JP2008121102A - Base material treating apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base material treating apparatus provided with a seal mechanism for suppressing flowing-out of a treating liquid from each opening formed in a treating vessel without holding the base material between seal rollers. <P>SOLUTION: The base material treating apparatus has the treating vessel 1 housing the treating liquid inside, slender openings 10 which are formed on the opposed side surfaces 1b of the treating vessel and through which a belt-like base material (w) arranged and transported with the width direction directed toward vertical direction is passed and the sealing mechanism 2 provided around each opening to suppress the flowing-out of the treating liquid. The sealing mechanism is provided with a liquid spray nozzle 20 for spraying the liquid toward the opening side under the liquid surface of the treating liquid. A cylindrical recovery vessel 22 with a bottom having the opposed side surface of the treating vessel 1 as one side surface to surround the opening is provided to the outside part of each opposed side surface. The liquid spray nozzles are provided to both sides across the opening in each recovery vessel respectively and are arranged to spray the liquid toward a direction intersecting the transporting direction of the base material passed through the opening respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、帯状の被処理用の基材にメッキ液等の処理液によってメッキ処理等の湿式処理を施し、フレキシブル基板等を製造する基材処理装置に関するものである。   The present invention relates to a base material processing apparatus for manufacturing a flexible substrate or the like by performing wet processing such as plating processing on a strip-shaped base material to be processed with a processing solution such as a plating solution.

このフレキシブル基板の一例として、例えば、携帯電話やディスプレイ等のプリント配線板として利用される銅積層ポリイミドフィルム等がある。この銅積層ポリイミドフィルムは、一般的に、厚さ数十μｍのポリイミドフィルムの片面又は両面に、順次、ニッケルクロム合金のスパッタ層と、この合金スパッタ層の上に銅スパッタ層とが形成された帯状の被処理用の基材に、銅メッキ処理が施されることによって構成されている。   As an example of this flexible substrate, there is, for example, a copper laminated polyimide film used as a printed wiring board for a mobile phone or a display. In general, this copper laminated polyimide film has a nickel chromium alloy sputter layer and a copper sputter layer formed on the alloy sputter layer sequentially on one or both sides of a polyimide film having a thickness of several tens of μm. The belt-shaped substrate for processing is configured by performing copper plating.

そして、この銅メッキ処理は、基材を硫酸銅等のメッキ液が充填されたメッキ槽に供給し、メッキ槽の外部に配設された電極によって合金スパッタ層と銅スパッタ層とからなるスパッタ層が通電され、銅スパッタ層の上に、メッキ層を形成することにより行われる。その際、基材は、スパッタ層の膜厚が著しく薄いため、スパッタ層を流れる電流量に上限があり、１槽のメッキ槽によるメッキ処理では、銅スパッタ層上に薄いメッキ層しか形成されない。   And this copper plating process supplies a base material to the plating tank filled with plating solutions, such as copper sulfate, and the sputter layer which consists of an alloy sputter layer and a copper sputter layer with the electrode arrange | positioned outside the plating tank Is carried out by forming a plating layer on the copper sputter layer. In that case, since the film thickness of the sputter layer is extremely thin, there is an upper limit on the amount of current flowing through the sputter layer, and only a thin plating layer is formed on the copper sputter layer in the plating process by one plating tank.

このため、銅積層ポリイミドフィルムの製造装置は、一般に、製造ラインに沿って複数のメッキ槽が配設されており、各メッキ槽は、対向側面にそれぞれ基板を通過させる細長状の開口が上下方向に向けて形成されている。   For this reason, the copper laminated polyimide film manufacturing apparatus is generally provided with a plurality of plating tanks along the manufacturing line, and each plating tank has an elongated opening through which the substrate passes on the opposite side surface in the vertical direction. It is formed towards.

一方、基材は、その帯幅方向が上下方向に向けて配設され、順次、各メッキ槽に形成された開口を通じて、各メッキ槽内に供給されるとともに、各メッキ槽外に排出され、製造ラインに沿って搬送される。そして基材は、１槽目のメッキ槽において薄いメッキ層が形成されると、２槽目のメッキ槽においてスパッタ層と銅メッキ層の肉厚分だけ電流量が流れるため、１槽目のメッキ層よりも膜厚のメッキ層が形成され、同様に、３槽目、４槽目と段階的に膜厚のメッキ層が形成され、最終的に薄いスパッタ層上に漸次、膜厚の銅メッキ層が形成され、所望の厚みの銅メッキ層が形成された銅積層ポリイミドフィルムとなる。   On the other hand, the base material is disposed in the vertical direction in the band width direction, and is sequentially supplied into each plating tank through an opening formed in each plating tank, and is discharged out of each plating tank. It is transported along the production line. And when a thin plating layer is formed in the first plating tank, the substrate flows in the second plating tank because the amount of current flows by the thickness of the sputter layer and the copper plating layer. A plating layer having a thickness larger than that of the first layer is formed, and similarly, a plating layer having a film thickness is formed step by step in the third and fourth tanks, and finally, copper plating having a thickness is gradually formed on the thin sputter layer. A layer is formed, and a copper laminated polyimide film in which a copper plating layer having a desired thickness is formed.

ところで、この銅積層ポリイミドフィルムの製造装置は、上述のように、メッキ槽の対向側面に一対の開口され、この開口を通じて基材が搬送されるため、そのままでは基材とともに開口から硫酸銅等のメッキ液が流出してしまう。
このため、各メッキ槽は、それぞれ上記開口の周囲に、上記メッキ液の流出を抑制するシール機構を設けて、製造ラインに沿って配設される必要があり、このシール機構としては、一般的に、特許文献１に示すように、上記開口の周囲において基材を挟持する一対のシールローラを備えたものが知られている。
この一対のシールローラは、上記開口を封じるように配設されることによって、基材を挟持しつつ上記メッキ液の流出を抑制することができる。 By the way, as described above, the copper laminated polyimide film manufacturing apparatus has a pair of openings on the opposite side surfaces of the plating tank, and the base material is conveyed through the openings. The plating solution will flow out.
For this reason, each plating tank needs to be provided along the production line by providing a sealing mechanism that suppresses the outflow of the plating solution around the opening. In addition, as shown in Patent Document 1, there is known one provided with a pair of seal rollers that sandwich a base material around the opening.
The pair of seal rollers can suppress the outflow of the plating solution while sandwiching the base material by being disposed so as to seal the opening.

しかしながら、シールローラは、上記開口からのメッキ液の流出を抑制するために基材に強く密着させる必要があり、異物が付着している場合、この異物を基材に転写してしまう。一方、基材は、繰り返し、メッキ槽に供給されるために、銅スパッタ層又はメッキ層上に異物が転写される確率が高くなり、異物が転写されると、その転写された異物上にメッキ処理が施されてしまう。このため、基板には、異物上にメッキ層が形成されることによって突起が形成され、又は異物上にメッキ層が付着しないことによって凹部が形成されてしまう。このようにして、シールローラは、銅メッキ層の欠陥発生原因となっていた。   However, the seal roller needs to be tightly attached to the base material in order to suppress the outflow of the plating solution from the opening. If foreign matter is adhered, the foreign matter is transferred to the base material. On the other hand, since the base material is repeatedly supplied to the plating tank, the probability that foreign matter is transferred onto the copper sputtered layer or the plating layer increases, and when the foreign matter is transferred, plating is performed on the transferred foreign matter. Processing will be performed. For this reason, protrusions are formed on the substrate by forming the plating layer on the foreign matter, or concave portions are formed by not attaching the plating layer on the foreign matter. In this way, the seal roller has caused a defect in the copper plating layer.

特開２００３−１４７５８２号公報JP 2003-147582 A

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、シールローラによって基材を挟持することなく、メッキ槽等の処理槽に形成された開口からのメッキ液等の処理液の流出を抑制することができるシール機構を備えた基材処理装置を提供することを課題とするものである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and suppresses outflow of a processing solution such as a plating solution from an opening formed in a processing bath such as a plating bath without sandwiching a base material by a seal roller. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus provided with a sealing mechanism that can be used.

本発明者らは、シールローラによって基材に付着する異物がメッキ液中に浮遊するメッキ処理用のアノード電極から発生するスライムであり、シールロールの材質を変更してもシールローラによる基材への異物の転写を防ぐことができないことを見出し、本発明を完成させたものである。   The present inventors are slimes generated from the anode electrode for the plating process in which the foreign matter adhering to the base material by the seal roller floats in the plating solution. The present invention has been completed by finding out that the transfer of foreign matter cannot be prevented.

すなわち、請求項１に記載の基材処理装置に係る発明は、内部に処理液が収容された処理槽を有し、上記処理槽の対向側面に、それぞれ帯幅方向が上下方向に向けて配設されて搬送される帯状の基材を通過させる細長状の開口が形成され、上記開口の周囲にそれぞれ上記処理液の流出を抑制するシール機構が備えられた基材処理装置であって、上記シール機構は、上記処理液の液面下の上記開口側に向けて上記処理液を噴出させる液体噴出ノズルを有することを特徴としている。
ここで、処理液を噴出させる液体噴出ノズルとは、処理槽内に収容されている処理液と濃度が異なる処理液を噴出させる液体噴出ノズルであってもよく、少なくとも処理槽内に収容されている処理液と同一組成の処理液を噴出させる液体噴出ノズルであることを意味するものである。 That is, the invention relating to the substrate processing apparatus according to claim 1 has a treatment tank in which a treatment liquid is accommodated, and is arranged on the opposite side surface of the treatment tank with the band width direction directed vertically. A substrate processing apparatus provided with a long and narrow opening through which a belt-shaped substrate to be conveyed is formed, and provided with a seal mechanism for suppressing the outflow of the processing liquid around the opening, The sealing mechanism includes a liquid ejection nozzle that ejects the processing liquid toward the opening side below the liquid surface of the processing liquid.
Here, the liquid ejection nozzle that ejects the treatment liquid may be a liquid ejection nozzle that ejects a treatment liquid having a concentration different from that of the treatment liquid accommodated in the treatment tank, and is at least accommodated in the treatment tank. This means that the liquid ejection nozzle ejects a treatment liquid having the same composition as the treatment liquid.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基材処理装置において、上記対向側面の外部には、当該対向側面を一側面として上記開口を囲繞し、当該開口から流出した上記処理液を回収する有底筒状の回収槽が設けられ、上記液体噴出ノズルは、上記回収槽内であって、かつ上記開口を間に挟む両側にそれぞれ設けられるととともに、各々が上記開口を通過する上記基材の搬送方向に交差する方向に向けて上記処理液を噴出するように配設されていることを特徴としている。   According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the processing liquid that flows out of the opening, surrounding the opening with the opposing side surface as one side surface outside the facing side surface. A bottomed cylindrical recovery tank is provided, and the liquid ejection nozzles are provided in the recovery tank and on both sides of the opening, and each passes through the opening. The treatment liquid is arranged so as to be ejected in a direction crossing the conveyance direction of the base material.

