JP2008118139A - 垂直型発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1伝導性半導体層30と、該第1伝導性半導体層上に位置する発光層20と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層40を有する第2伝導性半導体層10と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造50が形成されている構造としている。
【選択図】図4
Description
20 窒化物多重量子井戸発光層20
30 p−型窒化物半導体層
40 エッチング障壁層
50 光抽出構造
60 第1電極
61 オーミック電極
62 反射電極
70 支持層
80 基板
81 バッファ層
Claims (20)
- 第1伝導性半導体層と、
該第1伝導性半導体層上に位置する発光層と、
該発光層上に位置し、エッチング障壁層を有する第2伝導性半導体層と、
を含んで構成されることを特徴とする垂直型発光素子。 - 前記エッチング障壁層上に、光抽出構造が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。
- 前記光抽出構造は、前記エッチング障壁層上に位置する第2伝導性半導体層に形成されたパターンであることを特徴とする請求項2に記載の垂直型発光素子。
- 前記エッチング障壁層は、AlxInyGa1−x−yN(0≦x,y≦1)層であることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。
- 前記エッチング障壁層のエネルギーバンドギャップは、前記第2伝導性半導体層よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。
- 前記エッチング障壁層は、2層以上の多重層として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。
- 前記エッチング障壁層は、前記第2伝導性半導体層の物質と交互に形成されたものであることを特徴とする請求項6に記載の垂直型発光素子。
- 前記エッチング障壁層は、
前記第2伝導性半導体層よりもエネルギーバンドギャップの大きい物質と、
前記第2伝導性半導体層とエネルギーバンドギャップが等しいか又は小さい物質と、
を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。 - 前記第2伝導性半導体層は、n−型半導体層であることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。
- 前記第1伝導性半導体層は、支持層又は該支持層上に位置する第1電極上に位置することを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光素子。
- 前記第1電極は、
反射電極と、
該反射電極上に位置するオーミック電極と、
を含むことを特徴とする請求項10に記載の垂直型発光素子。 - 第1伝導性半導体層と、
該第1伝導性半導体層上に位置する発光層と、
該発光層上に位置し、外側面に光抽出構造が形成された第2伝導性半導体層と、
該第2伝導性半導体層の間に位置し、前記第2伝導性半導体層よりもバンドギャップの大きい少なくとも1層の窒化物半導体層と、
を含んで構成されることを特徴とする垂直型発光素子。 - 前記光抽出構造の深さが、前記第2伝導性半導体層の外側面から前記窒化物半導体層に達するまでであることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光素子。
- 前記窒化物半導体層は、2層以上の多重層であって、前記第2伝導性半導体層の物質と交互に形成されたものであることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光素子。
- 前記窒化物半導体層は、
前記第2伝導性半導体層よりもエネルギーバンドギャップの大きい窒化物半導体層と、
前記第2伝導性半導体層とエネルギーバンドギャップが等しいか又は小さい窒化物半導体層と、
を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光素子。 - 前記光抽出構造は、前記第2伝導性半導体層の外側面に光電化学エッチングによって形成されたものであることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光素子。
- 前記窒化物半導体層のエネルギーバンドギャップは、前記光電化学エッチングに用いられる光線の光子エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 基板上に第1伝導性半導体層を形成する段階と、
該第1伝導性半導体層上に、当該第1伝導性半導体層よりもエネルギーバンドギャップの大きい少なくとも一つの窒化物半導体層を有するエッチング障壁層を形成する段階と、
該エッチング障壁層上に第1伝導性半導体層を形成する段階と、
該第1伝導性半導体層上に発光層を形成する段階と、
該発光層上に第2伝導性半導体層を形成する段階と、
前記基板を除去する段階と、
前記基板の除去によって露出した前記第1伝導性半導体層の表面をエッチングし、光抽出構造を形成する段階と、
を含むことを特徴とする垂直型発光素子の製造方法。 - 前記光抽出構造を形成する段階において、光電化学エッチング法を用いることを特徴とする請求項18に記載の垂直型発光素子の製造方法。
- 前記エッチング障壁層を形成する段階において、
前記第1伝導性半導体層よりもエネルギーバンドギャップの大きい窒化物半導体層と、
前記第1伝導性半導体層とエネルギーバンドギャップが等しいか又は小さい窒化物半導体層と、
を交互に形成することを特徴とする請求項18に記載の垂直型発光素子の製造方法。
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