JP2008124028A - Plasma generating device and method, and manufacturing method of plasma display device using it - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマ発生装置の電極構造に関し、より詳しくは、定在波を抑制するように形成された電極配列構造を用いたプラズマ発生装置、プラズマ発生方法、及びそれを用いたプラズマディスプレイ装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electrode structure of a plasma generator, and more particularly, to a plasma generator using an electrode array structure formed so as to suppress standing waves, a plasma generation method, and a plasma display device using the same. It relates to a manufacturing method.
高周波プラズマ発生装置は、太陽電池、薄膜トランジスタ等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、薄膜多結晶シリコン、窒化シリコン等の半導体膜の製造や半導体膜のエッチングに用いられる。 The high-frequency plasma generator is used for manufacturing semiconductor films such as amorphous silicon, microcrystalline silicon, thin-film polycrystalline silicon, and silicon nitride used for solar cells, thin film transistors, and the like, and etching semiconductor films.
従来は、高密度プラズマを用いて成膜する場合、商用電源周波数である１３．５６ＭＨｚ無線周波数（ＲＦ）が用いられたが、成膜速度、膜の特性、及びエッチング速度等を向上させるために、２７ＭＨｚ以上の超高周波（ＶＨＦ）が用いられる。前記２７ＭＨｚ以上の超高周波（ＶＨＦ）は、波長の１／４以下の小さな電極サイズである場合、定在波による効果が得られず、基板上にプラズマを均一に成膜することができる。 Conventionally, when film formation is performed using high-density plasma, a commercial power supply frequency of 13.56 MHz radio frequency (RF) has been used. In order to improve film formation speed, film characteristics, etching speed, and the like. Very high frequency (VHF) of 27 MHz or higher is used. When the very high frequency (VHF) of 27 MHz or more has a small electrode size of ¼ or less of the wavelength, the effect of standing waves cannot be obtained, and plasma can be uniformly formed on the substrate.
しかしながら、大面積基板を用いる場合、例えば、１ｍ×１ｍ以上の大面積を有する基板である場合は、電極から定在波が発生するようになり、プラズマが均一に形成されない。すなわち、電極が大きくなれば、その表面に定在波が発生し、これにより、プラズマが不均一に形成されることである。 However, when a large area substrate is used, for example, when the substrate has a large area of 1 m × 1 m or more, a standing wave is generated from the electrode, and plasma is not uniformly formed. That is, when the electrode becomes large, a standing wave is generated on the surface thereof, thereby forming plasma nonuniformly.
これを解決するために、梯子型の電極構造を用いてプラズマを発生させる技術が提案されている。 In order to solve this, a technique for generating plasma using a ladder-type electrode structure has been proposed.
図１には、このような梯子型の電極構造を用いてプラズマを形成するための装置構成図が示されている。 FIG. 1 shows an apparatus configuration diagram for forming plasma using such a ladder-type electrode structure.
図１を参照すると、所定の基板（図示せず）と対向する複数個の電極棒１が一対の連結棒２、２’により連結されて梯子型に備えられる梯子型電極１０が設けられる。前記梯子型電極１０は、放電電極の機能を有する。前記電極棒１に電源を供給するための給電回路が設けられる。 Referring to FIG. 1, a plurality of electrode rods 1 facing a predetermined substrate (not shown) are connected by a pair of connecting rods 2, 2 'to provide a ladder electrode 10 provided in a ladder shape. The ladder-type electrode 10 functions as a discharge electrode. A power supply circuit for supplying power to the electrode rod 1 is provided.
前記給電回路には、超高周波を発振する高周波発振器２１と、前記高周波発振器２１により発振された超高周波を分配する分配器２２とが設けられる。前記分配器２２により分配された超高周波が、異なる経路を通じて伝送されて増幅されるように、一対の増幅器２４、２４’が設けられる。前記増幅された超高周波が、それぞれ整合部２５、２５’を介して前記電極棒１に供給されるように給電ライン２６、２６’が設けられる。前記給電ライン２６、２６’は、前記電極棒１を連結する連結棒２、２’に連結される。前記連結棒２、２’には、それぞれ二つの給電点（ａ、ｂ）（ｃ、ｄ）が存在する。また、前記分配器２２から分配され、超高周波が伝達される経路のいずれか一つの経路には、位相シフター２３が設けられている。前記位相シフター２３は、分配器２２から分配された超高周波が、他の超高周波と異なる位相を有するように位相変調を行う。これは、前記超高周波による定在波の発生を防止するためである。 The power supply circuit is provided with a high-frequency oscillator 21 that oscillates a super-high frequency and a distributor 22 that distributes the super-high frequency oscillated by the high-frequency oscillator 21. A pair of amplifiers 24 and 24 'are provided so that the ultra-high frequency distributed by the distributor 22 is transmitted and amplified through different paths. Feed lines 26 and 26 'are provided so that the amplified super-high frequency is supplied to the electrode rod 1 through the matching portions 25 and 25', respectively. The feed lines 26 and 26 ′ are connected to connecting rods 2 and 2 ′ that connect the electrode rod 1. There are two feeding points (a, b) (c, d) on the connecting rods 2, 2 '. In addition, a phase shifter 23 is provided in any one of the paths that are distributed from the distributor 22 and through which the super-high frequency is transmitted. The phase shifter 23 performs phase modulation so that the super-high frequency distributed from the distributor 22 has a different phase from other super-high frequencies. This is to prevent the occurrence of standing waves due to the super-high frequency.
また、前記増幅器２４、２４’の前段には、図示されていないが、前記分配器２２により分配され、いずれか一方の経路を通じて印加される超高周波が、他方の経路に逆流して供給されるときに発生する損失を防止するためのアイソレーターが設けられる。 Further, although not shown in the drawing, the super-high frequency waves distributed by the distributor 22 and applied through one of the paths are supplied to the other path in a reverse flow. Isolators are provided to prevent occasional losses.
このような構成を有する梯子型電極１０に、前記分配器２２から分配された二つの超高周波電源を同時に供給し、前記位相シフター２３により、超高周波の位相差を時間に応じて変化させると、前記基板の前面に同一の厚さを有するプラズマを形成することができる。言い換えれば、梯子型電極１０構造は、前記位相シフター２３の位相変化により、定在波の位置を調節することができ、プラズマの密度を均一に処理することができる。 When the ladder-type electrode 10 having such a configuration is supplied with two super-high frequency power sources distributed from the distributor 22 at the same time, and the phase shifter 23 changes the phase difference of the super-high frequency according to time, Plasma having the same thickness can be formed on the front surface of the substrate. In other words, the ladder-type electrode 10 structure can adjust the position of the standing wave by the phase change of the phase shifter 23, and can process the plasma density uniformly.
しかしながら、前記梯子型の電極構造では、以下のような問題点があった。 However, the ladder-type electrode structure has the following problems.
先ず、前記梯子型電極１０の一側面において、二つの給電点（ａ、ｂ）（ｃ、ｄ）に電源が供給されると、その給電点から供給された電源が、各電極棒１に伝えられる前に、電極棒１と垂直に位置された連結棒２、２’に沿って伝播され、各電極棒に伝達される電力の損失が給電点から電極棒の距離により異なって発生する。これにより、各電極棒での電力が異なって供給されることがあり、位相の場合も、各電極棒毎に同一の位相で供給しないことにより、不均一な定在波が発生し、膜不均一性が発生するようになった。 First, when power is supplied to two feeding points (a, b), (c, d) on one side of the ladder-type electrode 10, the power supplied from the feeding points is transmitted to each electrode rod 1. Before being generated, a loss of power propagated along the connecting rods 2 and 2 'positioned perpendicular to the electrode rod 1 and transmitted to each electrode rod varies depending on the distance from the feeding point to the electrode rod. As a result, the electric power at each electrode rod may be supplied differently, and even in the case of a phase, non-uniform standing waves are generated by not supplying the same phase for each electrode rod, resulting in film failure. Uniformity began to occur.
