JP2008182129A - 半導体製造装置用ウェハ保持体、その製造方法およびそれを搭載した半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置用ウェハ保持体、その製造方法およびそれを搭載した半導体製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス焼結体中に高周波発生用電極を埋設しているウェハ保持体であって、前記高周波発生用電極とウェハ載置面までの距離が一定ではないことを特徴とする。距離を一定にしないとは、前記高周波発生用電極と、ウェハ載置面までの距離が、ウェハ載置面の中心部から端部に向かって長くなってもよいし、短くなってもよい。
【選択図】 図1
Description
2 高周波発生用電極
3 発熱体
4 セラミックス
Claims (12)
- セラミックス焼結体中に高周波発生用電極を埋設しているウェハ保持体であって、前記高周波発生用電極とウェハ載置面までの距離が一定ではないことを特徴とするウェハ保持体。
- 前記高周波発生用電極と、ウェハ載置面までの距離が、ウェハ載置面の中心部から端部に向かって長くなることを特徴とする請求項1に記載のウェハ保持体。
- 前記高周波発生用電極と、ウェハ載置面までの距離が、ウェハ載置面の中心部から端部に向かって短くなることを特徴とする請求項1に記載のウェハ保持体。
- ウェハ載置面から高周波発生用電極までの距離の最大値が3mm以下であり、最小値が0.2mm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のウェハ保持体。
- ウェハ載置面から高周波発生用電極までの距離の最大値と最小値の差が2mm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のウェハ保持体。
- 前記高周波発生用電極のシート抵抗値が50mΩ/□以下であることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のウェハ保持体。
- 前記高周波発生用電極の厚みが3μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のウェハ保持体。
- 前記高周波発生用電極に接続される外部接続電極が、前記高周波電極の略中心部に存在することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のウェハ保持体。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のウェハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。
- 高周波発生用電極を埋設した未焼成のセラミックス成形体を、湾曲した治具に挟み込み、0.98kPa以上の圧力を加え焼結することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のウェハ保持体の製造方法。
- 高周波発生用電極を形成しセラミックス焼結体と、高周波発生用電極上に接合するセラミックス焼結体を、接合層を介して加熱接合する際に、前記両方のセラミックス焼結体を湾曲した治具に挟み込み、98kPa以上の圧力を加え、前記両方のセラミックス焼結体を接合することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のウェハ保持体の製造方法。
- 高周波発生用電極を埋設したセラミックス焼結体を、湾曲した治具に挟み込み、98kPa以上の圧力を加え、加熱することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のウェハ保持体の製造方法。
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