JP2008159618A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008159618A JP2008159618A JP2006343226A JP2006343226A JP2008159618A JP 2008159618 A JP2008159618 A JP 2008159618A JP 2006343226 A JP2006343226 A JP 2006343226A JP 2006343226 A JP2006343226 A JP 2006343226A JP 2008159618 A JP2008159618 A JP 2008159618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- inductance element
- spiral
- inductance
- square
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 186
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/002—Details of via holes for interconnecting the layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
【課題】専有面積が小さく、かつ、大きなインダクタンス値を有するインダクタンス素子を提供する。
【解決手段】四角形のスパイラル状に形成された第1の導体と、誘電層を挟んで前記第1の導体に対応する四角形のスパイラル状に形成された第2の導体と、を有し、前記第1の導体の内周端と前記第2の導体の内周端とが、前記第1の導体および前記第2の導体が形成する四角形の角部の近傍で電気的に接続されていることを特徴とするインダクタンス素子。
【選択図】図1
【解決手段】四角形のスパイラル状に形成された第1の導体と、誘電層を挟んで前記第1の導体に対応する四角形のスパイラル状に形成された第2の導体と、を有し、前記第1の導体の内周端と前記第2の導体の内周端とが、前記第1の導体および前記第2の導体が形成する四角形の角部の近傍で電気的に接続されていることを特徴とするインダクタンス素子。
【選択図】図1
Description
本発明は、スパイラル状の導体を用いて形成されるインダクタンス素子に関する。
導体をスパイラル状に構成することで形成されるインダクタンス素子は、例えば電源(スイッチング電源)や、フィルタ回路などに用いられてきた。上記のインダクタンス素子のインダクタンス値は、スパイラル状に形成される導体の長さに実質的に比例する。このため、高いインダクタンス値を得るためには、スパイラル状に形成される導体の長さを長くする必要がある。
しかし、上記のインダクタンス素子は、近年は通信機器などのいわゆるモバイル機器に搭載する必要性から小型化・軽量化が要求されている。このため、インダクタンス素子を小型化する必要性から導体の長さには制限が生じてしまう場合がある。このため、例えばスパイラル状に形成された導体を積層することで高いインダクタンス値を得る構造が提案されていた(例えば特許文献1参照)。
特開2004−319763号公報
しかし、インダクタンス素子が用いられる通信機器などのさらなる小型化に伴い、インダクタンス素子はさらに小型化することが要求されている。このため、インダクタンス素子は、その占有面積(占有体積)をさらに小さくし、かつ小さい占有面積でさらに高いインダクタンス値を得ることが要求されている。
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用なインダクタンス素子を提供することを統括的課題としている。
本発明の具体的な課題は、専有面積が小さく、かつ、大きなインダクタンス値を有するインダクタンス素子を提供することである。
本発明は、上記の課題を、四角形のスパイラル状に形成された第1の導体と、誘電層を挟んで前記第1の導体に対応する四角形のスパイラル状に形成された第2の導体と、を有し、前記第1の導体の内周端と前記第2の導体の内周端とが、前記第1の導体および前記第2の導体が形成する四角形の角部の近傍で電気的に接続されていることを特徴とするインダクタンス素子により、解決する。
本発明によれば、専有面積が小さく、かつ、大きなインダクタンス値を有するインダクタンス素子を提供することが可能となる。
本発明によるインダクタンス素子は、四角形のスパイラル状に形成された第1の導体と、誘電層を挟んで前記第1の導体に対応する四角形のスパイラル状に形成された第2の導体と、を有し、前記第1の導体の内周端と前記第2の導体の内周端とが、前記第1の導体および前記第2の導体が形成する四角形の角部の近傍で電気的に接続されていることを特徴としている。
上記のインダクタンス素子では、スパイラル形状を丸(円)ではなく四角とすることで、インダクタンス素子の実質的な専有面積に対して形成可能な導体の長さを長くすることが可能となっている。例えば、素子が円形の場合には、素子の実質的な占有面積は、当該円形の直径(いわゆる長尺)を一辺とする正方形の面積に近くなってしまう。
このため、丸いスパイラル形状では素子が実質的に占有している領域において、スパイラルが形成されない領域(正方形の四隅)が多く存在してしまう。したがって、スパイラル形状を四角形とすることで、インダクタンス素子の専有面積に対して形成可能なスパイラルの長さを長くすることが可能となる。
