JP2008149687A - インクジェット記録ヘッド用基板および該基板を用いるインクジェット記録ヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】記録ヘッド固有データ記録時に層間絶縁膜および保護膜に損傷を与えることなく記録することが可能であり、配置する位置の制約が不要である信頼性の高い記憶素子を備えたインクジェット記録用基板およびインクジェット記録ヘッドを提供すること。
【解決手段】記録素子基板700内に、電気熱変換素子110と同じ材料、工程で形成した情報記憶素子101を用いて、その抵抗値を変化させて情報の記憶を可能にし、その情報記憶素子101から情報を読み出す。
【選択図】図1
【解決手段】記録素子基板700内に、電気熱変換素子110と同じ材料、工程で形成した情報記憶素子101を用いて、その抵抗値を変化させて情報の記憶を可能にし、その情報記憶素子101から情報を読み出す。
【選択図】図1
Description
本発明は、インクジェット記録ヘッド用基板および該基板を用いるインクジェット記録ヘッドに関するものである。
インクジェット記録装置は、いわゆるノンインパクト記録方式の記録装置であり、高速な記録が可能であること、様々な記録媒体に対して記録することが可能であること、記録の際の騒音がほとんど生じないことなどの特徴をもつ。このようなことから、インクジェット記録装置は、プリンタ、複写機、ファクシミリ、ワードプロセッサ等の記録機構を担う装置として広く採用されている。
インクジェット記録ヘッドは、種々の方式により吐出するインク滴を形成するものが知られている。その中でも、インク吐出のためのエネルギとして熱を利用するインクジェット記録ヘッドは、高密度のマルチノズル化を比較的容易に実現でき、高解像度、高画質で高速な記録が可能である。
このような記録ヘッドに、記録ヘッド自身のID(Identity)コードやインク吐出機構の駆動特性といった記録ヘッド固有の情報を読み出し自在に記憶させるため、記録ヘッド基体にROM(Resd Only Memory)を搭載することがある。この機能は、インクジェット記録装置本体に着脱可能なインクジェット記録ヘッドを用いる場合、記録時にその記録ヘッド固有の情報を得て最適な駆動を行う上で非常に有効な手段である。例えば、記録ヘッドにEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)を搭載することが特許文献1に開示されている。しかし特許文献1の記録ヘッドは、EEPROMを記録ヘッド基体上ではなく記録ヘッドとは別個に搭載しているため、構造が複雑になるうえ生産性も良好ではなく、装置の小型軽量化も阻害している。さらに、このようなROMは大容量の情報を記憶させるには有用であるが、記憶させるべき情報が大容量でない場合にはコスト的に不利となる。
また、特許文献2、特許文献3、特許文献4には、記録ヘッド基体であるベースプレートにヒューズアレイからなるROMをインク吐出機構などの層膜と共に形成することが開示されている。この場合、記録ヘッド基体の製造工程においてベースプレートにインク吐出機構などの層膜を形成するとき、ROMとなるヒューズアレイを同時に形成することが出来る。例えば、このヒューズアレイと同時にロジック回路を形成し、記録ヘッド完成後にそのロジック回路を制御することにより選択的にヒューズを溶断すれば、その溶断の有無により各ヒューズに2値の情報を保持させることができる。このような記録ヘッド基体にROMを備えた記録ヘッドは、記録ヘッド基体とは別個にROMチップを用意する必要がないため、構造が複雑になることがなく、生産性も良好であり、かつ、小型軽量化も実現することができる。
図10は、記録ヘッド基体にROMを備えた従来のインクジェット記録装置の記録ヘッドを表わした断面図である。図10(a)は通常の記録ヘッドの状態を表わしており、図10(b)は層間絶縁膜804および保護膜806にクラックが入った状態を表わしている。
