JP2008117889A

JP2008117889A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2008117889A
Application number: JP2006298758A
Authority: JP
Inventors: Iwao Tanaka; 巌田中
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-11-02
Filing date: 2006-11-02
Publication date: 2008-05-22

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To advance processing while a temperature of processing liquid on a substrate is kept to be more appropriate and to make an apparatus structure to be simple and inexpensive. <P>SOLUTION: An etching device 10 supplies etching liquid onto an upper face of the substrate S while it conveyed the substrate S in a horizontal posture. The etching device 10 is provided with each roller conveyor 16 conveying the substrate S in a state where rollers 26 support both end parts in a width direction of the substrate S, which are regions outside of a prescribed pattern forming region, and fluid pressure supporting devices 17 supporting the substrate S from below by fluid pressure by jetting out fluid (etching liquid) in a temperature which is the same as for etching liquid in a position on an inner side in the width direction compared to a supporting position of the substrate S by the rollers 26. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、プリント基板、半導体基板等の基板に各種処理液を供給して処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention supplies various processing solutions to substrates such as glass substrates for FPD (flat panel displays) such as LCDs (liquid crystal display devices) and PDPs (plasma displays), glass substrates for photomasks, printed substrates, and semiconductor substrates. The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing.

従来、この種の基板処理装置として、例えば特許文献１には、水平姿勢で搬送されるＬＣＤ用ガラス基板等の基板の表面に処理液を供給することにより基板上に液層を形成し、この状態で基板を搬送しながら、あるいは一時的に静止させた状態で処理を行う、いわゆるパドル方式の処理を行う装置が提案されている。 Conventionally, as this type of substrate processing apparatus, for example, in Patent Document 1, a liquid layer is formed on a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate such as an LCD glass substrate conveyed in a horizontal posture. There has been proposed an apparatus for performing a so-called paddle-type process, in which a process is performed while a substrate is transported in a state or is temporarily stopped.

他方、特許文献２には、基板を水平姿勢で搬送しながら、その途中で基板全体を処理液中に浸漬することにより処理を進める、いわゆるディップ方式の処理を行う装置が提案されている。
特開２００２−３２４７５１号公報特開平１１−３０５４４９号公報 On the other hand, Patent Document 2 proposes an apparatus that performs a so-called dip process, in which a substrate is transported in a horizontal posture, and the entire substrate is immersed in a processing solution in the middle of the transfer.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-324751 Japanese Patent Laid-Open No. 11-305449

上記のような基板処理装置は、基板に対して現像処理やエッチング処理等を施す装置として適用されているが、処理液の温度管理の観点から次のような課題がある。 The substrate processing apparatus as described above is applied as an apparatus for performing development processing, etching processing, or the like on the substrate, but has the following problems from the viewpoint of temperature management of the processing liquid.

すなわち、パドル方式やディップ方式の処理プロセスでは、所定温度に温調された処理液を基板に供給して処理を進めるケースが多い。この場合、特許文献１の装置（パドル方式の処理装置）では、搬送ローラによりその下側から基板が支持されているため、熱伝導によりローラとの接触部分で処理液の温度が低下し易く、これによっていわゆる処理ムラを招くことが考えられる。これに対し、特許文献２の装置（ディップ方式の処理装置）では、基板を処理液に浸漬させるため、パドル方式のようなローラとの接触による処理液の温度低下という問題は無いが、基板の搬送経路上に処理液の貯溜設備を設ける必要があるため、装置構成が複雑、かつ高価なものとなるという課題ある。 That is, in the paddle type or dip type processing process, the processing is often performed by supplying a processing liquid whose temperature is adjusted to a predetermined temperature to the substrate. In this case, in the apparatus of Patent Document 1 (paddle type processing apparatus), since the substrate is supported from the lower side by the transport roller, the temperature of the processing liquid is likely to decrease at the contact portion with the roller due to heat conduction, This may cause so-called processing unevenness. On the other hand, in the apparatus of Patent Document 2 (dip type processing apparatus), since the substrate is immersed in the processing liquid, there is no problem of a temperature drop of the processing liquid due to contact with a roller as in the paddle method. Since it is necessary to provide a storage facility for the processing liquid on the transport path, there is a problem that the apparatus configuration is complicated and expensive.

本発明は、このような従来装置の課題に鑑みて成されたものであり、基板上の処理液の温度をより適正に保ちながら処理を進めることができ、しかも、装置構成が簡単、かつ安価な基板処理装置を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the problems of the conventional apparatus as described above, and can perform processing while maintaining the temperature of the processing liquid on the substrate more appropriately, and the apparatus configuration is simple and inexpensive. An object of the present invention is to provide a simple substrate processing apparatus.

上記の課題に鑑み、本発明は、水平姿勢で搬送される基板の上面に、処理液供給手段により処理液を供給することにより当該基板に処理を施す基板処理装置において、前記基板のうち、その搬送方向と直交する方向である幅方向の両端部分であって、かつ所定のパターン形成領域よりも外側の領域を支持部材により支持した状態で前記基板を搬送する搬送手段と、前記支持部材による基板の支持位置よりも幅方向内側の位置で前記処理液と同温度の流体を噴出することによりその流体圧により前記基板をその下側から支持する流体圧支持手段とを備えているものである。 In view of the above problems, the present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate transported in a horizontal posture by a processing liquid supply means. Conveying means for conveying the substrate in a state where both ends of the width direction, which is a direction orthogonal to the conveying direction, and outside the predetermined pattern forming region are supported by a supporting member, and the substrate by the supporting member Fluid pressure support means for supporting the substrate from the lower side by the fluid pressure by ejecting a fluid having the same temperature as the processing liquid at a position on the inner side in the width direction from the support position.

この構成によると、基板は、その両端部分を搬送手段の支持部材により支持された状態で、この支持部材の作動に伴い搬送されるが、支持部材は、所定のパターン形成領域よりも幅方向外側の領域で基板を支持するため、支持部材と基板との接触部分で処理液の温度が熱伝導により低下しても実質的な処理への影響は無い。しかも、基板は、流体圧支持手段による流体圧により支持されているため自重により撓むことなく水平に保たれる。その上、その流体は、処理液と同温度であることから、基板上の処理液の温度に影響を与えることがないばかりか、基板上の処理液の保温に有効に作用することとなる。 According to this configuration, the substrate is transported in accordance with the operation of the support member in a state in which both end portions thereof are supported by the support member of the transport unit, but the support member is outside in the width direction from the predetermined pattern formation region. Since the substrate is supported in this area, even if the temperature of the treatment liquid is lowered by heat conduction at the contact portion between the support member and the substrate, there is no substantial influence on the treatment. Moreover, since the substrate is supported by the fluid pressure by the fluid pressure support means, it is kept horizontal without being bent by its own weight. In addition, since the fluid has the same temperature as the processing liquid, it does not affect the temperature of the processing liquid on the substrate, and effectively acts on the heat retention of the processing liquid on the substrate.

この装置において、前記流体圧支持手段は、前記基板に対し、少なくとも前記パターン形成領域における幅方向全体に亘って流体圧が作用するように前記流体を噴出させるのが好適である。 In this apparatus, it is preferable that the fluid pressure support means ejects the fluid so that the fluid pressure acts on the substrate over at least the entire width direction in the pattern formation region.

この構成によると、基板のパターン形成領域により確実に流体圧を作用させることが可能となる。 According to this configuration, the fluid pressure can be reliably applied to the pattern formation region of the substrate.

また、上記装置において、前記流体圧支持手段は、それぞれ前記流体を噴出し、かつ所定の配列で配備される複数の単位支持部を有するのが好適である。 Further, in the above apparatus, it is preferable that the fluid pressure support means has a plurality of unit support portions each ejecting the fluid and arranged in a predetermined arrangement.

