JP2008177321A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、コイルとビアとを有する電子部品の製造方法において、それにより製造された電子部品のインダクタンス値を向上させることを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、レジスト層における少なくともコイル形成部26を除く部分を露光して絶縁層27を形成すると同時に、レジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して絶縁層28を形成し、次に仮ビア形成部から絶縁層28を除いた本ビア形成部29とコイル形成部26とを現像により取り除く製造方法としたものである。
【選択図】図11
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、レジスト層における少なくともコイル形成部26を除く部分を露光して絶縁層27を形成すると同時に、レジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して絶縁層28を形成し、次に仮ビア形成部から絶縁層28を除いた本ビア形成部29とコイル形成部26とを現像により取り除く製造方法としたものである。
【選択図】図11
Description
本発明は、携帯電話等に用いられる電子部品の製造方法に関するものである。
従来この種の電子部品の製造方法は、まず、図17に示すごとく絶縁層1の上面からその上面が露出されたコイル2を形成する。次に、絶縁層1の上面にレジスト層を形成し、その後、図18に示すごとくレジスト層におけるビア形成部3を除く部分を露光して絶縁層4を形成する。ここで、ビア形成部3は、その上方に形成するコイルの形成位置の露光ずれを考慮し、このコイルとの接続信頼性を向上させるため、その径を必要以上に太く形成している。その後、このビア形成部3に図19に示すごとく下地層5、ビア6を形成する。次に、図20に示すごとくビア6に接続されるビア接続部7Aを有するコイル7を形成し、電子部品を製造していた。
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2004―193469号公報
このような従来の製造方法では、それにより製造された電子部品のインダクタンス値の低さが問題となっていた。
すなわち、上記従来の構成においては、コイルとビアとの接続信頼性を向上させることを目的として、ビア形成部の径を必要以上に太く形成していたために、コイル内周側における磁束の通過可能な断面積が小さくなってしまい、その結果としてインダクタンス値が低くなってしまうことが問題となっていた。
そこで本発明は、インダクタンス値を向上させることを目的とする。
そして、この目的を達成するために本発明は、第2のレジスト層における少なくとも第2のコイル形成部を除く部分を露光して第3の絶縁層を形成すると同時に、第2のレジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して第4の絶縁層を形成し、次に仮ビア形成部から第4の絶縁層を除いた本ビア形成部と第2のコイル形成部とを現像により取り除く製造方法としたものである。
この製造方法により、仮ビア形成部において、第2のコイル形成部におけるビア接続部と露光方向から見て同一でない場所には、第2のレジスト層を透過した光が入り込み、第4の絶縁層を形成することとなるため、本ビア形成部の径を必要以上に太くすることがなく、インダクタンス値を向上させることができる。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における電子部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の実施の形態1における電子部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。
まず、図1に示すごとく、シリコン等からなる基板8の上面にレジストを形成し、下面電極形成部9を除く部分を露光して絶縁層10を形成するとともに、下面電極形成部9内のレジストを現像により取り除く。
次に、基板8及び絶縁層10の露出する表面に、図2に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層11を形成する。
その後、下地電極層11を電極として、図3に示すごとく、電解めっき法により下面電極12を形成し、さらに、上方から研磨して絶縁層10の上表面を露出させる。
次に、絶縁層10、下面電極12の上面にレジストを形成し、図4に示すごとく、電極形成部13を除く部分を露光して絶縁層14を形成するとともに、電極形成部13内のレジストを現像により取り除く。
その後、下面電極12及び絶縁層14の露出する表面に、図5に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層15を形成する。
次に、下地電極層15を電極として、図6に示すごとく、電解めっき法により電極部16を形成し、さらに、上方から研磨して絶縁層14の上表面を露出させる。
その後、絶縁層14、電極部16の上面にレジストを形成し、図7に示すごとく、コイル形成部17を除く部分を露光して絶縁層18を形成するとともに、コイル形成部17内のレジストを現像により取り除く。
次に、電極部16及び絶縁層18の露出する表面に、図8に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層19を形成する。
その後、下地電極層19を電極として、図9に示すごとく、電解めっき法によりコイル20を形成し、さらに、上方から研磨して絶縁層18の上表面を露出させる。
次に、絶縁層18、コイル20の上面にレジストを形成し、図10に示すごとく、電極形成部21及び仮ビア形成部22を除く部分を露光して絶縁層23を形成する。
ここで、仮ビア形成部22におけるコイル巻回平面上の面積は、その上方に形成するコイルの形成位置の露光ずれを考慮し、コイルとビアとの接続信頼性を向上させるため、後述するビア接続部(図示せず)におけるコイル巻回平面上の面積よりも大きくなるよう形成している。
なお、この段階においてはまだ、現像により電極形成部21、仮ビア形成部22内のレジスト24、25を取り除かないでおく。
その後、絶縁層23、レジスト24、25の上面にレジストを形成し、図11に示すごとく、コイル形成部26を除く部分を露光して絶縁層27を形成する。