また、上記のインダクタンス素子では、前記第1の導体と前記第2の導体とが誘電層を介して対応するように設置されているために、お互いの導体の相互の影響によってインダクタンス値が高くなる効果を奏する。例えば、前記第1の導体と前記第2の導体とを流れる電流の方向が同じ方向となる場合、該第1の導体と該第2の導体との相互の影響によってインダクタンス値は大きくなる。
この場合、前記第1の導体の内周端と前記第2の導体の内周端とが、前記第1の導体および前記第2の導体が形成する四角形の角部の近傍で電気的に接続されることが好ましい。この場合、前記第1の導体と前記第2の導体とが前記誘電層を挟んで対向する部分の長さをより長く形成することが可能となり、該第1の導体と該第2の導体との相互の影響によるインダクタンス値の増大の効果を大きくすることができる。
すなわち、前記第1の導体と前記第2の導体とが前記角部の近傍で接続されることで、該第1の導体と該第2の導体とが前記誘電層を介して対向する距離が長くなることになる。上記のインダクタンス値を大きくすることが可能となる構造の詳細については後述する。
次に、上記のインダクタンス素子の構造の具体的な一例について図面に基づき、以下に説明する。
図1は、本発明の実施例1によるインダクタンス素子100を模式的に示した図である。図1を参照するに、本図に示すインダクタンス素子100の概略は、四角形のスパイラル状に形成された第1の導体101と、第1の導体101に対応する四角形のスパイラル状に形成された第2の導体201とを有する構造になっている。
上記の第1の導体101と第2の導体201とは、本図では図示を省略する誘電層を挟んで対向するように設置されている。すなわち、第1の導体101の四角のスパイラル形状と第2の導体201の四角のスパイラル形状とが当該誘電層を挟んで対向するように設置されている。
また、第1の導体の内周端102と第2の導体の内周端202とは、第1の導体101および第2の導体201が形成する四角形の角部の近傍で、例えばプラグ301により、電気的に接続されている。
また、第1の導体101と同一平面上に、プラグ203を介して第2の導体201の外周端に接続される接続部204が設置されており、インダクタンス素子への電気的な接続が容易となる構成とされている。
上記のインダクタンス素子100は、例えば、配線基板や半導体パッケージの配線層、ウェハレベルパッケージやチップサイズパッケージサイズの再配線層に造り込まれて用いられる。例えば、上記のインダクタンス素子100を、配線基板(多層配線基板)に造り込む場合、配線基板に造り込まれるパターン配線と同時に第1の導電パターン101、第2の導電パターン201などがパターニングされ、配線基板に造り込まれるビアプラグと同時にプラグ301が造り込まれ、配線基板に造り込まれる絶縁層が、上記の誘電層に相当する。
また、上記のインダクタンス素子100に流れる電流は、第1の導体101の外周端から第1の導体101の内周端102に向かって時計回りに流れる。なお、図中の矢印は電流の流れる方向を示している(以下の図についても同様)。
さらに、電流は、第1の導体101から、先に説明したプラグ301を介して第2の導体201側に流れることになる。第2の導体201においては、プラグが接続される内周端202から、外周端に向かって時計回りに、すなわちスパイラルに対して電流の流れが回転する方向が第1の導体101と同じとなるように流れる。
図2は、図1に示したインダクタンス素子100の平面図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する(以下の図においても同様)。
図2を参照するに、本実施例によるインダクタンス素子100においては、平面視した場合に第1の導体101のスパイラル形状と第2の導体201のスパイラル形状とが対応して重なるように構成されていることが特徴である。また、本実施例では、第1の導体101(第2の導体201)の四角形の外周の1辺S1の長さと、S1に直交する外周の1辺S2の長さが同じとなるように構成されている。すなわち、本実施例では上記の四角形が正方形となるように構成されているが、本発明はこれに限定されず、S1とS2が異なるように構成してもよい。
また、図3は、図2のA−A'断面図を示したものである。図3を参照するに、本実施例によるインダクタンス素子100では、第1の導体101と第2の導体201とが、誘電層401(図1では図示を省略)を挟んで対向していることがわかる。
また、上記の構成において、第1の導体101を覆う誘電層(絶縁層)や、または、第2の導体201を覆う誘電層がさらに形成されていてもよい。また、第1の導体101を覆う誘電層と第2の導体を覆う誘電層、および誘電層401とが一体的に形成されていてもよい。すなわち、所定の誘電層の中に第1の導体101と第2の導体201が埋設されている構成であってもよい。
上記のインダクタンス素子100では、スパイラル形状を丸(円)ではなく四角とすることで、インダクタンス素子の実質的な専有面積に対して形成可能な第1の導体101の長さ(第2の導体201の長さ)を長くすることが可能となっている。
例えば、配線基板は四角形であることが一般的であり、配線基板に搭載される電子部品は、平面形状(配線基板に配置した場合の専有面積)が四角形である場合が一般的である。このため、配線基板に電子部品を配置する場合には、搭載される部品が四角形であることを前提として配置の設計が行われる。
よって、電子部品の配置の関係から、円形のインダクタンス素子を配線基板に造り込んだ場合、その実質的な占有面積は、当該円形の直径を一辺とする四角形となってしまう。
このため、丸いスパイラル形状では素子が実質的に占有している領域において、スパイラルが形成されない領域(正方形の四隅)が多く存在してしまう。したがって、スパイラル形状を四角形とすることで、インダクタンス素子の専有面積に対して形成可能なスパイラルの長さを長くすることが可能となる。