この構成によると、各単位支持部から噴出した流体が隣設される単位支持部材間の隙間に速やかに流れ込むこととなるため、基板と流体圧支持手段との間に流体が長時間滞留するのを防止することが可能となる。 According to this configuration, since the fluid ejected from each unit support portion quickly flows into the gap between the adjacent unit support members, the fluid stays between the substrate and the fluid pressure support means for a long time. Can be prevented.

この場合、前記単位支持部は、基板の搬送方向に所定間隔を隔てて複数並べて配備されており、前記搬送手段は、前記支持部材として基板の幅方向両端部分を支持する一対のローラをローラ軸により連結した複数の搬送ローラが基板の搬送方向に並設されてなるローラコンベアからなり、前記搬送ローラは、前記流体圧支持手段の各単位支持部の間にそれぞれ配備されているのが好適である。 In this case, a plurality of the unit support portions are arranged side by side at a predetermined interval in the substrate transport direction, and the transport means includes a pair of rollers that support both end portions in the width direction of the substrate as the support members. It is preferable that a plurality of transport rollers connected by the above-described transport rollers are arranged in parallel in the substrate transport direction, and the transport rollers are respectively disposed between the unit support portions of the fluid pressure support means. is there.

この構成によると、流体圧支持手段を設けながらも、従来のこの種の装置と同様にローラコンベアを用いた簡素な構成で基板を搬送することができ、しかも、発明の実施の形態中で詳細に説明するように、ローラの支持強度を確保するとともに、基板両側のローラを同期回転させる機構を簡素な構成とすることが可能となる。 According to this configuration, while providing the fluid pressure support means, the substrate can be transported with a simple configuration using a roller conveyor as in the conventional apparatus of this type, and the details are described in the embodiments of the invention. As described above, the mechanism for rotating the rollers on both sides of the substrate synchronously while ensuring the supporting strength of the rollers can be simplified.

なお、上記装置において、処理液供給手段が、基板の搬送方向に所定間隔を隔てて配備されるものでは、前記流体圧支持手段は、前記処理液供給手段に対応する部分の流体の噴出圧力がそれ以外の部分の噴出圧力よりも高くなるように構成されているのが好ましい。 In the above apparatus, when the processing liquid supply means is provided at a predetermined interval in the substrate transport direction, the fluid pressure support means has a fluid ejection pressure at a portion corresponding to the processing liquid supply means. It is preferable to be configured so as to be higher than the ejection pressure of other portions.

つまり、処理液供給手段に対応する位置では、基板上に供給される処理液の液圧により基板が下向きに撓み易くなるが、上記のように処理液供給手段に対応する部分の流体の噴出圧力を高めにしておくことで、そのような基板の撓みを防止することが可能となる。 That is, at the position corresponding to the processing liquid supply means, the substrate is easily bent downward by the liquid pressure of the processing liquid supplied onto the substrate, but the fluid ejection pressure at the portion corresponding to the processing liquid supply means as described above By raising the height, it becomes possible to prevent such bending of the substrate.

また、上記装置において、前記流体圧支持手段は、前記処理液供給手段よる処理液の供給位置よりも基板搬送方向における下流側に配備されているものであってもよい。 Further, in the above apparatus, the fluid pressure support means may be disposed downstream of the processing liquid supply position by the processing liquid supply means in the substrate transport direction.

例えば、流体圧支持手段を処理液の供給位置を含む広い範囲に配備し、処理液の供給前から流体圧支持手段の流体を基板に作用させるようにしてもよいが、上記のように、処理液の供給位置よりも下流側、つまり基板上に処理液が供給された後に当該基板に流体圧を作用させる方が、無駄がなく装置構成が合理的なものとなる。 For example, the fluid pressure support means may be arranged in a wide range including the supply position of the processing liquid, and the fluid of the fluid pressure support means may act on the substrate before the supply of the processing liquid. It is less wasteful to apply the fluid pressure to the substrate downstream of the liquid supply position, that is, after the processing liquid is supplied onto the substrate, and the apparatus configuration is rational.

また、上記装置において、前記流体圧支持手段は、水平面に多数の開口が形成された前記流体の噴出面をもつ箱形のノズルを有するものであるのが好適である。 In the above apparatus, it is preferable that the fluid pressure support means has a box-shaped nozzle having a fluid ejection surface in which a large number of openings are formed in a horizontal plane.

この構成によれば、簡素なノズル構成で基板の下面に対して均等に流体圧を作用させることが可能となる。 According to this configuration, it is possible to apply fluid pressure evenly to the lower surface of the substrate with a simple nozzle configuration.

なお、前記流体圧支持手段は、前記流体として前記処理液と同種の処理液を噴出するもの、あるいは前記流体として気体を噴出するものであるのが好適である。 The fluid pressure support means preferably ejects a treatment liquid of the same type as the treatment liquid as the fluid, or ejects a gas as the fluid.

例えば、前記流体として処理液と異なる液体を用いてもよいが、上記のような流体を用いれば処理液等の供給や回収に関し種々の利点がある。つまり、前者の場合は、流体として処理液と同種のものを用いるので、流体圧支持手段における流体の供給系統や回収系統を処理液のものと共通化することが可能となる。また、後者の場合には、処理液と気体とを容易に分離して回収することが可能となる。 For example, a liquid different from the processing liquid may be used as the fluid, but using the fluid as described above has various advantages with respect to supply and recovery of the processing liquid and the like. That is, in the former case, since the same type of fluid as the processing liquid is used, the fluid supply system and the recovery system in the fluid pressure support means can be made common with those of the processing liquid. In the latter case, the treatment liquid and the gas can be easily separated and recovered.

本発明の請求項１に係る基板処理装置によると、基板のうちパターン形成領域よりも外側の領域を搬送手段の支持部材により支持し、パターン形成領域については処理液と同温度の流体による流体圧により支持するようにしたので、基板上に供給される処理液の温度を適正に保ちながら処理を進めることができる。しかも、構成的には、基板の両端を支持して当該基板を搬送する搬送手段と、流体を噴出させて基板の下面に作用させる流体圧支持手段とを設けただけの簡単、かつ安価な構成で上記効果を得ることができる。 According to the substrate processing apparatus of the first aspect of the present invention, the region outside the pattern formation region of the substrate is supported by the support member of the transport unit, and the fluid pressure by the fluid having the same temperature as the processing liquid is supported in the pattern formation region. Therefore, the processing can be performed while keeping the temperature of the processing solution supplied onto the substrate appropriately. In addition, in terms of configuration, a simple and inexpensive configuration in which a transport unit that supports both ends of the substrate and transports the substrate and a fluid pressure support unit that ejects fluid to act on the lower surface of the substrate is provided. The above effect can be obtained.

請求項２に係る基板処理装置によると、基板のうちパターン形成領域に供給された処理液の温度変化を効果的に防止することが可能となり、パターン形成領域に対する処理をより適切に進めることができる。 According to the substrate processing apparatus of the second aspect, it becomes possible to effectively prevent the temperature change of the processing liquid supplied to the pattern formation region of the substrate, and the processing on the pattern formation region can be more appropriately advanced. .

請求項３に係る基板処理装置によると、基板と流体圧支持手段との間に流体が長時間滞留するのを防止することができ、当該滞留による弊害、例えば滞留した流体により基板が持ち上げられて上向きに撓むといった現象の発生を効果的に防止することができる。 According to the substrate processing apparatus of the third aspect, it is possible to prevent the fluid from staying between the substrate and the fluid pressure support means for a long time, and for example, the substrate is lifted by the staying fluid. Occurrence of the phenomenon of bending upward can be effectively prevented.

