JP2006073625A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン配線を有する基板を積層したときに生じる、各基板のパターン配線間で伝播するノイズを低減した電子部品を提供する。
【解決手段】 パターン配線を有する第1〜第3半導体チップ1A〜1Cを積層したときに、各半導体チップのパターン配線が積層方向一方側から見て直交以外の角度で交差する。この場合、各半導体チップのパターン配線が互いに平行とならないので、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合は、各半導体チップのパターン配線が互いに平行になるときに比べて、小さくなる。また、容量結合および誘導結合によって生じる電流は分散して流れる。そのため、容量結合および誘導結合によって、積層された半導体チップのパターン配線間で伝播するノイズを低減する電子部品7が実現される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、配線が形成された基板を複数積層して組み立てられる電子部品に関する。
第1の従来の技術では、複数の半導体チップを積層して組合わせるチップオンチップの技術を用いた電子部品がある。このような電子部品では、半導体チップの厚み方向の表面同士が対向するように複数の半導体チップを重ね合わせて接合することによって、1つのパッケージに複数の半導体チップを高密度に実装し、大規模な論理回路を有する電子部品の、実装基板への実装面積を縮小している(たとえば特許文献1参照)。
第2の従来の技術では、パターン配線が形成される複数の配線層を有する矩形状の半導体チップがある。該半導体チップの各配線層の座標系は、半導体チップの周辺に沿って延びる座標系、および半導体チップの周辺に沿う直交する2方向に0度を超えて90度未満の範囲の角度で交差する座標系のうちいずれか一つに選択され、各配線層のパターン配線は、各配線層の座標系に沿って延びている。半導体チップ内の所定の論理演算機能を有する複数の回路素子を組合わせてまとめたものをセルと定義し、セルの集合体をマクロセルと定義する。各配線層に所定の座標系を設定し、座標系の異なるパターン配線を複数経由してマクロセルとマクロセルとを接続することによって、マクロセルとマクロセルとの配線の距離を3次元的に最短にすることができ、配線遅延を低減している(たとえば特許文献2参照)。
図13は、積層される2つの半導体チップを模式化して示す平面図である。2つの半導体チップをそれぞれ第5半導体チップ1Eおよび第6半導体チップ1Fとする。図13では、第5半導体チップ1Eと第6半導体チップ1Fとを積層したときの、第5半導体チップ1Eの外形と、第5半導体チップ1Eに電力を供給する電極に接続される第5電源端子部2Eと、第5電源端子部2Eに接続される第10パターン配線44Aと、グランドに接続される第5グランド端子部3Eと、第6半導体チップ1Fの外形と、第6半導体チップ1Fに電力を供給する電極に接続される第6電源端子部2Fと、第6電源端子部2Fと電気的に接続される第11パターン配線44Bと、グランドに接続される第6グランド端子部3Fとを模式化して示している。図13に示すように、第5半導体チップ1Eと第6半導体チップ1Fとを積層する場合、第10パターン配線44Aと第11パターン配線44Bとが相互に平行となる場合がある。第10パターン配線44Aと第11パターン配線44Bとが互いに平行となると、第10パターン配線44Aと第11パターン配線44Bとの間に生じる容量結合および誘導結合は、大きくなる。第1の従来の技術では、積層された半導体チップのパターン配線間に生じる容量結合および誘電結合に関して何ら考慮していない。そのため、図13に示すように、第2半導体チップ1Bの第11パターン配線44Bの矢符5の向きに高周波電流が流れると、第10パターン配線44Aと第11パターン配線44Bとの間に生じる容量結合および誘導結合によって誘起される第4高周波電流が、矢符5と逆向きの矢符6Dの向きに第1半導体チップ1Aの第10パターン配線44Aに流れる。したがって、第10パターン配線44Aと第11パターン配線44Bとの間に生じる容量結合および誘導結合が大きくなると、第5半導体チップ1Eが動作することによって生じる第5半導体チップ1Eの第10パターン配線44Aに流れる電流の変化が、容量結合および誘導結合によって、第6半導体チップ1Fに流れる電流の変化を誘起し、第6半導体チップ1Fの動作に影響を与えるという問題が生じる。
たとえばデジタル信号を処理する機能を有する半導体チップ(以後デジタル半導体チップという)と、少なくともアナログ信号を処理する機能を有する半導体チップ(以後アナログ半導体チップという)とを積層すると、デジタル半導体チップの電源端子部に接続されるパターン配線、およびグランド端子部に接続されるパターン配線間の電圧(以後電源およびグランド間の電圧という)の変動が、離間するパターン配線間に生じる容量結合および誘導結合によって、アナログ半導体チップの電源およびグランド間の電圧の変動を誘起する。アナログ半導体チップの電源端子部に接続されるパターン配線およびグランド端子部に接続されるパターン配線間に誘起された電圧がノイズとなり、アナログ半導体チップの所望する機能が得られなくなる。音声処理および映像処理などの動作周波数の比較的低いアナログ半導体チップを積層した場合、アナログ半導体チップがデジタル半導体チップの電源およびグランド間の電圧の変動によるノイズを受けると、アナログ半導体チップによって処理される信号に基づいて出力される音声に雑音が生じたり、映像に乱れが生じたりするなどの問題が発生する。また、電波を受発信するRF(Radio Frequency)部を含む無線通信回路を形成する動作周波数の比較的高い半導体チップを積層した場合、アナログ半導体チップが積層されたデジタル半導体チップの電源およびグランド間の電圧の変動によるノイズを受けると、受発信感度が低下するなどの問題が発生する。
第2の従来の技術は、1つの半導体チップにおけるマクロセル間の配線遅延を最小にするためのものであり、半導体チップを複数積層した場合に生じる、積層された半導体チップが相互に及ぼし合う影響に関して何ら考慮していない。このため、第2の従来の技術の半導体チップを複数積層した場合、各半導体チップのうちいずれか1つの半導体チップに形成されるパターン配線は、前記いずれか1つの基板以外の他の基板に形成されるパターン配線と、積層方向に離間し、積層方向一方側から見て、相互に平行となるおそれがある。離間したパターン配線間で配線が相互に平行となると、パターン配線間に生じる容量結合および誘導結合が大きくなる。そのため、前述の第1の従来の技術と同様の問題が生じる。
また、2つの半導体チップを積層した場合、共振の問題も発生する。一方の半導体チップから他方の半導体チップへノイズが伝播すると、そのノイズが今度はノイズ源となり、他方の半導体チップから一方の半導体チップへノイズが伝播する。このように、ノイズの伝播が半導体チップ間で往復することを共振という。
1つの半導体チップ内の、半導体チップに電力を供給する電極に接続されるパターン配線とグランドに接続されるパターン配線とを除く配線(以後1つの半導体チップ内の配線という)の長さは、半導体チップに電力を供給する電極に接続されるパターン配線およびグランドに接続されるパターン配線(以後電源およびグランドのパターン配線という)と比べて十分短い。そのため、1つの半導体チップ内の配線と、離間する他の1つの半導体チップの配線との間に共振が生じることは、ほとんどない。一方、電源およびグランドのパターン配線の長さは、1つの半導体チップ内の配線に比べて長い。そのため、一方の半導体チップの電源およびグランドのパターン配線と、他方の半導体チップの電源およびグランドのパターン配線との間に共振が発生しやすい。
したがって本発明の目的は、パターン配線を有する基板を積層したときに生じる、各基板のパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合を低減し、容量結合および誘導結合によって発生する電流を分散させることによって、所定の積層位置に配置された基板のパターン配線に流れる電流が、他の基板のパターン配線に誘起するノイズを低減することができる電子部品を提供することである。
本発明は、複数の基板が積層される電子部品であって、
各基板は、直交する2方向に沿って延びるパターン配線を有し、
各基板のうちいずれか1つの基板に形成されるパターン配線は、前記いずれか1つの基板以外の他の基板に形成されるパターン配線と、積層方向に離間し、積層方向一方側から見て、直交以外の角度で交差することを特徴とする電子部品である。
各基板は、直交する2方向に沿って延びるパターン配線を有し、
各基板のうちいずれか1つの基板に形成されるパターン配線は、前記いずれか1つの基板以外の他の基板に形成されるパターン配線と、積層方向に離間し、積層方向一方側から見て、直交以外の角度で交差することを特徴とする電子部品である。