例えば、スパイラル形状の違いによって生じる形成可能なスパイラルの長さの違いについて、一辺が4mmの正方形となる領域に形成する場合を例にとって比較してみる。導体の幅とスペースをそれぞれ0.1mmとすると、スパイラル形状が円形の場合にはスパイラルの長さは約66mm、スパイラル形状が四角形の場合にはスパイラルの長さは約84mmとなる。
このように、スパイラルの形状を四角形とすると、素子の占有面積に対して形成可能なスパイラルの長さを長くすることが可能となる。
また、上記のインダクタンス素子100では、第1の導体101と第2の導体201とが誘電層401を介して対向するように設置されているため、お互いの導電体が影響し合うことによってインダクタンス値が高くなる効果を奏している。例えば、先に説明したように、第1の導体101と第2の導体201とを流れる電流の方向(スパイラルの方向)が同じ方向となる場合、第1の導体101と第2の導体201との相互の影響によってインダクタンス値は大きくなるように作用する。
図4は、上記のインダクタンス素子100を作成してインダクタンス値を測定した結果を示す図である。インダクタンス素子100を作成するにあたって、図2に示した正方形の一辺(S1,S2)を4mm、図3に示した第1の導体101(第2の導体201)の幅L1を0.1mm、隣接する導体のスペースS1を0.1mmとした。また、第1の導体101と第2の導体201はCuにより形成した。また、誘電層(絶縁層)401は、例えばエポキシ系の樹脂材料により形成した。厚さH1は、0.8mmとした。当該誘電層の比誘電率は4.8、誘電正接(tanδ)は0.015であった。
図4を参照するに、インダクタンス素子100のインダクタンス値(図中スパイラル2層と表記)は約177.7nHであった。また、比較のために、導体(スパイラル)を積層せず、1層のみ(第1の導体101のみ)形成した場合のインダクタンス値を測定したところ、68.3nHであった。すなわち、スパイラルが1層のインダクタンス値を単に2倍した値(133.6nH)に対して、本実施例ではインダクタンス値が33%大きくなっている。
上記の結果から、本実施例によるインダクタンス素子100では、導体(スパイラル形状)を積層することによって、積層された導体の間に相互に作用する影響により、単に線長を2倍にする以上の高いインダクタンス値が得られることが確認された。
また、本実施例によるインダクタンス100では、第1の導体101の内周端102と、第2の導体201の内周端202とが、第1の導体101および第2の導体201が形成する四角形の角部の近傍でプラグ301により電気的に接続されていることが特徴である。
上記の構成とすることで、誘電層401を挟んで対向する第1の導体101と第2の導体201の長さをより長く形成することが可能となり、先に説明したインダクタンス値を大きくする効果をより良好とすることができる。
上記の構造について、図5〜図7を用いて説明する。図5は、第1の導体101の内周端102近傍の一部を拡大して示した平面図である。また、図6は、第2の導体201の内周端202近傍の一部を拡大して示した平面図である。また、図7は、図5の第1の導体101と図6の第2の導体201を重ね合わせて示したものであり、インダクタンス素子100において、第1の導体101と第2の導体202とが接続される角部近傍を拡大した平面図に相当する。
図5を参照するに、第1の導体101を流れる電流は、先に説明したように第1の導体101の外周側から内周側に向かって時計回りに流れる。さらに、電流は第1の導体101が形成する四角形の角部近傍の内周端102からプラグ301(図1に図示)を介して第2の導体201側に流れることになる。
図6を参照するに、第2の導体201を流れる電流は、先に説明したように第2の導体201の内周側から外周側に向かって時計回りに、すなわち、第1の導体101の電流の流れと同じ回転方向に流れる。
次に、図7を参照するに、第1の導体101を流れる電流と第2の導体201を流れる電流の方向は、スパイラルを構成する四角形の角部近傍を除いては同じとなり、全体としては実質的に同じ方向に流れることになる。
この場合、第1の導体101と第2の導体201が、スパイラルの四角形の角部近傍で接続されているため、第1の導体101と第2の導体201の、誘電層401を挟んで対向する部分の長さをより長く形成することが可能となっている。
例えば、第1の導体101と第2の導体201の接続点(以下単に接続点と表記する)が、第1の導体101(第2の導体201)の最内周の正方形の一辺の中間付近に設置されたと仮定する。この場合、最内周の第1の導体101が第2の導体201と対向しない部分(平面視した場合に重ならない部分)と、最内周の第2の導体201が第1の導体101と対向しない部分(平面視した場合に重ならない部分)とが大きくなってしまう(このような構造の例については図10,図11で後述)。
一方で、接続点が角部近傍に形成されている場合には、第1の導体101と第2の導体201が対向する部分(平面視した場合に重なる部分)を大きくすることができる。このため、本実施例によるインダクタンス素子100では、第1の導体101と第2の導体201との相互の影響によるインダクタンス値の増大の効果を大きくすることができる。また、上記の場合の四角形の角部近傍とは、角部から、最内周の導体の1辺の長さの、10〜20%以内の距離の範囲であることをいう。