請求項４に係る基板処理装置によると、請求項３の効果に加え、搬送ローラを用いた簡素な構成で基板を搬送することができる。また、構造上、ローラ本体の支持強度を高めることができる等の利点もある。 According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, in addition to the effect of the third aspect, the substrate can be transported with a simple configuration using transport rollers. In addition, there is an advantage that the support strength of the roller body can be increased due to the structure.

請求項５に係る基板処理装置によると、処理液供給手段により供給される処理液の液圧で基板が下向きに撓むのを有効に防止することができ、より確実に基板を水平に保つことができる。 According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect, it is possible to effectively prevent the substrate from being bent downward by the liquid pressure of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means, and to keep the substrate horizontal more reliably. Can do.

請求項６に係る基板処理装置によると、基板上に供給される処理液の温度を適正に保ちながら処理を進める一方で、必要最小限の箇所に流体圧支持手段を配備した合理的な構成が達成される。 According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, while the processing proceeds while maintaining the temperature of the processing liquid supplied onto the substrate appropriately, a rational configuration in which the fluid pressure support means is provided at the minimum necessary position. Achieved.

請求項７に係る基板処理装置によると、簡素な構成で基板の下面に均等に流体圧を作用させることが可能となり、その結果、基板の水平姿勢をより確実に保ちながら処理を進めることができる。 According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, it is possible to apply fluid pressure evenly to the lower surface of the substrate with a simple configuration, and as a result, it is possible to proceed with processing while maintaining the horizontal posture of the substrate more reliably. .

請求項８に係る基板処理装置によると、流体圧支持手段における流体の供給系統や回収系統を処理液供給手段のものと共通化することが可能となり、装置構成の合理化を進めることができる。 According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, the fluid supply system and the recovery system in the fluid pressure support means can be shared with those of the processing liquid supply means, and the rationalization of the apparatus configuration can be promoted.

請求項９に係る基板処理装置によると、流体圧支持手段の流体として処理液とは異なる種類のものを用いながらもその分離回収を容易に行うことができ、装置構成を簡素化する上で有利になる。 According to the substrate processing apparatus of the ninth aspect, it is possible to easily separate and recover the fluid of the fluid pressure support means while using a different kind of the processing liquid, which is advantageous in simplifying the apparatus configuration. become.

本発明の第１の実施の形態について図面を用いて説明する。 A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は本発明に係る基板処理装置であるエッチング装置の概略を側面図で示している。この図に示すように、エッチング装置１０は、区画形成された処理槽１２を有しており、この処理槽１２の内部に、矩形の基板Ｓを水平姿勢で搬送するローラコンベア１６と、当該コンベア１６とは別に、基板Ｓをその下側から支持する流体圧支持装置１７と、基板Ｓにエッチング液（処理液）を供給する複数のノズル１８（本発明に係る処理液供給手段に相当する）とを備えている。 FIG. 1 is a side view schematically showing an etching apparatus which is a substrate processing apparatus according to the present invention. As shown in this figure, the etching apparatus 10 has a processing tank 12 that is partitioned, and a roller conveyor 16 that transports a rectangular substrate S in a horizontal posture into the processing tank 12, and the conveyor. In addition to 16, a fluid pressure support device 17 that supports the substrate S from below, and a plurality of nozzles 18 that supply the etching solution (processing solution) to the substrate S (corresponding to the processing solution supply means according to the present invention). And.

上記処理槽１２には、その壁面に基板の導入口１４ａおよび導出口１４ｂが設けられており、これら導入口１４ａおよび導出口１４ｂを介して処理槽１２と隣設された処理槽１１，１３とが互いに連通している。つまり、上流側の処理槽１１で処理を終えた基板Ｓが導入口１４ａを介して処理槽１２に搬入され、ここで同図中白抜き矢印方向に搬送されながらエッチング処理が施された後、上記導出口１４ｂを介して下流側の処理槽１３に搬出されるようになっている。なお、図示を省略するが、導入口１４ａおよび導出口１４ｂには、それぞれシャッターが設けられており、処理中は、該シャッターにより導入口１４ａおよび導出口１４ｂが閉じられることにより処理槽１２内が密閉されるようになっている。 The processing tank 12 has substrate inlets 14a and outlets 14b on its wall surface, and processing tanks 11 and 13 adjacent to the processing tank 12 through the inlets 14a and outlets 14b. Are in communication with each other. That is, after the substrate S that has been processed in the upstream processing tank 11 is carried into the processing tank 12 through the introduction port 14a, the etching process is performed while being conveyed in the direction of the white arrow in FIG. It is carried out to the processing tank 13 on the downstream side through the outlet 14b. Although not shown in the drawings, the introduction port 14a and the outlet port 14b are provided with shutters, respectively, and during the processing, the introduction port 14a and the outlet port 14b are closed by the shutter, whereby the inside of the processing tank 12 is formed. It is designed to be sealed.

前記ノズル１８は、例えばシャワーノズルからなり、前記ローラコンベア１６により水平姿勢で搬送される基板Ｓの上面にエッチング液を供給するようになっている。 The nozzle 18 is composed of, for example, a shower nozzle, and supplies an etching solution to the upper surface of the substrate S conveyed in a horizontal posture by the roller conveyor 16.

各ノズル１８は、例えば基板Ｓの搬送方向と直交する方向（以下、幅方向という）に延びる筒状のバッファ部に複数の吐出口が一定間隔で幅方向に並んだ構成を有しており、基板Ｓの搬送方向に一定間隔で配列されて処理槽１２の天井部分に支持されている。 Each nozzle 18 has, for example, a configuration in which a plurality of discharge ports are arranged in the width direction at regular intervals in a cylindrical buffer portion extending in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate S (hereinafter referred to as the width direction). The substrates S are arranged at regular intervals in the transport direction and are supported by the ceiling portion of the processing bath 12.

エッチング液は、同図に示すように、処理槽外に設置される貯溜タンク４０に貯溜されており、ポンプ４４の作動により前記タンク４０から導出管４２を通じて導出されつつ供給管４６を通じて各ノズル１８に供給される。そして、使用済みのエッチング液は、処理槽１２の内底部に形成される漏斗状の集液パン１２ｂによって集液されながら廃液管４８を通じて図外の廃液タンクに導出されるようになっている。なお、貯溜タンク４０には、温調器として例えばヒータ４１が設けられており、これによってエッチング液が最適温度に温調されつつ基板Ｓに供給されるようになっている。 As shown in the figure, the etching solution is stored in a storage tank 40 installed outside the processing tank, and is led out from the tank 40 through the lead-out pipe 42 by the operation of the pump 44 and is supplied to each nozzle 18 through the supply pipe 46. To be supplied. The used etching solution is led to a waste liquid tank (not shown) through a waste liquid pipe 48 while being collected by a funnel-shaped liquid collection pan 12b formed at the inner bottom of the processing tank 12. The storage tank 40 is provided with, for example, a heater 41 as a temperature controller, so that the etching solution is supplied to the substrate S while being adjusted to an optimum temperature.

前記ローラコンベア１６は、図１および図２に示すように、基板Ｓの搬送方向に並ぶ複数の搬送ローラと、モータを駆動源としてこれらの搬送ローラを同期して回転させる駆動機構とから構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the roller conveyor 16 includes a plurality of transport rollers arranged in the transport direction of the substrate S, and a drive mechanism that rotates these transport rollers in synchronization with a motor as a drive source. ing.