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の基材処理装置において、上記液体噴出ノズルは、噴出圧力がヘッド圧によって一定に保たれていることを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the liquid jet nozzle is characterized in that the jet pressure is kept constant by the head pressure.

請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の基材処理装置において、上記シール機構は、上記回収槽内における上記液体噴出ノズルの下流側であって、上記基材を間に挟む両側に、それぞれ上記基材の表面に沿って上記処理液の流出路を形成するとともに、上記流出路に連通した上記処理液の複数の滞留部を形成し、上記処理液の流速を低下させるラビリンスが形成されていることを特徴としている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, wherein the sealing mechanism is downstream of the liquid ejection nozzle in the recovery tank and has the substrate interposed therebetween. On both sides of the substrate, an outflow path for the processing liquid is formed along the surface of the base material, and a plurality of staying portions of the processing liquid communicating with the outflow path are formed to reduce the flow rate of the processing liquid. It is characterized by the formation of a labyrinth.

請求項５に記載の発明は、請求項２又は３に記載の基材処理装置において、上記シール機構は、上記回収槽内における上記液体噴出ノズルの下流側に、上記処理液が貯留可能な大気開放型の流入槽が配設され、上記流入槽は、槽内に上記基材の搬送方向に交差する方向に向けて複数枚の仕切壁が上記搬送方向に沿って配設されることによって、上記槽内が複数の区画槽に区切られるとともに、上記仕切壁が下流側に向けて、漸次、低く形成され、上記開口に対応して上記基材が通過する開口が形成されていることを特徴としている。   A fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, wherein the sealing mechanism is an atmosphere in which the processing liquid can be stored downstream of the liquid ejection nozzle in the recovery tank. An open-type inflow tank is disposed, and the inflow tank has a plurality of partition walls disposed along the transport direction in a direction intersecting the transport direction of the base material in the tank. The inside of the tank is divided into a plurality of partition tanks, and the partition wall is gradually formed lower toward the downstream side, and an opening through which the base material passes is formed corresponding to the opening. It is said.

請求項６に記載の発明は、請求項２又は３に記載の基材処理装置において、上記液体噴出ノズルは、上記基材側の対向面に上記処理液を噴出する上記噴出口が上下方向に向けて細長状に形成されるとともに、上記対向面が上記基材と０．１ｍｍ以上であって、２．５ｍｍ以下の間隔を保つように配設されていることを特徴としている。   According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, the liquid ejection nozzle is configured such that the ejection port for ejecting the treatment liquid to the opposing surface on the substrate side is in the vertical direction. It is characterized by being formed so as to be elongated toward the surface, and the opposing surface is disposed so as to maintain an interval of 0.1 mm or more and 2.5 mm or less from the base material.

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基材処理装置において、上記液体噴出ノズルは、上記対向面の上記処理槽側の内方端部から上記噴出口までの面幅Ｌ１よりも、上記対向面の上記処理槽と反対側の外方端部から上記噴出口までの面幅Ｌ２が大きくなるように形成されるとともに、上記面幅Ｌ１及びＬ２が５ｍｍ≦Ｌ１≦５０ｍｍであって、１５ｍｍ≦Ｌ２≦８０ｍｍであることを特徴としている。   According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the sixth aspect, the liquid ejection nozzle has a surface width L1 from the inner end of the opposing surface on the processing tank side to the ejection port. Is formed so that the surface width L2 from the outer end of the opposite surface opposite to the treatment tank to the jet port is increased, and the surface widths L1 and L2 are 5 mm ≦ L1 ≦ 50 mm. 15 mm ≦ L2 ≦ 80 mm.

請求項８に記載の発明は、請求項６又は７に記載の基材処理装置において、上記処理槽は、大気開放型であるとともに、上記噴出口は、上記開口の上端に対応する位置から下方に向けて、上記開口の全長の１／２０以上であって、１／２以下の長さに形成されていることを特徴としている。   The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to claim 6 or 7, wherein the treatment tank is open to the atmosphere, and the jet port is downward from a position corresponding to the upper end of the opening. Toward, it is characterized in that it is formed to have a length of 1/20 or less of the total length of the opening.

請求項９に記載の発明は、請求項６ないし８のいずれか一項に記載の基材処理装置において、上記処理槽は、大気開放型であるとともに、上記噴出ノズルは、その対向面と上記基材との間隔が漸次下方に向けて狭くなるように配設されていることを特徴としている。   A ninth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the sixth to eighth aspects, wherein the treatment tank is open to the atmosphere, and the ejection nozzle includes the opposing surface and the above-described surface. It is characterized by being arranged so that the distance from the substrate gradually becomes narrower downward.

請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発明によれば、処理槽の開口の周囲に処理液の流出を抑制するシール機構として、処理液の液面下の上記開口に向けて処理液を噴出させる液体噴出ノズルを設けたため、この液体噴出ノズルから噴出する処理液によって、基材を挟持するシールローラを用いることなく、処理槽の開口からの処理液の流出を抑制することができる。
その結果、基材に対するシールローラの密着による異物の転写を防止でき、処理液によって処理した基材に欠陥が生じることを防止できる。
さらには、液体噴出ノズルは、処理液を噴出するため、処理槽内に組成の異なる液体が流入し、基材の処理に際して悪影響を与えることを防止できる。 According to the invention described in any one of claims 1 to 9, as a sealing mechanism for suppressing outflow of the processing liquid around the opening of the processing tank, the processing liquid is directed toward the opening below the surface of the processing liquid. Since the liquid ejection nozzle that ejects the liquid is provided, the treatment liquid ejected from the liquid ejection nozzle can suppress the outflow of the treatment liquid from the opening of the treatment tank without using a seal roller that sandwiches the substrate.
As a result, it is possible to prevent the transfer of foreign matter due to the close contact of the seal roller with the base material, and to prevent the base material processed with the processing liquid from being defective.
Furthermore, since the liquid ejection nozzle ejects the treatment liquid, it is possible to prevent liquids having different compositions from flowing into the treatment tank and adversely affecting the substrate.

特に、請求項２に記載の発明によれば、液体噴出ノズルを、処理槽の外部に設けられた回収槽内に、開口を挟む両側にそれぞれ設け、処理液を基材の搬送方向に交差する方向に向けて噴出させるため、上記開口から上記基材両面に沿って流出する上記処理液を上記処理槽内に向けて押圧することができ、効率的に処理液の流出を抑制することができる。また、噴出した処理液及び開口から溢れた処理液を回収槽から容易に回収して、再利用することができる。   In particular, according to the second aspect of the present invention, the liquid ejection nozzles are respectively provided on both sides of the opening in the recovery tank provided outside the processing tank, and the processing liquid intersects the transport direction of the substrate. Since the liquid is ejected in the direction, the processing liquid flowing out from the opening along the both surfaces of the base material can be pressed into the processing tank, and the outflow of the processing liquid can be efficiently suppressed. . Further, the ejected processing liquid and the processing liquid overflowing from the opening can be easily recovered from the recovery tank and reused.

さらに、請求項３に記載の発明によれば、液体噴出ノズルの噴出圧力をヘッド圧によって一定に保たせるため、ポンプ等の機械装置によって噴出させた場合と異なり、噴出圧力の強弱による開口からの処理液の流出を防止することができる。   Furthermore, according to the third aspect of the present invention, in order to keep the ejection pressure of the liquid ejection nozzle constant by the head pressure, unlike the case of ejection by a mechanical device such as a pump, the pressure from the opening due to the strength of the ejection pressure is reduced. The outflow of the processing liquid can be prevented.

一方、請求項４に記載の発明によれば、シール機構として、回収槽内における上記液体噴出ノズルの下流側であって、基材ｗを間に挟む両側に、それぞれラビリンスを形成し、これらのラビリンスによって基材の表面に沿って処理液の流出路を形成するとともに、この流出路に連通する処理液の複数の滞留部を形成したため、処理液を流出路に沿って流出させつつ、上記滞留部に流入させ、処理液を滞留させることができる。これにより、処理液の流速を低下させることができ、後続の処理液の流出を抑制し、処理槽からの処理液の流出量を減少させることができる。   On the other hand, according to the invention described in claim 4, as a sealing mechanism, a labyrinth is formed on both sides of the base material w between the downstream side of the liquid ejection nozzle in the recovery tank, and these The labyrinth formed a treatment liquid outflow path along the surface of the substrate and formed a plurality of retention portions of the treatment liquid communicating with the outflow path. The processing liquid can be retained by flowing into the part. Thereby, the flow rate of the processing liquid can be reduced, the outflow of the subsequent processing liquid can be suppressed, and the outflow amount of the processing liquid from the processing tank can be reduced.

また、請求項５に記載の発明によれば、液体噴出ノズルの下流側に流出した処理液が水槽に貯留され、流入槽内において、順次、仕切壁の高低差分に相当する処理液が仕切壁の上端から溢れ、又は開口を通じて下流側の区画槽に徐々に流出する。故に、この流入槽によって、処理槽の開口から流出した処理液の流速を低下させることができ、請求項４に記載の発明と同様に、処理槽からの処理液の流出量を減少させることができる。   According to the fifth aspect of the present invention, the processing liquid that has flowed out downstream of the liquid ejection nozzle is stored in the water tank, and the processing liquid corresponding to the height difference of the partition wall is sequentially transferred to the partition wall in the inflow tank. It overflows from the upper end of the bottom or gradually flows out to the downstream compartment through the opening. Therefore, the flow rate of the processing liquid flowing out from the opening of the processing tank can be reduced by this inflow tank, and the outflow amount of the processing liquid from the processing tank can be reduced similarly to the invention according to claim 4. it can.

請求項６に記載の発明によれば、液体噴出ノズルを、基材側の対向面と基材との間隔が０．１ｍｍ以上であって、２．５ｍｍ以下に保たれるように配設したため、基材が対向面に接触して傷付くことを防止できるとともに、処理槽から流出する液量の増大を防止することができる。   According to the sixth aspect of the present invention, the liquid ejection nozzle is disposed so that the distance between the opposing surface on the base material side and the base material is 0.1 mm or more and is maintained at 2.5 mm or less. In addition to preventing the substrate from coming into contact with the opposing surface and being damaged, it is possible to prevent an increase in the amount of liquid flowing out of the treatment tank.