一般的なインクジェット記録装置では、記録ヘッドの表面の大部分はインク保持部で形成されており、図10(a)からもわかるように、ヒューズ素子803とインク液808との間には、層間絶縁膜804と保護膜806が存在している。図10(a)には単一のヒューズ素子803のみが示されているが、記録ヘッド基体上には実際には複数のヒューズ素子が設けられており、これらのヒューズ素子を選択的に溶断することで、ヒューズ素子の個数の2乗分のデータを保持することができる。
しかしながら、ヒューズ素子の溶断には熱を伴い、ヒューズ素子の個数が増えればその分必然的に多大な熱量が発生することになる。その結果、図10(b)のように層間絶縁膜804および保護膜806にクラックが入ることがあった。このようにクラックが入った場合、インク808がクラックを通って浸透してヒューズ素子803まで達し、その浸透したインク808によって溶断されたヒューズ素子803が短絡したり、ヒューズ電極が腐食することも考えられる。特に、ヒューズ素子の溶断やデータ読み取りの動作制御を行うロジック回路をヒューズ素子の近くに配置した場合、クラックから侵入したインクがロジック回路にまで達してロジック回路が汚損され、誤動作を起こす原因ともなり得る。
そのため特許文献5には、インク保持部と、ヒューズアレイおよびロジック回路とを離して配置してインクの侵入を防止する構成が記載されている。
しかし近年の記録ヘッドでは、記録の高解像度化、高画質化および高速化の要望に応えるため、記録ヘッドを構成する1つのベースプレートに、インクを供給するためのインク供給口を複数有し、各インク供給口に対応して複数のヒータを高密度で配列している。そのため、記録ヘッドに用いるベースプレート上はヒータ電源配線、ロジック回路および駆動素子等で大部分が占められてしまい、特別なヒューズ素子をインク保持部から離れた場所に配置することが困難となっている。
よって本発明は、層間絶縁膜および保護膜に損傷を与えることなく情報を記憶させることが可能であり、これによって信頼性高く情報を保持可能で、しかも配置する位置の制約のない記憶素子を備えたインクジェット記録ヘッド用基板を提供することを目的とする。さらにそのインクジェット記録ヘッド用基板を具えたインクジェット記録ヘッドを提供することを目的とする。
そのため本発明のインクジェット記録ヘッド用基板は、インクを吐出するためのエネルギを発生する素子を具えたインクジェット記録ヘッド用基板において、熱処理の温度に対応した抵抗値を有し、該抵抗値を読み取ることができるよう通電が可能に形成された抵抗体を情報記憶素子として具えたことを特徴とする。
また、本発明のインクジェット記録ヘッドは、上記に記載のインクジェット記録ヘッド用基板と、前記エネルギを発生する素子をなす抵抗体の発熱に応じてインクを吐出するための吐出口と、を具えたことを特徴とする。
本発明によれば、熱処理を施すことによって抵抗値が変化する抵抗体を情報記憶素子として用い、これに通電することによって得た抵抗値を情報として読み取ることが可能な構成とした。これにより、ヒューズの溶断を伴うものなどのように大きな発熱が生じないため、高温層間絶縁膜および保護膜に損傷を与えることなく情報を記憶させ、かつこれを信頼性高く保持させることが可能となる。また、インクを吐出するためのエネルギを発生する素子を、通電に応じて熱エネルギを発生する抵抗体とする場合、該抵抗体と前記情報記憶素子をなす抵抗体とを同一材料および同一工程で形成することが可能となる。また、これにより配置する位置の制約も緩和することが可能となる。
(第1の実施形態)
以下、図面を参照して本発明の第1の実施形態を詳細に説明する。
図7は、本実施形態の記録ヘッドを搭載可能なインクジェット記録装置を表わした平面図である。図7において、オートシートフィーダ(ASF)505に搭載された記録媒体508は、給紙モータ510が駆動することで、インクジェット記録装置500内に供給される。その後記録媒体508は、搬送モータ502の駆動によって回転する搬送ローラ506によって記録位置まで搬送される。記録媒体508は記録位置において不図示のプラテンによって平坦な記録面を形成するように支持される。
以下、図面を参照して本発明の第1の実施形態を詳細に説明する。