また、前記定在波の位置を調節し、プラズマを均一に形成しているが、前記定在波の位置を調節する工程が敏感であり、かつ、複雑な構造からなっている。 Further, the position of the standing wave is adjusted to form plasma uniformly, but the process of adjusting the position of the standing wave is sensitive and has a complicated structure.
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、所定の電極配列を用いて、超高周波供給により発生する定在波を抑制し、膜厚の均一性に優れた薄膜を形成するためのプラズマ発生装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and uses a predetermined electrode arrangement to suppress a standing wave generated by ultra-high frequency supply and to form a thin film having excellent film thickness uniformity. An object is to provide a plasma generator.
また、前記電極配列構造を用いてプラズマを発生するための方法を提供することを他の目的とする。 Another object of the present invention is to provide a method for generating plasma using the electrode arrangement structure.
また、プラズマ発生装置を用いて薄膜蒸着と薄膜エッチングを行うことをまた他の目的とする。 Another object is to perform thin film deposition and thin film etching using a plasma generator.
また、プラズマを用いた薄膜蒸着及びエッチング法を用いて、ディスプレイ装置を製造する方法を提供することをさらに他の目的とする。 It is still another object of the present invention to provide a method of manufacturing a display device using thin film deposition and etching methods using plasma.
上記の目的を達成するため、本発明の特徴によるプラズマ発生装置は、二つの一字形電極が、所定の長さを有する連結棒により一端が相互連結され、その連結棒の中心に電力を均一に供給するための給電点が形成される電極部材、がそれぞれ複数個並列に配置される第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットと、前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されており、第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットの各給電点には、オーバーラップしないように所定の時間差をもって前記高周波電源が供給されることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the plasma generator according to the present invention is characterized in that two one-letter electrodes are interconnected at one end by a connecting rod having a predetermined length, and power is uniformly distributed at the center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit in which a plurality of electrode members each having a feeding point to be supplied are arranged in parallel; a feeding circuit unit for supplying a high-frequency power to the electrode member; The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and The first electrode member unit and the second electrode member unit are configured such that the first electrode members are alternately arranged, and as a whole, the first electrode members adjacent to each other are spaced apart by a certain distance. Each feed point, said high frequency power source with a predetermined time difference so as not to overlap, characterized in that it is supplied.
前記電極部材はくし状であり、前記一字形電極は棒状になっている。また、前記一字形電極は、アノダイジング処理されたアルミニウム、ＳＵＳ系ステンレス鋼、金属棒の周囲に絶縁物質がコートされた材質等をチューブ状に被せた構造であり、ここで、前記絶縁物質は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、水晶、テフロン（登録商標）等である。 The electrode member has a comb shape, and the one-shaped electrode has a rod shape. In addition, the one-shaped electrode has a structure in which anodized aluminum, SUS stainless steel, a metal rod coated with an insulating material is covered in a tube shape, and the insulating material is Silicon dioxide (SiO2), quartz, Teflon (registered trademark) and the like.
前記電極部材の両端は、電気的に開放され、または、電気的に接地されている。 Both ends of the electrode member are electrically opened or electrically grounded.
また、前記給電回路部は、前記高周波電源を発生する一対の高周波電源供給部と、前記高周波電源供給部により発生した電源と前記電極部材のインピーダンスを一致させる一対のインピーダンス整合回路部と、前記インピーダンス整合された電源が、前記電極部材の給電点に供給されるようにする電力分配部と、第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して交互に高周波電源が供給されるように、前記一対の高周波電源供給部を制御する制御部と、を備えて構成される。 The power supply circuit unit includes a pair of high-frequency power supply units that generate the high-frequency power supply, a pair of impedance matching circuit units that match impedances of the power source generated by the high-frequency power supply unit and the electrode member, and the impedance A high frequency power supply is alternately supplied to the power distribution unit that supplies the matched power to the feeding point of the electrode member, and the first electrode member unit and the second electrode member unit. And a control unit that controls the pair of high-frequency power supply units.
ここで、前記制御部は、第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して同時に高周波電源が供給されるように、前記一対の高周波電源供給部を制御することができる。 Here, the control unit can control the pair of high-frequency power supply units so that high-frequency power is simultaneously supplied to the first electrode member unit and the second electrode member unit.
また、前記給電回路部は、前記高周波電源を発生する高周波電源供給部と、第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットの双方に接続されるスイッチ部と、前記スイッチ部の動作に応じて、前記高周波電源を前記第１の電極部材ユニットまたは前記第２の電極部材ユニットのいずれか一方に供給する一対の電力分配部と、前記高周波電源供給部と、前記スイッチ部の切り替え動作とを制御する制御部と、を備えて構成されてもよい。 In addition, the power feeding circuit unit includes a high-frequency power supply unit that generates the high-frequency power source, a switch unit connected to both the first electrode member unit and the second electrode member unit, and an operation of the switch unit. A pair of power distribution units that supply the high-frequency power source to either the first electrode member unit or the second electrode member unit, the high-frequency power supply unit, and a switching operation of the switch unit. And a control unit for controlling.
前記給電回路部での前記電力分配部は、ツリー構造の配線であり、電極部材を挟んで対称構造である。 The power distribution unit in the power supply circuit unit is a tree-structured wiring and has a symmetrical structure with an electrode member interposed therebetween.
前記高周波電源は、１３．５６ＭＨｚの無線周波数から数百ＭＨｚ以上の超高周波を含み、パルス形態である。 The high-frequency power source includes a radio frequency of 13.56 MHz to an ultra-high frequency of several hundred MHz or more and is in a pulse form.
前記一字形電極が電極棒として形成されており、当該電極棒には、プラズマ成膜及びエッチング装置においてチェンバ内にガスを導入可能となるように、所定の吐出孔が形成される。 The one-shaped electrode is formed as an electrode rod, and a predetermined discharge hole is formed in the electrode rod so that a gas can be introduced into the chamber in the plasma film forming and etching apparatus.
本発明の他の特徴によるプラズマ発生方法は、二つの一字形電極が、所定の長さを有する連結棒により一端が相互連結され、その連結棒の略中心に高周波電源を供給するための給電点が形成される電極部材、がそれぞれ複数個並列に配置される第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットと、前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、におけるプラズマ発生方法であって、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源をオーバーラップしないように所定の時間差をもって交互に供給するステップ、を含んで構成される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma generation method in which two one-letter electrodes are interconnected at one end by a connecting rod having a predetermined length, and a feeding point for supplying high-frequency power to the approximate center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit each having a plurality of electrode members formed in parallel, and a power feeding circuit unit for supplying a high-frequency power to the electrode member. The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-shaped electrodes of each unit are alternately arranged. The plasma generating method in the plasma generating apparatus, wherein the first electrode members adjacent to each other are spaced apart from each other by a certain distance as a whole, comprising the first electrode member unit Tsu bets and the second step of supplying the electrode member unit alternately with a predetermined time difference so as to not a high-frequency power source overlap, configured to include a.
本発明の他の特徴によるプラズマ発生方法は、二つの一字形電極が、所定の長さを有する連結棒により一端が相互連結され、その連結棒の略中心に高周波電源を供給するための給電点が形成される電極部材、がそれぞれ複数個並列に配置される第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットと、前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、におけるプラズマ発生方法であって、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源を同時に供給するステップと、位相変調方式を用いて、前記高周波電源によって生ずる定在波の発生位置を調節してプラズマを均一に発生させるステップと、を含んで構成される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma generation method in which two one-letter electrodes are interconnected at one end by a connecting rod having a predetermined length, and a feeding point for supplying high-frequency power to the approximate center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit each having a plurality of electrode members formed in parallel, and a power feeding circuit unit for supplying a high-frequency power to the electrode member. The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-shaped electrodes of each unit are alternately arranged. The plasma generating method in the plasma generating apparatus, wherein the first electrode members adjacent to each other are spaced apart from each other by a certain distance as a whole, comprising the first electrode member unit A step of simultaneously supplying a high-frequency power source to the base plate and the second electrode member unit, a step of adjusting a generation position of a standing wave generated by the high-frequency power source using a phase modulation method, and uniformly generating plasma; It is comprised including.