ここで、この絶縁層27の形成と同時に、最上層のレジスト層を透過した光により、図10に示した仮ビア形成部22内のレジスト25の一部を露光して、絶縁層28を形成する。そして、仮ビア形成部22から絶縁層28を除いた部分が、本ビア形成部29となる。
この時、絶縁層28は、ビア接続部26Aと露光方向から見て同一でない部分のみに形成されるため、本ビア形成部29とビア接続部26Aとの形成位置関係が崩れることがなく、後述するコイルとビアとの接続信頼性を担保することができる。
次に、図12に示すごとく、電極形成部21、コイル形成部26、ビア形成部29内のレジストを、現像により取り除く。
その後、絶縁層23、27、28、及びコイル20の露出する表面に、図13に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層30を形成する。
次に、下地電極層30を電極として、図14に示すごとく、電解めっき法によりビア31、コイル32、電極33を形成するとともに、上方から研磨して絶縁層27の上表面を露出させる。
その後、図15に示すごとく、絶縁層27、コイル32の上面にレジストを形成して露光し、絶縁層34を形成する。
次に、図16に示すごとく、フッ酸処理などにより、図15に示した基板8を除去して電子部品、ここではインダクタンス部品を製造することができる。
この製造方法により、図11に示した絶縁層28は、ビア接続部26Aと露光方向から見て同一でない部分のみに形成されるため、本ビア形成部29とビア接続部26Aとの形成位置関係が崩れることがなく、後述するコイルとビアとの接続信頼性を担保することができるとともに、図10に示した仮ビア形成部22において、図11に示すコイル形成部26におけるビア接続部26Aと露光方向から見て同一でない場所には、絶縁層28を形成することができるため、ビア形成部29の径を必要以上に太くすることがなく、インダクタンス値を向上させることができるのである。
なお、本実施の形態においてはインダクタンス部品を例にとって説明したが、コイルとビアとを有する電子部品であれば、本発明の効果は有効である。
本発明の電子部品の製造方法は、製造された電子部品のインダクタンス値を向上させることができるという効果を有し、各種電子機器において有用である。
18 絶縁層(第1の絶縁層)
20 コイル(第1のコイル)
22 仮ビア形成部
23 絶縁層(第2の絶縁層)
26 コイル形成部(第2のコイル形成部)
27 絶縁層(第3の絶縁層)
28 絶縁層(第4の絶縁層)
29 ビア形成部
30 下地層
31 ビア
32 コイル(第2のコイル)
20 コイル(第1のコイル)
22 仮ビア形成部
23 絶縁層(第2の絶縁層)
26 コイル形成部(第2のコイル形成部)
27 絶縁層(第3の絶縁層)
28 絶縁層(第4の絶縁層)
29 ビア形成部
30 下地層
31 ビア
32 コイル(第2のコイル)
Claims (2)
- まず第1の絶縁層からその上面が露出された第1のコイルを形成し、
次に前記第1の絶縁層の上面に第1のレジスト層を形成し、
その後この第1のレジスト層における少なくとも仮ビア形成部を除く部分を露光して第2の絶縁層を形成し、
次にこの第2の絶縁層上面に第2のレジスト層を形成し、
その後この第2のレジスト層における少なくとも第2のコイル形成部を除く部分を露光して第3の絶縁層を形成すると同時に、
前記第2のレジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して第4の絶縁層を形成し、
次に前記仮ビア形成部から前記第4の絶縁層を除いた本ビア形成部と前記第2のコイル形成部とを現像により取り除き、
その後前記第2の絶縁層、前記第3の絶縁層及び第4の絶縁層の露出する表面に下地層を形成し、
次にこの下地層を電極として導体を形成することによりビア及び第2のコイルを形成する
電子部品の製造方法。 - 仮ビア形成部におけるコイル巻回平面上の面積は
第2のコイルのビア接続部分におけるコイル巻回平面上の面積よりも大きい構成とした
請求項1に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007008809A JP2008177321A (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 電子部品の製造方法 |
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JP2007008809A JP2008177321A (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 電子部品の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2008177321A true JP2008177321A (ja) | 2008-07-31 |
Family
ID=39704137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007008809A Pending JP2008177321A (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008177321A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010004723A1 (ja) | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 株式会社ジェイテクト | 伝達比可変機構およびこれを備える車両用操舵装置 |
CN107403789A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-11-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 提高高阻衬底电感性能的方法及半导体结构 |
-
2007
- 2007-01-18 JP JP2007008809A patent/JP2008177321A/ja active Pending
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CN107403789A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-11-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 提高高阻衬底电感性能的方法及半导体结构 |
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