また、請求項７に記載の発明によれば、液体噴出ノズルを、対向面における噴出口から上記処理槽側の内方端部までの面幅Ｌ１よりも、対向面における噴出口から上記処理槽と反対側の外方端部までの面幅Ｌ２が大きくなるように形成し、かつ上記面幅Ｌ１及びＬ２をそれぞれ５ｍｍ≦Ｌ１≦５０ｍｍ、１５ｍｍ≦Ｌ２≦８０ｍｍとしたため、液体噴出ノズルの噴出口からの処理液の噴出量の増大を防止できるとともに、処理槽からの処理液の流出量の増大を防止することができる。   According to the seventh aspect of the present invention, the liquid ejection nozzle is disposed from the ejection port on the opposing surface to the processing tank rather than the surface width L1 from the ejection port on the opposing surface to the inner end on the processing tank side. And the surface widths L1 and L2 are set to 5 mm ≦ L1 ≦ 50 mm and 15 mm ≦ L2 ≦ 80 mm, respectively. As a result, it is possible to prevent an increase in the amount of the processing liquid ejected from the processing tank and to prevent an increase in the amount of the processing liquid flowing out from the processing tank.

他方、上記処理槽は、大気開放型であるため、内部に収容された処理液の圧力が漸次底部に向けて大きくなり、処理液は、その流出圧力が開口の上部において小さく、開口の下部において大きくなるため、開口の上部よりも下部からの流出量が著しく多くなる。   On the other hand, since the treatment tank is open to the atmosphere, the pressure of the treatment liquid accommodated therein gradually increases toward the bottom, and the outflow pressure of the treatment liquid is small in the upper part of the opening and in the lower part of the opening. Since it becomes larger, the amount of outflow from the lower part than the upper part of the opening is remarkably increased.

そこで、請求項８に記載の発明によれば、噴出口を、開口の上端に対応する位置から下方に向けて開口の全長の１／２０以上であって、１／２以下の長さを有するように形成して、噴出口を開口の上部に対応する位置に配設することによって、開口上部からの流出圧力の小さい処理液の流出を抑制して、効果的なシール作用を得ることができるとともに、開口下部からの流出圧力が大きく、流出抑制が困難である処理液への噴出によって液体噴出ノズルからの処理液の噴出量の増大を抑止することができる。   Therefore, according to the invention described in claim 8, the jet port has a length that is 1/20 or more and 1/2 or less of the entire length of the opening from the position corresponding to the upper end of the opening downward. By forming the ejection port at a position corresponding to the upper part of the opening, it is possible to suppress the outflow of the processing liquid having a small outflow pressure from the upper part of the opening and obtain an effective sealing action. At the same time, an increase in the amount of the processing liquid ejected from the liquid ejection nozzle can be suppressed by ejection to the processing liquid where the outflow pressure from the lower portion of the opening is large and it is difficult to suppress outflow.

すなわち、噴出口の全長を開口の全長の１／２０以上とすることによって、開口から流出する処理液を処理槽に向けて押圧するシール作用が充分に得られ、噴出口の全長を開口の全長の１／２以下とすることによって、噴出口からの処理液の噴出量の増大を抑止することができる。   That is, by making the total length of the jet port to be 1/20 or more of the total length of the opening, a sufficient sealing action to press the processing liquid flowing out from the opening toward the processing tank is obtained, and the total length of the jet port is set to the full length of the opening. By setting it to 1/2 or less of this, an increase in the amount of treatment liquid ejected from the ejection port can be suppressed.

また、処理液は、上述のように開口の上部よりも下部からの流出量が著しく多くなるとともに、基材ｗは、その上部よりも下部の方が液圧によって搬送姿勢が支持されるため、上部の方が搬送方向に交差する方向への振れが大きくなり、処理槽の開口や液体噴出ノズルの対向面に接触して、傷付く恐れがある。   Further, as described above, the amount of outflow from the lower part of the processing liquid from the upper part of the opening is remarkably increased as described above, and the substrate w is supported by the hydraulic pressure at the lower part rather than the upper part. There is a risk that the upper part will be greatly shaken in the direction intersecting the transport direction, and may come into contact with the opening of the processing tank or the opposing surface of the liquid ejection nozzle to be damaged.

そこで、請求項９に記載の発明は、噴出ノズルを、その対向面と基材との間隔が漸次下方に向けて狭くなるように配設することによって、基材の上部が噴出ノズルの対向面間を通過する際に、対向面に接触して、傷付くのを防止するとともに、多量の処理液が対向面の下部に沿って流出することを抑制することができ、結果として、基材の傷の形成を防止できるとともに、処理液の流出を効率的に抑制することができる。その際、処理槽の開口幅を漸次下方に向けて小さくなるように形成し、かつこの開口の長手方向に沿って噴出ノズルを配設して、噴出ノズルの対向面と基材との間隔が漸次下方に向けて狭くなるようにした場合には、基材の上部が処理槽の開口に接触することを防止するとともに、処理液が開口の下部から流出することを防止でき、一段と効果的に基材の傷の形成を防止できるとともに、処理液の流出を抑制することができる。   Accordingly, the invention according to claim 9 is arranged such that the upper part of the substrate is opposed to the ejection nozzle by disposing the ejection nozzle so that the interval between the opposed surface and the substrate gradually decreases downward. When passing between, it can be prevented from coming into contact with the opposing surface and being damaged, and a large amount of processing liquid can be prevented from flowing out along the lower part of the opposing surface. The formation of scratches can be prevented, and the outflow of the processing liquid can be efficiently suppressed. At this time, the opening width of the treatment tank is formed so as to gradually decrease downward, and the ejection nozzle is disposed along the longitudinal direction of the opening, so that the distance between the opposed surface of the ejection nozzle and the substrate is increased. When narrowed gradually downward, the upper part of the base material can be prevented from coming into contact with the opening of the treatment tank, and the treatment liquid can be prevented from flowing out from the lower part of the opening. The formation of scratches on the substrate can be prevented, and the outflow of the treatment liquid can be suppressed.

以下、本発明に係るメッキ装置について、図１ないし図９を用いて説明する。   Hereinafter, a plating apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施形態のメッキ装置は、内部に硫酸銅のメッキ液が充填されるメッキ槽（処理槽）１を有しており、このメッキ槽１は基体１９によって床上に支持されている。   The plating apparatus of this embodiment has a plating tank (treatment tank) 1 in which a copper sulfate plating solution is filled, and this plating tank 1 is supported on a floor by a base 19.

メッキ槽１は、上部が大気中に開放された平面視長方形状に構成されており、長手方向に沿って配設された１対の側壁１ａと長手方向の両端部に配設された１対の端部側壁（対向側面）１ｂと底部とによって構成されている。そして、端部側壁１ｂには、それぞれ側壁１ａ間の中央部に帯状の基材ｗを通過させる細長矩形状のスリット（開口）１０が互いに対向して垂直に形成されている。このスリット１０は、それぞれスリット幅が基材ｗの厚みよりも大きく形成されており、基材ｗの上端部及び下端部の接触を防止すべく、基材ｗの垂直方向の全長よりも長く形成されるとともに、その上端が端部側壁１ｂの上端から離間した位置に形成されている。これによって、スリット１０は、その上端部及び下端部がそれぞれ基材ｗの上端部及び下端部との間にそれぞれ隙間Ｌ６（図７参照）を有しており、この隙間Ｌ６がメッキ槽１内のメッキ液の流出防止の観点からそれぞれ１０ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下となるように形成されている。   The plating tank 1 has a rectangular shape in plan view with an upper part opened to the atmosphere, and a pair of side walls 1a disposed along the longitudinal direction and a pair disposed at both ends in the longitudinal direction. It is comprised by the edge part side wall (opposite side surface) 1b and the bottom part. In the end side wall 1b, elongated rectangular slits (openings) 10 through which the band-like base material w passes are formed perpendicularly to each other at the center between the side walls 1a. Each of the slits 10 is formed so that the slit width is larger than the thickness of the base material w and is longer than the total length in the vertical direction of the base material w in order to prevent contact between the upper end portion and the lower end portion of the base material w. In addition, the upper end thereof is formed at a position separated from the upper end of the end side wall 1b. Thereby, the slit 10 has a gap L6 (see FIG. 7) between the upper end and the lower end of the base material w, respectively, and the gap L6 is in the plating tank 1. From the viewpoint of preventing the plating solution from flowing out, the thickness is 10 mm or less, more preferably 5 mm or less.

ここで、基材ｗは、厚さ数十μｍの帯状のポリイミドフィルムの片面全体にニッケルクロム合金のスパッタ層が形成され、この合金スパッタ層上に銅スパッタ層が形成された状態で、帯幅方向が垂直方向に向けて配設されている。そして、基材ｗは、スリット１０を通過して、メッキ槽１内に供給されるとともに、メッキ装置の上流側及び下流側の外部にそれぞれ配設された電極（図示を略す）によって、上記合金スパッタ層及び上記銅スパッタ層がメッキ装置内において通電されている。   Here, the substrate w has a band width in a state in which a sputter layer of a nickel chrome alloy is formed on one surface of a strip-shaped polyimide film having a thickness of several tens of μm, and a copper sputter layer is formed on the alloy sputter layer. The direction is arranged in the vertical direction. The base material w passes through the slit 10 and is supplied into the plating tank 1, and the above alloy is provided by electrodes (not shown) disposed on the upstream side and the downstream side of the plating apparatus. The sputter layer and the copper sputter layer are energized in the plating apparatus.

また、側壁１ａの上部には、基材ｗの上端よりも上方位置において、長手方向に沿ってメッキ槽１内の液面高さを一定に保持するためのスリット１１１が形成され、このスリット１１１から流出するメッキ液を一時的に貯留するオーバーフロー槽１１２が一体的に設けられている。このオーバーフロー槽１１２は、底板に接続された排出管（図示を略す）によって、スリット１１１から流出したメッキ液をメッキ槽１の下方に配設された循環液貯留槽３に排出するようになっている。   In addition, a slit 111 is formed in the upper portion of the side wall 1a so as to keep the liquid level in the plating tank 1 constant along the longitudinal direction at a position above the upper end of the base material w. An overflow tank 112 for temporarily storing the plating solution flowing out from the tank is integrally provided. The overflow tank 112 is configured to discharge the plating liquid flowing out from the slit 111 to the circulating liquid storage tank 3 disposed below the plating tank 1 by a discharge pipe (not shown) connected to the bottom plate. Yes.

メッキ槽１の底部は、側壁１ａ間の中央部が最深部となるように、漸次、幅方向の両端部から上記中央部に向けて下方に位置するように傾斜して形成されており、メッキ槽１の上記最深部には、長手方向に沿ってメッキ液を流動させるディフューザー１３が配設されている。   The bottom of the plating tank 1 is formed so as to be gradually inclined from the both end portions in the width direction toward the center portion so that the center portion between the side walls 1a becomes the deepest portion. A diffuser 13 for flowing the plating solution along the longitudinal direction is disposed at the deepest portion of the tank 1.