本発明の他の特徴によるプラズマディスプレイ装置の製造方法は、二つの一字形電極が、所定の長さを有する連結棒により一端が相互連結され、その連結棒の略中心に高周波電源を供給するための給電点が形成される電極部材、がそれぞれ複数個並列に配置される第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットと、前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、を利用した、プラズマディスプレイ装置の製造方法であって、チェンバの内部に設けられた基板を一定の温度に加熱するステップと、前記チェンバの内部に、前記一字形電極が形成される電極棒の吐出孔を通じて混合ガスを供給するステップと、前記混合ガスが供給されると、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源をオーバーラップしないように所定の時間差をもって交互に供給するステップと、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットの周辺でプラズマが交互に発生するステップと、前記発生したプラズマにより前記基板の上部に薄膜を形成するステップと、を含んで構成される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a plasma display apparatus, wherein two one-shaped electrodes are interconnected at one end by a connecting rod having a predetermined length, and a high frequency power is supplied to the approximate center of the connecting rod. A plurality of electrode members in which a plurality of power supply points are formed, each including a first electrode member unit and a second electrode member unit arranged in parallel, and a power supply circuit unit that supplies high-frequency power to the electrode members, The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit A plasma display device using a plasma generating device in which electrodes are alternately arranged and, as a whole, adjacent letter-shaped electrodes are spaced apart from each other A manufacturing method, comprising: heating a substrate provided in a chamber to a constant temperature; and supplying a mixed gas into the chamber through an ejection hole of an electrode rod in which the one-shaped electrode is formed And when the mixed gas is supplied, supplying the first electrode member unit and the second electrode member unit alternately with a predetermined time difference so as not to overlap the high frequency power source, and the first electrode The method includes a step of alternately generating plasma around the member unit and the second electrode member unit and a step of forming a thin film on the substrate by the generated plasma.
本発明の他の特徴によるプラズマディスプレイ装置の製造方法は、二つの一字形電極が、所定の長さを有する連結棒により一端が相互連結され、その連結棒の略中心に高周波電源を供給するための給電点が形成される電極部材、がそれぞれ複数個並列に配置される第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットと、前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、を利用した、プラズマディスプレイ装置の製造方法であって、薄膜形成された基板が設けられたチェンバの内部に、前記一字形電極が形成される電極棒に形成された吐出孔を通じてエッチングガスを供給するステップと、前記エッチングガスが供給されると、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源をオーバーラップしないように所定の時間差をもって交互に供給するステップと、前記高周波電源の供給で発生したプラズマにより、前記基板上に形成された薄膜をエッチングするステップと、を含んで構成される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a plasma display apparatus, wherein two one-shaped electrodes are interconnected at one end by a connecting rod having a predetermined length, and a high frequency power is supplied to the approximate center of the connecting rod. A plurality of electrode members in which a plurality of power supply points are formed, each including a first electrode member unit and a second electrode member unit arranged in parallel, and a power supply circuit unit that supplies high-frequency power to the electrode members, The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit A plasma display device using a plasma generating device in which electrodes are alternately arranged and, as a whole, adjacent letter-shaped electrodes are spaced apart from each other In the manufacturing method, an etching gas is supplied into a chamber provided with a thin film-formed substrate through a discharge hole formed in an electrode rod on which the one-shaped electrode is formed, and the etching gas is supplied. Then, alternately supplying a high-frequency power to the first electrode member unit and the second electrode member unit with a predetermined time difference so as not to overlap, and the plasma generated by the supply of the high-frequency power, Etching a thin film formed on the substrate.
前記異なる方向に配列された電極部材に、時間間隔を置いて交互に高周波電源を供給して定在波の発生を防止する。前記電極部材は、隣接した電極部材と電気的に開放される。 A high frequency power supply is alternately supplied to the electrode members arranged in different directions at time intervals to prevent the occurrence of standing waves. The electrode member is electrically opened with an adjacent electrode member.
一方の電極部材ユニットに対する前記高周波電源供給の際に定在波が発生すると、他方の電極部材ユニットに対する高周波電源を追加で供給し、前記発生した定在波を補償するようにする。 When a standing wave is generated when the high frequency power is supplied to one electrode member unit, a high frequency power is additionally supplied to the other electrode member unit to compensate for the generated standing wave.
前記高周波電源の供給により、薄膜の不均一性が発生すると、両高周波電源を同時にオンさせ、所望の位置に定在波を形成し、薄膜またはエッチングの不均一性を補償するステップをさらに含んで構成される。 When the non-uniformity of the thin film occurs due to the supply of the high-frequency power, the method further includes a step of simultaneously turning on both high-frequency power sources, forming a standing wave at a desired position, and compensating the non-uniformity of the thin film or etching. Composed.
一方、このようなプラズマ発生方法を用いてディスプレイ装置を製造することができるが、この場合、表示性能が向上したディスプレイ装置を生産することができる。 On the other hand, a display device can be manufactured using such a plasma generation method. In this case, a display device with improved display performance can be produced.
このような構成を有する本発明によると、プラズマの均一性を改善して、優れた薄膜を形成することができる。 According to the present invention having such a configuration, it is possible to improve plasma uniformity and form an excellent thin film.
本発明によると、超高周波を交互に供給して定在波を抑制することにより、膜厚の均一性に優れた薄膜を形成するという効果がある。 According to the present invention, there is an effect of forming a thin film having excellent film thickness uniformity by alternately supplying super-high frequencies and suppressing standing waves.
特に、１ｍ×１ｍ以上の大面積を有する基板である場合も、プラズマを均一に形成することができる。 In particular, even in the case of a substrate having a large area of 1 m × 1 m or more, plasma can be formed uniformly.
また、本発明は、超高周波をパルス形態で供給して、気相反応によるパーティクルを形成するものと知られたＳｉ−Ｈ及びＳｉ−Ｈ２の形成を抑制するという効果もある。 The present invention also has the effect of suppressing the formation of Si—H and Si—H 2, which are known to form particles by gas phase reaction by supplying ultra-high frequency in a pulse form.
以下、本発明の好ましい実施例を、添付図面に基づいて詳しく説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図２には、本発明の好適な実施例に係るプラズマ均一性のための電極配列構造を含む装置構成図が示されている。 FIG. 2 is a block diagram of an apparatus including an electrode arrangement structure for plasma uniformity according to a preferred embodiment of the present invention.
図面を参照すると、二つの一字形電極１０１が所定の長さを有する連結棒１０２により一端が相互連結され、その連結棒１０２の中心に電力を均一に供給するための給電点１４２が形成されるくし状の電極部材１０５が設けられている。 Referring to the drawing, two one-shaped electrodes 101 are interconnected at one end by a connecting rod 102 having a predetermined length, and a feeding point 142 for uniformly supplying power to the center of the connecting rod 102 is formed. A comb-like electrode member 105 is provided.
前記一字形電極１０１は、棒状である（よって、以下「電極棒」という）。前記各電極棒１０１の一端は、給電点１４２を通じて電源が供給され、電極棒１０１の他端は、電気的に開放状態であり、または接地された状態を有する。 The one-shaped electrode 101 has a rod shape (henceforth referred to as an “electrode rod”). Power is supplied to one end of each electrode rod 101 through a feeding point 142, and the other end of the electrode rod 101 is electrically open or grounded.