本発明に従えば、各基板のパターン配線は、積層方向一方側から見て直交以外の角度で交差する。離間するパターン配線間の距離は、積層方向一方側から見て交差している部分(以後交差部という)で最小になる。そのため、離間するパターン配線間に生じる容量結合および誘導結合は、交差部で大きくなり、その他の部分では交差部に比べて小さくなる。離間するパターン配線の交差部で生じる容量結合および誘導結合は最も大きくなるが、その大きさは、交差部でのパターン配線間の距離と同距離で平行にパターン配線を配置したときに生じる容量結合および誘導結合よりも小さい。したがって、各基板のパターン配線が、積層方向一方側から見て平行になるように各基板を積層する場合に比べて、積層方向一方側から見て各基板のパターン配線が直交する角度以外で交差するように積層する場合の各基板のパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合は、全体として小さくなる。さらに、積層方向一方側から見て各基板のパターン配線が直交する角度以外で交差する場合、離間するパターン配線が交差している箇所は、離散して存在する。容量結合および誘導結合によって誘起されてパターン配線に流れる電流は、パターン配線が交差している箇所では、異なる方向に流すことができるので、電流が分散して流れることとなり、交差している箇所に流れる電流は、小さくなる。交差している箇所に流れる電流の方向とは、交差している箇所でパターン配線が延びる方向である。
また本発明は、前記基板は、半導体チップであることを特徴とする。
本発明に従えば、基板として半導体チップが積層される。各半導体チップは積層方向の厚みが薄いので、各半導体チップのパターン配線は互いに近接する。各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合は、各半導体チップのパターン配線の間の距離が近いほど大きくなり、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響が顕著となるが、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合を低減することによって、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響を低減することができる。
本発明に従えば、基板として半導体チップが積層される。各半導体チップは積層方向の厚みが薄いので、各半導体チップのパターン配線は互いに近接する。各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合は、各半導体チップのパターン配線の間の距離が近いほど大きくなり、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響が顕著となるが、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合を低減することによって、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響を低減することができる。
さらに本発明は、前記半導体チップは、略直方体形状であって、
各半導体チップのパターン配線は、該半導体チップの厚み方向一表面の各辺に平行に延びることを特徴とする。
各半導体チップのパターン配線は、該半導体チップの厚み方向一表面の各辺に平行に延びることを特徴とする。
本発明に従えば、各半導体チップのパターン配線は、各半導体チップの厚み方向一表面の各辺に平行に形成されている。したがって、所定の半導体チップの厚み方向一表面の各辺に延びる方向と、所定の半導体チップ以外の他の半導体チップの厚み方向一表面の各辺に延びる方向が、積層方向一方側から見て直交以外の角度で交差するように半導体チップを積層すると、各半導体チップのパターン配線も積層方向一方側から見て直交以外の角度で交差する。
さらに本発明は、前記複数の半導体チップは、少なくとも互いにノイズに対する耐性の異なるものを含み、
これらの半導体チップは、ノイズに対する耐性の大きい半導体チップよりも、前記ノイズに対する耐性の小さい半導体チップが、各半導体チップが実装されるべき実装基板寄りに配置されることを特徴とする。
これらの半導体チップは、ノイズに対する耐性の大きい半導体チップよりも、前記ノイズに対する耐性の小さい半導体チップが、各半導体チップが実装されるべき実装基板寄りに配置されることを特徴とする。
本発明に従えば、配線が形成される基台に半導体チップを積層する場合、ノイズに対する耐性の小さい半導体チップは、ノイズに対する耐性の大きい半導体チップよりも基台からの距離が近くなり、基台と半導体チップとを電気的に接続する接続体の距離も短くなる。基台と半導体チップとを電気的に接続する接続体は、それ自体がインダクタンス成分を有するので、接続体に磁場の変化が生じると、誘導電流が生じ、それがノイズとなる。基台と半導体チップとを電気的に接続する接続体の距離が短いほど接続体自体のインダクタンスの値は小さくなり、接続体が受けるノイズも少なくなる。そのため、基台寄りにノイズに対する耐性が小さい半導体チップを積層すると、基台から離れて積層する半導体チップと比較して、基台と半導体チップとを電気的に接続する接続体に生じるノイズは小さくなり、ノイズに対する耐性の小さい半導体チップが受けるノイズも小さくなる。
さらに本発明は、前記積層された複数の半導体チップは、モールド材によって被覆され、
積層方向に隣接する各半導体チップの間、または積層方向に隣接する各半導体チップのうち少なくともいずれかの間には、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層が形成されることを特徴とする。
積層方向に隣接する各半導体チップの間、または積層方向に隣接する各半導体チップのうち少なくともいずれかの間には、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層が形成されることを特徴とする。
本発明に従えば、積層方向に隣接する各半導体チップの間、または積層方向に隣接する各半導体チップのうち少なくともいずれかの間には、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層が形成される。そのため、積層された半導体チップをモールド材で被覆しても、低誘電体層が形成されている積層方向に隣接する半導体チップの間には、モールド材による誘電体層は、形成されない。低誘電体層を形成する誘電体の誘電率が低いほど、離間するパターン配線に生じる容量結合は小さくなる。また、低誘電体層が形成されると、低誘電体層がない場合に比べて、半導体チップ間の距離が長くなり、各半導体チップのパターン配線間の距離が長くなる。各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合は、パターン配線間の距離が長いほど小さくなる。そのため、積層方向に隣接する半導体チップ間にモールド材から成る誘電体層が形成される場合と比較して、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層が形成される方が、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合は小さくなる。
さらに本発明は、前記積層された複数の半導体チップが搭載され、配線が形成される基台と、
各半導体チップのパターン配線および基台に形成される配線を電気的に接続する導電性の接続体と、
基台に形成される配線に接続されるデカップリングコンデンサを含むことを特徴とする。
各半導体チップのパターン配線および基台に形成される配線を電気的に接続する導電性の接続体と、
基台に形成される配線に接続されるデカップリングコンデンサを含むことを特徴とする。
本発明に従えば、デカップリングコンデンサを基台に形成される配線に接続することによって、電子部品が実装されるべき実装基板上にデカップリングコンデンサを配置する場合に比べて、デカップリングコンデンサと半導体チップとを電気的に接続する配線の距離が短くなる。
本発明によれば、各基板のパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合は、低減する。そのため、所定の積層位置に配置された基板のパターン配線内の電流の変化が、容量結合および誘導結合によって、他の基板のパターン配線に誘起するノイズを低減することができる。また、容量結合および誘導結合によって流れる電流は、分散して流れるので、その流れる電流は、小さくなる。誘起されて流れる電流が小さいので、電流の時間微分の絶対値は、小さくなり、電流の時間変化によって発生する誘導起電力は、小さくなる。そのため、一方の半導体チップのパターン配線に流れる電流の変化によって誘起される他方の半導体チップのパターン配線に流れる電流は、小さくなる。したがって、半導体チップ間に発生する共振を抑制することができる。
また本発明によれば、基板として半導体チップが積層される。