また、第1の導体101の内周端102は、第1の導体101のスパイラルの内側に突出し、第2の導体201の内周端202は、第2の導体201のスパイラルの内側に突出し、それぞれの内周端102、202が、プラグ301により、接続されている。上記の構造とすることで、第1の導体101と第2の導体201の上下の対向部分の長さをより長くすることができる。
また、本実施例によるインダクタンス素子100では、第1の導体101,第2の導体201、およびプラグ301は例えばCuより、誘電層401は例えば樹脂材料により形成されるが、これらの材料は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、第1の導体101,第2の導体201、およびプラグ301は、Au,Ag,Alなどの金属材料や、またはこれらを含む合金材料を用いて構成してもよい。また、誘電層401は、ガラス、セラミックなど他の絶縁材料を用いて構成してもよい。
次に、上記のインダクタンス素子100(以下実施例1)と、インダクタンス素子100の構成を変更した比較例1〜比較例3の素子について、それぞれのインダクタンス値をシミュレーションにより比較した例について説明する。まず、図8〜図13を用いて比較例1〜比較例3の構造の特徴を説明し、図14でシミュレーション結果の数値について説明する。
図8は、比較例1によるインダクタンス素子(以下比較例1)の構成を示す斜視図であり、図9はその平面図である。なお、比較例を構成する材料(物性値)、線幅、スペースなどは実施例1と同様にしている。なお、以下の図では比較例1〜比較例3の誘電層の図示を省略している。
図8、図9を参照するに、比較例1では、第1の導体101Aと第2の導体201Aとが、ともに円形のスパイラル状に形成されている点で実施例1と相違する。その他の構成は実施例1に準じた構成となっている。この場合、第1の導体101Aの内周端102Aと第2の導体201Aの内周端202Aとが、プラグ301で接続されている。
また、スパイラルを形成する円の最外周の直径D1,D2は4mmとしている。
また、スパイラルを形成する円の最外周の直径D1,D2は4mmとしている。
図10は、比較例2によるインダクタンス素子(以下比較例2)の構成を示す斜視図であり、図11はその平面図である。
図10、図11を参照するに、比較例2では、第1の導体101Bと第2の導体201Bの接続点が、第1の導体101B(第2の導体201B)の最内周の正方形の一辺の中間付近に設置されている。すなわち、第1の導体101Bの内周端102Bと第2の導体201Bの内周端202B、およびプラグ301が、上記の正方形の一辺の中間付近に形成されている。この場合、最内周の第1の導体101Bが第2の導体201Bと対向しない部分(平面視した場合に重ならない部分)と、最内周の第2の導体201Bが第1の導体101Bと対向しない部分(平面視した場合に重ならない部分)とが、実施例1に比較して大きくなっている。なお、正方形の一辺(S3,S4)の長さは実施例1と同じにしている。
図12は、比較例3によるインダクタンス素子(以下比較例3)の構成を示す斜視図であり、図13はその平面図である。
図12、図13を参照するに、比較例3では、第1の導体101Cと第2の導体201Cのスパイラル形状が対向していない(平面視した場合にスパイラル形状が対応して重なっていない)点で比較例2と相違している。第2の導体201Cは、第1の導体101Cに対して、正方形の中心を回転の中心とした場合に回転角AGが15°ずれた状態で積層されている。
また、第1の導体101Cの内周端102Cと第2の導体201Cの内周端202C、およびプラグ301が、スパイラルの正方形の一辺の中間付近に形成されている点は比較例2に準じている。なお、正方形の一辺(S5,S6)の長さは実施例1と同じにしている。
図14は、上記の実施例1と比較例1〜比較例3のインダクタンス値をシミュレーションよって算出した結果について示した図である。
まず、実施例1と比較例1のインダクタンス値について比べてみる。実施例1と比べて比較例1でインダクタンス値が小さくなっているのは、おもに導体の線長の差が影響していると考えられる。これは、素子の占有面積の観点を考慮して、実施例1のスパイラルの正方形の1辺の長さと比較例1のスパイラルの直径を同じにしているためである。このため、実施例1の方がスパイラルの線長が長くなり、インダクタンス値が大きくなっている。
また、比較例1では、スパイラルが円形のために、図9に示すように平面視した場合に積層される導体が斜めに重ねられる部分が多くなっている。すなわち、積層される導体の間で、電流の流れる方向が一致しない領域がより多く形成されている。このために、対向する導体の間の相互の影響によりインダクタンス値が高められる効果が小さくなっていると考えられる。
また、比較例2においては、先に説明したように、積層される導体が対向しない部分(平面視した場合に重ならない部分)が実施例1に比べて大きくなっている。このため、対向する導体の間の相互の影響によりインダクタンス値が高められる効果が小さくなり、実施例1に比べてインダクタンス値が小さくなっている。
また、比較例3においては、比較例2の影響に加えて積層される導体のそれぞれのスパイラル形状が対向していない(平面視した場合にスパイラル形状が対応して重なっていない)影響により、インダクタンス値が比較例2に比べてさらに小さくなっている。
上記のシミュレーション結果を鑑みると、実施例1は比較例1〜比較例3のいずれよりもインダクタンス値が高く、本発明によるインダクタンス素子によって高いインダクタンス値が得られることが確認された。
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