図7は、本実施形態の記録ヘッドを搭載可能なインクジェット記録装置を表わした平面図である。図7において、オートシートフィーダ(ASF)505に搭載された記録媒体508は、給紙モータ510が駆動することで、インクジェット記録装置500内に供給される。その後記録媒体508は、搬送モータ502の駆動によって回転する搬送ローラ506によって記録位置まで搬送される。記録媒体508は記録位置において不図示のプラテンによって平坦な記録面を形成するように支持される。
キャリッジモータ504が駆動することによって、モータプーリ507、タイミングベルト511を介して、ガイドシャフト503に支持されたキャリッジ502が主走査方向(矢印α方向)に往復移動する。キャリッジ502には記録ヘッドとインクタンクとを内蔵したインクカートリッジ509が搭載されており、記録媒体508の搬送とキャリッジ502の移動を交互に繰り返しながら記録ヘッドからインクを吐出することで記録が行われる。
図8は、本実施形態のインクカートリッジ509を表わした図であり、図8(a)は下方向から見た斜視図、図8(b)は上方向から見た斜視図である。インクタンク602の内部には、内部にインクを保持し負圧を発生させるための不図示の吸収体を備えており、記録ヘッド601へ適切な量のインクを供給可能に構成されている。インクタンク602の下部には記録ヘッド601が備えられており、インクタンク602から記録ヘッド601に供給されたインクは、記録ヘッド601が記録データを受信することで記録ヘッド601に備えられた不図示の吐出口から吐出される。
図9は、本実施形態の記録ヘッド601を部分的に破断して表わした斜視図である。記録ヘッド用基板である記録素子基板700は厚さ0.5mmから1mmのSi基板にインク供給口701やインク流路704などが形成されたものである。長溝状の貫通口であるインク供給口701は、Siの結晶方位を利用した異方性エッチングやサンドブラストなどの方法で形成したものである。インクが供給されるインク供給口701の両側には、複数のエネルギ発生素子である電気熱変換素子702が配置されており、その各電気熱変換素子702に対応した吐出口703が電気熱変換素子702の上部に設けられている。インク供給口701から供給されたインクはインク流路704を通って各吐出口703に供給され、電気熱変換素子702が作動することによりインク滴となって吐出口703から吐出される。
本実施形態では、記録ヘッドの固有情報を記録するための記憶素子として、従来用いていたヒューズ素子に換わり、情報記憶素子を用いて固有情報の記録を行う。ここで、本実施形態で用いる情報記憶素子について詳述する。
図1は、第1の実施形態に係るインクジェット記録ヘッド用基板(記録素子基板)700を表した図であり、内部に設けられた回路の構成がわかるように模式的に示したものである。情報記憶素子101は、インク滴を吐出するために用いる電気熱変換素子110と同一材料、同一工程で形成された抵抗体であり、特別な材料や工程を必要とすることなく形成が可能となっている。本実施形態の情報記憶素子101および電気熱変換素子110は、CrおよびSiからなる合金ターゲットを用いて窒素雰囲気内で行う反応性スパッタリング法を用いて形成されている。この形成方法で形成されるCrSiN薄膜は一般的にアモルファスの薄膜(非晶質薄膜)である。一般的にアモルファス合金の電気抵抗は結晶状態の合金と比べて比較的大きな値になることが知られており、本実施形態で形成したCrSiN薄膜も例外ではなく、電気抵抗値の高いものとなっている。この抵抗値の高いCrSiN薄膜は、400℃から700℃の熱処理を行うことで、CrSiの微結晶が形成され、低抵抗で結晶的に安定した構造が形成されることがわかっている。また、この抵抗値の高いCrSiN薄膜は、上記の熱処理よりも低い温度(200℃以上400℃未満)を加えることで、加えた温度に伴った抵抗値を有するようになることがわかっている。
そこで、本実施形態ではこの現象を利用して電気熱変換素子110および情報記憶素子101を形成する。つまり、本実施形態では、電気熱変換素子110として用いるCrSiN薄膜には400℃から700℃の熱を加える処理を行うことで、結晶的に安定し、低抵抗化させたものを用いる。また、情報記憶素子101として用いるものには、200℃以上400℃未満の温度で処理を行い、各情報記憶素子101に夫々固有の抵抗値を持たせるというものである。
