JP2008135361A - 電子放出源用のカーボン系物質、それを含む電子放出源、該電子放出源を備えた電子放出素子及び該電子放出源の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子放出源用のカーボン系物質、それを含む電子放出源及び該電子放出源を備えた電子放出素子、並びに該電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】488±10nm、514.5±10nm、633±10nmまたは785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び第1ピークを有し、第2ピークと第1ピークの相対強度h2とh1とがh2/h1<1.3であるか、第2ピークと第1ピークの半幅値FWHM2とFWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2であるか、あるいはh2/h1<1.3であり、FWHM2/FWHM1>1.2である電子放出源用のカーボン系物質、それを含む電子放出源及び該電子放出源を備えた電子放出素子、並びに該電子放出源の製造方法である。
【選択図】図3
【解決手段】488±10nm、514.5±10nm、633±10nmまたは785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び第1ピークを有し、第2ピークと第1ピークの相対強度h2とh1とがh2/h1<1.3であるか、第2ピークと第1ピークの半幅値FWHM2とFWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2であるか、あるいはh2/h1<1.3であり、FWHM2/FWHM1>1.2である電子放出源用のカーボン系物質、それを含む電子放出源及び該電子放出源を備えた電子放出素子、並びに該電子放出源の製造方法である。
【選択図】図3
Description
本発明は、電子放出源用のカーボン系物質、電子放出源、電子放出素子及び電子放出源の製造方法に係り、さらに具体的には、ラマンスペクトルのうち、所定の周波数範囲を有するピークが特定強度比及び半幅値比を有する電子放出源用のカーボン系物質、前記カーボン系物質を含む電子放出源、当該電子放出源を備えた電子放出素子及び該電子放出源の製造方法に関する。
電子放出素子は、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加して電界を形成することによって、カソード電極の電子放出源から電子を放出させ、この電子をアノード電極側の蛍光物質に衝突させて発光させる素子である。
一般的に、電子放出素子は、電子放出源として熱陰極を移用する方式と冷陰極を利用する方式とがある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、例えば、FED(Field Emission Device)型、SCE(Surface Conduction Emitter)型、MIM(Metal Insultor Metal)型及びMIS(Metal Insulator Semiconductor)型、BSE(Ballistic Electron Surface Emitting)型などが知られている。
前記FED型は、仕事関数が低いか、またはβ関数が高い物質を電子放出減として使用する場合、真空中で電界差によって容易に電子が放出される原理を利用したものであって、Mo、Siなどを主な材質とする先端がとがっているチップ構造物やグラファイト、DLC(Diamond Like Carbon)などの炭素系物質、そして、近年、ナノチューブやナノワイヤなどのナノ物質を電子放出源に適用した素子が開発されている。
前記SCE型は、ベース基板上に相互対向して配置された第1電極と第2電極との間に導電薄膜を提供し、前記導電薄膜に微細亀裂を提供することによって、電子放出源を形成した素子である。前記素子は、前記電極に電圧を印加して前記導電薄膜の表面に電流を流して微細亀裂の電子放出源から電子が放出される原理を利用する。
前記MIM型及び前記MIS型の電子放出素子は、それぞれ金属−誘電層−金属(MIM)及び金属−誘電層−半導体(MIS)構造からなる電子放出源を形成し、誘電層を介して位置する二つの金属または金属と半導体との間に電圧を印加するとき、高い電子電位を有する金属または半導体から、低い電子電位を有する金属方向に電子が移動及び加速されつつ放出される原理を利用した素子である。
前記BSE型は、半導体のサイズを半導体中の電子の平均自由行程より小さい寸法領域まで縮小すれば、電子が散乱せずに走行する原理を利用して、オーミック電極上に金属または半導体からなる電子供給層を形成し、電子供給層上に絶縁体層と金属薄膜とを利用して、オーミック電極と金属薄膜とに電源を印加することによって電子を放出させた素子である。
このような電子放出素子の電子放出源は、CNTを含みうるが、CNTを含む電子放出源の製造方法は、例えば、CVD法を利用するCNT成長法、CNTを含む電子放出源形成用の組成物を利用するペースト法を含む。前記ペースト法を利用すれば、製造コストが低く、大面積の電子放出源の形成が可能である。CNTを含む電子放出源形成用の組成物は、例えば、下記特許文献1に記載されている。一方、下記特許文献2には、CNTを含む電子放出源が開示されている。