半導体チップを積層する場合、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響は顕著となるが、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合を低減することによって、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響を小さくすることができる。
半導体チップを積層する場合、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響は顕著となるが、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合を低減することによって、各半導体チップが相互に及ぼし合う影響を小さくすることができる。
また本発明によれば、各半導体チップのパターン配線が、積層方向一方側から見て直交以外の角度で交差するように半導体チップを積層するためには、所定の半導体チップの積層方向一表面の各辺の延びる方向と、他の半導体チップの積層方向一表面の各辺の延びる方向が、積層方向一方側から見て直交以外の角度で交差するように積層すればよい。
したがって、半導体チップを積層する工程で、各半導体チップのパターン配線を確認する必要がないので、半導体チップを積層する工程が容易となる。
また、半導体チップの厚み方向一表面の各辺に平行に延びるパターン配線を有する既存の半導体チップを、各半導体チップの厚み方向一表面の周辺の任意の一辺に延びる方向を一致して積層すると、各半導体のパターン配線が互いに平行となり、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合が大きくなる。該半導体チップを設計変更し、半導体チップを積層したときの各半導体チップのパターン配線が互いに平行とならないようにすることも考えられるが、該半導体チップのレイアウト設計のやり直しによる、設計期間の長期化および設計コストの増加という問題が発生する。本発明によれば、設計変更をせずに既存の半導体チップを積層しても、各半導体チップのパターン配線が互いに平行とならず、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合を低減することができる。既存の半導体チップの設計変更をする必要がないので、該半導体チップのレイアウト設計のやり直しによる、設計期間の長期化および設計コストの増加という問題も発生しない。
また本発明によれば、基台から離れて積層された半導体チップよりも、基台寄りに積層された半導体チップの方が、基台と半導体チップとを電気的に接続する接続体に生じるノイズは小さくなり、半導体チップが受けるノイズは、小さくなる。したがって、ノイズに対する耐性が大きい半導体チップよりも、ノイズに対する耐性が小さい半導体チップを基台寄りに配置することによって、ノイズに対する耐性が大きい半導体チップが受けるノイズよりも、ノイズに対する耐性の小さい半導体チップの受けるノイズは、小さくなる。
また本発明によれば、積層方向に隣接する半導体チップ間にモールド材による誘電体層を形成する場合と比較して、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層を形成する方が、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合が小さくなる。そのため、所定の積層位置に配置された半導体チップのパターン配線内の電流の変化が、容量結合および誘導結合によって、他の半導体チップのパターン配線に誘起するノイズを低減することができる。
また本発明によれば、電子部品が実装されるべき実装基板上にデカップリングコンデンサを配置する場合に比べて、半導体チップとデカップリングコンデンサ間を電気的に接続する配線の距離が短くなるので、配線自体の有するインダクタンスの値は、減少する。そのため、デカップリングコンデンサのノイズ低減効果が、より有効に作用する。
また、デカップリングコンデンサが電子部品に含まれているので、電子部品を実装する場合に、実装基板上に配置するデカップリングコンデンサの数量を減らすことができ、デカップリングコンデンサを実装基板に実装する工程を省略することができる。
図1は、本発明の第1の実施の形態の電子部品7の平面図であり、図2は図1の切断面線II−IIから見た電子部品7の断面図である。電子部品7は、基台8と、第1半導体チップ1Aと、第2半導体チップ1Bと、第3半導体チップ1Cとを含んで構成される。
基台8は、たとえばビルドアッププリント基板から成るインターポーザによって実現される。基台8は、板状であって、略直方体形状に形成される。基台8の厚み方向一表面30および他方面31は、略矩形状である。基台8の厚み方向一表面部40には、周縁部に相互に間隔をあけて第1基台接続端子9Aが形成され、第1基台接続端子9Aよりも基台8の一表面30の中心部寄りに、相互に間隔をあけて第2基台接続端子9Bが形成される。基台8の厚み方向他表面部41には、電子部品7を実装する実装基板と電気的に接続される外部接続電極10が形成される。電子部品7を実装する実装基板は、たとえばプリント配線基板15である。外部接続電極10は、たとえばバンプから成る。バンプは、たとえば金(Au)などの導体性材料から成る。基台8は、厚み方向一表面30上および他表面31上ならびに前記一表面30と他表面31との間にわたって形成される基台配線を有する。外部接続電極10は、基台配線と電気的に接続される。
以後、第1半導体チップ1A、第2半導体チップ1B、および第3半導体チップ1Cを総称する場合には、半導体チップ11と記載する場合がある。半導体チップ11は、板状であって、略直方体形状に形成される。半導体チップ11の厚み方向一表面32および他表面33は、略矩形状である。
第1半導体チップ1Aの厚み方向一表面部42A、および他表面部43Aのうち少なくともいずれか一方には電子素子などから成る回路が形成されている。第2半導体チップ1Bの厚み方向一表面部42B、および他表面部43Bのうち少なくともいずれか一方には電子素子などから成る回路が形成されている。第3半導体チップ1Cの厚み方向一表面部42C、および他表面部43Cのうち少なくともいずれか一方には、電子素子などから成る回路が形成されている。
第1半導体チップ1Aは、外部接続電極10の一部を介して電子部品7に電力を供給する実装基板上の電極と電気的に接続される第1電源端子部2Aと、第1電源端子部2Aに接続される第1パターン配線4Aと、グランドに電気的に接続される第1グランド端子部3Aと、第1グランド端子部3Aに接続される第2パターン配線4Bとを有する。
第2半導体チップ1Bは、外部接続電極10の一部を介して電子部品7に電力を供給する実装基板上の電極と電気的に接続される第2電源端子部2Bと、第2電源端子部2Bに接続される第3パターン配線4Cと、グランドに電気的に接続される第2グランド端子部3Bと、第2グランド端子部3Bに接続される第4パターン配線4Dとを有する。
第3半導体チップ1Cは、外部接続電極10の一部を介して電子部品7に電力を供給する実装基板上の電極と電気的に接続する第3電源端子部2Cと、第3電源端子部2Cに接続される第5パターン配線4Eと、グランドに電気的に接続される第3グランド端子部3Cと、第3グランド端子部3Cに接続される第6パターン配線4Fとを有する。
以後、第1パターン配線4A、第2パターン配線4B、第3パターン配線4C、第4パターン配線4D、第5パターン配線4E、および第6パターン配線4Fを総称する場合には、パターン配線4と記載する場合がある。パターン配線は導体によって形成される。
第1半導体チップ1Aの厚み方向一表面部42Aには、第1接続端子13Aが形成される。第2半導体チップ1Bの厚み方向一表面部42Bには、第2接続端子13Bが形成される。第3半導体チップ1Cの厚み方向一表面部42Cには、第3接続端子13Cが形成される。半導体チップ11は、厚み方向に積層される複数の配線層を有する。半導体チップ11は、厚み方向一表面32上および他表面33上ならびに前記一表面32と他表面33との間にわたって形成されるチップ配線を有する。第1電源端子部2Aは、第1半導体チップ1Aのチップ配線を介して、たとえば第1接続端子13Aと電気的に接続される。第2電源端子部2Bは、第2半導体チップ1Bのチップ配線を介して、たとえば第2接続端子13Bと電気的に接続される。第3電源端子部は、第3半導体チップ1Bのチップ配線を介して、たとえば第3接続端子13Bと電気的に接続される。
第1半導体チップ1Aは、第1半導体チップ1Aの厚み方向他表面35Aと、基台8の第1基台接続端子9Aの形成される厚み方向一表面30とを対向させて、第1チップ接続体12Aを介して基台8に積層される。第1チップ接続体12Aは、たとえばバンプから成る。バンプは、たとえば金(Au)などの導体性材料から成る。第2半導体チップ1Bは、第1半導体チップ1Aの厚み方向一表面34Aと、第2半導体チップ1Bの厚み方向他表面35Bとを対向させて、第1半導体チップ1Aに積層される。第3半導体チップ1Cは、第2半導体チップ1Bの厚み方向一表面34Bと、第3半導体チップ1Cの厚み方向他表面35Cとを対向させて、第2半導体チップ1Bに積層される。
