JP2008147632A5

JP2008147632A5 -

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Publication number: JP2008147632A5
Application number: JP2007290164A
Authority: JP
Filing date: 2007-11-07
Publication date: 2010-11-18

Description

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明に係るひとつの有機強誘電体膜の形成方法は、基板に、低結晶化度膜を形成する第１の工程と、前記低結晶化度膜から有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、を有し、前記低結晶化度膜の結晶化度は、前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低く、前記第１の工程は、前記基板に有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、前記第２の工程は、前記低結晶化度膜を加熱・加圧する第３の工程を含むことを特徴とする。
前記低結晶化度膜における結晶化度は、前記有機強誘電体膜の結晶化度の８０％以下であることが好ましい。
前記第３の工程において、前記加熱・加圧における加圧の圧力が、０．１〜１０ＭＰａ／ｃｍ ^２であることが好ましい。
前記第３の工程において、前記加熱・加圧における加熱の温度が、８０℃〜２００℃であることが好ましい。
更に、前記第２の工程は、前記第３の工程の後、加圧状態を維持したまま冷却を行う第４の工程を含むことが好ましい。
前記第４の工程において、前記冷却の温度は、前記有機強誘電体材料のガラス転移点以下の温度であることが好ましい。
前記第２の工程において、前記第３の工程の前に、前記低結晶化度膜を加熱する工程を有することが好ましい。
前記第３の工程における前記加圧及び前記第４の工程における前記加圧状態の維持には、前記有機強誘電体膜の有効領域を規定し得る型が用いられ、前記低結晶化度膜が前記型により整形されることが好ましい。
前記基板における前記液体材料が塗布された面は導電性を有する部分が形成されており、前記型は導電性を有し、前記第３の工程若しくは前記第４の工程が、前記導電性を有する面と前記型との間に電界を印加しつつ行われることが好ましい。
本発明に係るひとつの有機強誘電体膜の形成方法は、基板の一方の面側に、前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低い結晶化度の低結晶化度膜を形成する第１の工程と、前記低結晶化度膜から前記有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、を有し、前記第１の工程は、前記基板の一方の面側に前記有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、前記第２の工程は、前記低結晶化度膜を加熱して前記低結晶化度膜の結晶化度を高めた結晶膜を形成する第３の工程と、前記結晶膜を加熱・加圧することにより前記結晶膜を整形し前記有機強誘電体膜を形成する第４の工程とを含む、ことを特徴とする。
本発明に係るひとつの有機強誘電体膜を用いた記憶素子の製造方法は、基板の一方の面側に、一対の第１の電極を形成する工程と、前記一対の第１の電極の前記基板とは反対側の面上に前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低い結晶化度の低結晶化度膜を形成する第１の工程と、前記低結晶化度膜から前記有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、前記有機強誘電体膜の前記一対の第１の電極とは反対側の面上に、第２の電極を形成する工程と、を含み、前記第１の工程は、前記基板の一方の面側に前記有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、前記第２の工程は、前記低結晶化度膜を加熱・加圧することにより、前記低結晶化度膜を整形しつつ前記低結晶化度膜中の結晶化度を高める工程を含む、ことを特徴とする。
上記ひとつの有機強誘電体膜を用いた記憶素子の製造方法において、更に前記一対の第１の電極を形成する工程の後、かつ、前記第１の工程の前に、半導体膜を形成する工程を含み、前記半導体膜を形成する工程において、前記１対の第１の電極のそれぞれに接触するように前記半導体膜を形成し、前記第１の工程において形成される前記低結晶化度膜は、前記半導体膜の前記基板とは反対側の面上に形成されることが好ましい。
また、本発明に係るひとつの記憶装置は、上記ひとつの有機強誘電体膜を用いた記憶素子の製造方法で製造された記憶素子を備えることが好ましい。
また、本発明に係るひとつの電子機器は、上記のひとつの記憶装置を備えることが好ましい。
本発明に係るひとつの有機強誘電体膜の形成方法は、結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成された有機強誘電体膜の形成方法であって、基板の一方面上に、前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低い結晶化度の低結晶化度膜を形成する第１の工程と、
前記低結晶化度膜から前記有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、を有し、前記第１の工程は、前記基板の一方面上に前記有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、前記第２の工程は、前記低結晶化度膜を加熱・加圧することにより、前記低結晶化度膜を整形しつつ前記低結晶化度膜中の結晶化度を高める工程を含む、ことを特徴とする。
また、本発明において、前記低結晶化度膜における結晶化度は、前記有機強誘電体膜の結晶化度の８０％以下であることが好ましい。