しかし、従来のカーボン系物質を含む電子放出源としては、満足すべきレベルの高寿命及び高電流密度を得ることができないため、これを改善したカーボン系物質を含む電子放出源の開発が切望されている。
米国特許第6436221号明細書
大韓民国特許公開公報第2002−0076187号
本発明は、前記課題を解決するために成されたものであって、高寿命及び高電流密度を有する電子放出源を形成できる電子放出源用のカーボン系物質、前記カーボン系物質を含む電子放出源、前記電子放出源を備えた電子放出素子及び前記電子放出源の製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の第1態様は、488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3であり、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第2ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2であり、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3であり、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2である電子放出源用のカーボン系物質を提供する。
前記本発明の他の目的を達成するために、本発明の第2態様は、前述したようなカーボン系物質を含む電子放出源を提供する。
前記本発明のさらに他の目的を達成するために、本発明の第3態様は、前記電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
前記本発明のさらに他の目的を達成するために、本発明の第4態様は、前述したようなカーボン系物質及びビヒクルを含む電子放出源形成用の組成物を提供する工程と、前記電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する工程と、前記印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成する工程と、を含む電子放出源の製造方法を提供する。
本発明の電子放出源は、カーボン系物質を含み、前記カーボン系物質のラマンスペクトルは、所定のラマンシフト範囲に該当するピークが特定相対強度比及び/または半幅値比を有するところ、高寿命及び高電流密度を有する。この結果、前記電子放出源を利用すれば、従来よりも著しく信頼性が向上した電子放出素子を得ることができる。
以下、添付した図面を参照しながら、本発明を詳細に説明する。
本発明に係る電子放出源用のカーボン系物質は、488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルのうち、当該ラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有する。
ラマン分析法は、CNT(carbon nanotube)のようなカーボン系物質の構造を分析する方法であって、特に、CNTの表面状態の分析に有用な方法である。本発明に係るカーボン系物質のラマンスペクトルは、所定の光源、例えば、488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得られる。本発明によるカーボン系物質に対して488±10nm、514.5±10nm、633±10nmまたは785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルのうちでも、特に、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にあるピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にあるピークは、それぞれカーボン系物質の構造欠陥有無と関連したピークである。以下、前記ラマンスペクトルのうち、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にあるピークを“第2ピーク”と称し、1580±20cm−1のラマンシフト範囲にあるピークを“第1ピーク”と称する。
本発明に係る電子放出源用のカーボン系物質に対して488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルのうち、第2ピークの相対強度h2と第1ピークの相対強度h1とは、h2/h1<1.3、望ましくは、h2/h1<1.0、さらに望ましくは、0.03≦h2/h1≦0.56の関係を有する。
前記第2ピークの相対強度であるh2は、第2ピークのラマン散乱強度(第2ピークの最大点に該当する強度)と背景強度(ベースライン)との差を表す。前記第1ピークの相対強度であるh1も、これと同一に理解される。前記背景強度とは、レーザ光を走査したとき、そのエネルギーが特定の分子構造によって励起されて光PLとして放射される光度ではなく、単純反射されて放出される光度を意味するものであって、最も低いグラフ値の接線を背景強度として使用することができる。前記背景強度は、相対的な光度を表すものであって、単位はない。このようなラマンスペクトルでのラマン散乱強度、背景強度、及び相対強度の測定方法は、当業界において既に公知のものであって、当業者に容易に認識可能であるので、詳細な説明は省略する。 本発明に係る電子放出源用のカーボン系物質に対して、488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルのうち、第2ピークの半幅値FWHM2と第1ピークの半幅値FWHM1とは、FWHM2/FWHM1>1.2、望ましくは、FWHM2/FWHM1>1.5、さらに望ましくは、1.8≦FWHM2/FWHM1≦2.5の関係を有する。