例えば、上記の実施例ではスパイラル状の導体が2層積層される場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、さらにスパイラル状の導体が多層に積層される構造としてもよい。
本発明によれば、専有面積が小さく、かつ、大きなインダクタンス値を有するインダクタンス素子を提供することが可能となる。
100 インダクタンス素子
101,101A,101B,101C 第1の導体
102,102A,102B,102C 内周端
201,201A,201B,201C 第2の導体
202,202A,202B,202C 内周端
203 プラグ
204 接続部
301 プラグ
101,101A,101B,101C 第1の導体
102,102A,102B,102C 内周端
201,201A,201B,201C 第2の導体
202,202A,202B,202C 内周端
203 プラグ
204 接続部
301 プラグ
Claims (3)
- 四角形のスパイラル状に形成された第1の導体と、
誘電層を挟んで前記第1の導体に対応する四角形のスパイラル状に形成された第2の導体と、を有し、
前記第1の導体の内周端と前記第2の導体の内周端とが、前記第1の導体および前記第2の導体が形成する四角形の角部の近傍で電気的に接続されていることを特徴とするインダクタンス素子。 - 平面視した場合に前記第1の導体のスパイラル形状と前記第2の導体のスパイラル形状が対応して重なるように構成されていることを特徴とする請求項1記載のインダクタンス素子。
- 前記第1の導体と前記第2の導体を流れる電流の方向が同一となるように構成されていることを特徴とする請求項2記載のインダクタンス素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343226A JP2008159618A (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | インダクタンス素子 |
US11/960,112 US20080164967A1 (en) | 2006-12-20 | 2007-12-19 | Inductance element |
TW096148868A TW200830335A (en) | 2006-12-20 | 2007-12-20 | Inductance element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343226A JP2008159618A (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | インダクタンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159618A true JP2008159618A (ja) | 2008-07-10 |
Family
ID=39593765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006343226A Pending JP2008159618A (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | インダクタンス素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080164967A1 (ja) |
JP (1) | JP2008159618A (ja) |
TW (1) | TW200830335A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2880666A1 (en) * | 2012-07-30 | 2015-06-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Complex passive design with special via implementation |
JP2018078306A (ja) * | 2014-02-27 | 2018-05-17 | 株式会社村田製作所 | 積層体の製造方法、および、積層体 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8068003B2 (en) * | 2010-03-10 | 2011-11-29 | Altera Corporation | Integrated circuits with series-connected inductors |
US9159711B2 (en) * | 2011-07-29 | 2015-10-13 | GlobalFoundries, Inc. | Integrated circuit systems including vertical inductors |
WO2014025643A1 (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-13 | The Trustees Of Dartmouth College | Systems and methods for promoting low loss in parallel conductors at high frequencies |
US9899133B2 (en) | 2013-08-01 | 2018-02-20 | Qorvo Us, Inc. | Advanced 3D inductor structures with confined magnetic field |