本実施形態では、CrSiN薄膜に熱を加えて各素子(電気熱変換素子110および情報記憶素子101)を形成する際は、CrSiN薄膜にパルス電圧を印加することによるCrSiN薄膜の自己発熱を利用する。つまり、印加するパルス数を変えることで発熱温度を変え、これによって所望の状態を得ることができる。
図2は、情報記憶素子101の抵抗値の変化をパルス数ごとに表したグラフである。パルス電圧を加えない状態では高い抵抗値を有しているが、パルス数を増やすにしたがって徐々に抵抗値が下がっていき、特定のパルス数を超えた辺りで抵抗値の変化は少なくなっているのがわかる。
この抵抗値の変化を利用して、記憶させるべき情報に対応させた2以上の抵抗値を呈するようにすることができる。例えば、抵抗値の高い状態と、抵抗値が低い状態と、これらの間の任意の中間状態の抵抗値とを利用して、少なくとも3値の情報を記憶することが可能である。記憶される情報としては、例えば記録ヘッドの製造上のばらつきに起因した記録ヘッド固有の駆動特性の違いなどである。そして、これをいくつかのランク(例えば3ランク)に分類し、情報記憶素子101がそのランクに対応した抵抗値を呈するように処理することができる。かかる処理は、例えば基板ないしは記録ヘッド製造後の検査工程に伴って行われるものとすることができる。これにより、記録ヘッドが記録装置に搭載されて使用されるときに、記録装置がその抵抗値(ランク情報)を読み取ることで、その記録ヘッドに適した条件にて駆動を行うことができる。
再び図1を参照するに、記録素子基板700は、Siでなる基体上に電気熱変換素子110および情報記憶素子101への通電を制御するための駆動素子と所要の配線とを、半導体製造プロセスを用いて形成してなるものである。
情報記憶素子101は電気熱変換素子110の列の延長上に並置されており、電気熱変換素子110を駆動する電圧と同じ電圧を用いるように設計されている。したがって、電気熱変換素子110に電圧を供給する電源とは別に新たに電源を増やすことなく情報記憶素子101に電圧パルスを印加することができる。情報記憶素子101を電気熱変換素子110と同じ電圧で駆動させるということは、情報記憶素子101を駆動させるために用いる第2の駆動素子102が、電気熱変換素子110を駆動させる第1の駆動素子103と同じ電圧に耐えられるものでなければならない。そこで、電気熱変換素子110を駆動する第1の駆動素子103と同じ構造および工程で第2の駆動素子102を形成することで、製造時に別の工程を追加すること無しに必要な耐圧特性をもった第2の駆動素子102を形成することができる。
なお、第2の駆動素子102を駆動させる電圧よりも、第2の駆動素子102に選択的に駆動信号を送る論理回路104の作動電圧(ロジック電圧)は一般に低いため、そのままでは第2の駆動素子102を駆動することができない。そのため、論理回路104で選択された信号で第2の駆動素子102を駆動することができるように、第2の駆動素子102の前に昇圧回路106を設けている。ここで、電気熱変換素子110を駆動する第1の駆動素子103についてもまた同様であり、同じ構成の昇圧回路(不図示)を用いている。また、この昇圧回路で用いる電源電圧は、同じ記録素子基板700内に設けられた電源(不図示)を用いる。
第2の駆動素子102を選択する選択信号と第1の駆動素子103を選択する選択信号とは、ともに同じ信号系に構成されており、第1の駆動素子103を選択する論理回路と並列に第2の駆動素子102を選択する論理回路104が接続されている。すなわち、第1の駆動素子103に選択信号を送る信号線、時分割駆動信号用のデコーダ(DECODER)、ラッチ回路(LT)、シフトレジスタ(S/R)および外部からの信号入力用パッド(不図示)は、第1および第2の駆動素子について共用されている。したがって、新規の信号線や配線領域、回路等を追加することなく、情報記憶素子101を駆動する第2の駆動素子102を選択することができる。
図1からもわかるように、本実施形態では情報記憶素子101を選択的に起動するための第2の駆動素子102は、第1の駆動素子103のなす列の延長上にあり、そのうちの1つは、最外位置の第1の駆動素子103に隣接して配置してある。