基台8の厚み方向一表面30の面積は、半導体チップ11の厚み方向一表面32の面積よりも大きい。半導体チップ11の厚み方向一表面32の面積は、第1半導体チップ1Aよりも第2半導体チップ1Bの方が小さく、第2半導体チップ1Bよりも第3半導体チップ1Cの方が小さい。
第1接続端子13Aは、第1半導体チップ1Aのチップ配線と、第1チップ接続体12Aとを介して基台配線と電気的に接続される。第2接続端子13Bは、第2ボンディングワイヤ14Bを介して第2基台接続端子9Bと電気的に接続される。第3接続端子13Cは、第1ボンディングワイヤ14Aを介して第1基台接続端子9Aと電気的に接続される。
基台8は、外部接続電極10を介して電子部品7が実装されるべきプリント配線基板15に電気的に接続される。プリント配線基板15は、厚み方向一表面36上および他表面上ならびに前記一表面36と他表面との間にわたって形成されるプリント基板配線を有する。
第1半導体チップ1Aの第1接続端子13Aと第2半導体チップ1Bの第2接続端子13Bとの電気的接続、第1半導体チップ1Aの第1接続端子13Aと第3半導体チップ1Cの第3接続端子13Cとの電気的接続、および第2半導体チップ1Bの第2接続端子13Bと第3半導体チップ1Cの第3接続端子13Cとの電気的接続は、プリント配線基板10のプリント基板配線および基台配線のうち少なくともいずれか一方を介して成される。
第1半導体チップ1Aの厚み方向一表面の各辺のうちのいずれか一辺である第1基準辺37Aと、第2半導体チップ1Bの厚み方向一表面の各辺のうちのいずれか一辺である第2基準辺37Bとが平行となる状態を、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの積層角度が0度と定義する。第1および第2半導体チップ1A,1Bの厚み方向一表面上の対角線の交点を通り、積層方向に延びる軸線を角変位軸線Lとする。第1半導体チップ1Aを、角変位軸線Lを中心に、第1基準辺37Aと第2基準辺37Bとが平行となる状態から反時計回りに第1の角度θ1だけ角変位させて、第1および第2半導体チップ1A,1Bは積層される。これによって、第1基準辺37Aの延びる方向と第2基準辺37Bの延びる方向とは、積層方向一方側から見て第1の角度θ1で交差する。
第2半導体チップ1Bの第2基準辺37Bと、第3半導体チップ1Cの厚み方向一表面の各辺のうちのいずれか一辺である第3基準辺37Cとが平行となる状態を、第2半導体チップ1Bと第3半導体チップ1Cとの積層角度が0度と定義する。前記角変位軸線Lは、第3半導体チップ1Cの厚み方向一表面上の対角線の交点を通る。第3半導体チップ1Cを角変位軸線Lを中心に、第2基準辺37Bと第3基準辺37Cとが平行となる状態から時計回りに第2の角度θ2だけ角変位させて、第2および第3半導体チップ1B,1Cは積層される。したがって、第2基準辺37Bの延びる方向と第3基準辺37Cの延びる方向とは、積層方向一方側から見て第2の角度θ2で交差するように積層される。
図3は、第1半導体チップ1Aの構成を模式化して示す平面図である。図3では、第1電源端子部2A、第1電源端子部2Aに接続される第1パターン配線4A、第1グランド端子部3A、第1グランド端子部3Bと接続される第2パターン配線4B、および半導体チップ1Aの周辺38Aを示している。図3において、第2パターン配線4Bを1点鎖線で示す。図4は、第2半導体チップ1Bの構成を模式化して示す平面図である。図4では、第2電源端子部2B、第2電源端子部2Bに接続される第3パターン配線4C、第2グランド端子部3B、第2グランド端子部3Bに接続される第4パターン配線4D、および第2半導体チップ1Bの周辺38Bを示している。図4において、第4パターン配線4Dを1点鎖線で示す。図5は、第3半導体チップ1Cの構成を模式化して示す平面図である。図5では、第3電源端子部2C、第3電源端子部2Cに接続される第5パターン配線4E、第3グランド端子部3C、第3グランド端子部3Cに接続される第6パターン配線4F、および第3半導体チップ1Cの外周38Cを示している。図5において、第6パターン配線4Fを1点鎖線で示す。
第1半導体チップ1Aは、たとえば加算器および制御回路などの電子回路からなる第1機能ブロック16A〜第6機能ブロック16Fを含んで構成される。第1半導体チップ1Aの第1および第2パターン配線4A,4Bは、直交する2方向に沿って延びる。本実施の形態では、第1半導体チップ1Aの第1および第2パターン配線4A,4Bは、第1半導体チップ1Aの厚み方向一表面34Aの各辺に平行に沿って延び、積層方向一方側から見て第1機能ブロック16A〜第6機能ブロック16Fを囲むように形成される。第1機能ブロック16A〜第6機能ブロック16Fは第1および第2パターン配線4A,4Bと電気的に接続される。第1半導体チップ1Aの第1および第2パターン配線4A,4Bは、たとえばアルミニウム(Al)および銅(Cu)などから成る。第1半導体チップ1Aの第1および第2パターン配線4A,4Bは、複数の配線層のうち、それぞれ別の配線層に形成される。
第2半導体チップ1Bは、図4に示すように、たとえば加算器および制御回路などの電子回路からなる第7機能ブロック16G〜第10機能ブロック16Jを含んで構成される。第2半導体チップ1Bの第3および第4パターン配線4C,4Dは、直交する2方向に沿って延びる。本実施の形態では、第2半導体チップ1Bの第3および第4パターン配線4C,4Dは、第2半導体チップ1Bの厚み方向一表面34Bの各辺に平行に沿って延び、積層方向一方側から見て第7機能ブロック16G〜第10機能ブロック16Jを囲むように形成される。第7機能ブロック16G〜第10機能ブロック16Jは第3および第4パターン配線4C,4Dと接続される。第2半導体チップ1Bの第3および第4パターン配線4C,4Dは、アルミニウム(Al)および銅(Cu)などから成る。第2半導体チップ1Bの第3および第4パターン配線4C,4Dは、複数の配線層のうち、それぞれ別の配線層に形成される。
第3半導体チップ1Cは、たとえば加算器および制御回路などの電子回路からなる第11機能ブロック16K〜第13機能ブロック16Mを含んで構成される。第3半導体チップ1Cの第5および第6パターン配線4E,4Fは、直交する2方向に沿って延びる。本実施の形態では、第5および第6パターン配線4E,4Fは、第3半導体チップ1Cの厚み方向一表面34Cの各辺に平行に沿って延び、積層方向一方側から見て第11機能ブロック16K〜第13機能ブロック16Mを囲むように形成される。第11機能ブロック16K〜第13機能ブロック16Mは第5および第6パターン配線4E,4Fと電気的に接続される。第3半導体チップ1Cの第5および第6パターン配線4E,4Fは、アルミニウム(Al)および銅(Cu)などから成る。第3半導体チップ1Cの第5および第6パターン配線4E,4Fは、複数の配線層のうち、それぞれ別の配線層に形成される。
図6は、第1半導体チップ1Aおよび第2半導体チップ1Bを積層して示す平面図であり、第1電源端子部2A、第1パターン配線4A、および第1半導体チップ1Aの周辺38Aと、第2電源端子部2Bと、第3パターン配線4Cと、第2半導体チップ1Bの周辺38Bとを模式化して示す。
2本の導体線が離間し、かつ各導体線の延びる方向が直交していない場合、この2本の導体線の間には、容量結合および誘導結合が生じる。2本の導体線のうち、一方の導体線に流れる電流の大きさが変化すると、容量結合および誘導結合によって、他方の導体線に電流が流れていない状態であっても、他方の導体線に電流が流れ、クロストークノイズと呼ばれるノイズが発生する。クロストークノイズは、容量結合および誘導結合が強くなるほど大きくなる。2本の導体線に生じる容量結合および誘導結合は、2本の導体線の間の最短距離が等しければ、2本の導体線が平行となる場合に最大となる。また、2本の導体線に生じる容量結合および誘導結合は、2本の導体線の間の最短距離が短いほど大きくなる。
したがって、2本の離間する導体線間に生じるクロストークノイズを低減するには、2本の導体線間の距離を長くし、2本の導体線が互いに平行とならないようにすればよい。
第1の角度θ1を0度または90度として、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとを積層した場合、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとの間に、平行となる部分が生じる。前述のように、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cが互いに平行となると、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合が大きくなり、クロストークノイズが生じやすくなる。