このディフューザー１３は、円筒状に形成され、内部に、配設方向に沿ってエアーを噴出させるパイプ１３ａが配設されるとともに、循環液貯留槽３内のメッキ液が配管及びポンプ等を備えた送液手段（図示を略す）によって供給されるようになっており、外周壁面に多数の穴が形成されている。   The diffuser 13 is formed in a cylindrical shape, and a pipe 13a for ejecting air along the arrangement direction is disposed therein, and the plating liquid in the circulating liquid storage tank 3 includes a pipe and a pump. It is supplied by liquid feeding means (not shown), and a large number of holes are formed in the outer peripheral wall surface.

さらに、両端部側壁１ｂには、それぞれ、端部側壁１ｂを一側面として、スリット１０を囲繞し、スリット１０から流出したメッキ液を回収する有底筒状の回収槽２２が一体に形成されている。そして、これらの回収槽２２は、それぞれ端部側壁１ｂに対向する壁面２７に、基材ｗを通過させる細長状のスリット２７ａが垂直に形成されるとともに、内部にシール機構２が設けられている。   Further, each end side wall 1b is integrally formed with a bottomed cylindrical recovery tank 22 that surrounds the slit 10 with the end side wall 1b as one side surface and collects the plating solution flowing out from the slit 10. Yes. These recovery tanks 22 are each provided with an elongated slit 27a that allows the base material w to pass vertically on the wall surface 27 that faces the end side wall 1b, and the sealing mechanism 2 is provided therein. .

また、回収槽２２は、シール機構２の下流側に排出口２２ａが形成されており、この排出口２２ａに排出管２５が接続されるとともに、この排出管２５によって回収槽２２内のメッキ液が上記循環液貯留槽３に排出されるようになっている。   Further, the recovery tank 22 has a discharge port 22a formed on the downstream side of the seal mechanism 2, and a discharge pipe 25 is connected to the discharge port 22a. It is discharged to the circulating fluid storage tank 3.

次いで、このシール機構２について、２つの実施形態を説明する。   Next, two embodiments of the seal mechanism 2 will be described.

［第１実施形態］
第１の実施形態におけるシール機構２は、スリット１０の両側に、それぞれ端部側壁１ｂに近接して設けられた液体噴出ノズル２０と、この液体噴出ノズル２０の下流側における基材ｗを間に挟む両側に、それぞれラビリンスが形成されている。 [First Embodiment]
The sealing mechanism 2 in the first embodiment has a liquid ejection nozzle 20 provided on both sides of the slit 10 in proximity to the end side wall 1b, and a base material w on the downstream side of the liquid ejection nozzle 20 therebetween. Labyrinths are formed on both sides.

この液体噴出ノズル２０は、角柱筒状（本実施形態においては矩形筒状）に形成され、内部に長手方向に沿ってメッキ液の流路が形成されるとともに、垂直に配設されており、メッキ槽１のスリット１０から回収槽２２内を経由し、スリット２７ａを通過して外方に向けて搬送される基材ｗの両側方に対になって配設されている。そして、各液体噴出ノズル２０は、スリット１０を通過する基材ｗの搬送方向に対して略垂直にメッキ液を噴出する一連（本実施形態では細長状）の噴出口２０ａが形成されており、この噴出口２０ａは、少なくともスリット１０の上端部に対応する位置からスリット１０の下端部に対応する位置まで垂直に形成され（図７参照）、スリット１０から流出するメッキ液をメッキ槽１内に向けて押圧するようになっている。   The liquid ejection nozzle 20 is formed in a prismatic cylinder shape (a rectangular cylinder shape in the present embodiment), and a flow path for the plating solution is formed along the longitudinal direction inside, and is disposed vertically. The plating tank 1 is disposed in pairs on both sides of the base material w which is conveyed outward through the slit 27a from the slit 10 in the recovery tank 22. Each liquid ejection nozzle 20 is formed with a series (elongated in this embodiment) of ejection holes 20a that eject the plating solution substantially perpendicularly to the conveying direction of the base material w that passes through the slit 10. The spout 20a is formed vertically from a position corresponding to at least the upper end of the slit 10 to a position corresponding to the lower end of the slit 10 (see FIG. 7), and the plating solution flowing out of the slit 10 is put into the plating tank 1. It is designed to press toward it.

また、液体噴出ノズル２０は、図６に示すように、細長状の噴出口２０ａが形成された基材ｗ側の対向面２００が基材ｗと平行に配設されるとともに、この噴出口２０ａに連通する横断面円状の流路２０ｂが鉛直方向に連続して形成されている。そして、この流路２０ｂと噴出口２０ａとを連通させる連通路２０１が基材ｗに対して垂直に形成されて、この連通路２０１における流路２０ｂ側の基端部２０２の路幅Ｌ３が基材ｗ側に向けて均一に形成されている。   In addition, as shown in FIG. 6, the liquid ejection nozzle 20 has an opposing surface 200 on the substrate w side on which an elongated ejection port 20 a is formed and is disposed in parallel with the substrate w, and the ejection port 20 a. A circular channel 20b having a circular cross-section communicating with is formed continuously in the vertical direction. A communication path 201 for communicating the flow path 20b and the jet outlet 20a is formed perpendicular to the base material w, and the path width L3 of the base end 202 on the flow path 20b side in the communication path 201 is based on the base width w3. It is uniformly formed toward the material w side.

この路幅Ｌ３は、０．０５ｍｍ≦Ｌ３≦０．５ｍｍ、より好ましくは０．１ｍｍ≦Ｌ３≦０．３ｍｍとなるように形成されている。このような路幅Ｌ３の寸法としたのは、路幅Ｌ３が０．０５ｍｍ未満であると、メッキ液の噴出量が著しく少なくなって、スリット１０から流出するメッキ液をメッキ槽１内に向けて押圧する充分なシール作用が得られず、他方、路幅Ｌ３が０．５ｍｍを超えると、充分な噴射圧を確保することができず、結果として、充分なシール作用が得られなくなるためである。   The road width L3 is formed to satisfy 0.05 mm ≦ L3 ≦ 0.5 mm, more preferably 0.1 mm ≦ L3 ≦ 0.3 mm. The dimension of such a road width L3 is that if the road width L3 is less than 0.05 mm, the amount of the plating solution ejected is remarkably reduced so that the plating solution flowing out from the slit 10 is directed into the plating tank 1. If the road width L3 exceeds 0.5 mm, sufficient injection pressure cannot be ensured, and as a result, sufficient sealing action cannot be obtained. is there.

さらに、液体噴出ノズル２０は、連通路２０１の噴出口２０ａ側の先端部２０３が基材ｗ側に向けて路幅が漸次大きくなるように面取りされており、対向面２００での面取り量Ｍ１が８ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下となるように形成されている。なお、本実施形態における面取りとは、角度が４５°に限定されるものではない。そして、液体噴出ノズル２０は、対向面２００と基材ｗとの間に噴出口２０ａから噴出するメッキ液によってメッキ槽１からのメッキ液の流出を阻止する狭小のシール路２０ｃが形成されている。   Further, the liquid jet nozzle 20 is chamfered so that the tip 203 of the communication passage 201 on the jet outlet 20a side gradually increases toward the base material w, and the chamfering amount M1 at the facing surface 200 is chamfered. It is formed to be 8 mm or less, more preferably 5 mm or less. The chamfering in the present embodiment is not limited to an angle of 45 °. In the liquid ejection nozzle 20, a narrow seal path 20c is formed between the facing surface 200 and the base material w to prevent the plating liquid from flowing out from the plating tank 1 by the plating liquid ejected from the ejection port 20a. .

このような先端部２０３の面取りは、基材ｗの両側の噴出口２０ａが同一直線上から微少に外れるように液体噴出ノズル２０が配設されてしまった場合にも、基材ｗがメッキ液の噴出圧によって搬送方向に交差する方向に左右に振れることを抑制する。面取り量Ｍ１を８ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下としたのは、面取り量Ｍ１が８ｍｍを超えると、噴出圧の低下により、上記シール作用が著しく低下してしまうとともに、面取り量Ｍ１が５ｍｍ以下であると、噴出口２０ａから噴出するメッキ液がシール路２０ｃの全長を小さくしてもシール作用を担保することが可能となるためである。   Such chamfering of the tip portion 203 is performed even when the liquid jet nozzle 20 is disposed so that the jet ports 20a on both sides of the base material w are slightly removed from the same straight line. Swaying left and right in the direction intersecting the conveying direction is suppressed by the jet pressure of. The reason why the chamfering amount M1 is set to 8 mm or less, more preferably 5 mm or less is that when the chamfering amount M1 exceeds 8 mm, the sealing action is remarkably reduced due to a decrease in the ejection pressure, and the chamfering amount M1 is 5 mm or less. This is because the plating solution ejected from the ejection port 20a can ensure the sealing action even if the entire length of the seal path 20c is reduced.

また、液体噴出ノズル２０は、このシール路２０ｃにおいて、対向面２００と基材ｗとの間隔Ｌ４が０．１ｍｍ≦Ｌ４≦２．５ｍｍ、より好ましくは０．２ｍｍ≦Ｌ４≦１．５ｍｍとなるように形成されている。このような範囲の間隔Ｌ４を設けたのは、間隔Ｌ４が０．１ｍｍ未満であると、基材ｗが対向面２００に接触する可能性があり、間隔Ｌ４が２．５ｍｍを超えると、シール路２０ｃの幅が大きくなって、メッキ槽１から流出するメッキ液量が増大してしまうためである。   Further, in the liquid ejection nozzle 20, in the seal path 20c, the distance L4 between the facing surface 200 and the base material w is 0.1 mm ≦ L4 ≦ 2.5 mm, more preferably 0.2 mm ≦ L4 ≦ 1.5 mm. It is formed as follows. The interval L4 in such a range is provided when the interval L4 is less than 0.1 mm, the base material w may come into contact with the facing surface 200, and when the interval L4 exceeds 2.5 mm, the seal This is because the width of the path 20c increases and the amount of the plating solution flowing out of the plating tank 1 increases.