前記第2ピークの半幅値FWHM2は、前記第2ピークの相対強度であるh2の中間値に対応する範囲のラマンシフト波数を表す。前記第1ピークの半幅値FWHM1も、これと同一に理解されうる。このようなラマンスペクトルでの半幅値(FWHM)の測定方法は、当業界において既に公知のものであって、当業者に容易に認識可能であるので、詳細な説明は省略する。
本発明に係る電子放出源用のカーボン系物質は、488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルのうち、第2ピークの相対強度h2と第1ピークの相対強度h1との比が前述した関係を有するか、第2ピークの半幅値FWHM2と第1ピークの半幅値FWHM1との比が前述した関係を有するか、またはh2/h1とFWHM2/FWHM1とがいずれも前述したような関係を有するものである。特に、前記カーボン系物質は、CNTである。
本発明に係る電子放出源用のカーボン系物質としては、例えば、CNT、フルオレン、炭化ケイ素など非常に多様なカーボン系物質を選択することができる。また、本発明に係る電子放出源用のカーボン系物質は、多様な方法で製造することができる。特に、前記カーボン系物質がCNTである場合、Hipco法、レーザアブレーション法、またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法などのような公知の製造方法によって製造することができるが、これに限定されるものではない。前記CVD法を利用してCNTを形成する場合、CNT成長用触媒を使用するが、前記CNT成長用触媒としては、例えば、Ni、Co、及びFeのうちいずれか一つ以上を含むことができる。さらに具体的には、前記CNT成長用触媒としてFeMoMgO触媒を使用することができるが、これに限定されるものではない。
本発明に係る電子放出源は、複数のカーボン系物質を含み、前記カーボン系物質に対する488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザ照射で得たラマンスペクトルのうち、第2ピークの相対強度h2と第1ピークの相対強度h1とは、h2/h1<1.3、望ましくは、h2/h1<0.1、さらに望ましくは、0.03≦h2/h1≦0.56の関係を有するか、または第2ピークの半幅値FWHM2と第1ピークの半幅値FWHM1とは、FWHM2/FWHM1>1.2、望ましくは、FWHM2/FWHM1>1.5、さらに望ましくは、1.8≦FWHM2/FWHM1≦2.5の関係を有するか、またはh2/h1及びFWMH2/FWHM1が何れも前述した関係を有する。
本発明に係る電子放出源は、前述したような第2ピーク及び第1ピークの相対強度比や半幅値比を有するカーボン系物質を含むので、高寿命及び高電流密度を有することができる。通常、1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークは、電子放出源に含まれたカーボン系物質のうち、構造欠陥がなく、かつ結晶性に優れたカーボン系物質の存在を表し、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピークは、電子放出源に含まれたカーボン系物質のうち、構造欠陥があり、かつ結晶性が不良なカーボン系物質の存在を表すところ、本発明のように、h2/h1が1.3未満であり、FWHM2/FWHM1は1.2を超える場合、構造欠陥がなく、かつ結晶性に優れたカーボン系物質が電子放出源中に多量に存在することを意味するためである。
例えば、本発明による電子放出源に含まれたカーボン系物質がCNTである場合、CNTのラマンスペクトルが前述したような範囲を有する場合、グラファイトシートの結合が強く、構造欠陥がなく、かつ結晶性に優れたカーボン系物質が多量に存在する。したがって、前記電子放出源は、高寿命及び高電流密度を有することができる。
前述したような電子放出源は、電子放出素子に適用することができる。本発明に係る電子放出素子の一実施形態は、基板、前記基板上に配置されたカソード電極、前記カソード電極と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極、前記カソード電極と前記ゲート電極を絶縁させる絶縁体層、前記カソード電極の一部を露出させる電子放出源ホール、前記電子放出源ホールに備えられて前記カソード電極と電気的に連結された電子放出源及び前記電子放出源と対向する蛍光体層を備え、前記電子放出源は、カーボン系物質を含み、前記カーボン系物質に対する488±10nm、514.5±10nm、633±10nmまたは785±10nmの波長を有するレーザ照射で得たラマンスペクトルのうち、第2ピークの相対強度h2と第1ピークの相対強度h1とは、h2/h1<1.3、望ましくは、h2/h1<1.0、さらに望ましくは、0.03≦h2/h1≦0.56の関係を有するか、または第2ピークの半幅値FWHM2と第1ピークの半幅値FWHM1とは、FWHM2/FWHM1>1.2、望ましくは、FWHM2/FWHM1>1.5、さらに望ましくは、1.8≦FWHM2/FWHM1≦2.5の関係を有するか、またはh2/h1及びFWMH2/FWHM1がいずれも前述した関係を有する。