Claims

基板に、低結晶化度膜を形成する第１の工程と、
前記低結晶化度膜から有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、を有し、
前記低結晶化度膜の結晶化度は、前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低く、
前記第１の工程は、前記基板に有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、
前記第２の工程は、前記低結晶化度膜を加熱・加圧する第３の工程を含むことを特徴とする有機強誘電体膜の形成方法。
前記低結晶化度膜における結晶化度は、前記有機強誘電体膜の結晶化度の８０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記第３の工程において、前記加熱・加圧における加圧の圧力が、０．１〜１０ＭＰａ／ｃｍ^２であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記有機強誘電体膜の膜厚は、５ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記有機強誘電体材料は、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体、フッ化ビニリデンの重合体のうちの１種を単独または２種を組み合わせたものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記液体材料は、前記有機強誘電体材料を溶媒に溶解したものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記第３の工程において、前記加熱・加圧における加熱の温度が、８０℃〜２００℃であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の有機強誘電体膜の形成方法。
更に、前記第２の工程は、前記第３の工程の後、加圧状態を維持したまま冷却を行う第４の工程を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記第４の工程において、前記冷却の温度は、前記有機強誘電体材料のガラス転移点以下の温度であることを特徴とする請求項８に記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記第２の工程において、前記第３の工程の前に、前記低結晶化度膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載された有機強誘電体膜の形成方法。
前記第３の工程における前記加圧及び前記第４の工程における前記加圧状態の維持には、前記有機強誘電体膜の有効領域を規定し得る型が用いられ、前記低結晶化度膜が前記型により整形されることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記型は、押圧面に離型処理が施されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機強誘電体膜の形成方法。
前記基板における前記液体材料が塗布された面は導電性を有する部分が形成されており、
前記型は導電性を有し、
前記第３の工程若しくは前記第４の工程が、前記導電性を有する面と前記型との間に電界を印加しつつ行われることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の有機強誘電体膜の形成方法。
結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成された有機強誘電体膜の製造方法であって、
基板の一方の面側に、前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低い結晶化度の低結晶化度膜を形成する第１の工程と、
前記低結晶化度膜から前記有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、を有し、
前記第１の工程は、前記基板の一方の面側に前記有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、
前記第２の工程は、
前記低結晶化度膜を加熱して前記低結晶化度膜の結晶化度を高めた結晶膜を形成する第３の工程と、
前記結晶膜を加熱・加圧することにより前記結晶膜を整形し前記有機強誘電体膜を形成する第４の工程とを含む、ことを特徴とする有機強誘電体膜の形成方法。
結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成された有機強誘電体膜を用いた記憶素子の製造方法であって、
基板の一方の面側に、一対の第１の電極を形成する工程と、
前記一対の第１の電極の前記基板とは反対側の面上に前記有機強誘電体膜の結晶化度よりも低い結晶化度の低結晶化度膜を形成する第１の工程と、
前記低結晶化度膜から前記有機強誘電体膜を形成する第２の工程と、
前記有機強誘電体膜の前記一対の第１の電極とは反対側の面上に、第２の電極を形成する工程と、を含み、
前記第１の工程は、前記基板の一方の面側に前記有機強誘電体材料を含む液体材料を塗布・乾燥する工程を含み、
前記第２の工程は、前記低結晶化度膜を加熱・加圧することにより、前記低結晶化度膜を整形しつつ前記低結晶化度膜中の結晶化度を高める工程を含む、
ことを特徴とする記憶素子の製造方法。
更に前記一対の第１の電極を形成する工程の後、かつ、前記第１の工程の前に、半導体膜を形成する工程を含み、
前記半導体膜を形成する工程において、前記１対の第１の電極のそれぞれに接触するように前記半導体膜を形成し、
前記第１の工程において形成される前記低結晶化度膜は、前記半導体膜の前記基板とは反対側の面上に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の記憶素子の製造方法。
請求項１５または１６に記載の記憶素子の製造方法で製造された記憶素子を備えることを特徴とする記憶装置。
請求項１７に記載の記憶装置を備えることを特徴とする電子機器。