搬送ローラとしては、同図に示すように、処理槽１２の上流端および下流端にそれぞれ配備される一対の第１種搬送ローラ２１Ａと、これらの間に等間隔で並ぶ複数の第２種搬送ローラ２１Ｂとを備えている。 As the conveyance rollers, as shown in the figure, a pair of first type conveyance rollers 21A respectively disposed at the upstream end and the downstream end of the processing tank 12, and a plurality of second type conveyances arranged at equal intervals therebetween. And a roller 21B.

第１種搬送ローラ２１Ａは、処理槽１２の側板１２ａ（図３参照）に亘って支持される一本のローラ軸２４に、基板Ｓの幅方向両端部分を支持する一対の円錐型のローラ２２と、これらローラ２２の間の部分で基板Ｓを支持する複数の円盤型のローラ２３とが一体に設けられた構成となっている。なお、一対の円錐型のローラ２２は、それぞれ基板Ｓのうちパターンが形成される領域（パターン形成領域Ｐｅ；図３参照）よりも幅方向外側の部分を支持するように設けられている。 The first type transport roller 21A is a pair of conical rollers 22 that support both ends of the substrate S in the width direction on one roller shaft 24 supported across the side plate 12a (see FIG. 3) of the processing tank 12. In addition, a plurality of disk-type rollers 23 that support the substrate S in a portion between these rollers 22 are integrally provided. The pair of conical rollers 22 is provided so as to support a portion of the substrate S on the outer side in the width direction from the region where the pattern is formed (pattern forming region Pe; see FIG. 3).

これに対して、第２種搬送ローラ２１Ｂは、図３に示すように、基板Ｓの幅方向両端部分（パターン形成領域Ｐｅよりも外側の部分）を支持する円錐型の一対のローラ２６を有し、これらローラ２６が、ローラ軸２８を介して処理槽１２の各側板１２ａにそれぞれ片持ち状態で支持された構成となっている。つまり、第２種搬送ローラ２１Ｂは、一対のローラ２６が各側板１２ａに対して別個独立に支持された構成となっている。 On the other hand, as shown in FIG. 3, the second type transport roller 21B has a pair of conical rollers 26 that support both end portions in the width direction of the substrate S (portions outside the pattern formation region Pe). The rollers 26 are supported in a cantilevered state on the side plates 12 a of the processing tank 12 via the roller shafts 28. In other words, the second type transport roller 21B has a configuration in which a pair of rollers 26 are separately supported with respect to the side plates 12a.

前記駆動機構については詳細図を省略するが、モータを駆動源として備え、このモータの回転駆動力を、ベルト伝動機構を介して各ローラ軸２４，２８に伝達することにより、各搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂを同期して回転させるようになっている。 Although a detailed view of the drive mechanism is omitted, a motor is provided as a drive source, and the rotational driving force of the motor is transmitted to the roller shafts 24 and 28 via the belt transmission mechanism, whereby each transport roller 21A, 21B is rotated synchronously.

流体圧支持装置１７は、流体を上向きに噴出させ、その流体圧で前記ローラコンベア１６により搬送される基板Ｓを支持するものである。図２および図３に示すように、この流体圧支持装置１７は、各第２種搬送ローラ２１Ｂに対応してこれらのローラ２６間にそれぞれ配備される複数のノズル３２（本発明に係る単位支持部に相当する）と、このノズル３２に対して流体を供給する流体供給手段とから構成されている。 The fluid pressure support device 17 ejects fluid upward, and supports the substrate S conveyed by the roller conveyor 16 with the fluid pressure. As shown in FIGS. 2 and 3, the fluid pressure support device 17 includes a plurality of nozzles 32 (unit support according to the present invention) provided between the rollers 26 corresponding to the second-type transport rollers 21B. And fluid supply means for supplying fluid to the nozzle 32.

ノズル３２は、幅方向に細長で、かつ上面に水平な液供給面３３（図３では上面）を有する断面矩形の箱形のノズルであり、液供給面３３に形成される多数の吐出口から流体を上向きに噴出するように構成されている。各ノズル３２は、前記各ローラ２２，２６による基板Ｓの支持位置よりも僅かに液供給面３３が下方に位置にするように配備され、それぞれ処理槽１２に固定されている。 The nozzle 32 is a box-shaped nozzle having a rectangular cross section having a liquid supply surface 33 (upper surface in FIG. 3) that is elongated in the width direction and is horizontal on the upper surface. The fluid is ejected upward. Each nozzle 32 is arranged such that the liquid supply surface 33 is positioned slightly below the support position of the substrate S by each of the rollers 22 and 26, and is fixed to the processing tank 12.

ノズル３２から噴出する流体としては、この装置１０の処理液であるエッチング液が用いられている。そのため、前記流体供給手段は、前記ノズル１８に対するエッチング液の供給系統の大部分を利用した構成となっている。すなわち、図１に示すように、前記供給管４６にはその途中部分から分岐する分岐管４７が設けられ、この分岐管４７を通じて各ノズル３２に対してエッチング液が供給されるようになっている。分岐管４７の途中部分には流量調整バルブが介設されており、このバルブにより流量調整が行われることにより、各ノズル３２からそれぞれ所定圧力でエッチング液が噴出するようになっている。 As the fluid ejected from the nozzle 32, an etching solution that is a processing solution of the apparatus 10 is used. Therefore, the fluid supply means is configured to use most of the etching solution supply system to the nozzle 18. That is, as shown in FIG. 1, the supply pipe 46 is provided with a branch pipe 47 branched from the middle portion thereof, and an etching solution is supplied to each nozzle 32 through the branch pipe 47. . A flow rate adjustment valve is provided in the middle of the branch pipe 47, and the flow rate is adjusted by this valve so that the etching solution is ejected from each nozzle 32 at a predetermined pressure.

ノズル３２から噴出するエッチング液の圧力は、第２種搬送ローラ２１Ｂにより両端が支持された基板Ｓがその液圧（流体圧）により水平姿勢に保たれる程度の圧力（実際には各吐出口からエッチング液が湧出する程度の圧力）とされ、基板Ｓの材質やサイズに応じて制御されるようになっている。 The pressure of the etching solution ejected from the nozzle 32 is such that the substrate S supported at both ends by the second type transport roller 21B is maintained in a horizontal posture by the liquid pressure (fluid pressure) (actually, each discharge port The pressure is such that the etching solution springs out) and is controlled according to the material and size of the substrate S.

なお、以下の説明では、便宜上、ノズル１８を上部ノズル１８と呼ぶ一方、ノズル３２を下部ノズル３２と呼び、また、下部ノズル３２から供給されるエッチング液については、特に必要な場合を除き単に流体と呼ぶことにする。 In the following description, for the sake of convenience, the nozzle 18 is referred to as the upper nozzle 18, the nozzle 32 is referred to as the lower nozzle 32, and the etching solution supplied from the lower nozzle 32 is simply a fluid unless particularly required. I will call it.

次に、エッチング装置１０における基板Ｓの処理動作についてその作用と共に説明する。 Next, the processing operation of the substrate S in the etching apparatus 10 will be described together with its operation.