たとえば、第2半導体チップ1Bに配置される電子素子の供給電圧がスイッチングすると、第2半導体チップ1Bの、第2電源端子部2Bに接続される第3パターン配線4Cと第2グランド端子部3Bに接続される第4パターン配線4Dとの間の電圧(以後第2半導体チップ1Bの、電源およびグランド間の電圧という)が変動し、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとの間の容量結合および誘導結合によって第1半導体チップ1Aの、第1電源端子部2Aに接続される第1パターン配線4Aと第1グランド端子部3Aに接続される第2パターン配線4Bとの間の電圧(以後第1半導体チップ1Aの、電源およびグランド間の電圧という)が変動する。ここでスイッチングとは、供給電源の電圧レベルがハイレベルからロウレベルまたはロウレベルからハイレベルに切換わることを意味する。また、たとえば、第2半導体チップ1Bの第7機能ブロック16G〜第10機能ブロック16Jのデータバスおよびアドレスバスなどが接続される電子素子の供給電圧が同時にスイッチングすると、第2半導体チップ1Bの、電源およびグランド間の電圧の変動がさらに増大する。第2半導体チップ1Bの、電源およびグランド間の電圧の変動が、容量結合および誘導結合によって第1半導体チップ1Aの、電源およびグランド間の電圧の変動を誘起する。誘起された第1半導体チップ1Aの、電源およびグランド間の電圧の変動が、第1半導体チップ1Aの誤動作を生じさせる。特に、第1半導体チップ1Aがノイズの影響を受けやすいアナログ半導体チップであれば、設計によって得られるべきアナログ半導体チップの性能が得られなくなるという問題が生じる。アナログ半導体チップとは、少なくともアナログ信号を処理する機能を有する半導体チップを意味する。
図6に示すように、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとを第1の角度θ1で積層した場合、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとは、積層方向一方側から見て第1の角度θ1で交差する。言い換えると、半導体チップの積層方向に垂直な仮想平面にパターン配線を投影したときに、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと、第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとは、第1の角度θ1で交差する。第1の角度θ1が0度を超えて90度未満(0°<θ1<90°)のとき、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとが、積層方向一方から見て交差する部分(以後交差部という)では、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間の距離が最短となるので、交差部に生じる容量結合および誘導結合は、最大となる。第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとが積層方向一方側からみて交差しない部分の距離は、交差部よりも遠くなるので、交差しない部分の第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合は、交差部に生じる容量結合および誘導結合よりも小さくなる。
第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとが積層方向一方側から見て第1の角度θ1で交差する部分に生じる容量結合および誘導結合は、交差部での第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの距離と同距離で、かつ平行に延びるパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合の大きさよりも小さい。したがって、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる全体の容量結合および誘導結合は、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとが平行となるときよりも、積層方向一方側から見て第1の角度θ1で交差する方が小さくなる。
したがって、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとを第1の角度θ1で積層した場合、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合は小さくなり、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じるクロストークノイズを小さくすることができる。そのため、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間で伝播するノイズを低減することができる。
第1および第3パターン配線4A,4Cは、半導体チップ11の厚み方向一表面34Aの各辺に沿う、直交する2方向に延びる。そのため、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとが、積層方向一方側から見て第1の角度θ1で交差する場合、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとは、積層方向一方側から見て第1の角度θ1で交差する部分の他に、90度から第1の角度θ1を減算した角度(90°−θ1)で交差する部分がある。したがって、第1の角度θ1が0度または90度のとき、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとに、互いに平行となる部分と、積層方向一方側から見て、直交する部分とが生じる。積層方向一方側から見て直交する第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合は、最小となるが、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとが互いに平行となる、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合は、最大となる。そのため、第1の角度θ1が0度または90度のとき、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間の全体に生じる容量結合および誘導結合は、大きくなる。したがって、第1の角度θ1が45度程度となるように積層すると、第1の角度θ1が0度または90度となるように積層する場合よりも、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合が、全体として小さくなる。したがって、2枚の半導体チップを積層する場合、第1の角度θ1が45度程度となるように積層すると、容量結合および誘電結合の低減効果がより得られる。
また、第1の角度θ1が0度を超えて90度未満で第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとを積層した場合、図6に示すように、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとが、積層方向一方側から見て、複数回交差する。ここでは、第3パターン配線4Cの第1直線部分25Aが、第1パターン配線4Aの第2直線部分25B、第3直線部分25C、および第4直線部分25Dと積層方向一方側から見て交差する場合について述べる。第2および第4直線部分25B,25Dは、同じ方向に延び、第3直線部分25Cは、第2および第4直線部分25B,25Dの延びる方向と垂直な方向に延びる。第2および第4配線部分25B,25Dは、第3直線部分25Cを介して連なる。積層方向一方側から見て第1直線部分25Aと第4直線部分25Dとが交差する部分から第1直線部分25Aと第2直線部分25Bとが交差するに向きに、第1直線部分25Aに高周波電流が流れる場合について述べる。図6に高周波電流が流れる向きを矢符5で示す。矢符5の向きに、第1直線部分25Aに高周波電流が流れると、容量結合および誘導結合によって、第2直線部分25Bには、第2直線部分25Bと第3直線部分25Cとが接続されていない第2直線部分25Bの一方から接続されている他方へ第1高周波電流が流れる。第3直線部分25Cには、第3直線部分25Cと第2直線部分25Bとが接続されている第3直線部分25Cの一方から第4直線部分と接続されている他方へ第2高周波電流が流れる。第4直線部分25Dには、第4直線部分25Dと第3直線部分25Cとが接続されている第4直線部分25Dの一方から接続されていない他方へ第3高周波電流が流れる。図6に第1高周波電流が流れる向きを矢符6A、第2高周波電流が流れる向きを矢符6B、および第3高周波電流が流れる向きを矢符6Cで示す。第1高周波電流、第2高周波電流、および第3高周波電流は、異なる方向に分散して流れるので、各直線部分に流れる電流は、小さくなる。分散せずに流れる電流に比べて、第1〜第3高周波電流の大きさが小さいので、第1〜第3高周波電流の時間微分の絶対値は、小さくなり、第1〜第3高周波電流の時間変化によって生じる誘導起電力も小さくなる。したがって、第1〜第3高周波電流が、第1直線部分に誘起する電流は、小さくなり、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる共振の問題も発生しにくくなる。