また、前記電極棒１０１は、アノダイジング処理されたアルミニウム、金属棒の周囲に絶縁物質がコートされた材質、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、水晶またはテフロン（登録商標）等のその他の絶縁物質等をチューブ状に被せた構造からなる。このような前記電極棒１０１は、本実施例のプラズマ発生装置において、チェンバの内部にガスを供給するための役割を果たすこともある。ここで、前記ガス供給のために、前記電極棒１０１には、一つ以上のガス吐出孔（図示せず）が形成される。前記ガス吐出孔は、個数及び直径がプラズマが成膜される基板のサイズに応じて可変する。 Further, the electrode rod 101 is made of anodized aluminum, a material in which a metal rod is coated with an insulating material, for example, other insulating materials such as silicon dioxide (SiO 2), crystal, or Teflon (registered trademark). It consists of a tube-like structure. The electrode rod 101 may serve to supply gas into the chamber in the plasma generator of this embodiment. Here, one or more gas discharge holes (not shown) are formed in the electrode rod 101 for the gas supply. The number and diameter of the gas discharge holes are variable according to the size of the substrate on which the plasma is formed.
前記電極棒１０１が連結棒１０２で組み合わせられて構成される電極部材１０５は、多数個設けられる。前記電極棒１０１のそれぞれは、隣接した電極棒とそれぞれ一定の間隔離隔した状態となるように配列される。また、前記電極部材１０５は、隣接した電極部材と給電点１４２が互いに異なる方向に向かって行き違うように配列される。よって、前記電極部材１０５のそれぞれは、隣接した電極部材とは互いに反対方向において交互に超高周波を供給されるようになる。 A large number of electrode members 105 constituted by combining the electrode rods 101 with connecting rods 102 are provided. Each of the electrode rods 101 is arranged so as to be separated from an adjacent electrode rod by a certain distance. In addition, the electrode members 105 are arranged so that the adjacent electrode members and the feeding point 142 are moved in different directions. Accordingly, each of the electrode members 105 is supplied with an ultra-high frequency alternately in the opposite direction to the adjacent electrode members.
このように、前記電極部材１０５が互いに反対方向に行き違って配列され、本実施例のプラズマ発生装置に設けられる電極配列構造１００をなす。 In this way, the electrode members 105 are arranged in opposite directions to form an electrode arrangement structure 100 provided in the plasma generator of this embodiment.
本発明の説明を容易にするために、配列方向に応じて電極部材を第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットに分けて説明する。図２を参照すると、前記第１の電極部材ユニットは、前記給電点１４２が上端に位置しているものをいい、第２の電極部材ユニットは、前記給電点１４２が下端に位置しているものをいう。 In order to facilitate the description of the present invention, the electrode member will be described by dividing it into a first electrode member unit and a second electrode member unit according to the arrangement direction. Referring to FIG. 2, the first electrode member unit is one in which the feeding point 142 is located at the upper end, and the second electrode member unit is one in which the feeding point 142 is located at the lower end. Say.
前記第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットに設けられるそれぞれの電極棒１０１に、同一の位相を有する電力が供給されるように、電極分配構造がそれぞれ設けられる。 Electrode distribution structures are respectively provided so that electric power having the same phase is supplied to the respective electrode rods 101 provided in the first electrode member unit and the second electrode member unit.
前記電極分配構造は、前記第１の電極部材ユニット及び第２の電極部材ユニットに超高周波を供給する給電回路部１１０、１２０、１３０、１４０である。前記給電回路部１１０、１２０、１３０、１４０は、前記第１の電極部材ユニットと前記第２の電極部材ユニットにそれぞれ超高周波を供給するための構成を有する。 The electrode distribution structure includes power supply circuit units 110, 120, 130, and 140 that supply ultra-high frequencies to the first electrode member unit and the second electrode member unit. The power feeding circuit units 110, 120, 130, and 140 have a configuration for supplying super-high frequencies to the first electrode member unit and the second electrode member unit, respectively.
具体的には、前記第１の電極部材ユニットに超高周波を印加するために超高周波を発生する第１の超高周波電源供給部１２０と、前記第２の電極部材ユニットに超高周波を印加するために超高周波を発生する第２の超高周波電源供給部１２０’とが設けられる。前記第１及び第２の超高周波電源供給部１２０、１２０’は、制御部１１０により交互に駆動されて超高周波を発生させ、この際、超高周波はパルス形態で供給される。ここで、前記超高周波電源供給部１２０、１２０’は、超高周波（ＶＨＦ）領域に限定しているが、１３．５６ＭＨｚの無線周波数から数百ＭＨｚ以上の超高周波領域までを含むことができることに留意すべきである。すなわち、多様な高周波電力を供給し、基板の上面にプラズマを形成する。 Specifically, a first ultra-high frequency power supply unit 120 that generates an ultra-high frequency to apply an ultra-high frequency to the first electrode member unit, and an ultra-high frequency to apply to the second electrode member unit. And a second ultra-high frequency power supply unit 120 ′ for generating an ultra-high frequency. The first and second ultra-high frequency power supply units 120 and 120 ′ are alternately driven by the control unit 110 to generate an ultra-high frequency. At this time, the ultra-high frequency is supplied in a pulse form. Here, the super-high frequency power supply units 120 and 120 ′ are limited to the super-high frequency (VHF) region, but can include a radio frequency of 13.56 MHz to a super-high frequency region of several hundred MHz or more. It should be noted. That is, various high frequency power is supplied to form plasma on the upper surface of the substrate.
前記制御部１１０は、前記第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’において、超高周波が所定の時間差を持って発生するように制御する機能を有する。前記制御部１１０は、本発明の他の実施例で説明するが、前記第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’を同時に駆動させるように制御することもできる。また、超高周波電源供給部を一つだけ設計し、前記制御部１１０の制御動作に応じて、前記超高周波電源供給部から発生する超高周波を切り替えて、第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットに供給するようにしてもよい。 The controller 110 has a function of controlling the first super-high frequency power supply unit 120 and the second super-high frequency power supply unit 120 ′ so that the super high frequency is generated with a predetermined time difference. As described in another embodiment of the present invention, the control unit 110 may be controlled to drive the first ultra-high frequency power supply unit 120 and the second ultra-high frequency power supply unit 120 ′ at the same time. . Also, only one super-high frequency power supply unit is designed, and according to the control operation of the control unit 110, the super-high frequency generated from the super-high frequency power supply unit is switched, and the first electrode member unit and the second electrode member unit You may make it supply to an electrode member unit.
前記第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’で発生した超高周波電源が、前記電極棒１０１に効率的に供給されるように、インピーダンスを調整する第１及び第２の整合部１３０、１３０’が設けられる。 First and second impedances are adjusted so that the ultra-high frequency power generated by the first ultra-high frequency power supply unit 120 and the second ultra-high frequency power supply unit 120 ′ is efficiently supplied to the electrode rod 101. Second matching portions 130 and 130 'are provided.
前記第１及び第２の整合部１３０、１３０’を介して供給された超高周波が、前記電極部材の給電点１４２を通じて電極棒１０１に同一の位相でそれぞれ印加されるように電力分配ライン１４０、１４０’が設けられる。前記電極分配ライン１４０、１４０’は、前記第１及び第２の超高周波電源供給部１２０、１２０’から供給された超高周波を、前記電極棒１０１に均一に供給されるように、ツリー構造形態で形成される。 The power distribution line 140, so that the super-high frequency supplied through the first and second matching units 130 and 130 'is applied to the electrode rod 101 through the feeding point 142 of the electrode member in the same phase. 140 'is provided. The electrode distribution lines 140 and 140 ′ have a tree structure so that the ultra-high frequency supplied from the first and second ultra-high frequency power supply units 120 and 120 ′ is uniformly supplied to the electrode rod 101. Formed with.
以下、上述した構成を有する本発明による電極配列構造が設けられたプラズマ発生装置を用いたプラズマ発生方法について、図４を参照して詳述する。 Hereinafter, a plasma generation method using the plasma generation apparatus provided with the electrode arrangement structure according to the present invention having the above-described configuration will be described in detail with reference to FIG.