前工程である処理槽１１での基板Ｓの処理が終了すると、導入口１４ａが開かれて基板Ｓが水平姿勢で処理槽１２内に搬入される。詳しくは、処理槽１１内の搬送ローラからローラコンベア１６の各搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂに順次基板Ｓが受け渡され、これら搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂの駆動により処理槽１２内の所定の処理位置（図１の位置）に基板Ｓがセットされる。この際、流体圧支持装置１７の各下部ノズル３２からは流体が噴出（湧出）しており、この流体圧が基板Ｓに対してその下側から作用ことにより、基板Ｓが撓むことなく水平姿勢のままで第１種搬送ローラ２１Ａから第２種搬送ローラ２１Ｂに受け渡されて前記処理位置にセットされることとなる。 When the processing of the substrate S in the processing tank 11 as the previous process is completed, the introduction port 14a is opened and the substrate S is carried into the processing tank 12 in a horizontal posture. Specifically, the substrate S is sequentially transferred from the transfer roller in the processing tank 11 to the transfer rollers 21A and 21B of the roller conveyor 16, and a predetermined processing position in the processing tank 12 (see FIG. 5) is driven by the transfer rollers 21A and 21B. 1), the substrate S is set. At this time, fluid is ejected (spouted) from the lower nozzles 32 of the fluid pressure support device 17, and the fluid pressure acts on the substrate S from below, so that the substrate S does not bend horizontally. With the posture maintained, the first-type transport roller 21A is transferred to the second-type transport roller 21B and set at the processing position.

基板Ｓが処理位置にセットされると、導入口１４ａが閉じ、上部ノズル１８から基板Ｓの上面にエッチング液が供給される。これにより基板Ｓのエッチング処理が開始される。 When the substrate S is set at the processing position, the introduction port 14a is closed, and the etching solution is supplied from the upper nozzle 18 to the upper surface of the substrate S. Thereby, the etching process of the substrate S is started.

この処理中、基板Ｓは、第２種搬送ローラ２１Ｂ（ローラ２６）により支持されているため、各ローラ２６と基板Ｓとの接触部分で熱伝導によりエッチング液の温度が低下することとなるが、各ローラ２６は上記の通りパターン形成領域Ｐｅよりも幅方向外側の部分を支持しているため、当該温度低下によるエッチング処理への実質型な影響は殆ど無い。また、基板Ｓは各下部ノズル３２から噴出される流体の圧力により水平姿勢に保たれているので、撓みにより基板Ｓが破損することもない。しかも、この流体は上記の通り、上部ノズル１８から供給されるエッチング液と同様にタンク４０で温調されたエッチング液であるため、上記のように基板Ｓに接することにより基板Ｓ上のエッチング液の温度維持に有効に作用する。従って、基板Ｓ上に供給されたエッチング液、特にパターン形成領域Ｐｅに供給されたエッチング液の温度低下が有効に防止され、これによりパターン形成領域Ｐｅにおけるエッチング処理がムラなく均一に進行することとなる。 During this process, since the substrate S is supported by the second type transport roller 21B (roller 26), the temperature of the etching solution is lowered by heat conduction at the contact portion between each roller 26 and the substrate S. Since each roller 26 supports the portion on the outer side in the width direction from the pattern forming region Pe as described above, there is almost no substantial influence on the etching process due to the temperature drop. Further, since the substrate S is maintained in a horizontal posture by the pressure of the fluid ejected from each lower nozzle 32, the substrate S is not damaged by bending. In addition, as described above, since this fluid is an etching solution whose temperature is adjusted in the tank 40 in the same manner as the etching solution supplied from the upper nozzle 18, the etching solution on the substrate S is brought into contact with the substrate S as described above. It works effectively to maintain the temperature. Therefore, the temperature drop of the etching solution supplied onto the substrate S, particularly the etching solution supplied to the pattern formation region Pe, can be effectively prevented, and the etching process in the pattern formation region Pe can proceed uniformly and uniformly. Become.

こうして所定時間だけエッチング処理が行われると、上部ノズル１８によるエッチング液の供給が停止される。そして、上記導出口１４ｂが開かれるとともにローラコンベア１６が作動し、これにより基板Ｓが各搬送ローラ２１Ｂ，２１Ａに順次受け渡されつつ導出口１４ｂを通じて処理槽１３に搬出され、当該処理槽１２における一連のエッチング処理が終了する。なお、各下部ノズル３２における流体の噴出は、基板Ｓの搬出後、停止されることとなる。 When the etching process is thus performed for a predetermined time, the supply of the etching solution by the upper nozzle 18 is stopped. Then, the outlet 14b is opened and the roller conveyor 16 is operated. As a result, the substrate S is sequentially transferred to the transport rollers 21B and 21A and is carried out to the processing tank 13 through the outlet 14b. A series of etching processes ends. In addition, the ejection of the fluid in each lower nozzle 32 is stopped after the substrate S is carried out.

以上のようなエッチング装置１０によると、水平姿勢で基板Ｓのエッチング液を進めながらも、基板Ｓに供給されたエッチング液の温度低下を効果的に防止することができる。そのため、ムラの無い高品質のエッチング処理を提供することができるようになる。しかも、構成的には、処理用のエッチング液を供給する上部ノズル１８の他には、主に基板Ｓの幅方向両端部を支持した状態で基板Ｓを支持して搬送するローラコンベア１６と、下部ノズル３２から流体（エッチング液）を噴出させて基板Ｓにその流体圧を作用させる流体圧支持装置１７とを設けただけの簡単な構成であるため、従来の所謂ディップ方式の処理装置のような複雑な機構は必要なく、従って、高品質のエッチング処理を安価な装置構成で提供することができる。 According to the etching apparatus 10 as described above, the temperature drop of the etching solution supplied to the substrate S can be effectively prevented while the etching solution for the substrate S is advanced in a horizontal posture. Therefore, it becomes possible to provide a high-quality etching process without unevenness. In addition to the upper nozzle 18 that supplies the processing etching solution, the roller conveyor 16 that supports and conveys the substrate S while mainly supporting both ends in the width direction of the substrate S; Since it has a simple configuration in which a fluid (etching solution) is ejected from the lower nozzle 32 and the fluid pressure support device 17 that applies the fluid pressure to the substrate S is provided, it is like a conventional so-called dip processing apparatus. Such a complicated mechanism is not required, and therefore, a high-quality etching process can be provided with an inexpensive apparatus configuration.

特に、上記流体圧支持装置１７では、基板Ｓを支持するための流体として、エッチング装置１０で使用される処理液と同じエッチング液を使用することによって、下部ノズル３２に対する流体の供給系統や回収系統を、上記のように上部ノズル１８に対するエッチング液の供給系統や回収系統（タンク４０、ヒータ４１，ポンプ４４、廃液管４８）と共通化した合理的な構成となっている。従って、この点でもエッチング装置１０が簡素で、安価な構成となっている。 In particular, in the fluid pressure support device 17, a fluid supply system and a recovery system for the lower nozzle 32 are used by using the same etching solution as the processing solution used in the etching device 10 as a fluid for supporting the substrate S. As described above, a rational configuration is used in common with an etching solution supply system and a recovery system (tank 40, heater 41, pump 44, waste liquid pipe 48) for the upper nozzle 18. Therefore, also in this respect, the etching apparatus 10 is simple and inexpensive.