さらに、液体噴出ノズル２０は、少なくとも対向面２００が基材ｗの接触による基材ｗの表面の傷の形成を抑制すべく、テフロン（登録商標）等の撥水性素材によって形成されるとともに、基材ｗの搬送方向の両端の角隅部がそれぞれ対向面２００での面取り量Ｍ２が１ｍｍ以上となるように面取りされている。これによって、基材ｗの先端部をスリット１０からシール路２０ｃに挿通させる際、又は基材ｗの終端部をスリット１０からシール路２０ｃに通過させる際に、噴出ノズル２０の角部が接触して、基材ｗの表面を傷付けないようになっている。なお、ノズル２０は、本実施形態において、面取りされた表面が平面状に形成されているものの、より好ましくは曲面状に形成される。   Further, the liquid ejection nozzle 20 is formed of a water-repellent material such as Teflon (registered trademark) so that at least the opposing surface 200 suppresses formation of scratches on the surface of the substrate w due to contact with the substrate w. The corners at both ends in the conveyance direction of the material w are chamfered so that the chamfering amount M2 at the facing surface 200 is 1 mm or more. Accordingly, when the leading end portion of the base material w is inserted from the slit 10 into the seal path 20c, or when the terminal end portion of the base material w is passed from the slit 10 to the seal path 20c, the corner portion of the ejection nozzle 20 comes into contact. Thus, the surface of the base material w is not damaged. In addition, in this embodiment, although the chamfered surface is formed in planar shape, the nozzle 20 is more preferably formed in a curved surface shape.

さらにまた、液体噴出ノズル２０は、対向面２００のメッキ槽１側の内方端部から噴出口２０ａのメッキ槽１側の縁部までの面幅Ｌ１よりも、対向面２００のラビリンス側（処理槽と反対側）の外方端部から噴出口２０ａの上記ラビリンス側の縁部までの面幅Ｌ２が大きく、かつ面幅Ｌ１、Ｌ２が５ｍｍ≦Ｌ１≦５０ｍｍであるとともに、１５ｍｍ≦Ｌ２≦８０ｍｍであり、より好ましくは１０ｍｍ≦Ｌ１≦３５ｍｍであるとともに、２５ｍｍ≦Ｌ２≦５０ｍｍであるように形成されている。   Furthermore, the liquid ejection nozzle 20 has a labyrinth side (treatment) of the facing surface 200 rather than a surface width L1 from the inner end of the facing surface 200 on the plating tank 1 side to the edge of the ejection port 20a on the plating tank 1 side. The surface width L2 from the outer end on the side opposite to the tank) to the labyrinth side edge of the spout 20a is large, and the surface widths L1 and L2 are 5 mm ≦ L1 ≦ 50 mm, and 15 mm ≦ L2 ≦ 80 mm More preferably, 10 mm ≦ L1 ≦ 35 mm and 25 mm ≦ L2 ≦ 50 mm.

これは、Ｌ１よりもＬ２が小さい場合に、噴出口２０ａから噴出するメッキ液がスリット１０から流出するメッキ液をメッキ槽１側に向けて押圧するよりも、回収槽２２側に流出しやすくなり、結果として、噴出口２０ａからのメッキ液の噴出量が増大するためである。また、Ｌ１が５ｍｍ未満であると、メッキ槽１から流出するメッキ液がシール路２０ｃにおいて充分に圧力損失を得ることなく、噴出口２０ａに臨む位置まで流出するため、メッキ槽１からのメッキ液の流出量が増大してしまうとともに、Ｌ２が１５ｍｍ未満であると、Ｌ１よりもＬ２が小さい場合と同様に、噴出口２０ａからのメッキ液の噴出量が増大してしまうためであり、Ｌ１が５０ｍｍ又はＬ２が８０ｍｍを超えると、対向面２００が基材ｗに接触する恐れがあるためである。   This is because, when L2 is smaller than L1, the plating solution ejected from the ejection port 20a tends to flow out toward the collection tank 22 rather than pressing the plating liquid flowing out from the slit 10 toward the plating tank 1 side. As a result, the amount of the plating solution ejected from the ejection port 20a increases. If L1 is less than 5 mm, the plating solution flowing out from the plating tank 1 flows out to the position facing the spout 20a without obtaining a sufficient pressure loss in the seal passage 20c. This is because, when L2 is less than 15 mm, the amount of plating solution ejected from the ejection port 20a increases when L2 is smaller than L1. If 50 mm or L2 exceeds 80 mm, the facing surface 200 may come into contact with the base material w.

なお、液体噴出ノズル２０は、第２の例として、図８に示すように、噴出口２０ａの上端をスリット１０の上端に対応する位置から下方に向けて、噴出口２０ａの全長Ｌ５をスリット１０の全長Ｌに対して、１／２０Ｌ≦Ｌ５≦１／２Ｌ、より好ましくは１／１０Ｌ≦Ｌ５≦１／３Ｌの長さに形成して、噴出口２０ａをスリット１０の上部に対応する位置に配設することがより望ましい。   As shown in FIG. 8, the liquid ejection nozzle 20 has, as a second example, the upper end of the ejection port 20 a directed downward from a position corresponding to the upper end of the slit 10, and the entire length L <b> 5 of the ejection port 20 a is slit 10. Is formed so that the length is 1 / 20L ≦ L5 ≦ 1 / 2L, more preferably 1 / 10L ≦ L5 ≦ 1 / 3L, and the jet outlet 20a is located at a position corresponding to the upper portion of the slit 10. It is more desirable to arrange.

これは、メッキ槽１が大気開放型であるため、漸次底部に向けてメッキ液の圧力が大きくなり、メッキ液の流出圧力がスリット１０の下部において著しく大きくなる。このため、液体噴出ノズル２０の噴出口２０ａをスリット１０の下部に対応して位置させても、噴出口２０ａから噴出するメッキ液によるシール作用が小さく、その結果、噴出ノズル２０からのメッキ液の噴出量を増大させるだけになることから、噴出口２０ａをスリット１０の上部に対応する位置に配設することによって、効率的にスリット１０の上部からのメッキ液の流出を抑制して、効果的なシール作用を得るものである。さらに、噴出口２０ａの全長Ｌ５を上述の長さに形成したのは、噴出口２０ａの全長Ｌ５が１／２Ｌを超えると、噴出口２０ａからのメッキ液の流出量が増大してしまうとともに、全長Ｌ５が１／２０Ｌ以下であるとシール作用が得られないためである。   This is because the plating bath 1 is open to the atmosphere, so that the pressure of the plating solution gradually increases toward the bottom, and the outflow pressure of the plating solution increases remarkably at the lower portion of the slit 10. For this reason, even if the ejection port 20a of the liquid ejection nozzle 20 is positioned corresponding to the lower portion of the slit 10, the sealing action by the plating solution ejected from the ejection port 20a is small. As a result, the plating solution from the ejection nozzle 20 Since only the amount of ejection is increased, by disposing the ejection port 20a at a position corresponding to the upper portion of the slit 10, the outflow of the plating solution from the upper portion of the slit 10 can be efficiently suppressed and effective. A good sealing action. Furthermore, the reason why the total length L5 of the jet outlet 20a is formed to the above-mentioned length is that when the total length L5 of the jet outlet 20a exceeds 1 / 2L, the outflow amount of the plating solution from the jet outlet 20a increases. This is because the sealing action cannot be obtained when the total length L5 is 1 / 20L or less.

さらに、液体噴出ノズル２０は、第３の例として、図９に示すように、スリット１０の開口幅が漸次下方に向けて小さくなるように形成することにより、このスリット１０の長手方向に沿って配設して、対向面２００と基材ｗとの間隔Ｌ４が漸次下方に向けて狭くなるように配設することがより望ましい。
これは、上述のようにメッキ液の流出圧力がスリット１０の上部において小さく、スリット１０の下部において大きくなるため、スリット１０の上部よりも下部からのメッキ液の流出量が著しく多くなる。これによって、基材ｗの上部よりも下部の方が液圧によって搬送姿勢が支持されるため、基材ｗの上部の方が左右の振れが大きくて、スリット１０や対向面２００に接触して傷付く恐れがある。それ故に、スリット１０の開口幅及び間隔Ｌ４を漸次下方に向けて小さくして、基材ｗの上部が傷付くのを防止するとともに、スリット１０の下部からのメッキ液の流出を防止して、多量のメッキ液の流出を阻止するためである。 Further, as shown in FIG. 9, the liquid ejection nozzle 20 is formed so that the opening width of the slit 10 gradually decreases downward as shown in FIG. It is more desirable to arrange so that the distance L4 between the facing surface 200 and the base material w becomes gradually narrower downward.
This is because, as described above, the outflow pressure of the plating solution is small at the upper portion of the slit 10 and is increased at the lower portion of the slit 10, so that the outflow amount of the plating solution from the lower portion is significantly larger than the upper portion of the slit 10. As a result, the transport posture is supported by the hydraulic pressure in the lower part than the upper part of the base material w. Therefore, the upper and lower sides of the base material w have larger left-right deflection, and contact with the slit 10 and the facing surface 200. There is a risk of injury. Therefore, the opening width and the interval L4 of the slit 10 are gradually decreased downward to prevent the upper part of the base material w from being damaged, and the plating solution from flowing out from the lower part of the slit 10 is prevented. This is to prevent a large amount of plating solution from flowing out.

一方、シール機構２は、少なくともメッキ槽１のメッキ液の液面よりも上方にヘッドタンク２３が配設されており、このヘッドタンク２３に接続された配管２４の下流端部が液体噴出ノズル２０の下端部に接続されるとともに、この配管２４がヘッドタンク２３によ
る水頭圧を１０ｃｍ以上であってかつ３ｍ以下、より好ましくは３０ｃｍ以上であってかつ１ｍ以下とするように設置されている。これは、水頭圧が１０ｃｍ未満であると、充分なシール作用が得られず、３ｍを超えると、液体噴出ノズル２０によるメッキ液の流出量が増加してしまうためである。 On the other hand, in the sealing mechanism 2, a head tank 23 is disposed at least above the surface of the plating solution in the plating tank 1, and the downstream end of the pipe 24 connected to the head tank 23 is the liquid ejection nozzle 20. The pipe 24 is installed so that the water head pressure by the head tank 23 is 10 cm or more and 3 m or less, more preferably 30 cm or more and 1 m or less. This is because if the water head pressure is less than 10 cm, a sufficient sealing action cannot be obtained, and if it exceeds 3 m, the outflow amount of the plating solution from the liquid jet nozzle 20 increases.

他方、ヘッドタンク２３には、循環液貯留槽３に貯留されたメッキ液を供給する配管２６がポンプ２６ａを介装して接続されている。
これにより、液体噴出ノズル２０によって、ヘッドタンク２３からの自然流下による噴出圧力が一定のメッキ液が噴出口２０ａから噴出され、特に、上部の噴出口２０ａよりも下部の噴出口２０ａから圧力の高いメッキ液が噴出され、スリット１０の下部から流出する高圧のメッキ液をもメッキ槽１内に向けて押圧するようになっている。 On the other hand, a pipe 26 for supplying a plating solution stored in the circulating fluid storage tank 3 is connected to the head tank 23 via a pump 26a.
As a result, the plating solution having a constant jet pressure from the head tank 23 is jetted from the jet port 20a by the liquid jet nozzle 20, and in particular, the pressure is higher from the lower jet port 20a than the upper jet port 20a. The plating solution is jetted, and the high-pressure plating solution flowing out from the lower portion of the slit 10 is also pressed toward the plating tank 1.