先ず、図４のステップＳ１００において、図２の制御部１１０は、第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’の駆動を制御する。 First, in step S100 of FIG. 4, the control unit 110 of FIG. 2 controls driving of the first ultrahigh frequency power supply unit 120 and the second ultrahigh frequency power supply unit 120 '.
これは、第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’が、相違した時間の間駆動され、超高周波が互いにオーバーラップされずに供給するためである。すなわち、いずれか一方の超高周波電源供給部が、先に駆動されてから中止した時間の間、他方の超高周波電源供給部が駆動されるようにし、両超高周波相互間の干渉による定在波が形成されないようにする。前記設定された駆動時間に応じて、第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’が交互に駆動されると、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、時間の流れにより、パルス形態の超高周波が交互に発生する。 This is because the first ultra-high frequency power supply unit 120 and the second ultra-high frequency power supply unit 120 'are driven for different times and supply the ultra-high frequencies without overlapping each other. That is, during the time when one of the ultra-high frequency power supply units is stopped after being driven first, the other ultra-high frequency power supply unit is driven, and the standing wave due to the interference between the two ultra-high frequency power sources. Is not formed. When the first ultra-high frequency power supply unit 120 and the second ultra-high frequency power supply unit 120 ′ are alternately driven according to the set drive time, FIG. 3 (A) and FIG. 3 (B). As shown, pulsed ultra-high frequencies are alternately generated with the passage of time.
ステップＳ１０２において、前記制御部１１０により第１の超高周波電源供給部１２０がオンすると、パルス形態の超高周波が発生し、その発生した超高周波は、第１の整合部１３０を介して電力分配ライン１４０に印加される。この際、ステップＳ１０４において、前記第１の整合部１３０は、第１の超高周波電源供給部１２０と電力分配ライン１４０との間のインピーダンスを一致させる。 In step S102, when the first super-high frequency power supply unit 120 is turned on by the control unit 110, a pulse-type super-high frequency is generated, and the generated super-high frequency is transmitted to the power distribution line via the first matching unit 130. 140 is applied. At this time, in step S <b> 104, the first matching unit 130 matches the impedance between the first super-high frequency power supply unit 120 and the power distribution line 140.
ステップＳ１０６において、前記電力分配ライン１４０は、前記電極棒１０１を連結する連結棒１０２の中央に位置した給電点１４２に、前記印加された超高周波が供給されるので、各電極棒１０１に均一に超高周波が分配されて供給される。 In step S106, the power distribution line 140 supplies the applied super-high frequency to the feeding point 142 located in the center of the connecting rod 102 that connects the electrode rods 101. Ultra high frequency is distributed and supplied.
前記超高周波が発生すると、ステップＳ１０８において、前記第１の電極部材ユニットの電極棒の周辺にプラズマが発生される。この際、前記第２の超高周波電源供給部１２０’は、オフ状態であるので、超高周波が発生されない。 When the super-high frequency is generated, in step S108, plasma is generated around the electrode rod of the first electrode member unit. At this time, since the second ultra-high frequency power supply unit 120 'is in an off state, no ultra-high frequency is generated.
次に、ステップＳ１１２において、前記制御部１１０は、第１の超高周波電源供給部１２０をオフさせ、第２の超高周波電源供給部１２０’をオン駆動する。 Next, in step S112, the control unit 110 turns off the first ultra-high frequency power supply unit 120 and turns on the second ultra-high frequency power supply unit 120 '.
すると、第２の超高周波電源供給部１２０’では、前記第１の超高周波電源供給部１２０と同様に、パルス形態の超高周波が発生し、その発生した超高周波は、第２の整合部１３０’を介して電力分配ライン１４０’に印加される。この際、ステップＳ１１４において、前記第２の整合部１３０’は、第２の超高周波電源供給部１２０’と電力分配ライン１４０’との間のインピーダンスを一致させる。 Then, in the second super-high frequency power supply unit 120 ′, a pulse-type super-high frequency is generated as in the first super-high frequency power supply unit 120, and the generated super-high frequency is generated by the second matching unit 130. And applied to the power distribution line 140 '. At this time, in step S114, the second matching unit 130 'matches the impedance between the second ultra-high frequency power supply unit 120' and the power distribution line 140 '.
ステップＳ１１６において、前記電力分配ライン１４０’により超高周波を均一に分配し、第２の電極部材ユニットの電極部材１０５のそれぞれと連結された給電点１４２を通じて超高周波をそれぞれの電極棒１０１に供給する。 In step S116, the super-high frequency is uniformly distributed by the power distribution line 140 ′, and the super-high frequency is supplied to each electrode rod 101 through the feeding point 142 connected to each of the electrode members 105 of the second electrode member unit. .
ステップＳ１１８においては、前記第２の電極部材ユニットの電極棒の周辺にプラズマが発生する。この際、前記第１の超高周波電源供給部１２０は、駆動オフ状態であるので、超高周波が発生されない。 In step S118, plasma is generated around the electrode rod of the second electrode member unit. At this time, since the first super-high frequency power supply unit 120 is in a drive-off state, no super-high frequency is generated.
このように、前記第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’が、互いに異なる時間によりオン駆動され、超高周波を発生させるので、定在波の発生を抑制可能になる。また、前記超高周波が電極部材１０５に供給されるとき、電力が対称して供給される。また、従来、梯子型の電極棒に位相差により発生する干渉現象を防止することもできる。 As described above, since the first super-high frequency power supply unit 120 and the second super-high frequency power supply unit 120 ′ are turned on at different times to generate super high frequency, generation of standing waves can be suppressed. become. Further, when the super-high frequency is supplied to the electrode member 105, power is supplied symmetrically. Conventionally, it is also possible to prevent an interference phenomenon caused by a phase difference in a ladder-type electrode rod.
したがって、ステップＳ１２０におけるように、基板上にプラズマを均一に形成させることができる。 Therefore, as in step S120, plasma can be uniformly formed on the substrate.
一方、前記それぞれの電極棒１０１の一端は、他の電極棒に対して開放された状態である。すなわち、いずれか一方の電極部材ユニットに含まれた電極棒は、他方の電極部材ユニットに含まれた電極棒と電気的に分離される。したがって、電極部材ユニット相互間が、電源により損傷することが防止される。よって、他の電極部材に超高周波が印加されて発生する損失を防止するようになり、従来の構造におけるアイソレーターを除去することができる。 On the other hand, one end of each electrode rod 101 is open to the other electrode rods. That is, the electrode bar included in one of the electrode member units is electrically separated from the electrode bar included in the other electrode member unit. Therefore, the electrode member units are prevented from being damaged by the power source. Therefore, it is possible to prevent the loss that occurs when the super-high frequency is applied to the other electrode members, and the isolator in the conventional structure can be removed.
また、前記電極棒１０１の一端が接地された構造であってもよい。若し、電極棒１０１のそれぞれが接地された場合であれば、前記分極棒１０１に電流が誘導されるので、周囲の磁場を形成し、誘導結合プラズマを形成するようになり、プラズマ密度を高めることができる。 The electrode rod 101 may have a structure in which one end of the electrode rod 101 is grounded. If each of the electrode rods 101 is grounded, an electric current is induced in the polarization rod 101, so that an ambient magnetic field is formed, inductively coupled plasma is formed, and the plasma density is increased. be able to.
一方、表皮効果及び電極棒１０１を通ることによる電力の損失により、電極棒１０１に沿って電力が減衰する現象が生じ得るが、これを補償するために、追加で前記超高周波を同時に供給し、定在波を適切な位置に形成して補償することができる。 On the other hand, the phenomenon of power attenuation along the electrode rod 101 may occur due to the skin effect and the loss of power due to passing through the electrode rod 101, but in order to compensate for this, the super-high frequency is additionally supplied at the same time, A standing wave can be formed at an appropriate position to compensate.