以上のような構成にすることで、論理回路104から情報記憶素子101までの構成が、論理回路104から電気熱変換素子103までの構成と等しくなる。したがって、インク供給口H1102の基板開口部や信号線の配置に影響を与えることがなく、記録素子基板700を容易に製造することができ、記録素子基板700のサイズアップを抑えることができる。さらに、インク供給口111を挟んで両側に同じように各部回路を並べることで、記録素子基板700上のスペースを有効に活用でき、高密度な情報記憶素子の配置が可能となっている。
このように構成された記録素子基板700において、各情報記憶素子101に情報を記憶させる際には、各情報記憶素子101に対応した第2の駆動素子102を選択的に駆動することで、情報記憶素子101に個別に24Vのパルス電圧を印加する。具体的には、0.1μsecから100μsecのパルス電圧(情報記憶素子101の自己発熱が200℃以上400℃未満の温度に相当)を端子112aに印加することで、各情報記憶素子101を所望の抵抗値に変化させる。この変化させた情報記憶素子101の抵抗値を、記録ヘッドの固有情報とリンクさせて情報を記憶することができる。また、電気熱変換素子110として用いるために形成したものには、400℃から700℃の自己発熱を発生しうる24Vのパルス電圧を印加して、結晶の安定した低抵抗の電気熱変換素子110を形成する。
なお本発明者らは、電気熱変換素子110として形成するために用いる自己発熱の温度である700℃でも、電気熱変換素子110の上部にある層間絶縁膜および保護膜に損傷を受けることは無く、クラックの発生も無いことを確認した。よって、700℃よりも低い温度で電気熱変換素子110を形成するときにも層間絶縁膜および保護膜は損傷を受けないことは言うまでもない。また、情報記憶素子101に情報を記憶するときにはそれより低い温度で情報記憶が行われるので、層間絶縁膜および保護膜が損傷を受けないことは勿論である。
図3は、情報記憶素子101を用いて情報を保持する回路の等価回路を表した図であり、図4は、出力されたアナログ出力をデジタル値に変換するA/D変換器と記録素子基板700との関係を表したブロック図である。
記憶した情報の読み出しの際には、端子112aに読み出し電圧として、例えば3.3Vを印加後、読み出す情報記憶素子101に対応した第2の駆動素子102を駆動させる。その結果、カウント端子112bから、情報記憶素子101の有する抵抗値に応じた電圧降下の情報を得ることによって、情報記憶素子101の抵抗情報すなわち記録ヘッドの固有情報を得ることができる。これは、抵抗値の高い状態(熱処理を行わない状態であってもよい)と抵抗値が低い状態との2値に対応したものであってもよいし、さらにこれらの間の任意の中間状態の1以上の抵抗値を利用することで3値以上の情報に対応したものでもよい。ここで得られた抵抗情報は、A/D変換器113によってデジタル信号へと変換される。例えば、得られた抵抗情報が、ある抵抗値R1よりも大きい場合はHi、抵抗値R2以上で抵抗値R1(>R2)未満の場合はMid、抵抗値R2未満であればLowとなるようにA/D変換器に3値の設定をすることができる。なお、このように情報の読み出しに用いるA/D変換器を含む回路は、記録素子基板700上にあっても、インクジェット記録装置500側にあってもよい。また、図1に示したように情報記憶素子を複数並列に配置することで、より多数または多種の情報を記憶させることが可能である。