一方、ラビリンスは、基材ｗを間に挟む両側に、基材ｗ側に突起部２１ａを有する細長板状部材２１が基材ｗの搬送方向に直交する方向に上記搬送路に沿って複数枚配設されることによって形成された突起部２１ａ間の複数の隙間、すなわち複数のメッキ液の滞留部２１ｂにより形成されている。
また、突起部２１ａは、基材ｗとの間に一定の隙間（本実施形態においては２ｍｍ）を介して配設されており、突起部２１ａと基材ｗとの間には、基材ｗの表面に沿って流出するメッキ液の流出路が形成されている。これにより、上記滞留部２１ｂは、流出路に連通して形成され、流出路に沿って流出するメッキ液を滞留させるようになっている。 On the other hand, the labyrinth has a plurality of elongated plate-like members 21 having protrusions 21a on the base material w side on both sides of the base material w along the transport path in a direction perpendicular to the transport direction of the base material w. It is formed by a plurality of gaps between the protruding portions 21a formed by the arrangement, that is, a plurality of plating solution retaining portions 21b.
In addition, the protruding portion 21a is disposed with a certain gap (2 mm in the present embodiment) between the protruding portion 21a and the base material w. An outflow path for the plating solution flowing out along the surface of the film is formed. Thereby, the retention part 21b is formed in communication with the outflow path, and retains the plating solution flowing out along the outflow path.

そして、各細長板状部材２１は、最も下流側の細長板状部材２１に沿って配設された横断面コ字状の枠体２９並びにこの枠体２９、細長板状部材２１、液体噴出ノズル２０及び端部側壁１ｂに貫通する係合部材（本実施形態においてはボルトとナット）によって、互いに密着して固定されている。他方、この枠体２９は、その内部に、細長板状部材２１及び液体噴出ノズル２０の他、配管２４が配設されている。   Each elongated plate-like member 21 includes a frame 29 having a U-shaped cross section disposed along the most downstream elongated plate-like member 21, the frame 29, the elongated plate-like member 21, and a liquid ejection nozzle. 20 and an engagement member (a bolt and a nut in the present embodiment) penetrating through the end side wall 1b and fixed in close contact with each other. On the other hand, in addition to the elongated plate member 21 and the liquid ejection nozzle 20, a pipe 24 is disposed inside the frame body 29.

［第２実施形態］
次いで、シール機構２の第２の実施形態について、図４及び図５を用いて、説明する。
なお、第１の実施形態におけるシール機構２と同一のものについては、同一の符号を用いることにより、説明を省略するものとする。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the seal mechanism 2 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
In addition, about the thing same as the sealing mechanism 2 in 1st Embodiment, description shall be abbreviate | omitted by using the same code | symbol.

第２の実施形態におけるシール機構２は、第１の実施形態と同様、スリット１０の両側に、それぞれ端部側壁１ｂに近接して設けられた液体噴出ノズル２０と、この噴出ノズル２０の下流側に配設され、スリット１０から流出したメッキ液を貯留可能な大気開放型の流入槽４とによって構成されている。換言すると、ラビリンスに換えて流入槽４が配設された点を除き、第１の実施形態と同様の構成となっている。   As in the first embodiment, the sealing mechanism 2 in the second embodiment includes a liquid ejection nozzle 20 provided on both sides of the slit 10 in proximity to the end side wall 1b, and a downstream side of the ejection nozzle 20. And an open-air inflow tank 4 capable of storing the plating solution flowing out from the slit 10. In other words, the configuration is the same as that of the first embodiment except that the inflow tank 4 is provided instead of the labyrinth.

この流入槽４は、槽内に基材ｗの搬送方向に直交する方向に向けて複数枚（本実施形態においては４枚）の仕切壁４４が上記搬送方向に沿って等間隔に配設されるとともに、仕切壁４４の下端部が流入槽４の底部に一体的に設けられており、槽内が複数（本実施形態においては５槽）の区画槽４６に区切られている。この仕切壁４４及び流入槽４の基材ｗの搬送方向に直交する方向に向けて配設された外壁は、上端が下流側に向けて低く形成されるとともに、スリット１０に対応する位置に、基材ｗを通過させる細長状のスリット４５が垂直に形成されている。これらのスリット４５は、全て板面の上端から下端まで形成され、スリット幅が基材ｗの板厚よりも大きく形成されている。
一方、基材ｗの搬送方向に沿って配設された流入槽４の外壁の上端は、仕切壁４４及び上記搬送方向に直交する方向に向けて配設された外壁の上端に対応して形成されており、漸次、下流側に向けて低くなるように傾斜して形成されている。 In the inflow tank 4, a plurality of (four in the present embodiment) partition walls 44 are arranged at equal intervals in the transport direction in a direction orthogonal to the transport direction of the base material w. In addition, the lower end portion of the partition wall 44 is integrally provided at the bottom of the inflow tank 4, and the inside of the tank is divided into a plurality of (5 tanks in the present embodiment) partition tanks 46. The outer wall disposed in the direction orthogonal to the conveyance direction of the base material w of the partition wall 44 and the inflow tank 4 is formed such that the upper end is lowered toward the downstream side and at a position corresponding to the slit 10. An elongated slit 45 that allows the substrate w to pass therethrough is formed vertically. These slits 45 are all formed from the upper end to the lower end of the plate surface, and the slit width is formed larger than the plate thickness of the base material w.
On the other hand, the upper end of the outer wall of the inflow tank 4 disposed along the transport direction of the base material w is formed corresponding to the upper end of the partition wall 44 and the outer wall disposed in the direction orthogonal to the transport direction. It is formed so as to be gradually inclined downward toward the downstream side.

そして、流入槽４は、下流側の外壁面に沿って配設された横断面コ字状の枠体２９並びにこの枠体２９、流入槽４（仕切壁４４を含む）、液体噴出ノズル２０及び端部側壁１ｂに貫通する係合部材（本実施形態においてはボルトとナット）によって、液体噴出ノズル２０の外壁面に接して固定されている。他方、枠体２９は、その内部に、流入槽４及び液体噴出ノズル２０の他、配管２４が配設されている。   The inflow tank 4 includes a frame 29 having a U-shaped cross section disposed along the outer wall surface on the downstream side, the frame 29, the inflow tank 4 (including the partition wall 44), the liquid ejection nozzle 20, and the like. It is fixed in contact with the outer wall surface of the liquid ejection nozzle 20 by engaging members (bolts and nuts in the present embodiment) penetrating the end side wall 1b. On the other hand, in addition to the inflow tank 4 and the liquid ejection nozzle 20, a pipe 24 is disposed inside the frame body 29.

次ぎに、第１の実施の形態におけるメッキ装置の作用について、説明する。
まず、基材ｗは、メッキ装置の上流側及び下流側の外部にそれぞれ配設された電極によって、スパッタ層が通電された状態で、順次、回収槽２２のスリット２７ａを通過し、両側方に設けられたラビリンス間を移動した後に、両側方に設けられた一対の液体噴出ノズル２０の間を移動し、一方の端部側壁１ｂに形成されたスリット１０からメッキ槽１内に搬送される。 Next, the operation of the plating apparatus in the first embodiment will be described.
First, the base material w sequentially passes through the slits 27a of the collection tank 22 in the state where the sputter layer is energized by the electrodes respectively disposed on the upstream side and the downstream side of the plating apparatus, and on both sides. After moving between the provided labyrinths, it moves between a pair of liquid ejection nozzles 20 provided on both sides, and is conveyed into the plating tank 1 from the slit 10 formed in one end side wall 1b.

その際、基材ｗの両面に沿ってメッキ槽１内のメッキ液がスリット１０から流出するものの、このメッキ液は、液体噴出ノズル２０から噴出されるヘッドタンク２３から自然流下した一定噴出圧力のメッキ液によってメッキ槽１内に向けて押圧される。さらに、液体噴出ノズル２０間を流出したメッキ液は、ラビリンスを形成する細長板状部材２１と基材ｗとの間に形成された流出路に沿って流出し、流出路に連通して形成された突起部２１ａ間の滞留部２１ｂに流入することによって滞留し、後続のメッキ液の流出を抑制しつつ、順次、下流側へ流出する。これにより、メッキ槽１からのメッキ液の流出量が減少する。   At that time, although the plating solution in the plating tank 1 flows out from the slit 10 along both surfaces of the base material w, this plating solution has a constant ejection pressure naturally flowing from the head tank 23 ejected from the liquid ejection nozzle 20. It is pressed toward the inside of the plating tank 1 by the plating solution. Further, the plating solution flowing out between the liquid jet nozzles 20 flows out along the outflow path formed between the elongated plate-like member 21 forming the labyrinth and the base material w, and is formed in communication with the outflow path. It stays by flowing into the staying part 21b between the protruding parts 21a, and sequentially flows out to the downstream side while suppressing the outflow of the subsequent plating solution. Thereby, the outflow amount of the plating solution from the plating tank 1 is reduced.

他方、ラビリンスを流出したメッキ液は、排出口２２ａから排出管２５を通じて循環液貯留槽３に排出される。   On the other hand, the plating solution that has flowed out of the labyrinth is discharged from the discharge port 22a to the circulating liquid storage tank 3 through the discharge pipe 25.

一方、メッキ槽１内に供給された基材ｗは、漸次、メッキ液によってスパッタ層上に銅メッキ層が形成された後、メッキ槽１の他方の端部側壁１ｂに形成されたスリット１０を通過し、ラビリンス間を移動した後に、一対の液体噴出ノズル２０の間を移動し、壁面２７のスリット２７ａから外方へと搬出される。   On the other hand, the base material w supplied into the plating tank 1 gradually forms a slit 10 formed on the other side wall 1b of the plating tank 1 after a copper plating layer is formed on the sputter layer by the plating solution. After passing and moving between the labyrinth, it moves between the pair of liquid ejection nozzles 20 and is carried out from the slit 27a of the wall surface 27 to the outside.