このように薄膜の不均一性を改善するための追加工程として、これは、図５を参照して説明する。 As an additional step for improving thin film non-uniformity in this way, this will be described with reference to FIG.
図５は、本発明の実施例による電極配列構造において電力減衰現象が発生する場合、これを補償してプラズマを均一に生成するためのプラズマ発生方法の流れ図である。 FIG. 5 is a flowchart of a plasma generation method for generating a plasma uniformly by compensating for the occurrence of a power decay phenomenon in the electrode array structure according to the embodiment of the present invention.
図５のステップＳ１３０において、第１、第２の超高周波電源供給部１２０、１２０’を同時に駆動する。すると、第１、第２の電極部材ユニットの電極棒に超高周波が供給される。 In step S130 of FIG. 5, the first and second ultrahigh frequency power supply units 120 and 120 'are driven simultaneously. Then, the super high frequency is supplied to the electrode rods of the first and second electrode member units.
この場合、第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットの電極棒１０１から発生する超高周波により定在波が発生する（Ｓ１３２）。 In this case, a standing wave is generated by the super-high frequency generated from the electrode rod 101 of the first electrode member unit and the second electrode member unit (S132).
しかしながら、前記定在波が発生しても、その定在波の発生位置を位相変調方法を用いて適切に調節すると、プラズマを均一に形成することもできる（Ｓ１３４、Ｓ１３６）。 However, even if the standing wave is generated, the plasma can be formed uniformly by appropriately adjusting the generation position of the standing wave using the phase modulation method (S134, S136).
言い換えれば、定在波の発生を防止するようになると、薄膜の不均一性が解消されるが、定在波が発生しても、定在波の発生位置により、プラズマ均一性を改善することができることである。この際、定在波の発生位置は、繰り返し実験を通じて得られる値として提供される。 In other words, when the generation of standing waves is prevented, the non-uniformity of the thin film is eliminated. However, even if standing waves are generated, the plasma uniformity can be improved by the position where the standing waves are generated. It is possible to do. At this time, the generation position of the standing wave is provided as a value obtained through repeated experiments.
次に、図６には、本発明の他の実施例による電極構造を含む薄膜形成装置の変形された構成図が示されている。図６の実施例構成は、図２の実施例構成と類似するので、同一の構成要素については同一の符号を付けている。 Next, FIG. 6 shows a modified configuration diagram of a thin film forming apparatus including an electrode structure according to another embodiment of the present invention. The configuration of the embodiment in FIG. 6 is similar to the configuration of the embodiment in FIG.
図６の構成は、超高周波電源供給部１２０が一つだけ設けられ、前記制御部１１０が、超高周波電源供給部１２０の後端に位置したスイッチ部１５０を切り替え操作し、前記超高周波電源供給部１２０から発生した超高周波を、第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットに供給する構造である。 In the configuration of FIG. 6, only one ultra-high frequency power supply unit 120 is provided, and the control unit 110 switches the switch unit 150 located at the rear end of the ultra-high frequency power supply unit 120 to supply the ultra-high frequency power supply. In this structure, the super-high frequency generated from the section 120 is supplied to the first electrode member unit and the second electrode member unit.
これを説明すると、前記制御部１１０は、前記超高周波電源供給部１２０をオン駆動して超高周波を発生させる。この際、前記制御部１１０は、決まった時間の間スイッチ部１５０を交互に切り替え動作させ、前記超高周波が、前記第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットに相違した時間の間供給されるようにする。 Explaining this, the controller 110 drives the ultra-high frequency power supply unit 120 to generate an ultra-high frequency. At this time, the control unit 110 alternately switches the switch unit 150 for a fixed time, and the super-high frequency is supplied to the first electrode member unit and the second electrode member unit for different times. To be.
したがって、上述した実施例のように、第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットの電極部材には、超高周波が交互に供給され、定在波を抑制するとともに、均一性が改善されたプラズマを生成することができる。 Therefore, as in the above-described embodiment, the high frequency is alternately supplied to the electrode members of the first electrode member unit and the second electrode member unit, so that standing waves are suppressed and uniformity is improved. Plasma can be generated.
このように前記実施例に説明されている本発明は、一端が開放または接地状態を有する電極棒が連結棒により連結されたくし状の電極部材が、隣接した電極部材とはそれぞれ互いに反対方向を有して、同一平面上に多数個配列された状態で、同一方向に配列された電極部材と異なる方向に配列された電極部材に時間差を置いて、超高周波を交互に供給することにより、均一性が改善されたプラズマを発生することができる。 As described above, in the present invention described in the above embodiment, the comb-like electrode members in which the electrode rods having one end opened or grounded are connected by the connecting rods have directions opposite to each other from the adjacent electrode members. Then, in a state where a large number of electrodes are arranged on the same plane, a uniform time can be obtained by alternately supplying ultra-high frequencies with a time difference between electrode members arranged in the same direction and electrode members arranged in different directions. Can generate improved plasma.
一方、本発明のプラズマ発生装置が適用され、プラズマを用いた薄膜蒸着工程及び薄膜エッチング工程を行って薄膜を均一に形成することができるところ、これを図７及び図８を参照して説明する。図７及び図８を説明するにあたって、図２に示したプラズマ発生装置の構成を参照して説明する。 On the other hand, the plasma generating apparatus of the present invention is applied, and a thin film can be uniformly formed by performing a thin film deposition process and a thin film etching process using plasma, which will be described with reference to FIGS. . 7 and FIG. 8 will be described with reference to the configuration of the plasma generator shown in FIG.
先ず、図７には、本発明のプラズマ発生装置を用いて薄膜蒸着を行うための流れ図が示されている。 First, FIG. 7 shows a flow chart for performing thin film deposition using the plasma generator of the present invention.
図７の薄膜蒸着工程は、シリコン太陽電池用シリコン薄膜を形成することを示す流れ図である。 The thin film deposition process of FIG. 7 is a flowchart showing the formation of a silicon thin film for a silicon solar cell.
これを参照すると、シリコン薄膜形成のために、ステップＳ２００において、ガラスまたは金属やプラスチック類の基板の温度を１００〜２５０℃に加熱する。 Referring to this, in order to form a silicon thin film, in step S200, the temperature of the glass or metal or plastic substrate is heated to 100 to 250 ° C.
ステップＳ２０２において、電極棒１０１の吐出孔（図示せず）を通じて、ＳｉＨ４／Ｈ２の混合ガスをチェンバ内に供給する。 In step S202, a SiH 4 / H 2 mixed gas is supplied into the chamber through the discharge holes (not shown) of the electrode rod 101.
前記チェンバ内に混合ガスが供給されると、ステップＳ２０４において、制御部１１０の制御動作により、第１の電極部材ユニットと第２の電極部材ユニットに交互に超高周波を供給する。すなわち、制御部１１０は、第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’が交互に駆動されるように制御すると、パルス形態の超高周波が交互に発生する。また、前記発生した超高周波は、第１の整合部１３０及び第２の整合部１３０’でインピーダンスが整合され、以降、電力分配ライン１４０、１４０’に印加され、電極棒１０１に超高周波が均一に分配され供給されるようになる。 When the mixed gas is supplied into the chamber, in step S204, super high frequency is alternately supplied to the first electrode member unit and the second electrode member unit by the control operation of the control unit 110. That is, when the control unit 110 performs control so that the first ultrahigh frequency power supply unit 120 and the second ultrahigh frequency power supply unit 120 ′ are alternately driven, ultra high frequency in a pulse form is alternately generated. The generated super-high frequency is impedance-matched by the first matching unit 130 and the second matching unit 130 ′, and then applied to the power distribution lines 140 and 140 ′ so that the super-high frequency is uniformly applied to the electrode rod 101. Distributed and supplied.
