管
8 …絶縁材
9 …シールド
10…ヒータ
12…発振器
13…整合器
14…***
15…プラズマ
16…ボート
17…ガス導入管
18…排気管
19…活性種導入管
21…ガス導入管
22…回転部
23…シャッター
24…リモートプラズマユニット
Claims (3)
- 表面にシリコン単結晶膜を有する基板の製造方法であって、
加熱手段により少なくとも前記基板を第1の温度で加熱しつつ、リモートプラズマ機構により水素を励起して生成した該水素の活性種を利用して前記基板の表面の前処理を行う前処理工程と、
前記加熱手段により少なくとも前記基板を第2の温度で加熱しつつ、少なくともモノシランを利用して前記基板の表面にシリコン単結晶膜を形成する単結晶成長工程と、
を有し、
前記第1の温度と前記第2の温度は同じ温度であることを特徴とする基板の製造方法。 - 表面にシリコンゲルマニウム単結晶膜を有する基板の製造方法であって、
加熱手段により少なくとも前記基板を第1の温度で加熱しつつ、リモートプラズマ機構により水素を励起して生成した該水素の活性種を利用して前記基板の表面の前処理を行う前処理工程と、
前記加熱手段により少なくとも前記基板を第2の温度で加熱しつつ、少なくともモノゲルマンを利用して前記基板の表面にシリコンゲルマニウム単結晶膜を形成する単結晶成長工程と、
を有し、
前記第1の温度と前記第2の温度は同じ温度であることを特徴とする基板の製造方法。 - 基板を収容する反応室と、
前記反応室の外に設けられ前記反応室内の雰囲気を加熱する加熱手段と、
前記反応室内に複数の所望のガスを供給するガス供給手段と、
リモートプラズマ機構と、
前記反応室内の雰囲気を排気する排気手段と、
を備え、前記基板表面にシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜を単結晶成長させる基板処理装置であって、
前記リモートプラズマ機構は、
誘電体の保護管で覆われ、高周波電力が印加される2本の電極と、
該電極の端部に絶縁体を介して設けられるシールドと、
を有し、
前記ガス供給手段は、
前記反応室内に原料ガスを供給する原料ガス導入管と、
前記反応室内に水素ガスを供給する前記原料ガス導入管とは異なる水素ガス導入管と、
を有し、
前記水素ガス導入管は、誘電体で形成され、前記基板の積層方向に立設され、前記基板の積層方向に複数のガス供給孔を有することを特徴とする基板処理装置。
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JP2008095389A JP2008182267A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 基板の製造方法および基板処理装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017500441A (ja) * | 2013-11-19 | 2017-01-05 | アイクサテック ゲーエムベーハー | 少なくとも1つの機能層を有する複合体を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品をさらに生産するための方法 |
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2008
- 2008-04-01 JP JP2008095389A patent/JP2008182267A/ja active Pending
Non-Patent Citations (3)
Title |
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JPN6011003481, ガンジュ・アシュトシュ、西田輝明、ベ・インホ、吉田明, "リモートプラズマCVDによる低温Siエピタキシャル成長", 電子情報通信学会技術研究報告, 19961101, Vol.96, No.344, 59−66, JP * |
JPN7011000247, S. V. Hattangady, J. B. Posthill, G. G. Fountain, R. A. Rudder, M. J. Mantini, and R. J. Markunas, "Epitaxial silicon deposition at 300 °C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures", Appl. Phys. Lett., 19910715, Vol.59 No.3, Page.339−341, US * |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017500441A (ja) * | 2013-11-19 | 2017-01-05 | アイクサテック ゲーエムベーハー | 少なくとも1つの機能層を有する複合体を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品をさらに生産するための方法 |
US9951442B2 (en) | 2013-11-19 | 2018-04-24 | Aixatech Gmbh | Method for producing a composite body having at least one functional layer, or for further production of electronic or opto-electronic components |
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