その際、メッキ槽１内のメッキ液は、前述と同様に、スリット１０から基材ｗの両面に沿って流出するものの、液体噴出ノズル２０からのメッキ液によってメッキ槽１内に向けて押圧される。さらに、液体噴出ノズル２０を流出したメッキ液がラビリンスにおける突起部２１ａ間の滞留部２１ｂに流入することによって滞留する。これにより、メッキ槽１からのメッキ液の流出量が減少する。他方、ラビリンスを流出したメッキ液は、排出口２２ａから排出管２５を通じて循環液貯留槽３に排出される。   At that time, the plating solution in the plating tank 1 flows out from the slit 10 along both surfaces of the base material w as described above, but is pressed toward the plating tank 1 by the plating solution from the liquid jet nozzle 20. The Further, the plating solution that has flowed out of the liquid jet nozzle 20 is retained by flowing into the retaining portion 21b between the protruding portions 21a in the labyrinth. Thereby, the outflow amount of the plating solution from the plating tank 1 is reduced. On the other hand, the plating solution that has flowed out of the labyrinth is discharged from the discharge port 22a to the circulating liquid storage tank 3 through the discharge pipe 25.

一方、メッキ槽１内のメッキ液は、スリット１１１から溢れた場合にも、オーバーフロー槽１１２を介して循環液貯留槽３に排出されるとともに、循環液貯留槽３から上記送液手段によってディフューザー１３内に循環供給され、攪拌されるようになっている。   On the other hand, when the plating solution in the plating tank 1 overflows from the slit 111, the plating solution is discharged to the circulating liquid storage tank 3 through the overflow tank 112, and from the circulating liquid storage tank 3 to the diffuser 13 by the liquid feeding means. It is circulated and supplied to the inside.

上述の第１の実施形態におけるメッキ装置によれば、メッキ槽１の外部の回収槽２２内における基材ｗの両側方にそれぞれ液体噴出ノズル２０を設け、この液体噴出ノズル２０には、スリット１０を通過する基材ｗの搬送方向に対して略垂直にメッキ液を噴出する噴出口２０ａを形成したため、基材ｗに沿ってスリット１０から流出するメッキ液をメッキ槽１内に向けて効率的に押圧することができる。   According to the plating apparatus in the first embodiment described above, the liquid ejection nozzles 20 are provided on both sides of the base material w in the recovery tank 22 outside the plating tank 1, and the liquid ejection nozzle 20 has slits 10. Since the ejection port 20a for ejecting the plating solution substantially perpendicularly to the conveying direction of the base material w passing through the substrate is formed, the plating solution flowing out from the slit 10 along the base material w is efficiently directed into the plating tank 1. Can be pressed.

さらに、ラビリンスを構成する複数枚の細長板状部材２１を垂直に配設するとともに、細長板状部材２１を基材の搬送方向に直交する方向に搬送方向に沿って配設したため、この細長板状部材２１によって基材ｗの両面に沿って流出するメッキ液の流出路を形成することができる。さらに、細長板状部材２１の突起部２１ａを基材ｗ側に向けて配設したため、この突起部２１ａ間に流出路に連通する滞留部２１ｂを形成でき、流出路に沿って流出するメッキ液を滞留部２１ｂに滞留させることによって、メッキ液の流速を低下させることができる。このため、後続のメッキ液の流出を抑制し、メッキ槽１からのメッキ液の流出量を減少させることができる。   Further, the plurality of elongated plate-like members 21 constituting the labyrinth are arranged vertically, and the elongated plate-like members 21 are arranged along the conveyance direction in a direction perpendicular to the conveyance direction of the base material. The plate member 21 can form an outflow path for the plating solution flowing out along both surfaces of the base material w. Further, since the protruding portion 21a of the elongated plate-like member 21 is arranged toward the base material w side, a staying portion 21b communicating with the outflow path can be formed between the protruding portions 21a, and the plating solution that flows out along the outflow path Is retained in the retention part 21b, whereby the flow rate of the plating solution can be reduced. For this reason, the outflow of the subsequent plating solution can be suppressed, and the outflow amount of the plating solution from the plating tank 1 can be reduced.

その結果、基材ｗを挟持するシールローラを用いることなく、効率的にスリット１０からのメッキ液の流出を抑制することができ、基材ｗに対するシールローラの密着による異物の付着を防止でき、基材ｗ上に形成された銅メッキ層に欠陥が生じることを防止できる。   As a result, it is possible to efficiently suppress the outflow of the plating solution from the slit 10 without using a seal roller for sandwiching the base material w, and to prevent the adhesion of foreign matter due to the close contact of the seal roller with the base material w. Defects can be prevented from occurring in the copper plating layer formed on the substrate w.

また、液体噴出ノズル２０は、ヘッドタンク２３に貯留された循環液貯留槽３から供給されたメッキ液を自然流下による一定の噴出圧力によって噴出するため、ポンプ等の機械装置によって噴出させた場合と異なり、噴出圧力の強弱によるスリット１０からのメッキ液の流出を防止することができる。加えて、噴出口２０ａがヘッドタンク２３を通じて、メッキ槽１から排出された循環液貯留槽３内のメッキ液を噴出するため、メッキ槽１内に不純物が混入することなく、効率的にメッキ処理を行うことができる。   Further, the liquid ejection nozzle 20 ejects the plating solution supplied from the circulating fluid storage tank 3 stored in the head tank 23 with a constant ejection pressure due to natural flow, so that the liquid ejection nozzle 20 is ejected by a mechanical device such as a pump. In contrast, it is possible to prevent the plating solution from flowing out of the slit 10 due to the strength of the ejection pressure. In addition, since the ejection port 20a ejects the plating solution in the circulating fluid storage tank 3 discharged from the plating tank 1 through the head tank 23, the plating process can be efficiently performed without mixing impurities in the plating tank 1. It can be performed.

次ぎに、第２の実施の形態におけるメッキ装置の作用について、説明する。
基材ｗは、スパッタ層が通電している状態で、順次、回収槽２２のスリット２７ａを通過し、流入槽４内のスリット４５間を移動した後に、両側方に設けられた一対の液体噴出ノズル２０の間を移動し、一方の端部側壁１ｂに形成されたスリット１０からメッキ槽１内に搬送される。 Next, the operation of the plating apparatus in the second embodiment will be described.
The base material w sequentially passes through the slits 27a of the recovery tank 22 and moves between the slits 45 in the inflow tank 4 while the sputter layer is energized, and then a pair of liquid jets provided on both sides. It moves between the nozzles 20 and is conveyed into the plating tank 1 from the slit 10 formed in one end side wall 1b.

その際、基材ｗの両面に沿ってメッキ槽１内のメッキ液がスリット１０から流出するものの、このメッキ液は、液体噴出ノズル２０から噴出されるヘッドタンク２３から自然流下した一定噴出圧力のメッキ液によってメッキ槽１内に向けて押圧される。さらに、液体噴出ノズル２０間を流出したメッキ液は、順次、流入槽４における仕切壁４４の高低差分に相当するメッキ液が仕切壁４４の上端から溢れ、又はスリット４５を通じて下流側の区画槽４６に向けて徐々に流出する。これにより、スリット１０から流出したメッキ液の流速が低下し、後続のメッキ液の流出を抑制し、メッキ槽１からのメッキ液の流出量が減少する。
他方、流入槽４から流出したメッキ液は、排出口２２ａから排出管２５を通じて循環液貯留槽３に排出される。 At that time, although the plating solution in the plating tank 1 flows out from the slit 10 along both surfaces of the base material w, this plating solution has a constant ejection pressure naturally flowing from the head tank 23 ejected from the liquid ejection nozzle 20. It is pressed toward the inside of the plating tank 1 by the plating solution. Further, the plating solution that has flowed out between the liquid ejection nozzles 20 sequentially overflows from the upper end of the partition wall 44 or corresponds to the partition wall 46 on the downstream side through the slit 45 in the inflow tank 4. It gradually leaks toward. As a result, the flow rate of the plating solution flowing out from the slit 10 is reduced, the subsequent outflow of the plating solution is suppressed, and the outflow amount of the plating solution from the plating tank 1 is reduced.
On the other hand, the plating solution flowing out from the inflow tank 4 is discharged from the discharge port 22a to the circulating liquid storage tank 3 through the discharge pipe 25.

一方、メッキ槽１内に供給された基材ｗは、漸次、メッキ液によって銅メッキ層が形成された後、メッキ槽１の他方の端部側壁１ｂに形成されたスリット１０を通過し、流入槽４内のスリット４５間を移動した後に、一対の液体噴出ノズル２０の間を移動し、壁面２７のスリット２７ａから外方へと搬出される。   On the other hand, the base material w supplied into the plating tank 1 gradually passes through the slit 10 formed in the other side wall 1b of the plating tank 1 after the copper plating layer is formed by the plating solution, and flows into the plating tank 1 After moving between the slits 45 in the tank 4, it moves between the pair of liquid ejection nozzles 20 and is carried out from the slit 27 a of the wall surface 27 to the outside.

その際、メッキ槽１内のメッキ液は、前述と同様に、スリット１０から流出するものの、液体噴出ノズル２０からのメッキ液によってメッキ槽１内に向けて押圧されるとともに、流入槽４において下流側の区画槽４６に向けて徐々に流出し、流出量が減少する。
他方、流入槽４から流出したメッキ液は、排出口２２ａから排出管２５を通じて循環液貯留槽３に排出される。 At that time, the plating solution in the plating tank 1 flows out from the slit 10 as described above, but is pressed toward the plating tank 1 by the plating solution from the liquid jet nozzle 20 and is downstream in the inflow tank 4. It gradually flows out toward the partition tank 46 on the side, and the outflow amount decreases.
On the other hand, the plating solution flowing out from the inflow tank 4 is discharged from the discharge port 22a to the circulating liquid storage tank 3 through the discharge pipe 25.

一方、メッキ槽１内のメッキ液は、第１の実施形態におけるメッキ装置と同様に、スリット１１１及びスリット１０から流出すると、循環液貯留槽３に排出されるとともに、循環液貯留槽３から上記送液手段によってディフューザー１３内に循環供給される。   On the other hand, when the plating solution in the plating tank 1 flows out from the slit 111 and the slit 10 in the same manner as the plating apparatus in the first embodiment, the plating solution is discharged to the circulating fluid storage tank 3 and from the circulating fluid storage tank 3. It is circulated and supplied into the diffuser 13 by the liquid feeding means.

上述の第２の実施形態におけるメッキ装置によれば、第１の実施形態におけるメッキ装置と同様に、液体噴出ノズル２０を設けたため、この液体噴出ノズル２０から噴出するメッキ液によって、基材ｗに沿ってスリット１０から流出するメッキ液をメッキ槽１内に向けて効率的に押圧することができる。   According to the plating apparatus in the second embodiment described above, since the liquid ejection nozzle 20 is provided as in the plating apparatus in the first embodiment, the plating liquid ejected from the liquid ejection nozzle 20 causes the substrate w to be applied to the substrate w. The plating solution flowing out from the slit 10 along the slit can be efficiently pressed into the plating tank 1.