すると、前記第１の電極部材ユニットの電極棒と第２の電極部材ユニットの電極棒でプラズマが交互に発生する。 Then, plasma is alternately generated by the electrode rod of the first electrode member unit and the electrode rod of the second electrode member unit.
よって、薄膜の不均一性を引き起こす定在波を抑制することができ、ステップＳ２０６では、前記基板上に薄膜を均一に蒸着することができるようになる。 Therefore, the standing wave causing the non-uniformity of the thin film can be suppressed, and in step S206, the thin film can be uniformly deposited on the substrate.
次に、図８には、本発明のプラズマ発生装置を用いて薄膜エッチングを行うための流れ図が示されている。 Next, FIG. 8 shows a flow chart for performing thin film etching using the plasma generator of the present invention.
図８の薄膜エッチング工程は、シリコン酸化膜のエッチング工程を示す実施例の流れ図である。 The thin film etching process of FIG. 8 is a flowchart of the embodiment showing the etching process of the silicon oxide film.
これを参照すると、先ず、ステップＳ２１０において、チェンバ内の圧力を調節し、ステップＳ２１２において、エッチングガスとしてＣＦ４ガスとＡｒガスを混合し、前記電極部１０１の吐出孔を通じてチェンバ内に供給する。 Referring to this, first, in step S210, the pressure in the chamber is adjusted, and in step S212, CF4 gas and Ar gas are mixed and supplied into the chamber through the discharge holes of the electrode unit 101.
前記チェンバ内にエッチングガスである前記混合ガスが供給されると、ステップＳ２１４において、制御部１１０の制御動作により、第１の電極部材ユニット第２の電極部材ユニットに交互に超高周波を供給する。すなわち、制御部１１０は、第１の超高周波電源供給部１２０及び第２の超高周波電源供給部１２０’が交互に駆動されるように制御すると、パルス形態の超高周波が交互に発生する。また、前記発生した超高周波は、第１の整合部１３０及び第２の整合部１３０’でインピーダンスが整合され、以降、電力分配ライン１４０、１４０’に印加され、電極棒１０１に超高周波が均一に分配されて供給されるようになる。 When the mixed gas, which is an etching gas, is supplied into the chamber, in step S214, super high frequency is alternately supplied to the first electrode member unit and the second electrode member unit by the control operation of the control unit 110. That is, when the control unit 110 performs control so that the first ultrahigh frequency power supply unit 120 and the second ultrahigh frequency power supply unit 120 ′ are alternately driven, ultra high frequency in a pulse form is alternately generated. The generated super-high frequency is impedance-matched by the first matching unit 130 and the second matching unit 130 ′, and then applied to the power distribution lines 140 and 140 ′ so that the super-high frequency is uniformly applied to the electrode rod 101. To be distributed and supplied.
すると、ステップＳ２１６では、前記エッチングガスにより、前記基板上に形成された薄膜が均一にエッチングされるようになる。 Then, in step S216, the thin film formed on the substrate is uniformly etched by the etching gas.
一方、上述した薄膜蒸着工程と薄膜エッチング工程を用いて、ディスプレイ装置を製造することができる。 On the other hand, a display apparatus can be manufactured using the thin film deposition process and the thin film etching process described above.
すなわち、図２の電極配列構造を用いて、基板の前面にプラズマを用いた薄膜蒸着及びエッチング工程を行って製造されたディスプレイ装置は、全体的に薄膜の膜厚が均一になり、表示性能が向上する。 That is, the display device manufactured by performing a thin film deposition and etching process using plasma on the front surface of the substrate using the electrode arrangement structure of FIG. improves.
以上のように、本発明の図示された実施例を参考して説明されたが、これは、例示のためのみであって、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の要旨及び範囲を逸脱しない範囲内で、様々な変形、変更及び均等な他の実施例が可能であることが明らかに理解されるだろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付の請求の範囲の技術的思想により定められなければならない。 As described above, the present invention has been described with reference to the illustrated embodiment. However, this is for illustration purposes only, and any person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs. It will be clearly understood that various modifications, changes and equivalent other embodiments are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
例えば、本発明は、超高周波を用いてプラズマを所定の厚さに形成する実施例について説明しているが、太陽電池の微結晶シリコン膜の形成にも適用可能であり、特に、大面積であり、または高周波数である場合にも、効果的にプラズマを成膜することができる。また、超高周波電源を用いるドライエッチング等の大面積プラズマを用いるシステムと、プラズマを用いた蒸着装備、大面積エッチング装備、クリーニング装備、表面処理装備等にも適用可能である。 For example, the present invention describes an embodiment in which plasma is formed to a predetermined thickness using ultra-high frequency, but it can also be applied to the formation of a microcrystalline silicon film of a solar cell, particularly in a large area. Even when there is a high frequency, plasma can be effectively formed. Further, the present invention can be applied to a system using a large area plasma such as dry etching using an ultra-high frequency power source, a vapor deposition equipment using a plasma, a large area etching equipment, a cleaning equipment, a surface treatment equipment, and the like.
１００ 電極部材配列構造
１０１ 一字形電極棒
１０２ 連結棒
１０５ 電極部材
１１０ 制御部
１２０ 超高周波電源供給部
１３０ 整合部
１４０ 電力分配ライン
１４２ 給電点
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Electrode member arrangement | sequence structure 101 1-shaped electrode rod 102 Connecting rod 105 Electrode member 110 Control part 120 Superhigh frequency power supply part 130 Matching part 140 Power distribution line 142 Feeding point
Claims (22)
前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されており、
第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットの各給電点には、オーバーラップしないように所定の時間差をもって前記高周波電源が供給されることを特徴とするプラズマ発生装置。 A plurality of electrode members each having two one-letter-shaped electrodes interconnected at one end by a connecting rod having a predetermined length and in which a feeding point for uniformly supplying power is formed at the center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit disposed in
A power supply circuit section for supplying a high-frequency power to the electrode member,
The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit The electrodes are alternately arranged, and as a whole, the letter-shaped electrodes adjacent to each other are arranged at a certain distance from each other,
The high frequency power supply is supplied to each feeding point of the first electrode member unit and the second electrode member unit with a predetermined time difference so as not to overlap.
前記高周波電源を発生する一対の高周波電源供給部と、
前記高周波電源供給部により発生した電源と前記電極部材のインピーダンスを一致させる一対のインピーダンス整合回路部と、
前記インピーダンス整合された電源が、前記電極部材の給電点に供給されるようにする電力分配部と、
第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して交互に高周波電源が供給されるように、前記一対の高周波電源供給部を制御する制御部と、を備えて構成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。 The power feeding circuit section is
A pair of high-frequency power supply units for generating the high-frequency power;
A pair of impedance matching circuit sections for matching the impedance of the power source and the electrode member generated by the high-frequency power supply section;
A power distribution unit configured to supply the impedance-matched power source to a feeding point of the electrode member;
And a control unit that controls the pair of high-frequency power supply units so that high-frequency power is alternately supplied to the first electrode member unit and the second electrode member unit. The plasma generator according to claim 1.
前記高周波電源を発生する高周波電源供給部と、
第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットの双方に接続されるスイッチ部と、
前記スイッチ部の動作に応じて、前記高周波電源を前記第１の電極部材ユニットまたは前記第２の電極部材ユニットのいずれか一方に供給する一対の電力分配部と、
前記高周波電源供給部と、前記スイッチ部の切り替え動作とを制御する制御部と、を備えて構成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。 The power feeding circuit section is
A high-frequency power supply for generating the high-frequency power;
A switch unit connected to both the first electrode member unit and the second electrode member unit;
A pair of power distribution units that supply the high-frequency power source to either the first electrode member unit or the second electrode member unit according to the operation of the switch unit;
The plasma generator according to claim 1, comprising: the high-frequency power supply unit; and a control unit that controls a switching operation of the switch unit.