記憶した情報の読み出しの際には、端子112aに読み出し電圧として、例えば3.3Vを印加後、読み出す情報記憶素子101に対応した第2の駆動素子102を駆動させる。その結果、カウント端子112bから、情報記憶素子101の有する抵抗値に応じた電圧降下の情報を得ることによって、情報記憶素子101の抵抗情報すなわち記録ヘッドの固有情報を得ることができる。これは、抵抗値の高い状態(熱処理を行わない状態であってもよい)と抵抗値が低い状態との2値に対応したものであってもよいし、さらにこれらの間の任意の中間状態の1以上の抵抗値を利用することで3値以上の情報に対応したものでもよい。ここで得られた抵抗情報は、A/D変換器113によってデジタル信号へと変換される。例えば、得られた抵抗情報が、ある抵抗値R1よりも大きい場合はHi、抵抗値R2以上で抵抗値R1(>R2)未満の場合はMid、抵抗値R2未満であればLowとなるようにA/D変換器に3値の設定をすることができる。なお、このように情報の読み出しに用いるA/D変換器を含む回路は、記録素子基板700上にあっても、インクジェット記録装置500側にあってもよい。また、図1に示したように情報記憶素子を複数並列に配置することで、より多数または多種の情報を記憶させることが可能である。
このように、本実施形態では、記録素子基板700内に、電気熱変換素子110と同じ材料、工程で形成した情報記憶素子101を用い、熱処理によりその抵抗値を変化させて情報の記憶を可能にし、その情報記憶素子101から情報を読み出す。これによって、情報の記憶時に層間絶縁膜および保護膜に損傷を与えることなく記録が可能であり、配置する位置の制約が不要である信頼性の高い記憶素子を備えたインクジェット記録用基板およびインクジェット記録ヘッドを実現することができた。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態を説明する。
図5は、第2の実施形態に係る記録素子基板900を表した図であり、内部に設けられた回路の構成がわかるように示してある。また、図6は、情報記憶素子901を用いて情報を保持する回路の等価回路を表した図である。本実施形態は、第1の実施形態と略同様であるが、情報記憶素子を構成する抵抗体の構成接続態様が異なる。つまり、第1の実施形態では情報記憶素子101を単一の構成する抵抗体で構成し、かつこれを図1に示したように並列に配置しているが、本実施形態では複数の情報記憶素子を直列に配置した形態の情報記憶素子セット901としてある。
次に、第2の実施形態を説明する。
図5は、第2の実施形態に係る記録素子基板900を表した図であり、内部に設けられた回路の構成がわかるように示してある。また、図6は、情報記憶素子901を用いて情報を保持する回路の等価回路を表した図である。本実施形態は、第1の実施形態と略同様であるが、情報記憶素子を構成する抵抗体の構成接続態様が異なる。つまり、第1の実施形態では情報記憶素子101を単一の構成する抵抗体で構成し、かつこれを図1に示したように並列に配置しているが、本実施形態では複数の情報記憶素子を直列に配置した形態の情報記憶素子セット901としてある。
本実施形態において電気熱変換素子910の列の延長上に直列的に並んで設けられた情報記憶素子セット901は、電気熱変換素子910を駆動する電圧と同じ電圧を用いるように設計されている。情報記憶素子セット901以外の構成、つまり、電気熱変換素子910、第1駆動素子903、第2の駆動素子902、論理回路904、昇圧回路906(図6参照)の構成は第1の実施形態と同様である。
本実施形態のように抵抗体を直列に配列した場合では、情報記憶素子901へのデータの書き込みと読み出しの手順が第1実施形態と異なるので、これを説明する。なお、ここでは情報記憶素子に2値の情報を記憶させる場合について説明する。
ここでは、温度(印加パルス数)に対する抵抗値変化曲線(図2)上で、順次抵抗値が高くなる(すなわち温度・印加パルス数が小となる)6点a1,a2,b1,b2,c1,c2を取る。そして、その点はa1またはa2を情報記憶素子901aに、b1またはb2を情報記憶素子901bに、c1またはc2を情報記憶素子901cに、それぞれ設定するものとする。
本実施形態の情報記憶素子901aにデータを記録する場合、先ず第2の駆動素子902aを駆動して所定のパルス電圧で情報記憶素子901aの抵抗を所望の値(a1またはa2)に変化させる。2値までの情報は第2の駆動素子902aを駆動させて、情報記憶素子901aにエネルギを投入して抵抗値を変化させる。
2値までの情報を記憶させたら、次に第2の駆動素子902bを駆動させて情報記憶素子901aと情報記憶素子901bとにエネルギを投入し、情報記憶素子901bの抵抗を所望の値(a1またはa2)に変化させる。ただしこの場合、第2の駆動素子902aを駆動して情報記憶素子901aにエネルギを投入した時よりも印加するパルス数は少なくする。こうすることで情報記憶素子901aの抵抗値を変化させることなく情報記憶素子901bの抵抗値を変化させることができる。2値より多く4値以下までの情報は第2の駆動素子902bを駆動させて、情報記憶素子901bにエネルギを投入して抵抗値を変化させる。
4値までの情報を記憶させたら、次に第2の駆動素子902cを駆動させて情報記憶素子901aと情報記憶素子901bと情報記憶素子901cとにエネルギを投入し、情報記憶素子901cの抵抗を所望の値(c1またはc2)に変化させる。ただしこの場合、第2の駆動素子902bを駆動して情報記憶素子901aと情報記憶素子901bとにエネルギを投入した時よりも印加するパルス数は少なくする。こうすることで情報記憶素子901aおよび情報記憶素子901bの抵抗値を変化させることなく情報記憶素子901cの抵抗値を変化させることができる。情報記憶素子901aおよび情報記憶素子901bの抵抗値は既知であるため、情報記憶素子901cの抵抗値を読み取ることができる。
記録したデータを読み出す場合には、まず情報記憶素子901aのデータを読み出す。この場合、端子912aに読み出し電圧として例えば3.3Vを印加後、読み出す情報記憶素子901aに対応した第2の駆動素子902aを駆動させる。その結果、カウント端子912bから、情報記憶素子901aの有する抵抗値に応じた電圧降下の情報を得ることによって、情報記憶素子901aの抵抗情報を得ることができる。
情報記憶素子901bの抵抗値を読み出す場合も同様に、端子912aに読み出し電圧として3.3Vを印加して、情報記憶素子901bに対応する第2の駆動素子902bを駆動する。その際カウント端子912bから得られる情報は、情報記憶素子901aの有する抵抗値と情報記憶素子901bの有する抵抗値の合成抵抗に応じた電圧降下の情報となる。したがって、情報記憶素子901bの抵抗を得る場合には、得られた合成抵抗から情報記憶素子901aの抵抗値を引くことで算出する。情報記憶素子901cの記録データを得る場合にも同様に、情報記憶素子901aと情報記憶素子901bと情報記憶素子901cとの合成抵抗から算出する。
なお、情報の記憶を行う動作は、上述したものに限られない。例えば、次の手順としてもよい。
まず第2の駆動素子902cのみを選択し、情報記憶素子901a〜情報記憶素子901cをすべてc1またはc2に設定する。
次に第2の駆動素子902bのみを選択し、情報記憶素子901aおよび情報記憶素子901bをb1またはb2に設定する。
最後に第2の駆動素子902aのみを選択し、情報記憶素子901aをa1またはa2に設定するという手順でもよい。
まず第2の駆動素子902cのみを選択し、情報記憶素子901a〜情報記憶素子901cをすべてc1またはc2に設定する。
次に第2の駆動素子902bのみを選択し、情報記憶素子901aおよび情報記憶素子901bをb1またはb2に設定する。
最後に第2の駆動素子902aのみを選択し、情報記憶素子901aをa1またはa2に設定するという手順でもよい。
このようにして情報記憶素子への情報の記憶およびその情報の個別の読み出しを行うことで、2値×3=6値までの情報に対応可能である。また、記憶された情報を適宜組み合わせることも可能であり、最大(2値)3=8値まで対応可能となる。
また、各情報記憶素子に記憶させる情報としては、上述のような2値に限られず、3値以上としてもよい。例えば素子毎に上記と同様にして4値の情報を記憶させることも可能であり、その場合、4値×3=12値ないしは(4値)3=64値までの情報に対応することが可能である。
さらに、情報記憶素子の数も上例に限られないことは勿論である。
以上のように、本実施形態では、記録素子基板900内に電気熱変換素子910と同じ材料、工程で形成した情報記憶素子901を直列的に並べて、その抵抗値を変化させて情報の記憶を可能にし、その情報記憶素子901から情報を読み出すようにしている。これによって、データの記録時に層間絶縁膜および保護膜に損傷を与えることなく、情報の記録および読み出しが可能で、配置する位置の制約が不要な信頼性の高い記憶素子を備えたインクジェット記録用基板およびインクジェット記録ヘッドを実現できた。