さらに、液体噴出ノズル２０の下流側に大気開放型の流入槽４を配設し、この流入槽４内に複数の仕切壁４４によって区画された区画槽４６を設け、かつ漸次、下流側に向けて仕切壁４４を低く形成したため、仕切壁４４の高低差分に相当するメッキ液を下流側の区画槽４６に向けて徐々に流出させることができる。このため、第１の実施形態におけるメッキ装置と同様に、後続のメッキ液の流出を抑制することができ、基材ｗを挟持するシールローラを用いることなく、効率的にメッキ槽１からのメッキ液の流出量を減少させることができる。その結果、基材ｗに対するシールローラの密着による異物の付着を防止でき、基材ｗ上に形成された銅メッキ層に欠陥が生じることを防止できる。   Further, an inflow tank 4 that is open to the atmosphere is disposed downstream of the liquid ejection nozzle 20, a partition tank 46 partitioned by a plurality of partition walls 44 is provided in the inflow tank 4, and gradually toward the downstream side. Since the partition wall 44 is formed low, the plating solution corresponding to the height difference of the partition wall 44 can be gradually discharged toward the partition tank 46 on the downstream side. For this reason, similarly to the plating apparatus in the first embodiment, the subsequent plating solution can be prevented from flowing out, and the plating from the plating tank 1 can be efficiently performed without using a seal roller for sandwiching the base material w. The outflow amount of the liquid can be reduced. As a result, it is possible to prevent foreign matters from adhering to the base material w due to the close contact of the seal roller, and it is possible to prevent the copper plating layer formed on the base material w from being defective.

また、第１の実施形態におけるメッキ装置と同様に、液体噴出ノズル２０は、ヘッドタンク２３に貯留された循環液貯留槽３から供給されたメッキ液を自然流下による一定の噴出圧力によって噴出するため、噴出圧力の強弱によるスリット１０からのメッキ液の流出を防止することができる。加えて、噴出口２０ａがヘッドタンク２３を通じて、メッキ槽１から排出された循環液貯留槽３内のメッキ液を噴出するため、メッキ槽１内に不純物が混入することを防止できる。   Similarly to the plating apparatus in the first embodiment, the liquid ejection nozzle 20 ejects the plating solution supplied from the circulating fluid storage tank 3 stored in the head tank 23 with a constant ejection pressure due to natural flow. Further, it is possible to prevent the plating solution from flowing out of the slit 10 due to the strength of the jet pressure. In addition, since the ejection port 20a ejects the plating solution in the circulating fluid storage tank 3 discharged from the plating tank 1 through the head tank 23, it is possible to prevent impurities from entering the plating tank 1.

なお、本発明は、上述の実施形態により何ら限定されるものではない。例えば、処理槽は、メッキ槽１でなくてもよく、内部に処理液が収容され、端部側壁１ｂに基材ｗが通過可能な細長状の一対の開口１０が形成されたものであればよい。   In addition, this invention is not limited at all by the above-mentioned embodiment. For example, the processing tank does not have to be the plating tank 1, as long as the processing liquid is accommodated therein and a pair of elongated openings 10 through which the base material w can pass are formed on the end side wall 1 b. Good.

第１の実施形態におけるメッキ装置の横断面図である。It is a cross-sectional view of the plating apparatus in the first embodiment. 図１のII−II線矢示図である。It is an II-II line arrow figure of FIG. 図２のIII−III線矢示図である。FIG. 3 is a view taken along line III-III in FIG. 2. 第２の実施形態におけるメッキ装置の横断面図である。It is a cross-sectional view of the plating apparatus in the second embodiment. 図４のＶ−Ｖ線矢示図である。It is the VV line arrow figure of FIG. 液体噴出ノズル２０の横断面図である。3 is a cross-sectional view of the liquid ejection nozzle 20. FIG. 図７のＶＩＩ−ＶＩＩ矢示図であり、スリット１０と液体噴出ノズル２０とを示す縦断面図である。It is a VII-VII arrow figure of Drawing 7, and is a longitudinal section showing slit 10 and liquid jet nozzle 20. 液体噴出ノズル２０の第２の例を示す縦断面図である。4 is a longitudinal sectional view showing a second example of the liquid ejection nozzle 20. FIG. 液体噴出ノズル２０の第３の例を示す縦断面図である。4 is a longitudinal sectional view showing a third example of the liquid ejection nozzle 20. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ 処理槽（メッキ槽）
１ｂ 端部側壁（対向側面）
２ シール機構
１０ スリット（開口）
２０ 液体噴出ノズル 1 treatment tank (plating tank)
1b End side wall (opposite side)
2 Sealing mechanism 10 Slit (opening)
20 Liquid ejection nozzle

Claims (9)

内部に処理液が収容された処理槽を有し、上記処理槽の対向側面に、それぞれ帯幅方向が上下方向に向けて配設されて搬送される帯状の基材を通過させる細長状の開口が形成され、上記開口の周囲にそれぞれ上記処理液の流出を抑制するシール機構が備えられた基材処理装置であって、
上記シール機構は、上記処理液の液面下の上記開口側に向けて上記処理液を噴出させる液体噴出ノズルを有することを特徴とする基材処理装置。 An elongated opening having a treatment tank containing a treatment liquid inside, and passing a belt-like base material that is disposed on the opposite side surface of the treatment tank so that the band width direction is arranged vertically. And a substrate processing apparatus provided with a sealing mechanism for suppressing the outflow of the processing liquid around the opening,
The substrate processing apparatus, wherein the sealing mechanism includes a liquid ejection nozzle that ejects the processing liquid toward the opening side below the surface of the processing liquid. 上記対向側面の外部には、当該対向側面を一側面として上記開口を囲繞し、当該開口から流出した上記処理液を回収する有底筒状の回収槽が設けられ、
上記液体噴出ノズルは、上記回収槽内であって、かつ上記開口を間に挟む両側にそれぞれ設けられるととともに、各々が上記開口を通過する上記基材の搬送方向に交差する方向に向けて上記処理液を噴出するように配設されていることを特徴する請求項１に記載の基材処理装置。 Outside the opposed side surface is provided with a bottomed cylindrical collection tank that surrounds the opening with the opposed side surface as one side surface and collects the treatment liquid flowing out from the opening,
The liquid ejection nozzle is provided in both sides of the recovery tank and sandwiching the opening, and each of the liquid ejection nozzles is directed toward a direction intersecting a transport direction of the base material passing through the opening. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is disposed so as to eject a processing liquid. 上記液体噴出ノズルは、噴出圧力がヘッド圧によって一定に保たれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基材処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid jet nozzle is maintained at a constant jet pressure by a head pressure. 上記シール機構は、上記回収槽内における上記液体噴出ノズルの下流側であって、上記基材を間に挟む両側に、それぞれ上記基材の表面に沿って上記処理液の流出路を形成するとともに、上記流出路に連通した上記処理液の複数の滞留部を形成し、上記処理液の流速を低下させるラビリンスが形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の基材処理装置。   The sealing mechanism is formed on the downstream side of the liquid ejection nozzle in the recovery tank and on both sides of the base material between the processing liquid outflow paths along the surface of the base material. The base material processing apparatus according to claim 2, wherein a labyrinth is formed that forms a plurality of staying portions of the processing liquid communicating with the outflow path and reduces a flow rate of the processing liquid. . 上記シール機構は、上記回収槽内における上記液体噴出ノズルの下流側に、上記処理液が貯留可能な大気開放型の流入槽が配設され、
上記流入槽は、槽内に上記基材の搬送方向に交差する方向に向けて複数枚の仕切壁が上記搬送方向に沿って配設されることによって、上記槽内が複数の区画槽に区切られるとともに、上記仕切壁が下流側に向けて、漸次、低く形成され、上記開口に対応して上記基材が通過する開口が形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の基材処理装置。 The sealing mechanism is provided with an air-opening inflow tank in which the processing liquid can be stored downstream of the liquid ejection nozzle in the recovery tank,
The inflow tank is divided into a plurality of partition tanks by arranging a plurality of partition walls along the transport direction in a direction crossing the transport direction of the base material in the tank. The partition wall is gradually formed lower toward the downstream side, and an opening through which the base material passes is formed corresponding to the opening. Base material processing equipment. 上記液体噴出ノズルは、上記基材側の対向面に上記処理液を噴出する上記噴出口が上下方向に向けて細長状に形成されるとともに、上記対向面が上記基材と０．１ｍｍ以上であって、２．５ｍｍ以下の間隔を保つように配設されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の基材処理装置。   In the liquid ejection nozzle, the ejection port for ejecting the treatment liquid is formed in an elongated shape in the vertical direction on the opposing surface on the substrate side, and the opposing surface is 0.1 mm or more from the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate processing apparatus is disposed so as to maintain an interval of 2.5 mm or less. 上記液体噴出ノズルは、上記対向面の上記処理槽側の内方端部から上記噴出口までの面幅Ｌ１よりも、上記対向面の上記処理槽と反対側の外方端部から上記噴出口までの面幅Ｌ２が大きくなるように形成されるとともに、上記面幅Ｌ１及びＬ２が５ｍｍ≦Ｌ１≦５０ｍｍであって、１５ｍｍ≦Ｌ２≦８０ｍｍであることを特徴とする請求項６に記載の基材処理装置。   The liquid ejection nozzle is formed from the outer end of the facing surface on the opposite side to the processing tank and from the outer end of the facing surface on the opposite side of the surface width L1 from the inner end of the facing surface to the ejection port. 7. The base according to claim 6, wherein the surface widths L 2 and L 2 are 5 mm ≦ L 1 ≦ 50 mm and 15 mm ≦ L 2 ≦ 80 mm. Material processing equipment. 上記処理槽は、大気開放型であるとともに、上記噴出口は、上記開口の上端に対応する位置から下方に向けて、上記開口の全長の１／２０以上であって、１／２以下の長さに形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の基材処理装置。   The treatment tank is open to the atmosphere, and the jet port is 1/20 or more and 1/2 or less of the entire length of the opening downward from a position corresponding to the upper end of the opening. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the substrate processing apparatus is formed. 上記処理槽は、大気開放型であるとともに、上記噴出ノズルは、その対向面と上記基材との間隔が漸次下方に向けて狭くなるように配設されていることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一項に記載の基材処理装置。   7. The treatment tank according to claim 6, wherein the treatment tank is open to the atmosphere, and the ejection nozzle is disposed so that a distance between the facing surface and the base material is gradually narrowed downward. The base material processing apparatus as described in any one of thru | or 8.
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