なお、流体圧支持装置１７は、下部ノズル３２から流体を噴出させて基板Ｓに対して流体圧を与え、これにより基板Ｓを水平姿勢に保つようにしているが、当実施形態では、上記のように複数の下部ノズル３２を設け、これら下部ノズル３２を搬送方向に所定の間隔を隔てて配備しているため、基板Ｓが反り返る（上向きに撓む）のを有効に防止することができるという利点もある。すなわち、例えば下部ノズル３２として、図４に示すように、上流側の第１種搬送ローラ２１Ａから下流側の第１種搬送ローラ２１Ａに亘る単一の下部ノズル３２を設けるようにしてもよい。しかし、この構成では、液供給面３３の面積が大きくなると、噴出した流体が液供給面３３の特に中央部分に溜まり易くなり、その結果、溜まった流体により基板Ｓが持ち上げられて上向きに撓むことが考えられる。これに対して、上記実施形態の構成によると、下部ノズル３２が複数個に細分化されてノズル間に隙間が形成されているため、液吐出口から噴出した流体は順次その隙間に速やかに流れ込むこととなり液供給面３３に液溜まりが生じ難くなる。そのため、基板Ｓが上向きに撓むのを有効に防止して、より確実に基板Ｓを水平姿勢に保つことができる。 The fluid pressure support device 17 ejects fluid from the lower nozzle 32 to apply fluid pressure to the substrate S, thereby maintaining the substrate S in a horizontal posture. The plurality of lower nozzles 32 are provided as described above, and these lower nozzles 32 are arranged at a predetermined interval in the transport direction, so that it is possible to effectively prevent the substrate S from warping (bending upward). There are also advantages. That is, for example, as the lower nozzle 32, as shown in FIG. 4, a single lower nozzle 32 extending from the first-type transport roller 21A on the upstream side to the first-type transport roller 21A on the downstream side may be provided. However, in this configuration, when the area of the liquid supply surface 33 is increased, the ejected fluid is likely to accumulate in the central portion of the liquid supply surface 33, and as a result, the substrate S is lifted by the accumulated fluid and bent upward. It is possible. On the other hand, according to the configuration of the above embodiment, the lower nozzle 32 is subdivided into a plurality of parts and gaps are formed between the nozzles, so that the fluid ejected from the liquid discharge port flows quickly into the gaps sequentially. As a result, the liquid supply surface 33 is less likely to cause a liquid pool. Therefore, it is possible to effectively prevent the substrate S from bending upward, and to more reliably maintain the substrate S in a horizontal posture.

次に本発明の第２の実施の形態について説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.

図５は本発明に係る基板処理装置である現像装置の概略を側面図で示している。なお、以下の説明では、上述したエッチング装置１０と共通する構成については同一符号を付して説明を省略し、相違点についてのみ詳細に説明することとする。 FIG. 5 shows a schematic side view of a developing apparatus which is a substrate processing apparatus according to the present invention. In the following description, the same components as those in the above-described etching apparatus 10 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only differences are described in detail.

この図に示すように、現像装置１０′は、エッチング液を供給する複数の上記ノズル１８に代えて、基板Ｓに現像液（処理液）を供給する単一のノズル１９（本発明に係る処理液供給手段に相当する）を備えている。 As shown in this figure, the developing device 10 'is provided with a single nozzle 19 (processing according to the present invention) for supplying the developing solution (processing solution) to the substrate S instead of the plurality of nozzles 18 for supplying the etching solution. Corresponding to the liquid supply means).

ノズル１９は、幅方向に延びるスリット状の液吐出口を備えたスリットノズルであり、同図に示すように導入口１４ａの近傍に配備されている。このノズル１９（以下、スリットノズル１９という）は、供給管５６を通じて図外の現像液タンクに接続されており、この現像液タンクから所定温度に温調された現像液が供給されるようになっている。 The nozzle 19 is a slit nozzle having a slit-like liquid discharge port extending in the width direction, and is disposed in the vicinity of the introduction port 14a as shown in FIG. The nozzle 19 (hereinafter referred to as the slit nozzle 19) is connected to a developer tank (not shown) through a supply pipe 56, and a developer adjusted to a predetermined temperature is supplied from the developer tank. ing.

この現像装置１０′のローラコンベアは、基本的にはエッチング装置１０のものと共通しているが、流体圧支持装置１７は、各下部ノズル３２からエアを噴出させるように構成されている点でエッチング装置１０のものと構成が相違している。詳しくは、各下部ノズル３２は、エア供給管５２、温調器５４および図外の流量調整バルブ等を介してコンプレッサ５０に接続されており、コンプレッサ５０で生成される圧縮エアを温調器５４で所定温度に温調した後、具体的には現像液と同じ温度に温調した後、各下部ノズル３２から噴出させるように構成されている。 The roller conveyor of the developing device 10 ′ is basically the same as that of the etching device 10, but the fluid pressure support device 17 is configured to eject air from each lower nozzle 32. The configuration is different from that of the etching apparatus 10. Specifically, each lower nozzle 32 is connected to the compressor 50 via an air supply pipe 52, a temperature controller 54, a flow rate adjustment valve (not shown), and the like, and the compressed air generated by the compressor 50 is supplied to the temperature controller 54. Then, after the temperature is adjusted to a predetermined temperature, specifically, the temperature is adjusted to the same temperature as the developer, and then ejected from each lower nozzle 32.

この現像装置１０′では、導入口１４ａを通じて基板Ｓが水平姿勢で処理槽１２内に搬入され、この搬入に同期してスリットノズル１９から基板Ｓ上に現像液が供給される。つまり基板Ｓ上に現像液の液層が形成される。そして、液層形成後、現像装置１０′内で基板Ｓが静止状態に保持される。この際、流体圧支持装置１７の各下部ノズル３２からはエア（流体）が噴出しており、このエア圧により基板Ｓが下側から支持されるこれにより基板Ｓが水平姿勢に保たれることとなる。また、基板Ｓに作用するエアは、上記の通り現像液と同じ温度に温調されているため、基板Ｓ上に形成された液層の温度が良好に保たれ、その結果、現像処理がムラなく均一に進行することとなる。 In the developing device 10 ′, the substrate S is carried into the processing tank 12 in a horizontal posture through the introduction port 14 a, and the developer is supplied onto the substrate S from the slit nozzle 19 in synchronization with this loading. That is, a liquid layer of developer is formed on the substrate S. After the liquid layer is formed, the substrate S is held stationary in the developing device 10 ′. At this time, air (fluid) is ejected from each lower nozzle 32 of the fluid pressure support device 17, and the substrate S is supported from below by this air pressure, whereby the substrate S is maintained in a horizontal posture. It becomes. Further, since the air acting on the substrate S is temperature-controlled at the same temperature as the developer as described above, the temperature of the liquid layer formed on the substrate S is kept good, and as a result, the development process is uneven. It will progress evenly.

こうして所定時間が経過すると、ローラコンベア１６が作動し、基板Ｓが導出口１４ｂを通じて次工程、例えば洗浄工程へと搬送されることとなる。 When the predetermined time elapses in this way, the roller conveyor 16 is operated, and the substrate S is transported to the next process, for example, the cleaning process through the outlet 14b.

このような現像装置１０′においても、水平姿勢で基板Ｓを搬送する一方で、基板Ｓに供給された現像液の温度を良好に保つことができる。従って、簡単、かつ安価な構成でムラの無い高品質の現像処理を提供することができる。 Even in such a developing device 10 ′, the substrate S is transported in a horizontal posture, while the temperature of the developer supplied to the substrate S can be kept good. Therefore, it is possible to provide a high-quality development process that is simple and inexpensive and has no unevenness.

以上説明したエッチング装置１０や現像装置１０′は、本発明に係る基板処理装置の実施の形態の一例であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、以下のような構成を採用することも可能である。 The etching apparatus 10 and the developing apparatus 10 ′ described above are examples of the embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, and the specific configuration thereof can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. is there. For example, it is possible to adopt the following configuration.

（１）実施形態の各装置１０，１０′では、搬送ローラとして導出口１４ｂの近傍にも第１種搬送ローラ２１Ａを配備しているが、これは導出口１４ｂの近傍では十分に処理が進行していて処理液の温度変化による影響がないことと、また、基板Ｓを安定的に水平に保った状態で導出口１４ｂから搬出するためである。従って、処理液の温度変化に影響が出るような場合には、導出口１４ｂの近傍についても第２種搬送ローラ２１Ｂを配備するようにすればよい。 (1) In each of the apparatuses 10 and 10 'of the embodiment, the first-type transport roller 21A is provided as a transport roller also in the vicinity of the outlet 14b. However, this process proceeds sufficiently in the vicinity of the outlet 14b. This is because there is no influence due to the temperature change of the processing liquid, and the substrate S is carried out from the outlet 14b in a state of being stably kept horizontal. Therefore, when the temperature change of the processing liquid is affected, the second type transport roller 21B may be provided near the outlet 14b.