(その他)
なお、上記各実施形態で図示した情報記憶素子の数は特に限定されるものではなく、各記録素子基板のスペースの許す限り複数個設けることが可能である。
なお、上記各実施形態で図示した情報記憶素子の数は特に限定されるものではなく、各記録素子基板のスペースの許す限り複数個設けることが可能である。
また、上記各実施形態では情報記憶素子に熱を加える方法として、パルス電圧を投入したときに発生する情報記憶素子自体の自己発熱を利用しているが、これに限定するものではない。つまり、温度管理を正確に行えるものであれば、恒温槽等へ投入して熱を加えてもよい。
また、本発明のインクジェット記録ヘッド用基板は、インクを吐出用のエネルギを発生する素子を具えており、熱処理の温度に対応した抵抗値を有し、その抵抗値を読み取る抵抗体を情報記憶素子として具えていればよい。
700、900 記録素子基板
101、901 情報記憶素子
102、902 第2の駆動素子
103、903 第1の駆動素子
104、904 論理回路
106、906 昇圧回路
110、910 電気熱変換素子
111 インク供給口
112a、912a 端子
112b、912b カウンタ端子
113 A/D変換器
703 吐出口
101、901 情報記憶素子
102、902 第2の駆動素子
103、903 第1の駆動素子
104、904 論理回路
106、906 昇圧回路
110、910 電気熱変換素子
111 インク供給口
112a、912a 端子
112b、912b カウンタ端子
113 A/D変換器
703 吐出口
Claims (8)
- インクを吐出するためのエネルギを発生する素子を具えたインクジェット記録ヘッド用基板において、
熱処理の温度に対応した抵抗値を有し、該抵抗値を読み取ることができるよう通電が可能に形成された抵抗体を情報記憶素子として具えたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。 - 前記エネルギ発生素子は、通電に応じて熱エネルギを発生する抵抗体であり、該抵抗体と前記情報記憶素子をなす抵抗体とが同一材料および同一工程で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
- 前記エネルギ発生素子をなす抵抗体と前記情報記憶素子をなす抵抗体とへの選択的通電を可能にするための配線および回路を具えたことを特徴とする請求項2に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
- 前記エネルギ発生素子の抵抗体は、予め定められた温度による熱処理を行うことで抵抗値が安定するものであり、前記情報記憶素子をなす抵抗体は、前記予め定められた温度未満の温度の熱処理によって抵抗値を変化させることで情報を記憶することが可能であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
- 前記エネルギ発生素子の抵抗体は、前記熱処理を施す前はCr、Si、Nからなる非晶質薄膜であり、前記熱処理後にCrSiの微結晶が形成されることを特徴とする請求項4に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
- 前記熱処理は、前記抵抗体にパルス電圧を投入した際に発生する前記抵抗体の自己発熱によって行われることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
- 前記情報記憶素子の抵抗体に少なくとも2値の情報を記憶させてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド基板と、前記エネルギを発生する素子をなす抵抗体の発熱に応じてインクを吐出するための吐出口と、を具えたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
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