US9294045B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Gain and phase calibration for closed loop feedback linearized amplifiers |
US9196406B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-11-24 | Rf Micro Devices, Inc. | High Q factor inductor structure |
US9705478B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-07-11 | Qorvo Us, Inc. | Weakly coupled tunable RF receiver architecture |
US9859052B2 (en) | 2013-11-25 | 2018-01-02 | A.K. Stamping Co., Inc. | Wireless charging coil |
US9490656B2 (en) | 2013-11-25 | 2016-11-08 | A.K. Stamping Company, Inc. | Method of making a wireless charging coil |
DE102015218715A1 (de) * | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Stromwandlermodul |
US11139238B2 (en) | 2016-12-07 | 2021-10-05 | Qorvo Us, Inc. | High Q factor inductor structure |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63224209A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Fuji Electric Co Ltd | コア用コイル |
JPH0793671A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Miyake:Kk | 共振タグ |
JP2000277354A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Nagano Japan Radio Co | 積層型コモンモードチョークコイル |
JP2001044037A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層インダクタ |
JP2001044035A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
JP2001085230A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | インダクタ |
JP2001326120A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-11-22 | Alps Electric Co Ltd | インダクティブ素子及びこのインダクティブ素子を用いたdc−dcコンバータ |
JP2002043128A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Alps Electric Co Ltd | スパイラルインダクタンス装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3835354B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2006-10-18 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ |
US7271465B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-09-18 | Qualcomm Inc. | Integrated circuit with low-loss primary conductor strapped by lossy secondary conductor |
US7262680B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-08-28 | Illinois Institute Of Technology | Compact inductor with stacked via magnetic cores for integrated circuits |
-
2006
- 2006-12-20 JP JP2006343226A patent/JP2008159618A/ja active Pending
-
2007
- 2007-12-19 US US11/960,112 patent/US20080164967A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-20 TW TW096148868A patent/TW200830335A/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63224209A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Fuji Electric Co Ltd | コア用コイル |