前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、におけるプラズマ発生方法であって、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源をオーバーラップしないように所定の時間差をもって交互に供給するステップ、
を含んで構成されることを特徴とするプラズマ発生方法。 A plurality of electrode members, each of which is connected in parallel to each other, are connected to each other by two connecting rods each having a predetermined length, and a feeding point for supplying a high-frequency power supply is provided at substantially the center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit disposed in
A power supply circuit section for supplying a high-frequency power to the electrode member,
The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit A plasma generation method in a plasma generator, in which electrodes are alternately arranged, and as a whole, adjacent letter-shaped electrodes are spaced apart by a certain distance,
Alternately supplying high frequency power to the first electrode member unit and the second electrode member unit with a predetermined time difference so as not to overlap;
A plasma generation method comprising:
前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、におけるプラズマ発生方法であって、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源を同時に供給するステップと、
位相変調方式を用いて、前記高周波電源によって生ずる定在波の発生位置を調節してプラズマを均一に発生させるステップと、
を含んで構成されることを特徴とするプラズマ発生方法。 A plurality of electrode members, each of which is connected in parallel to each other, are connected to each other by two connecting rods each having a predetermined length, and a feeding point for supplying a high-frequency power supply is provided at substantially the center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit disposed in
A power supply circuit section for supplying a high-frequency power to the electrode member,
The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit A plasma generation method in a plasma generator, in which electrodes are alternately arranged, and as a whole, adjacent letter-shaped electrodes are spaced apart by a certain distance,
Simultaneously supplying a high-frequency power to the first electrode member unit and the second electrode member unit;
Using a phase modulation method to adjust the position of the standing wave generated by the high-frequency power source to uniformly generate plasma;
A plasma generation method comprising:
前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、を利用した、プラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
チェンバの内部に設けられた基板を一定の温度に加熱するステップと、
前記チェンバの内部に、前記一字形電極が形成される電極棒の吐出孔を通じて混合ガスを供給するステップと、
前記混合ガスが供給されると、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源をオーバーラップしないように所定の時間差をもって交互に供給するステップと、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットの周辺でプラズマが交互に発生するステップと、
前記発生したプラズマにより前記基板の上部に薄膜を形成するステップと、
を含んで構成されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。 A plurality of electrode members each having two one-letter electrodes connected in parallel to each other by a connecting rod having a predetermined length and having a feeding point for supplying a high-frequency power supply at a substantially center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit disposed in
A power supply circuit section for supplying a high-frequency power to the electrode member,
The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit A method of manufacturing a plasma display device using a plasma generating device, in which electrodes are alternately arranged and, as a whole, letter-shaped electrodes adjacent to each other are arranged at a predetermined interval,
Heating a substrate provided in the chamber to a constant temperature;
Supplying a mixed gas into the chamber through a discharge hole of an electrode rod on which the letter electrode is formed;
When the mixed gas is supplied, supplying the first electrode member unit and the second electrode member unit alternately with a predetermined time difference so as not to overlap the high frequency power source; and
Generating plasma alternately around the first electrode member unit and the second electrode member unit;
Forming a thin film on the substrate by the generated plasma;
A method of manufacturing a plasma display device, comprising:
前記電極部材に高周波電源を供給する給電回路部とを備え、
前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに対して互いに反対方向から前記高周波電源が供給されるように各ユニットの給電点が対向して配列され、かつ、各ユニットの前記一字形電極が交互に配置され、全体として、互いに隣接した一字形電極が一定間隔離隔して配置されているプラズマ発生装置、を利用した、プラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
薄膜形成された基板が設けられたチェンバの内部に、前記一字形電極が形成される電極棒に形成された吐出孔を通じてエッチングガスを供給するステップと、
前記エッチングガスが供給されると、前記第１の電極部材ユニットおよび第２の電極部材ユニットに高周波電源をオーバーラップしないように所定の時間差をもって交互に供給するステップと、
前記高周波電源の供給で発生したプラズマにより、前記基板上に形成された薄膜をエッチングするステップと、
を含んで構成されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。 A plurality of electrode members, each of which is connected in parallel to each other, are connected to each other by two connecting rods each having a predetermined length, and a feeding point for supplying a high-frequency power supply is provided at substantially the center of the connecting rod. A first electrode member unit and a second electrode member unit disposed in
A power supply circuit section for supplying a high-frequency power to the electrode member,
The feeding points of each unit are arranged to face each other so that the high-frequency power is supplied from opposite directions to the first electrode member unit and the second electrode member unit, and the one-letter shape of each unit A method of manufacturing a plasma display device using a plasma generator in which electrodes are alternately arranged and, as a whole, adjacent letter-shaped electrodes are spaced apart by a certain distance,
Supplying an etching gas through a discharge hole formed in an electrode rod on which the one-shaped electrode is formed, inside a chamber provided with a thin film-formed substrate;
When the etching gas is supplied, supplying the first electrode member unit and the second electrode member unit alternately with a predetermined time difference so as not to overlap the high frequency power source; and
Etching the thin film formed on the substrate with plasma generated by supplying the high-frequency power; and
A method of manufacturing a plasma display device, comprising:
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| KR (1) | KR101353684B1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135727A (en) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| CN102637633A (en) * | 2011-06-17 | 2012-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate manufacturing method and system |
| CN102098864B (en) * | 2009-12-09 | 2013-01-23 | 财团法人工业技术研究院 | Plasma generating device |
| JP2020532859A (en) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with small angular divergence |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5746147B2 (en) | 2009-04-28 | 2015-07-08 | タフツ ユニバーシティー／トラスティーズ オブ タフツ カレッジ | Plasma generator, plasma generator array, and denaturing method using the array |
| JP2013004172A (en) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | High-frequency power distribution device, and substrate processing device using the same |
| WO2013016497A2 (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generating array |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000174000A (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for plasma treatment |
| JP2001244250A (en) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for surface treatment |
| JP2001257098A (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Supply method to discharge electrode, high frequency plasma forming method and semiconductor manufacturing method |
| JP2001271169A (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plsma chemical vapor deposition system having fork type electrode |
| JP2002069653A (en) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anelva Corp | Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell |
| JP2004087581A (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Insulator and plasma processing apparatus equipped with it |
| JP2005285564A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma treatment device |
| JP2006196681A (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | Plasma processing device and semiconductor element manufactured by the same |
| JP2006286705A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma deposition method and deposition structure |
-
2006
- 2006-11-14 KR KR1020060112333A patent/KR101353684B1/en active IP Right Grant
-
2007
- 2007-11-14 JP JP2007295013A patent/JP2008124028A/en active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000174000A (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for plasma treatment |
| JP2001244250A (en) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for surface treatment |
| JP2001257098A (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Supply method to discharge electrode, high frequency plasma forming method and semiconductor manufacturing method |
| JP2001271169A (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plsma chemical vapor deposition system having fork type electrode |
| JP2002069653A (en) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anelva Corp | Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell |
| JP2004087581A (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Insulator and plasma processing apparatus equipped with it |
| JP2005285564A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma treatment device |
| JP2006196681A (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | Plasma processing device and semiconductor element manufactured by the same |
| JP2006286705A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma deposition method and deposition structure |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135727A (en) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| CN102098864B (en) * | 2009-12-09 | 2013-01-23 | 财团法人工业技术研究院 | Plasma generating device |
| CN102637633A (en) * | 2011-06-17 | 2012-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate manufacturing method and system |
| CN102637633B (en) * | 2011-06-17 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of manufacturing method of array base plate and system |
| JP2020532859A (en) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with small angular divergence |
| JP7229232B2 (en) | 2017-08-31 | 2023-02-27 | ラム リサーチ コーポレーション | Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with low angular divergence |
| JP7471478B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-04-19 | ラム リサーチ コーポレーション | Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with small angular divergence - Patents.com |
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