図1には、本発明による電子放出素子の一実施形態が示されており、図2には、図1のII−II線による断面図が示されている。
図1及び図2を参照すれば、電子放出素子100は、背面パネル101及び前面パネル102を備えている。背面パネル101は、基板110、カソード電極120、ゲート電極140、絶縁体層130、及び電子放出源150を備え、前面パネル102は、蛍光体層70及びアノード電極80を備える。
基板110は、所定の厚さを有する板状の部材である。カソード電極120は、基板110上に一方向に延長して配置され、通常の電気導電物質で形成される。ゲート電極140は、カソード電極120と絶縁体層130とを介して配置され、カソード電極120のように通常の電気導電物質で形成される。
絶縁体層130は、ゲート電極40とカソード電極20との間に配置されて、カソード電極120とゲート電極40とを絶縁することによって、二つの電極間にショートが発生することを防止する。絶縁体層130には、電子放出源ホール131が備えられ、電子放出源150をカソード電極20と電気的に連結させる。
電子放出源150は、カソード電極120と通電されるように配置され、ゲート電極140に比べては低く配置される。電子放出源150は、前述したような特徴的なラマンスペクトルを表すカーボン系物質を含むことができる。前記カーボン系物質についての説明は、前記したものと同じであるので、重複記載を避けるため詳細な説明は省略する。
前面パネル120は、前面基板90、前記前面基板90上に設置されるアノード電極80及びアノード電極80に設置された蛍光体層70をさらに備える。アノード電極90は、電子放出源150から放出された電子の加速に必要な高電圧を印加して、前記電子を蛍光体層70に高速で衝突させることを可能にする。前面パネル102と背面パネル101との間には、スペーサ60が備えられている。
本発明の電子放出素子は、図1に示されたような3極管構造の電子放出素子を例として説明したが、本発明は、3極管構造だけでなく、2極管をはじめとする他の構造の電子放出素子も含む。それだけでなく、ゲート電極がカソード電極の下部に配置される電子放出素子、放電現象によって発生すると推定されるアークによるゲート電極及び/またはカソード電極の損傷を防止し、電子放出源から放出される電子の集束を保証するためのグリッド/メッシュを備える電子放出素子にも使用されることができる。また、本発明に係る電子放出素子の一実施形態は、ゲート電極の上部に集束電極をさらに備えることができる。前記集束電極は、電子放出源から放出される電子が蛍光体層に向って集束され、左右側方向に分散されることを防止する役割を果たす。一方、前記電子放出素子は、所定の画像を具現するディスプレイ装置または光源として応用することも可能である。
次に、本発明に係る電子放出源の製造方法を説明する。
本発明に係る電子放出源の製造方法は、前述したような範囲に属するh2/h1値及び/またはFWHM2/FWHM1値を有するカーボン系物質及びビヒクルを含む電子放出源形成用の組成物を提供する工程と、前記電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する工程と、前記印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成する工程と、を含む。
まず、カーボン系物質及びビヒクルを含む電子放出源形成用の組成物を準備する。
前記電子放出源形成用の組成物に含まれるカーボン系物質は、前述したようなh2/h1値及び/またはFWHM2/FWHM1値の関係を有する。前記電子放出源形成用の組成物に含まれるビヒクルは、電子放出源形成用の組成物の印刷性及び粘度を調節する役割を果たす。前記ビヒクルは、樹脂成分及び溶媒成分で形成されることができる。前記樹脂成分としては、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロースのようなセルロース系樹脂と、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート及びウレタンアクリレートのようなアクリル系樹脂と、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラル、ポリビニルエーテルのようなビニール系樹脂のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに制限されるものではない。前述したような前記樹脂成分のうち一部は、感光性樹脂の役割を同時に果たすことができる。
前記溶媒成分は、例えば、ターピネオール、ブチルカルビトール(BC)、ブチルカルビトールアセテート(BCA)、トルエン及びテキサノールのうち少なくとも一つを含みうる。このうち、ターピネオールを含むことが望ましい。
前記樹脂成分の含量は、カーボン系物質100重量部を基準として100〜500重量部、さらに望ましくは、200〜300重量部である。一方、前記溶媒成分の含量は、カーボン系物質100重量部を基準として500〜1500重量部、望ましくは、800〜1200重量部である。前記樹脂成分と溶媒成分で形成されたビヒクルの含量が前記範囲を満足する場合、優れた電子放出源形成用の組成物の印刷性及び流れ特性が得られ、乾燥時間が過度に長くなることが防止される。