JPH0793671A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Miyake:Kk | 共振タグ |
JP2000277354A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Nagano Japan Radio Co | 積層型コモンモードチョークコイル |
JP2001044035A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
JP2001044037A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層インダクタ |
JP2001085230A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | インダクタ |
JP2001326120A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-11-22 | Alps Electric Co Ltd | インダクティブ素子及びこのインダクティブ素子を用いたdc−dcコンバータ |
JP2002043128A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Alps Electric Co Ltd | スパイラルインダクタンス装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2880666A1 (en) * | 2012-07-30 | 2015-06-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Complex passive design with special via implementation |
JP2015531998A (ja) * | 2012-07-30 | 2015-11-05 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 特別なビア実装形態を有する複雑な受動設計 |
JP2018078306A (ja) * | 2014-02-27 | 2018-05-17 | 株式会社村田製作所 | 積層体の製造方法、および、積層体 |
US10204735B2 (en) | 2014-02-27 | 2019-02-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing electromagnet, and electromagnet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200830335A (en) | 2008-07-16 |
US20080164967A1 (en) | 2008-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008159618A (ja) | インダクタンス素子 | |
TWI397930B (zh) | 螺旋電感元件 | |
CN112908611B (zh) | 线圈部件 | |
JP2008171965A (ja) | 超小型電力変換装置 | |
JP2008147297A (ja) | 超小型電力変換装置 | |
CN102293072A (zh) | 线路板及其制造方法 | |
US10790792B2 (en) | LC composite device, processor, and method for manufacturing LC composite device | |
WO2016132666A1 (ja) | コモンモードノイズフィルタ | |
US20180108633A1 (en) | Semiconductor device | |
JP6090533B2 (ja) | Rfidタグおよびこれを備える通信装置 | |
JP2005167468A (ja) | 電子装置および半導体装置 | |
JP2023054823A (ja) | Dc/dcコンバータ部品 | |
JP2010109075A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2006073625A (ja) | 電子部品 | |
CN114127971A (zh) | 用于制造集成电感器和相关半导体器件的技术、电子***和方法 | |
JP2009021495A (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP6838635B2 (ja) | コイル部品 | |
JP5138260B2 (ja) | チップ型電子部品 | |
JP2005333004A (ja) | 半導体装置 | |
JP6256575B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP2010093076A (ja) | 半導体パッケージ及び半導体装置 | |
JP5869246B2 (ja) | コイル内蔵基板および電子モジュール | |
JP7276283B2 (ja) | インダクタ部品 | |
JP2018067575A (ja) | 半導体装置および配線基板の設計方法 | |
JP5623330B2 (ja) | 電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |