JP2008159616A - ウエーハの計測装置およびレーザー加工機 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザー光線を集光しチャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、照射されたレーザー光線の反射光受光手段と、集光器によるレーザー光線の集光点変更手段と、集光点変更手段からの変更信号と受光手段からの信号に基いてウエーハの厚みを測定する制御手段を具備し、制御手段は集光点変更手段を構成する一対のミラーの2つの設置角度の差とウエーハの厚みとの関係を設定した厚み制御マップを備え、一対のミラーの設置角度を変更する角度調整アクチュエータによって設置角度を変更しつつ受光手段から2つの強い光量のピークを検出し、2つの強い光量のピークを入力したときの設置角度検出センサーの検出信号に基いて設置角度の差を求め、設置角度差を厚み制御マップと照合してウエーハの厚みを求める。
【選択図】なし
Description
また、上述したようにウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射することにより、半導体ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成するレーザー加工方法においては、半導体ウエーハ等の内部の所定深さに均一に変質層を形成することが望ましい。しかるに、半導体ウエーハにはウネリがあり、その厚さにバラツキがあると、レーザー光線を照射する際に屈折率の関係で所定の深さに均一に変質層を形成することができない。従って、半導体ウエーハ等の内部の所定深さに均一に変質層を形成するためには、予めレーザー光線を照射する領域の凹凸を検出し、その凹凸にレーザー光線照射手段を追随させて加工する必要がある。
ウエーハに対して透過するとともに反射する波長を有するレーザー光線を照射するレーザー光線発振器と、
該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光し該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、
該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段と、
該集光器によって集光されるレーザー光線の集光点を変更する集光点変更手段と、
該集光点変更手段からの変更信号と該受光手段からの受光信号に基いてウエーハの厚みを測定する制御手段と、を具備し、
該集光点変更手段は、所定の間隔をもって互いに平行に反射面を対向して配設された一対のミラーと、該一対のミラーの設置角度を調整する角度調整アクチュエータと、該一対のミラーの設置角度を検出し検出信号を該制御手段に出力するする設置角度検出センサーとからなる光路長変更ミラー手段を具備しており、
該制御手段は、該一対のミラーの2つの該設置角度の差とウエーハの厚みとの関係を設定した厚み制御マップを格納するメモリを備え、該角度調整アクチュエータによって該一対のミラーの設置角度を変更しつつ該受光手段からの受光信号に基いて2つの強い光量のピークを検出し、該2つの強い光量のピークを入力したときの該設置角度検出センサーからの検出信号に基いて該一対のミラーの2つの該設置角度の差を求め、該設置角度差を該厚み制御マップと照合してウエーハの厚みを求める、
ことを特徴とするウエーハの計測装置が提供される。
レーザー光線を照射するレーザー光線発振器と、
該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光し該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、
該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段と、
該集光器によって集光されるレーザー光線の集光点を変更する集光点変更手段と、
該集光点変更手段からの変更信号と該受光手段からの受光信号に基いてウエーハの高さを測定する制御手段と、を具備し、
該集光点変更手段は、所定の間隔をもって互いに平行に反射面を対向して配設された一対のミラーと、該一対のミラーの設置角度を調整する角度調整アクチュエータと、該一対のミラーの設置角度を検出し検出信号を該制御手段に出力するする設置角度検出センサーとからなる光路長変更ミラー手段を具備しており、
該制御手段は、該一対のミラーの該設置角度と該チャックテーブルに保持されたウエーハの上面高さとの関係を設定した高さ制御マップを格納するメモリを備え、該角度調整アクチュエータによって該一対のミラーの設置角度を変更しつつ該受光手段からの受光信号に基いて強い光量のピークを検出し、該強い光量のピークを入力したときの該設置角度検出センサーからの検出信号に基いて該一対のミラーの2つの該設置角度を求め、該設置角度を該高さ制御マップと照合してチャックテーブルに保持されたウエーハの上面高さを求める、
ことを特徴とするウエーハの計測装置が提供される。
また、上記受光手段は、反射光の一部が通過する直径のピンホールを備えたマスクと、該マスクを通過した反射光を受光するホトディテクタとからなっている。
また、上記計測装置のレーザー光線発振器から発振されるレーザー光線は、連続波レーザー光線であることが望ましい。
図示の実施形態における計測用レーザー光線照射ユニット6は、上記ユニットホルダ44に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング61を含んでいる。また、計測用レーザー光線照射ユニット6は、図3に示すようにケーシング61内に配設されたレーザー光線発振器62と、該レーザー光線発振器62から発振されたレーザー光線を集光し上記チャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射する集光レンズ631を備えた集光器63を具備している。レーザー光線発振器62は、図示の実施形態においてはシリコンウエーハに対して透過するとともに反射する1064nmの波長を有する連続波レーザー光線を照射する。集光器63は、図1に示すように上記ケーシング51の先端に装着される。
上記レーザー光線発振器62から発振された連続波のレーザー光線は、図3において実線で示すように第1のハーフミラー66を所定の割合で透過し、非平行生成レンズ641によって非平行の光線に生成され、光路長変更ミラー手段642の一対のミラー642a、642bを通過した後、全反射ミラー643に到達する。全反射ミラー643に到達したレーザー光線は、全反射ミラー643によって垂直に全反射し光路長変更ミラー手段642の一対のミラー642b、642aを逆走して非平行生成レンズ641を通して第1のハーフミラー66に到達する。第1のハーフミラー66に到達したレーザー光線は、所定の割合で集光器63に向けて反射し、第2のハーフミラー67を所定の割合で透過し、集光器63の集光レンズ631によって集光されてチャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射される。被加工物Wに照射されたレーザー光線の反射光は、図3において点線で示すように集光レンズ631を介して第2のハーフミラー67に達し、第2のハーフミラー67によって所定の割合で受光手段65に向けて反射する。受光手段65に向けて反射されたレーザー光線の反射光は、マスク65aのピンホール651aを通してホトディテクタ65bに達する。
上記非平行生成レンズ641の焦点距離をf1、集光レンズ631の焦点距離をf2、非平行生成レンズ641と集光レンズ631との間の光路長をL、非平行生成レンズ641から全反射ミラー643までの光路長をm1(光路長変更ミラー手段642によって変化する)、集光レンズ631から集光点Pまでの光路長をm2とすると、レンズの公式により、
(1)m1<f1およびm1>f1のとき
(2)m1=f1のとき
m2=f2
の関係がある。従って、光路長変更ミラー手段642の一対のミラー642a、642bの設置角度を変更し非平行生成レンズ641から全反射ミラー643までの光路長m1を変更することにより、集光レンズ631から集光点Pまでの光路長m2を変更することができる。
図5において実線は、集光レンズ631によって集光されたレーザー光線の集光点Pが被加工物Wの上面に位置する状態を示す。このようにレーザー光線の集光点Pが被加工物Wの上面に位置する場合には、反射光はマスク65a部で集光されるため、全ての反射光がピンホール651aを通過してホトディテクタ65bに受光される。従って、ホトディテクタ65bによって受光される光量は最大値となる。一方、図5において点線で示すように集光レンズ631によって集光されたレーザー光線の集光点Pが被加工物Wの上面と下面の間に位置する場合には、被加工物Wの上面での反射面積が大きいため、反射光は反射光はマスク65a部で集光されない。従って、ピンホール651aを通過する反射光は一部となり、ホトディテクタ65bによって受光される光量は減少する。
レーザー光線の集光点Pが被加工物Wの上面と下面に位置するときの2つのピーク時における一対のミラー642a、642bの設置角度差を求め、この設置角度差に基いて被加工物Wの厚みを求める。
図9にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ10の平面図が示されている。図9に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、その表面10aに格子状に配列された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス102がそれぞれ形成されている。この各デバイス102は、全て同一の構成をしている。デバイス102の表面にはそれぞれ図10に示すように複数のボンディングパッド103(103a〜103j)が形成されている。なお、図示の実施形態においては、103aと103f、103bと103g、103cと103h、103dと103i、103eと103jは、X方向位置が同一である。この複数のボンディングパッド103(103a〜103j)部にそれぞれ裏面10bからボンディングパッド103に達する加工穴(ビアホール)が形成される。各デバイス102におけるボンディングパッド103(103a〜103j)のX方向(図10おいて左右方向)の間隔A、および各デバイス102に形成されたボンディングパッド103におけるストリート101を挟んでX方向(図10において左右方向)に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド103eとボンディングパッド103aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス102におけるボンディングパッド103(103a〜103j)のY方向(図10において上下方向)の間隔C、および各デバイス102に形成されたボンディングパッド103におけるストリート101を挟んでY方向(図9において上下方向)に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド103fとボンディングパッド103aおよびボンディングパッド103jとボンディングパッド103eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハ10について、図9に示す各行E1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス102の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)83の第2に記憶領域83bに格納されている。
上記のように構成された半導体ウエーハ10は、図11に示すように環状のフレーム11に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ12に表面10aを貼着する。従って、半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。このようにして環状のフレーム11に保護テープ12を介して支持された半導体ウエーハ10は、図1に示すレーザー加工機のチャックテーブル36上に保護テープ12側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ10は、保護テープ12を介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレーム11は、クランプ362によって固定される。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :355nm
エネルギー密度 :30J/cm2
集光スポット径 :φ70μm
このような加工条件によって穿孔工程を実施すると、シリコンウエーハにはパルスレーザー光線の1パルス当たり深さが2μm程度のレーザー加工孔を形成することができる。従って、上記厚み検出工程において検出された加工部の厚みが54μmであればパルスレーザー光線を27パルス照射し、加工部の厚みが58μmであればパルスレーザー光線を29パルス照射することにより、図14に示すようにボンディングパッド103に達するレーザー加工孔110を形成することができる。
図15および図16に示す実施形態は、チャックテーブルに保持された被加工物の上面の高さ位置を検出するウエーハの計測装置である。図15および図16に示す実施形態は、上記図3に示す計測用レーザー光線照射ユニット6の構成は実質的に同一であるが、上記制御手段8のランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納する制御マップが相違する。この実施形態において用いる制御マップは、図15に示すように上記一対のミラー642a、642bの設置角度に対応した被加工物Wの高さ位置を示している。図15に示す高さ制御マップは、上記一対のミラー642a、642bの設置角度が45度のとき、上記図3に示す計測用レーザー光線照射ユニット6の集光レンズ631によって集光されるレーザー光線の集光点Pがチャックテーブル36の上面である保持面に位置付けられるように設定し、チャックテーブル36に異なる厚みの複数の被加工物Wを保持し、それぞれの被加工物Wの上面に集光点Pが位置したときの一対のミラー642a、642bの設置角度を実験的に求めたものである。図15に示す高さ制御マップおいて、実線は集光レンズ631のNA値が0.35の場合を表し、1点鎖線は集光レンズ631のNA値が0.4の場合を表し、2点鎖線は集光レンズ631のNA値が0.45の場合を表している。なお、この実施形態においては、計測用レーザー光線照射ユニット6から照射されるレーザー光線は、被加工物に対して透過するとともに反射する波長である必要ななく、被加工物に対して反射する波長のレーザー光線であればよい。
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:加工送り量検出手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
433:割り出し送り量検出手段
5:加工用レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:パルスレーザー光線発振手段
53:出力調整手段
54:集光器
6:計測用レーザー光線照射ユニット
61:ユニットホルダ
62:レーザー光線発振器
63:集光器
64:集光点変更手段
65:受光手段
66:第1のハーフミラー
67:第2のハーフミラー
641:非平行生成レンズ
642:光路長変更ミラー手段
643:全反射ミラー
7:撮像手段
8:制御手段
10:半導体ウエーハ
11:環状のフレーム
12:保護テープ
Claims (10)
- ウエーハを保持するチャックテーブルに保持されたウエーハの厚みを測定するウエーハの計測装置であって、
ウエーハに対して透過するとともに反射する波長を有するレーザー光線を照射するレーザー光線発振器と、
該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光し該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、
該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段と、
該集光器によって集光されるレーザー光線の集光点を変更する集光点変更手段と、
該集光点変更手段からの変更信号と該受光手段からの受光信号に基いてウエーハの厚みを測定する制御手段と、を具備し、
該集光点変更手段は、所定の間隔をもって互いに平行に反射面を対向して配設された一対のミラーと、該一対のミラーの設置角度を調整する角度調整アクチュエータと、該一対のミラーの設置角度を検出し検出信号を該制御手段に出力するする設置角度検出センサーとからなる光路長変更ミラー手段を具備しており、
該制御手段は、該一対のミラーの2つの該設置角度の差とウエーハの厚みとの関係を設定した厚み制御マップを格納するメモリを備え、該角度調整アクチュエータによって該一対のミラーの設置角度を変更しつつ該受光手段からの受光信号に基いて2つの強い光量のピークを検出し、該2つの強い光量のピークを入力したときの該設置角度検出センサーからの検出信号に基いて該一対のミラーの2つの該設置角度の差を求め、該設置角度差を該厚み制御マップと照合してウエーハの厚みを求める、
ことを特徴とするウエーハの計測装置。 - 該集光点変更手段は、該光路長変更ミラー手段に導かれるレーザー光線を非平行の光線に生成する非平行光線生成レンズと、該光路長変更ミラー手段を通過したレーザー光線を該光路長変更ミラー手段に向けて垂直に全反射する全反射ミラーを備えている、請求項1記載のウエーハの計測装置。
- 該受光手段は、反射光の一部が通過する直径のピンホールを備えたマスクと、該マスクを通過した反射光を受光するホトディテクタとからなっている、請求項1又は2記載のウエーハの計測装置。
- 該レーザー光線発振器から発振されるレーザー光線は、連続波レーザー光線である、請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの計測装置。
- ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに加工用のレーザー光線を照射する加工用レーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工機であって、請求項1記載のウエーハの計測装置が配設されており、該計測装置は該チャックテーブルに保持されたウエーハの厚みを計測する、
ことを特徴とするレーザー加工機。 - ウエーハを保持するチャックテーブルに保持されたウエーハの上面高さを測定するウエーハの計測装置であって、
レーザー光線を照射するレーザー光線発振器と、
該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光し該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、
該チャックテーブルに保持されたウエーハに照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段と、
該集光器によって集光されるレーザー光線の集光点を変更する集光点変更手段と、
該集光点変更手段からの変更信号と該受光手段からの受光信号に基いてウエーハの高さを測定する制御手段と、を具備し、
該集光点変更手段は、所定の間隔をもって互いに平行に反射面を対向して配設された一対のミラーと、該一対のミラーの設置角度を調整する角度調整アクチュエータと、該一対のミラーの設置角度を検出し検出信号を該制御手段に出力するする設置角度検出センサーとからなる光路長変更ミラー手段を具備しており、
該制御手段は、該一対のミラーの該設置角度と該チャックテーブルに保持されたウエーハの上面高さとの関係を設定した高さ制御マップを格納するメモリを備え、該角度調整アクチュエータによって該一対のミラーの設置角度を変更しつつ該受光手段からの受光信号に基いて強い光量のピークを検出し、該強い光量のピークを入力したときの該設置角度検出センサーからの検出信号に基いて該一対のミラーの2つの該設置角度を求め、該設置角度を該高さ制御マップと照合してチャックテーブルに保持されたウエーハの上面高さを求める、
ことを特徴とするウエーハの計測装置。 - 該集光点変更手段は、該光路長変更ミラー手段に導かれるレーザー光線を非平行の光線に生成する非平行光線生成レンズと、該光路長変更ミラー手段を通過したレーザー光線を該光路長変更ミラー手段に向けて垂直に全反射する全反射ミラーを備えている、請求項6記載のウエーハの計測装置。
- 該受光手段は、反射光の一部が通過する直径のピンホールを備えたマスクと、該マスクを通過した反射光を受光するホトディテクタとからなっている、請求項6又は7記載のウエーハの計測装置。
- 該レーザー光線発振器から発振されるレーザー光線は、連続波レーザー光線である、請求項6から8のいずれかに記載のウエーハの計測装置。
- ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに加工用レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工機であって、請求項6記載のウエーハの計測装置が配設されており、該計測装置は該チャックテーブルに保持されたウエーハの上面高さを計測する、
ことを特徴とするレーザー加工機
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010048715A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 高さ位置検出装置および高さ位置検出方法 |
JP2010064106A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2010118458A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電極加工装置 |
JP2010118494A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電極加工装置 |
JP2012094591A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2012192415A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Disco Corp | レーザー加工装置 |
JP2014099521A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 |
KR20160119717A (ko) * | 2015-04-06 | 2016-10-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 생성 방법 |
CN110823109A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 中国石油天然气集团有限公司 | 一种基于药型罩壁厚与壁厚差检测装置的检测方法 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008073711A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法 |
JP5389580B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2014-01-15 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2011161491A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
WO2012143840A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Measurement device and method for vapour deposition applications |
US20130153552A1 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Scribing apparatus and method for having analysis function of material distribution |
DE102012111008B4 (de) | 2012-11-15 | 2014-05-22 | Precitec Optronik Gmbh | Optisches Messverfahren und optische Messvorrichtung zum Erfassen einer Oberflächentopographie |
CN104001941A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 多主轴数控加工装置 |
JP6247752B2 (ja) | 2013-06-17 | 2017-12-13 | プレシテック オプトロニック ゲーエムベーハーPrecitec Optronik GmbH | 距離差を取得するための光学測定装置および光学測定方法 |
US20150037915A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Wei-Sheng Lei | Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process |
JP6305013B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6388823B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2018-09-12 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN104851823B (zh) * | 2015-04-03 | 2018-03-23 | 沈阳拓荆科技有限公司 | X、y双轴联动非接触式晶圆翘曲度测量设备 |
CN104834903B (zh) * | 2015-04-24 | 2018-04-27 | 深圳先牛信息技术有限公司 | 用于移动设备的双眼虹膜图像采集装置 |
CN107553029A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 上汽通用五菱汽车股份有限公司 | 一种前舱上边梁总成上线定位***及上线定位方法 |
KR101856875B1 (ko) * | 2016-12-06 | 2018-05-10 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 캐리어 두께 측정장치 |
CN106595536A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-04-26 | 李�诚 | 一种金属罐车识别装置及方法 |
US10234265B2 (en) | 2016-12-12 | 2019-03-19 | Precitec Optronik Gmbh | Distance measuring device and method for measuring distances |
JP7032050B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
KR102499036B1 (ko) * | 2017-09-22 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | 임계 치수 측정 시스템 및 임계 치수 측정 방법 |
DE102017126310A1 (de) | 2017-11-09 | 2019-05-09 | Precitec Optronik Gmbh | Abstandsmessvorrichtung |
JP6677706B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2020-04-08 | ファナック株式会社 | リンク情報生成装置、リンク情報生成方法及びリンク情報生成プログラム |
CN112955274B (zh) * | 2018-10-30 | 2023-11-07 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工装置 |
DE102018130901A1 (de) | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Precitec Optronik Gmbh | Optische Messeinrichtung |
KR102615739B1 (ko) * | 2018-12-05 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공 장치 |
JP7253396B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2023-04-06 | 株式会社ディスコ | 検査装置 |
DE102019205847A1 (de) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung mindestens einer Modifikation in einem Festkörper |
JP2021144984A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 富士電機株式会社 | 製造方法、製造装置、治具アセンブリ、半導体モジュールおよび車両 |
JP7401383B2 (ja) * | 2020-04-06 | 2023-12-19 | 株式会社ディスコ | 検出装置 |
JP2022077223A (ja) * | 2020-11-11 | 2022-05-23 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN116673618A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-09-01 | 珠海市申科谱工业科技有限公司 | 医疗塑料导管激光打孔工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000074633A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 膜厚検査装置 |
JP2006247674A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2006250540A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 溝深さ測定方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4324933B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2009-09-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 平面研磨装置 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP2003163323A (ja) | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Sony Corp | 回路モジュール及びその製造方法 |
JP4299185B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-07-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP4527488B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2010-08-18 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
JP2006153851A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共焦点光学装置及び球面収差補正方法 |
-
2006
- 2006-12-20 JP JP2006343185A patent/JP4959318B2/ja active Active
-
2007
- 2007-12-14 US US12/002,038 patent/US7443517B2/en active Active
- 2007-12-19 DE DE102007061248.8A patent/DE102007061248B4/de active Active
- 2007-12-20 CN CN2007101600173A patent/CN101207058B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000074633A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 膜厚検査装置 |
JP2006250540A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 溝深さ測定方法 |
JP2006247674A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010048715A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 高さ位置検出装置および高さ位置検出方法 |
JP2010064106A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2010118458A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電極加工装置 |
JP2010118494A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電極加工装置 |
JP2012094591A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2012192415A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Disco Corp | レーザー加工装置 |
JP2014099521A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 |
KR20160119717A (ko) * | 2015-04-06 | 2016-10-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 생성 방법 |
KR102409602B1 (ko) | 2015-04-06 | 2022-06-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 생성 방법 |
CN110823109A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 中国石油天然气集团有限公司 | 一种基于药型罩壁厚与壁厚差检测装置的检测方法 |
Also Published As
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