また、本発明の電子放出源形成用の組成物は、必要に応じて、接着成分、感光性樹脂と光開始剤またはフィラーをさらに含むことができる。
前記接着成分は、電子放出源を基板に付着させる役割を果たすものであって、例えば、無機バインダーである。このような無機バインダーの非制限的な例には、フリット、シラン、ウォータガラスが含まれ、これらのうち、2つ以上を混合して使用することができる。前記フリットは、例えば、PbO−ZnO−B2O3成分で形成される。前記無機バインダーのうち、特にフリットが望ましい。
電子放出源形成用の組成物のうち、無機バインダーの含量は、カーボン系物質100重量部を基準として10〜50重量部、望ましくは、15〜35重量部である。無機バインダーの含量がカーボン系物質100重量部を基準として10重量部以上である場合、満足すべき接着力が得られ、50重量部以下である場合に、満足すべき印刷性が得られる。
前記感光性樹脂は、電子放出源のパターニングに使われる物質である。前記感光性樹脂の非制限的な例には、アクリレート系モノマー、ベンゾフェノン系モノマー、アセトフェノン系モノマー、またはチオキサントン系モノマーがあり、さらに具体的には、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、2,4−ジエチルオキサントン、または2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノンを使用することができる。前記感光性樹脂の含量は、カーボン系物質100重量部を基準として300〜1000重量部、望ましくは、500〜800重量部でありうる。感光性樹脂の含量がカーボン系物質100重量部を基準として300重量部以上である場合に、優れた露光感度が得られ、カーボン系物質100重量部を基準として1000重量部以下である場合に、効果的に現像することができる。
前記光開始剤は、前記感光性樹脂が露光される時に感光性樹脂の架橋結合を開始する役割を果たす。前記光開始剤の非制限的な例には、ベンゾフェノンがある。前記光開始剤の含量は、カーボン系物質100重量部を基準として300〜1000重量部、望ましくは、500〜800重量部である。光開始剤の含量がカーボン系物質100重量部を基準として300重量部以上である場合には、効率的な架橋結合がなされて優れたパターンが形成することができ、カーボン系物質100重量部を基準として1000重量部以下である場合には、適正製造コストを維持することができる。
前記フィラーは、基板と十分に接着していないカーボン系物質の伝導性を向上させる役割を行う物質であって、その非制限的な例にはAg、Al、Pdがある。
前述したような物質を含む本発明の電子放出源形成用の組成物は、3,000〜50,000cps、望ましくは、5,000〜30,000cpsの粘度を有しうる。前記粘度範囲を満足する場合、優れた作業性が得られる。
次に、前記提供された電子放出源形成用の組成物を電子放出源によって基板に印刷する。前記基板とは、電子放出源が形成される基板であって、形成しようとする電子放出素子によって相異なり、これは、当業者に容易に認識可能なものである。例えば、前記基板とは、カソード電極とアノード電極との間にゲート電極が備えられた形態の電子放出素子を製造する場合には、カソード電極となっても良く、カソード電極の下部にゲート電極が備えられた形態の電子放出素子を製造する場合には、カソード電極とゲート電極とを絶縁させる絶縁層となっても良い。
電子放出源形成用の組成物を印刷する工程は、例えば、フォトリソグラフィ法を利用しうる。さらに具体的に、まず別途のフォトレジスト膜を形成した後、それを利用して電子放出源形成用の組成物を電子放出源パターンによって供給した後に、それを現像することによって、電子放出減パターンによって電子放出源形成用の組成物を印刷できるが、それに限定されるものではない。
または、電子放出源形成用の組成物を微細線幅(例えば、10μm以下の線幅)で基板の上部に直接印刷することも可能であり、例えば、スプレイ法、レーザプリンティング法などが利用できるが、それに限定されるものではない。このとき、前記電子放出源形成用の組成物は、感光性樹脂を含まないこともある。
前述したように、電子放出源パターンによって印刷された電子放出源形成用の組成物は、焼成工程を経る。焼成工程を通じて電子放出源形成用の組成物のうちカーボン系物質は、基板との接着力が向上し、一部以上のビヒクルは揮発され、他の無機バインダーが溶融及び固形化されて電子放出源の耐久性向上に寄与できる。焼成温度は、電子放出源形成用の組成物に含まれたビヒクルの揮発温度及び時間を考慮して決定されねばならない。通常的な焼成温度は、400〜500℃、望ましくは、450℃である。焼成温度が400℃以上であれば、ビヒクルの揮発が十分になされ、焼成温度が500℃以下であれば、基板の損傷が防止される。
前記焼成工程は、不活性ガスの存在下で行われる。前記不活性ガスは、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ネオンガス、キセノンガス、またはこれらのガスうちの2つ以上の混合ガスである。これは、所定工程中にカーボン系物質の劣化を最小化するためである。
このように焼成された焼成結果物の表面のカーボン系物質は、選択的に、活性化工程を経る。前記活性化工程の一実施形態によれば、熱処理工程を通じてフィルム形態に硬化される溶液、例えば、ポリイミド系高分子を含む電子放出源の表面処理剤を前記焼成結果物上に塗布し、これを熱処理した後、前記熱処理で形成されたフィルムを剥離する。活性化工程の他の一実施形態によれば、所定の駆動源として駆動されるローラの表面に接着力を有する接着部を形成して、前記焼成結果物の表面に所定の圧力で加圧することによって、活性化工程を行ってもよい。このような活性化工程を通じて、カーボン系物質は、電子放出源の表面に露出されるか、または垂直配向されるように制御される。
本発明に係る電子放出源の製造方法の他の実施形態は、基板にカーボン系物質成長用触媒を塗布する工程と、前記カーボン系物質成長用触媒が塗布された基板を炭化水素存在下で熱処理する工程とを含むことができ、前記電子放出源の製造方法にのみに制限されるものではない。
以下、本発明の望ましい実施例及び比較例を記載する。下記の実施例は、本発明をさらに明確に表現するための目的で記載され、本発明の内容が下記の実施例に限定されるものではない。
合成例1
CVD用の反応炉にCNT成長用の触媒としてFeMoMg粉末が塗布された基板を装着し、前記反応炉の温度を900℃に維持しつつ、CH4ガス、C2H2ガス、及びH2ガスを注入してCNTを合成した。これから得たCNTは、直径が3nm〜5nmである多重壁CNT(MWCNT:multi−wall carbon nanotube)であった。これをCNT1という。
CVD用の反応炉にCNT成長用の触媒としてFeMoMg粉末が塗布された基板を装着し、前記反応炉の温度を900℃に維持しつつ、CH4ガス、C2H2ガス、及びH2ガスを注入してCNTを合成した。これから得たCNTは、直径が3nm〜5nmである多重壁CNT(MWCNT:multi−wall carbon nanotube)であった。これをCNT1という。
合成例2
前記合成例1のうち、反応炉の温度を1000℃に維持したことを除いては、前記合成例1と同じ方法でCNTを合成した。これをCNT2という。
前記合成例1のうち、反応炉の温度を1000℃に維持したことを除いては、前記合成例1と同じ方法でCNTを合成した。これをCNT2という。
合成例3
前記合成例1のうち、反応炉の温度を1100℃に維持したことを除いては、前記合成例1と同じ方法でCNTを合成した。これをCNT3という。
前記合成例1のうち、反応炉の温度を1100℃に維持したことを除いては、前記合成例1と同じ方法でCNTを合成した。これをCNT3という。
評価例1−CNTのラマンスペクトル評価
前記合成例1、2及び3から得たCNT1、2、及び3のそれぞれに対して、ラマンスペクトルを評価した。ラマンスペクトル評価のために、前記CNT1、2及び3に514.5nmの波長を有するレーザを走査した後に、放出された光をジャスコ社製のスペクトロメータを利用して測定した。その結果をそれぞれ図3(CNT1)及び4(CNT2及びCNT3)に示した。図3及び図4のうち、y軸は、相対的な光度を表すもの(したがって、単位がない)である。
前記合成例1、2及び3から得たCNT1、2、及び3のそれぞれに対して、ラマンスペクトルを評価した。ラマンスペクトル評価のために、前記CNT1、2及び3に514.5nmの波長を有するレーザを走査した後に、放出された光をジャスコ社製のスペクトロメータを利用して測定した。その結果をそれぞれ図3(CNT1)及び4(CNT2及びCNT3)に示した。図3及び図4のうち、y軸は、相対的な光度を表すもの(したがって、単位がない)である。
図3及び図4に示されたラマンスペクトルのうち、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークのh2、h1、FWHM2、FWHM1及びこれらの比を要約して、下記の表1に示す。
表1に示すh2及びh1は、光の相対的な強度を意味するものであって、単位が無い。また、FWHM2及びFWHM1の単位は、「cm−1」である。
前記表1によれば、CNT1、2、及び3は、それぞれ0.227、0.121及び0.69のh2/h1を有し、また、1.88、1.5、及び1.33のFWMH2/FWMH1を有するということが分かる。これにより、前記CNTは、本発明による電子放出源への適用に適しているということが分かる。
実施例1
ターピネオール10gに前記CNT1粉末1g、フリット(8000L、新興窯業社製)0.2g、ポリエステルアクリレート5g、ベンゾフェノン5gを添加した後に攪拌して、30,000cpsの粘度を有する電子放出源形成用の組成物を製造した。前記電子放出源形成用の組成物をITO電極が備えられた基板上に電子放出源パターンに沿って印刷した後、パターンマスクを利用して2000mJ/cm2の露光エネルギーで平行露光器を利用して照射した。露光後にアセトンを利用して現像し、450℃の温度及び窒素ガスの存在下で焼成して、電子放出源を形成した。焼成後に表面処理を通じてCNTを垂直配向した。
ターピネオール10gに前記CNT1粉末1g、フリット(8000L、新興窯業社製)0.2g、ポリエステルアクリレート5g、ベンゾフェノン5gを添加した後に攪拌して、30,000cpsの粘度を有する電子放出源形成用の組成物を製造した。前記電子放出源形成用の組成物をITO電極が備えられた基板上に電子放出源パターンに沿って印刷した後、パターンマスクを利用して2000mJ/cm2の露光エネルギーで平行露光器を利用して照射した。露光後にアセトンを利用して現像し、450℃の温度及び窒素ガスの存在下で焼成して、電子放出源を形成した。焼成後に表面処理を通じてCNTを垂直配向した。