（２）実施形態の流体圧支持装置１７は、上記のように幅方向に細長い複数の下部ノズル３２を有し、これらノズル３２が基板Ｓの搬送方向に一定間隔で並んだ構成となっているが、例えば搬送方向に細長い複数の下部ノズルを設け、これらノズルを幅方向に一定間隔で並設した構成としてもよい。また、格子状の隙間が形成されるように複数の下部ノズルを縦横（搬送方向および幅方向）に並設した構成としてもよい。要するに、下部ノズル３２から噴出される流体の圧力により基板Ｓを水平姿勢に支持することができるものであればよい。従って、基板Ｓを水平姿勢に支持することができれば、図４に示すような単一構造の下部ノズル３２を設けるようにしてもよい。但し、上述した通り、下部ノズル３２を細分化した構成の方が、液供給面３３の液溜まりを防止するという観点から望ましい。 (2) The fluid pressure support device 17 of the embodiment has a plurality of lower nozzles 32 elongated in the width direction as described above, and the nozzles 32 are arranged at regular intervals in the transport direction of the substrate S. However, for example, a plurality of lower nozzles elongated in the transport direction may be provided, and these nozzles may be arranged in parallel in the width direction at regular intervals. Further, a plurality of lower nozzles may be arranged side by side in the vertical and horizontal directions (conveyance direction and width direction) so that a lattice-like gap is formed. In short, any substrate can be used as long as the substrate S can be supported in a horizontal posture by the pressure of the fluid ejected from the lower nozzle 32. Therefore, as long as the substrate S can be supported in a horizontal position, a lower nozzle 32 having a single structure as shown in FIG. 4 may be provided. However, as described above, the configuration in which the lower nozzle 32 is subdivided is desirable from the viewpoint of preventing liquid accumulation on the liquid supply surface 33.

また、実施形態の下部ノズル３２は、水平な液供給面３３（図３では上面）を有する断面矩形の箱形の構成となっているが、具体的な下部ノズル３２の構成もこれに限定されるものではなく、噴出する流体により基板Ｓを水平姿勢に支持することができれば種々の形態を採用することが可能である。 In addition, the lower nozzle 32 of the embodiment has a box-shaped configuration with a rectangular cross section having a horizontal liquid supply surface 33 (upper surface in FIG. 3), but the specific configuration of the lower nozzle 32 is also limited to this. However, various forms can be adopted as long as the substrate S can be supported in a horizontal posture by the ejected fluid.

（３）例えば図６に示すように、流体圧支持装置１７において、第２種搬送ローラ２１Ｂと下部ノズル３２とを基板搬送方向にオフセットし、さらに第２種搬送ローラ２１Ｂとして、同図に示すように、側板１２ａに亘って支持される一本のローラ軸２８′に前記ローラ２６を設けたものを適用するようにしてもよい。 (3) For example, as shown in FIG. 6, in the fluid pressure support device 17, the second type transport roller 21B and the lower nozzle 32 are offset in the substrate transport direction, and further shown as the second type transport roller 21B. As described above, a roller shaft 28 ′ supported over the side plate 12 a may be applied with the roller 26.

この構成によれば、ローラ２６を片持ち支持する上記実施形態の第２種搬送ローラ２１Ｂの構成に比べて第２種搬送ローラ２１Ｂの支持強度が向上する。また、各搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂの一端側だけで動力伝達（ベルト伝動）を行うことが可能となる。すなわち、各ローラ２６が分離している図２に示す第２種搬送ローラ２１Ｂの構成では、各ローラ２６を同期回転させるために各搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂの両端側で動力伝達を行う必要があるが、上記のような構成によれば、各搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂの一端側だけで動力伝達を行うことができる。そのため、各搬送ローラ２１Ａ，２１Ｂを同期回転させるための駆動機構を簡素化することができるというメリットがある。 According to this configuration, the support strength of the second type transport roller 21B is improved as compared with the configuration of the second type transport roller 21B of the above-described embodiment in which the roller 26 is cantilevered. Further, power transmission (belt transmission) can be performed only at one end side of each of the transport rollers 21A and 21B. That is, in the configuration of the second type transport roller 21B shown in FIG. 2 in which the rollers 26 are separated, it is necessary to transmit power at both ends of the transport rollers 21A and 21B in order to rotate the rollers 26 synchronously. However, according to the above configuration, power can be transmitted only at one end of each of the transport rollers 21A and 21B. Therefore, there is an advantage that the driving mechanism for synchronously rotating the transport rollers 21A and 21B can be simplified.

（４）上記エッチング装置１０において、下部ノズル３２毎に流体の噴出圧力を調整可能に構成し、例えば下部ノズル３２のうち上部ノズル１８に対向するものの噴出圧力をそれ以外の下部ノズル３２よりも高目に設定するようにしてもよい。つまり、上部ノズル１８が存在する位置では、上部ノズル１８からのエッチング液の供給により基板Ｓに対して下向きに液圧が作用し、これによって基板Ｓが下向きに撓むことが考えられる。この点、上記のように下部ノズル３２のうち上部ノズル１８に対向するものの噴出圧力を高目に設定しておけば、基板Ｓに対して下向きに作用する液圧を相殺することが可能となり、その結果、基板Ｓをより確実に水平に保つことができるようになる。 (4) The etching apparatus 10 is configured so that the fluid ejection pressure can be adjusted for each lower nozzle 32. For example, the ejection pressure of the lower nozzle 32 facing the upper nozzle 18 is higher than that of the other lower nozzles 32. You may make it set to eyes. That is, at the position where the upper nozzle 18 exists, it is conceivable that a liquid pressure acts downward on the substrate S due to the supply of the etching liquid from the upper nozzle 18, thereby causing the substrate S to bend downward. In this regard, if the ejection pressure of the lower nozzle 32 facing the upper nozzle 18 is set to a high value as described above, the hydraulic pressure acting downward on the substrate S can be offset, As a result, the substrate S can be kept more reliably horizontal.

（５）上記エッチング装置１０では、エッチング液を供給するためのノズル１８としてシャワー型のノズルを適用し、また、現像装置１０′では、現像液を供給するためのノズルとしてスリットノズル１９を適用しているが、勿論これら以外の形状のノズルを用いることも可能であり、ノズル形状はその液種に応じて適宜選定すればよい。例えば、エッチング装置１０の上部ノズル１８として、図７に示すように、流体圧支持装置１７の下部ノズル３２と同形状のものを下向きに配備してエッチング液を基板Ｓ上に供給するようにしてもよい。このような上部ノズル１８によれば、より均一にエッチング液を吐出させることが可能となるため、エッチングムラの発生を防止する上で有効となる。 (5) In the etching apparatus 10, a shower type nozzle is applied as the nozzle 18 for supplying the etching solution, and in the developing apparatus 10 ′, the slit nozzle 19 is applied as the nozzle for supplying the developing solution. However, it is of course possible to use nozzles having shapes other than these, and the nozzle shape may be appropriately selected according to the liquid type. For example, as the upper nozzle 18 of the etching apparatus 10, as shown in FIG. 7, the same shape as that of the lower nozzle 32 of the fluid pressure support apparatus 17 is disposed downward to supply the etching solution onto the substrate S. Also good. According to such an upper nozzle 18, it becomes possible to discharge the etching solution more uniformly, which is effective in preventing the occurrence of etching unevenness.