本実施の形態では、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとを第1の角度θ1が0度を超えて90度未満で積層しているため、前述のように、第1の角度θ1が0度または90度のときに比べて、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合は小さくなる。したがって、第1パターン配線4Aと第3パターン配線4Cとの間に生じるクロストークノイズを小さくすることができる。そのため、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間で伝播するノイズを低減することができる。
ここでは、第1半導体チップ1Aの第1パターン配線4Aと、第2半導体チップ1Bの第3パターン配線4Cとの間に生じる容量結合および誘導結合に関して説明したが、第2パターン配線4Bと第3パターン配線4Cとの間、第1パターン配線4Aと第4パターン配線4Dとの間、および第2パターン配線4Bと第4パターン配線4Dとの間に生じる容量結合および誘導結合に関しても、第1の角度θ1が0度を超えて90度未満で第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとを積層することによって、それぞれのパターン配線4の間に生じる容量結合および誘導結合を低減することができる。したがって、第1半導体チップ1Aのパターン配線4と第2半導体チップ1Bのパターン配線4との間に生じるクロストークノイズを小さくすることができる。そのため、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間で伝播するノイズを低減することができる。
さらに、第2半導体チップ1Bと第3半導体チップ1Cとに関しても、第2の角度θ2が0度を超えて90度未満の角度で第2半導体チップ1Bと第3半導体チップ1Cとを積層する場合、第2半導体チップ1Bのパターン配線4と第3半導体チップ1Cのパターン配線4とが互いに平行とならないため、パターン配線4間に生じる容量結合および誘導結合は小さくなる。そのため、第2半導体チップ1Bと第3半導体チップ1Cとの間で伝播するノイズを低減することができる。
積層方向に隣接する半導体チップ11間で伝播するノイズのみを考慮する場合、第1の角度θ1および第2の角度θ2は、0度を超えて90度未満に選ばれる。好ましくは、第1の角度θ1および第2の角度θ2は、45度に選ばれる。
積層方向に隣接する半導体チップ11間、および第1半導体チップ1Aと第3半導体チップ1Cとの間のノイズの伝播を考慮する場合、第1の角度θ1と第2の角度θ2とを加算した角度が90度となると、第1半導体チップ1Aのパターン配線4と第3半導体チップ1Cのパターン配線4とが互いに平行となり、第1半導体チップ1Aと第3半導体チップ1Cとの間で伝播するノイズが大きくなる。したがって、各半導体チップのパターン配線4が互いに平行にならないように第1の角度θ1と第2の角度θ2とは選択される。第1の角度θ1は、0度を超えて90度未満であり、かつ第2の角度θ2は、0度を超えて90度未満であり、かつ第1の角度θ1と第2の角度θ2を加算した角度が90度とならない角度に選ばれる。好ましくは、第1の角度θ1および第2の角度θ2は、30度に選ばれる。
第1半導体チップ1Aは、たとえばアナログ半導体チップである。第2半導体チップ1Bおよび第3半導体チップ1Cは、たとえばデジタル半導体チップである。アナログ半導体チップとは、少なくともアナログ信号を処理する機能を有する半導体チップを意味する。デジタル半導体チップとは、デジタル信号を処理する機能を有する半導体チップを意味する。ノイズに対する耐性は、第1半導体チップ1Aよりも第2半導体チップ1Bの方が大きく、第2半導体チップ1Bよりも第3半導体チップ1Cの方が大きい。
ノイズに対する耐性の小さいアナログ半導体チップは、外部からノイズを受けると、設計によって得られるべきアナログ半導体チップの性能が得られなくなるという問題が生じやすい。ノイズに対する耐性の大きいデジタル半導体チップは、外部からのノイズに対して、アナログ半導体に比べて、設計によって得られるべきデジタル半導体チップの性能が得られなくなるという問題は生じにくい。したがって、ノイズに対する耐性の異なるアナログ半導体チップとデジタル半導体チップとを積層する場合、より外部からのノイズを受けにくい位置にアナログ半導体チップを配置する。
本発明の実施の形態では、積層される半導体チップ11のうち、ノイズに対する耐性の最も小さい第1半導体チップ1Aは、最も基台8寄りに配置される。第1半導体チップ1Aよりノイズに対する耐性の大きい第2半導体チップ1Bは、第1半導体チップ1Aに積層される。第1半導体チップ1Aの第1接続端子13Aは、第1半導体チップ1Aのチップ配線と第1チップ接続体12Aとを介して基台配線と接続している。第2半導体チップ1Bの第2接続端子13Bは、第2ボンディングワイヤ14Bを介して基台8の第2基台接続端子9Bと接続している。そのため、第2接続端子13Bと第2基台接続端子9Bとを電気的に接続する接続体である第2ボンディングワイヤ14Bの長さよりも、第1接続端子13Aと基台配線とを電気的に接続する接続体である第1半導体チップ1Aのチップ配線と第1チップ接続体12Aとを加算した長さは、短い。各半導体チップ11と基台8とを電気的に接続する接続体は、それ自体がインダクタンス成分を持つ。接続体自体のインダクタンスの値は、接続体の長さが短いほど小さくなる。半導体チップ11および電子部品7が実装されるべきプリント配線基板15上の他の電子部品などによって接続体の周辺の磁場に変化が生じた場合、インダクタンス成分を持つ接続体は、誘導起電力によって接続体に誘導電流が生じるので、ノイズを受けることとなる。
そのため、基台8寄りに積層した半導体チップ11ほど、半導体チップ11と基台8とを接続する接続体のインダクタンスの値は小さいので、接続体が受けるノイズは、小さい。したがって、ノイズに対する耐性の最も小さい第1半導体チップ1Aを最も基台8寄りに積層することによって、第1半導体チップ1Aに加わるノイズを最も小さくすることができる。また、第2半導体チップ1Bおよび第3半導体チップ1Cに加わるノイズは、第1半導体チップ1Aに加わるノイズよりも大きくなるが、第1半導体チップ1Aよりも第2半導体チップ1Bおよび第3半導体チップ1Cの方がノイズに対する耐性が大きいので、ノイズによる問題は、第1半導体チップ1Aに比べて生じにくい。そのため、ノイズに対する耐性の小さい半導体チップ11を基台8寄り、言い換えればプリント配線基板15寄りに配置することによって、ノイズに対する耐性が大きい電子部品7となる。
図6に示すように、積層する各半導体チップ11の厚み方向一表面32の面積が同程度である場合、積層したときに、積層方向一方側から見て、各半導体チップ11が重なり合わない部分がある。各半導体チップ11が重なり合わない部分の面積が増えると、電子部品を1つのパッケージにするときの体積が増え、電子部品の実装面積が大きくなる。そこで、電子部品の実装面積を小さくするために、本実施の形態の電子部品7のように各半導体チップ11の厚み方向一表面上の対角線の交わる点が、基台8の厚み方向一表面30の対角線の交わる点を通る積層方向の軸線上に並ぶように、各半導体チップ11を積層する方が好ましい。また、積層する各半導体チップ11の厚み方向一表面32の面積が大きく異なる場合であっても、各半導体チップ11が重なり合わない部分の面積を最小にするように、各半導体チップ11を積層する方が好ましい。
以上のように半導体チップ11を積層することによって、積層方向一方側から見て、各半導体チップが重なり合う部分が増加し、電子部品を1つのパッケージにするときの体積が減少し、電子部品7のプリント配線基板15へ実装するときの実装面積を小さくすることができる。
以上のように電子部品7では、3つの半導体チップを積層しているが、積層される半導体チップの枚数は、3つに限られることはなく、2つ、または4つ以上の半導体チップを積層してもよい。積層される各半導体チップの少なくとも一部のパターン配線が、積層方向一方側から見て交差している場合、各半導体チップのパターン配線が互いに平行とならないように半導体チップを積層すると、各半導体チップのパターン配線の間に生じる容量結合および誘導結合が小さくなり、各半導体チップ間で伝播するノイズを低減する効果が得られる。
本発明の第1の実施の形態の電子部品7では、半導体チップ11を積層したときについて述べたが、パターン配線を有する基板を積層したときにも同様の効果が得られる。
各半導体チップ11間で伝播するノイズを低減することによって、各半導体チップ11間で伝播するノイズによって生じる各半導体チップ11の誤作動を抑制し、より信頼性の高い電子部品7となる。
図7は、本発明の第2の実施の形態の電子部品17の断面図である。電子部品17は、基台8と、第1半導体チップ1Aと、第2半導体チップ1Bとを含んで構成される。本実施の形態の電子部品17は、前述の第1の実施の形態の電子部品7と同様の構成であるので、対応する部分については同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。
第1半導体チップ1Aは、第1半導体チップ1Aの厚み方向他表面35Aと基台8の第1基台接続端子9Aの形成される厚み方向一表面30とを対向させて、基台8に積層される。第2半導体チップ1Bは、第1半導体チップ1Aの厚み方向一表面34Aと第2半導体チップ1Bの厚み方向他表面35Bとを対向させて、第1チップ接続体12Aを介して、前述の実施の形態と同様に第1半導体チップ1Aに積層される。
第1半導体チップ1Aの第1接続端子13Aは、第3ボンディングワイヤ14Cを介して基台8の第1基台接続端子9Aと電気的に接続される。第2半導体チップ1Bの第2接続端子13Bは、第2半導体チップ1Bのチップ配線と、第1チップ接続体12Aと、第1半導体チップ1Aのチップ配線と、第3ボンディングワイヤ14Cとを介して基台8の第1基台接続端子9Aと電気的に接続される。
本実施の形態の電子部品17は、基台8と複数の半導体チップ11とを電気的に接続する配線の経路が第1の実施の形態の電子部品7と異なるが、各半導体チップのパターン配線4が互いに平行とならないように半導体チップ11は積層されるので、第1の実施の形態の電子部品7と同様に半導体チップ間で伝播するノイズを低減することができる。
さらに、第1半導体チップ1Aの厚み方向他表面35Bと基台8の厚み方向一表面30とが第1チップ接続体12Aを介さないで接合されているので、第1半導体チップ1Aの回路を動作させたときの、第1半導体チップ1Aに発生する熱を基台8に放出することができる。したがって、発熱による第1半導体チップ1Aの誤動作を抑制することができる。また、第1半導体チップ1Aの温度上昇を抑制することができるので、第1半導体チップ1Aの寿命も長くなる。
さらに、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとが第1チップ接続体12Aを介して積層されるので、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの対向する表面の間隔は、第1の実施の形態の電子部品7よりも長くなる。そのため、第1半導体チップ1Aのパターン配線4と第2半導体チップ1Bのパターン配線4との間に生じる容量結合および誘導結合は、第1の実施の形態の電子部品7よりも小さくなる。したがって、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間で、容量結合および誘導結合によって伝播するノイズを第1の実施の形態の電子部品7よりも小さくすることができる。
図8は、本発明の第3の実施の形態の電子部品18の断面図である。電子部品18は、基台8と、第4半導体チップ1Dと、第2半導体チップ1Bとを含んで構成される。本実施の形態の電子部品18は、前述の第1の実施の形態の電子部品7と同様の構成であるので、対応する部分については同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。
第4半導体チップ1Dは、積層方向に第4半導体チップ1Dを貫通する貫通電極19を有する。第4半導体チップ1Dは、厚み方向一表面34D上および他表面35D上ならびに前記一表面34Dと他表面35Dとの間にわたって形成されるチップ配線を有する。第4半導体チップ1Dの厚み方向一表面34Dに形成されるチップ配線と他表面35Dに形成される配線とは、貫通電極19を介して電気的に接続される。第4半導体チップ1Dの厚み方向一表面部42Dには、第4接続端子13Dが形成される。
第4半導体チップ1Dは、第4半導体チップ1Dの厚み方向他他表面35Dと基台8の第1基台接続端子9Aの形成される厚み方向一表面30とを対向させて、第1チップ接続体12Aを介して基台8に積層される。第2半導体チップ1Bは、第4半導体チップ1Dの厚み方向一表面34Dと第2半導体チップ1Bの厚み方向他表面35Bとを対向させて、第2チップ接続体12Bを介して、前述の実施の形態と同様に第4半導体チップ1Dに積層される。第1および第2チップ接続体12A、12Bは、たとえばバンプから成る。バンプは、たとえば金(Au)などの導体性材料から成る。
第4半導体チップ1Dの第4接続端子14Dは、第4半導体チップ1Dのチップ配線と第1チップ接続体12Aとを介して基台配線と電気的に接続される。第2半導体チップ1Bの第2接続端子13Bは、第2半導体チップ1Bのチップ配線と第2チップ接続体12Bと第4半導体チップ1Dの貫通電極19と第1チップ接続体12Aとを介して基台配線と電気的に接続される。
本実施の形態の電子部品18は、基台8と複数の半導体チップ11とを電気的に接続する配線の経路が第1の実施の形態の電子部品7と異なるが、各半導体チップ11のパターン配線が互いに平行とならないように半導体チップ11は積層されるので、第1の実施の形態の電子部品7と同様に半導体チップ間で伝播するノイズを低減することができる。
図9は、本発明の第4の実施の形態の電子部品23の平面図であり、図10は図9の切断面線X―Xから見た電子部品23の断面図である。電子部品23は、基台8と、第1半導体チップ1Aと、第2半導体チップ1Bと、第3半導体チップ1Cとを含んで構成される。本実施の形態の電子部品23は、前述の第1の実施の形態の電子部品7と類似し、第1の実施の形態の電子部品7の積層方向に隣接する半導体チップ11間に低誘電体層20を付加した構成であるので、対応する部分については同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。
電子部品23は、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間に、誘電体によって形成される低誘電体層20を有する。基台8の一表面部30と、半導体チップ11と、第1ボンディングワイヤ14Aと、第2ボンディングワイヤ14Bと、第1チップ接続体12Aとが空気に触れないように覆って、チップ被覆部22は形成される。チップ被覆部22は、モールド材から成る。チップ被覆部22は、半導体チップ11を、湿気および塵埃から保護する。
前記低誘電体層20は、チップ被覆部22を形成するためのモールド材の比誘電率よりも比誘電率の小さい低誘電率材料から成る。
モールド材の比誘電率は、たとえば、4.0以上である。低誘電体層20には、たとえば、比誘電率が2.0のポリテトラフルオロエチレンを用いる。
本実施の形態の電子部品23は、前述した第1の実施の形態の電子部品7と同様の構成であるので、第1の実施の形態の電子部品7と同様の効果が、本実施の形態の電子部品23においても同様に得られる。
離間するパターン配線4間に生じる容量結合および誘導結合は、離間するパターン配線4間の距離が長いほど小さくなる。第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間に低誘電体層20が形成されると、低誘電体層20が形成されない場合に比べて、第1半導体チップ1Aのパターン配線4と第2半導体チップ1Bのパターン配線4との距離が長くなる。そのため、低誘電体層20が形成されることによって、低誘電体層20が形成されない場合に比べて、第1半導体チップ1Aのパターン配線4と第2半導体チップ1Bのパターン配線4との間に生じる容量結合および誘電結合は、小さくなる。また、離間するパターン配線4間に生じる容量結合および誘導結合は、離間するパターン配線4の間に形成される物質の誘電率が小さいほど小さくなる。第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間にモールド材の誘電率に比べて低い誘電率を有する材料から成る低誘電体層20が形成されるので、積層した半導体チップをモールド材によって被覆しても、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間にモールド材による誘電体層は形成されない。したがって、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間にモールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層20が形成されると、低誘電体層20が形成されない場合に比べて、第1半導体チップ1Aのパターン配線4と第2半導体チップ1Bのパターン配線4との間に生じる容量結合および誘導結合は、小さくなる。そのため、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間で伝播するノイズが低減される。
さらに、第1半導体チップ1Aと第3半導体チップ1Cとの間にも、上記効果と同様の効果が得られ、第1半導体チップ1Aと第3半導体チップ1Cとの間で伝播するノイズが低減される。
本実施の形態では、第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間に低誘電体層20が形成されるが、第2半導体チップ1Bと第3半導体チップ1Cとの間にもモールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層が形成される場合、各半導体チップ間で伝播するノイズの低減効果は、より大きくなる。
積層方向に隣接する半導体チップ間に形成される低誘電体層20の積層方向の厚みは、厚いほど半導体チップ間で伝播するノイズの低減効果があるが、低誘電体層20の積層方向の厚みが厚くなると、電子部品の体積が大きくなる。そのため、低誘電体層20の積層方向の厚みTは0.1mm以上0.3mm未満に選ばれる。
本発明のさらに他の実施の形態では、第2の実施の形態の電子部品17または第3の実施の形態の電子部品18の、隣接する半導体チップ間に、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層を形成してもよい。このような構成にしても本発明の実施の形態の電子部品23と同様の効果が得られる。
図11は本発明の第5の実施の形態である電子部品24の平面図であり、図12は図11の切断面線XII−XIIから見た電子部品24の断面図である。電子部品24は、基台8と、第1半導体チップ1Aと、第2半導体チップ1Bと、第3半導体チップ1Cとを含んで構成される。本実施の形態の電子部品24は、第1の実施の形態の電子部品7と類似し、第1の実施の形態の電子部品7にデカップリングコンデンサ21を付加した構成であるので、対応する部分については同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。
本実施の形態の電子部品24は、第1の実施の形態の電子部品7と類似するので、第1の実施の形態の電子部品7と同様の効果は、本実施の形態の電子部品24においても同様に得られる。
デカップリングコンデンサ21は、基台8の第1基台接続端子9Aが配置される厚み方向一表面部40に設けられる。デカップリングコンデンサ21は、半導体チップ11の、電源端子部と電気的に接続されるパターン配線4とグランド端子部と電気的に接続されるパターン配線4との間に電気的に接続される。
半導体チップ11の、電源端子部に電気的に接続されるパターン配線4と、グランド端子部に電気的に接続されるパターン配線4との間に、電気的に接続されるデカップリングコンデンサ21を、基台8の厚み方向一表面30上に配置した方が、電子部品24が実装されるべきプリント基配線板15上にデカップリングコンデンサ21を配置する場合に比べて、デカップリングコンデンサ21と半導体チップ11との間を電気的に接続する配線の距離が短くなる。デカップリングコンデンサ21と半導体チップ11との間を電気的に接続する配線の距離が短いほど、配線自体の有するインダクタンスの値も減少する。したがって、デカップリングコンデンサのノイズ低減効果は、デカップリングコンデンサ21と半導体チップ11との間を電気的に接続する配線の距離が短いほど有効に作用する。デカップリングコンデンサ21のノイズ低減効果とは、基台8などから半導体チップに伝播する電圧の変動および半導体チップ11から基台8などへ伝播する電圧の変動を低減する効果をいう。したがって、半導体チップ11の、電源端子部に接続されるパターン配線4と、グランド端子部に接続されるパターン配線4との間に、電気的に接続されるデカップリングコンデンサ21を、基台8の厚み方向一表面30上に配置した方が、電子部品24を実装するプリント基配線板15上にデカップリングコンデンサ21を配置する場合に比べて、デカップリングコンデンサ21のノイズ低減効果が、より有効に作用する。そのため、ノイズに対して、より耐性の大きい電子部品24となる。
ここでは、第1接続端子13Aと第2接続端子13Bとの電気的接続、第1接続端子13Aと第3接続端子13Cとの電気的接続、および第2接続端子13Bと第3接続端子13Cとの電気的接続が、プリント配線基板15のプリント基板配線および基台配線のうち少なくともいずれか一方を介して成される場合について述べる。第1半導体チップ1Aの、電源およびグランド間の電圧が変動すると、基台8またはプリント配線基板15を介して、第2半導体チップ1Bの、電源およびグランド間の電圧が変動する。第1半導体チップ1Aの、第1電源端子部2Aと接続する第1パターン配線4Aと第1グランド端子部3Aと接続する第2パターン配線4Bとの間にデカップリングコンデンサ21を電気的に接続することによって、第1半導体チップ1Aから基台8およびプリント配線基板15に伝播するノイズを低減することができる。そのため、基台8またはプリント配線基板15を介して伝播する第1半導体チップ1Aと第2半導体チップ1Bとの間のノイズを低減することができる。
第1半導体チップ1Aの、第1電源端子部2Aと接続される第1パターン配線4Aと、第1グランド端子部3Aと接続される第2パターン配線4Bとの間にデカップリングコンデンサ21を電気的に接続することによって、プリント配線基板15および基台8から半導体チップ11に伝播するノイズは小さくなる。そのため、プリント配線基板15および基台8から伝播するノイズによって生じる、第1半導体チップ1Aの、電源およびグランド間の電圧の変動は小さくなる。第1半導体チップ1Aの、電源およびグランド間の電圧の変動が小さくなると、離間するパターン配線4間の容量結合および誘導結合によって第1半導体チップ1Aから伝播する第2半導体チップ1Bの、電源およびグランド間の電圧の変動は、小さくなる。したがって、各半導体チップ間で伝播するノイズを低減することができる。
また、基台8の厚み方向一表面30上にデカップリングコンデンサ21を配置することによって、電子部品24を実装するときに、プリント配線基板15上に配置するデカップリングコンデンサ21の数量を減らすことができる。したがって、電子部品24を実装する工程が簡易になる。
本発明の実施の他の形態では、第2〜第4の実施の形態の電子部品17,18,23の基台8上に、それぞれデカップリングコンデンサを設けることによって、前述の実施の形態のノイズ低減効果と同様の効果を達成することができる。
1A 第1半導体チップ
1B 第2半導体チップ
1C 第3半導体チップ
1D 第4半導体チップ
1E 第5半導体チップ
1F 第6半導体チップ
4 パターン配線
7,17,18,23,24 電子部品
8 基台
9A 第1基台接続端子
9B 第2基台接続端子
11 半導体チップ
15 プリント配線基板
19 貫通電極
20 低誘電体層
21 デカップリングコンデンサ
22 チップ被覆部
1B 第2半導体チップ
1C 第3半導体チップ
1D 第4半導体チップ
1E 第5半導体チップ
1F 第6半導体チップ
4 パターン配線
7,17,18,23,24 電子部品
8 基台
9A 第1基台接続端子
9B 第2基台接続端子
11 半導体チップ
15 プリント配線基板
19 貫通電極
20 低誘電体層
21 デカップリングコンデンサ
22 チップ被覆部
Claims (6)
- 複数の基板が積層される電子部品であって、
各基板は、直交する2方向に沿って延びるパターン配線を有し、
各基板のうちいずれか1つの基板に形成されるパターン配線は、前記いずれか1つの基板以外の他の基板に形成されるパターン配線と、積層方向に離間し、積層方向一方側から見て、直交以外の角度で交差することを特徴とする電子部品。 - 前記基板は、半導体チップであることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記半導体チップは、略直方体形状であって、
各半導体チップのパターン配線は、該半導体チップの厚み方向一表面の各辺に平行に延びることを特徴とする請求項2記載の電子部品。 - 前記複数の半導体チップは、少なくとも互いにノイズに対する耐性の異なるものを含み、
これらの半導体チップは、ノイズに対する耐性の大きい半導体チップよりも、前記ノイズに対する耐性の小さい半導体チップが、各半導体チップが実装されるべき実装基板寄りに配置されることを特徴とする請求項2または3記載の電子部品。 - 前記積層された複数の半導体チップは、モールド材によって被覆され、
積層方向に隣接する各半導体チップの間、または積層方向に隣接する各半導体チップのうち少なくともいずれかの間には、モールド材の誘電率に比べて低い誘電率の材料から成る低誘電体層が形成されることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の電子部品。 - 前記積層された複数の半導体チップが搭載され、配線が形成される基台と、
各半導体チップのパターン配線および基台に形成される配線を電気的に接続する導電性の接続体と、
基台に形成される配線に接続されるデカップリングコンデンサを含むことを特徴とする請求項2〜5のいずれか1つに記載の電子部品。
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