次に、アノード電極としてITOを採用した基板を電子放出源が形成された基板と配向して配置し、両基板の間には、基板間のセルギャップを維持するスペーサを形成した後に真空パッケージングした。これを「サンプル1」と称する。
実施例2
電子放出源形成用の組成物の製造時、CNT1粉末の代わりに、前記CNT2粉末1gを使用したことを除いては、前記実施例1に記載された方法と同じ方法で電子放出素子を製造した。これを「サンプル2」と称する。
電子放出源形成用の組成物の製造時、CNT1粉末の代わりに、前記CNT2粉末1gを使用したことを除いては、前記実施例1に記載された方法と同じ方法で電子放出素子を製造した。これを「サンプル2」と称する。
実施例3
電子放出源形成用の組成物の製造時、CNT1粉末の代わりに、前記CNT3粉末1gを使用したことを除いては、前記実施例1に記載された方法と同じ方法で電子放出素子を製造した。これを「サンプル3」と称する。
電子放出源形成用の組成物の製造時、CNT1粉末の代わりに、前記CNT3粉末1gを使用したことを除いては、前記実施例1に記載された方法と同じ方法で電子放出素子を製造した。これを「サンプル3」と称する。
評価例2−寿命及び電流密度の評価
前記サンプル1の寿命及び電流密度をパルスパワーサプライと電流計とを利用して測定した。その結果をそれぞれ図5及び6に表した。前記寿命の測定は1/1000duty(10μs、100Hz)の条件下でサンプル1を作動させて、電流密度の変化を観察したのである。図5によれば、初期電流密度を600μA/cm2とした場合に、電流密度の半減期は、100,000時間以上であるということが分かる。
前記サンプル1の寿命及び電流密度をパルスパワーサプライと電流計とを利用して測定した。その結果をそれぞれ図5及び6に表した。前記寿命の測定は1/1000duty(10μs、100Hz)の条件下でサンプル1を作動させて、電流密度の変化を観察したのである。図5によれば、初期電流密度を600μA/cm2とした場合に、電流密度の半減期は、100,000時間以上であるということが分かる。
また、図6からも優れた電圧−電流密度特性を有するということが確認することができる。
本発明は、電子放出素子に関連した技術分野に適用可能である。
60 スペーサ、
70 蛍光体層、
80 アノード電極、
90 前面基板、
120 カソード電極、
130 絶縁体層、
131 電子放出源ホール、
140 ゲート電極、
150 電子放出源。
70 蛍光体層、
80 アノード電極、
90 前面基板、
120 カソード電極、
130 絶縁体層、
131 電子放出源ホール、
140 ゲート電極、
150 電子放出源。
Claims (19)
- 488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルにおいて、
前記ラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3の条件を満足することを特徴とする電子放出源用のカーボン系物質。 - 488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルであって、
前記ラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2の条件を満足することを特徴とする電子放出源用のカーボン系物質。 - 488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルであって、
前記ラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3であり、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2の条件を満足することを特徴とする電子放出源用のカーボン系物質。 - 前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とは、0.03≦h2/h1≦0.56の条件を満足することを特徴とする請求項1または3に記載の電子放出源用のカーボン系物質。
- 前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とは、1.2<FWHM2/FWHM1≦2.5の条件を満足することを特徴とする請求項2または3に記載の電子放出源用のカーボン系物質。
- カーボン系物質を含む電子放出源において、
前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3の条件を満足することを特徴とする電子放出源。 - カーボン系物質を含む電子放出源において、
前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2の条件を満足することを特徴とする電子放出源。 - カーボン系物質を含む電子放出源において、
前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3の条件を満足し、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2の条件を満足することを特徴とする電子放出源。 - 前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とは、0.03≦h2/h1≦0.56の条件を満足することを特徴とする請求項6または8に記載の電子放出源。
- 前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とは、1.2<FWHM2/FWHM1≦2.5の条件を満足することを特徴とする請求項7または8に記載の電子放出源。
- 基板と、
前記基板上に配置されたカソード電極と、
前記カソード電極と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極と、
前記カソード電極と前記ゲート電極とを絶縁させる絶縁層と、
前記カソード電極の一部を露出させる電子放出源ホールと、
前記電子放出源ホールに備えられ、前記カソード電極と電気的に連結された電子放出源と、
前記電子放出源と対向する蛍光体層と、を備え、
前記電子放出源は、カーボン系物質を含み、前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3条件を満たすことを特徴とする電子放出素子。 - 基板と、
前記基板上に配置されたカソード電極と、
前記カソード電極と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極と、
前記カソード電極と前記ゲート電極とを絶縁させる絶縁層と、
前記カソード電極の一部を露出させる電子放出源ホールと、
前記電子放出源ホールに備えられて前記カソード電極と電気的に連結された電子放出源と、
前記電子放出源と対向する蛍光体層と、を備え、
前記電子放出源は、カーボン系物質を含み、前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWFM1<1.2の条件を満たすことを特徴とする電子放出素子。 - 基板と、
前記基板上に配置されたカソード電極と、
前記カソード電極と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極と、
前記カソード電極と前記ゲート電極とを絶縁させる絶縁層と、
前記カソード電極の一部を露出させる電子放出源ホールと、
前記電子放出源ホールに備えられて前記カソード電極と電気的に連結された電子放出源と、
前記電子放出源と対向する蛍光体層と、を備え、
前記電子放出源は、カーボン系物質を含み、前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nm、または785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1>1.3の条件を満たし、前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWFM1<1.2の条件を満たすことを特徴とする電子放出素子。 - 前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とは、0.03≦h2/h1≦0.56の条件を満たすことを特徴とする請求項12または13に記載の電子放出素子。
- 前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とは、1.2<FWHM2/FWHM1≦2.5の条件を満たすことを特徴とする請求項12または13に記載の電子放出素子。
- 集束電極をさらに含むことを特徴とする請求項12または14に記載の電子放出素子。
- 電子放出ディスプレイ装置または光源として使われることを特徴とする請求項12または14に記載の電子放出素子。
- カーボン系物質及びビヒクルを含む電子放出源形成用の組成物を提供する工程と、
前記電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する工程と、
前記印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成する工程と、を含む電子放出源の製造方法であって、
前記カーボン系物質に488±10nm、514.5±10nm、633±10nmまたは785±10nmの波長を有するレーザを照射して得たラマンスペクトルは、1350±20cm−1のラマンシフト範囲にある第2ピーク及び1580±20cm−1のラマンシフト範囲にある第1ピークを有し、前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3の条件を満たすか、
前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2の条件を満たすか、
前記第2ピークの相対強度h2と前記第1ピークの相対強度h1とがh2/h1<1.3の条件を満たすか、または、
前記第2ピークの半幅値FWHM2と前記第1ピークの半幅値FWHM1とがFWHM2/FWHM1>1.2の条件を満たすことを特徴とする電子放出源の製造方法。 - 前記電子放出源形成用の組成物は、感光性樹脂及び光開始剤をさらに含み、前記電子放出源形成用の組成物の印刷工程を、前記電子放出源形成用の組成物を塗布した後、電子放出源形成領域に沿って露光及び現像させることによって行うことを特徴とする請求項18に記載の電子放出源の製造方法。
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