（６）上記エッチング装置１０の流体圧支持装置１７では、下部ノズル３２から噴出する流体として処理液と同じエッチング液を使用しているが、勿論、異なる種類の液体、あるいは気体（エアや不活性ガス）を用いてもよい。但し、エッチング液を用いる構成によれば、上述したように上部ノズル１８および下部ノズル３２に対する流体の供給系統や回収系統を共通化することが可能となるため、エッチング装置１０を合理的に、かつ安価に構成することができるというメリットがある。同様に、現像装置１０′についても、下部ノズル３２から噴出させる流体として現像液を用いるようにしてもよい。 (6) In the fluid pressure support device 17 of the etching device 10, the same etching solution as the processing solution is used as the fluid ejected from the lower nozzle 32, but of course, a different kind of liquid or gas (air or inert) Gas) may be used. However, according to the configuration using the etching solution, the fluid supply system and the recovery system for the upper nozzle 18 and the lower nozzle 32 can be shared as described above. There is an advantage that it can be configured at low cost. Similarly, in the developing device 10 ′, a developer may be used as the fluid ejected from the lower nozzle 32.

（７）上記実施形態では、本発明をエッチング装置１０および現像装置１０′に適用した例について説明したが、勿論、本発明はこれらの装置１０，１０′以外の基板処理装置についても適用可能である。この場合、流体圧支持装置１７の具体的な構成や、下部ノズル３２から噴出させる流体の種類等は、その基板処理装置に応じて適宜変更可能である。また、基板Ｓを搬送する搬送手段も、実施形態のようなローラコンベア１６以外に、ベルトコンベア等を採用することも可能である。 (7) In the above embodiment, the example in which the present invention is applied to the etching apparatus 10 and the developing apparatus 10 'has been described. However, the present invention can also be applied to substrate processing apparatuses other than these apparatuses 10 and 10'. is there. In this case, the specific configuration of the fluid pressure support device 17, the type of fluid ejected from the lower nozzle 32, and the like can be appropriately changed according to the substrate processing apparatus. In addition to the roller conveyor 16 as in the embodiment, a belt conveyor or the like can also be adopted as the transport means for transporting the substrate S.

本発明に係る基板処理装置（第１の実施の形態）であるエッチング装置の概略を示す側面図である。1 is a side view showing an outline of an etching apparatus which is a substrate processing apparatus (first embodiment) according to the present invention. エッチング装置に適用される搬送手段の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the conveyance means applied to an etching apparatus. 搬送手段の概略を示す図２のIII−III線断面図である。It is the III-III sectional view taken on the line of FIG. 2 which shows the outline of a conveyance means. 搬送手段（流体圧支持装置）の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of a conveyance means (fluid pressure support apparatus). 本発明に係る基板処理装置（第２の実施の形態）である現像装置の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the image development apparatus which is a substrate processing apparatus (2nd Embodiment) based on this invention. 搬送手段の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of a conveyance means. エッチング装置の変形例を示す側面図である。It is a side view which shows the modification of an etching apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１０エッチング装置
１０′ 現像装置
１２処理槽
１６ローラコンベア
１７流体圧支持装置
１８，３２ノズル
２１Ａ第１種搬送ローラ
２１Ｂ第２種搬送ローラ
Ｓ基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Etching apparatus 10 'Developing apparatus 12 Processing tank 16 Roller conveyor 17 Fluid pressure support apparatus 18, 32 Nozzle 21A First type conveyance roller 21B Second type conveyance roller S Substrate

Claims

水平姿勢で搬送される基板の上面に、処理液供給手段により処理液を供給することにより当該基板に処理を施す基板処理装置において、
前記基板のうち、その搬送方向と直交する方向である幅方向の両端部分であって、かつ所定のパターン形成領域よりも外側の領域を支持部材により支持した状態で前記基板を搬送する搬送手段と、
前記支持部材による基板の支持位置よりも幅方向内側の位置で前記処理液と同温度の流体を噴出することによりその流体圧により前記基板をその下側から支持する流体圧支持手段とを備えていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid by a processing liquid supply means on the upper surface of the substrate transported in a horizontal posture,
Conveying means for conveying the substrate in a state where both ends of the substrate in the width direction which is a direction orthogonal to the conveying direction of the substrate and a region outside a predetermined pattern forming region are supported by a support member; ,
Fluid pressure support means for supporting the substrate from the lower side by the fluid pressure by ejecting a fluid having the same temperature as that of the processing liquid at a position on the inner side in the width direction from the support position of the substrate by the support member. A substrate processing apparatus.

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記流体圧支持手段は、前記基板に対し、少なくとも前記パターン形成領域における幅方向全体に亘って流体圧が作用するように前記流体を噴出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the fluid pressure support means ejects the fluid so that a fluid pressure acts on the substrate over at least the entire width direction in the pattern formation region.

請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記流体圧支持手段は、それぞれ前記流体を噴出し、かつ所定の配列で配備される複数の単位支持部を有することを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the fluid pressure support means has a plurality of unit support portions that eject the fluid and are arranged in a predetermined arrangement.

請求項３に記載の基板処理装置において、
前記単位支持部は、基板の搬送方向に所定間隔を隔てて複数並べて配備されており、前記搬送手段は、前記支持部材として基板の幅方向両端部分を支持する一対のローラをローラ軸により連結した複数の搬送ローラが基板の搬送方向に並設されてなるローラコンベアからなり、前記搬送ローラは、前記流体圧支持手段の各単位支持部の間にそれぞれ配備されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
A plurality of the unit support portions are arranged side by side at a predetermined interval in the transport direction of the substrate, and the transport means connects a pair of rollers that support both end portions in the width direction of the substrate as the support member by a roller shaft. A substrate processing comprising: a roller conveyor in which a plurality of transport rollers are arranged in parallel in the substrate transport direction, wherein the transport rollers are respectively disposed between the unit support portions of the fluid pressure support means. apparatus.

請求項１乃至４の何れかに記載の基板処理装置において、
前記処理液供給手段は、基板の搬送方向に所定間隔を隔てて配備されており、前記流体圧支持手段は、前記処理液供給手段に対応する部分の流体の噴出圧力がそれ以外の部分の噴出圧力よりも高くなるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The treatment liquid supply means is arranged at a predetermined interval in the substrate transport direction, and the fluid pressure support means is configured such that the fluid ejection pressure of the part corresponding to the treatment liquid supply means is the ejection of the other part. A substrate processing apparatus configured to be higher than a pressure.

請求項１乃至４の何れかに記載の基板処理装置において、
前記流体圧支持手段は、前記処理液供給手段よる処理液の供給位置よりも基板搬送方向における下流側に配備されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The substrate processing apparatus, wherein the fluid pressure support means is arranged downstream of the processing liquid supply position by the processing liquid supply means in the substrate transport direction.

請求項１乃至６の何れかに記載の基板処理装置において、
前記流体圧支持手段は、水平面に多数の開口が形成された前記流体の噴出面をもつ箱形のノズルを有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the fluid pressure support means includes a box-shaped nozzle having a fluid ejection surface in which a large number of openings are formed in a horizontal plane.

請求項１乃至７の何れかに記載の基板処理装置において、
前記流体圧支持手段は、前記流体として前記処理液と同種の処理液を噴出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the fluid pressure support means ejects a processing liquid of the same type as the processing liquid as the fluid.

請求項１乃至７の何れかに記載の基板処理装置において、
前記流体圧支持手段は、前記流体として気体を噴出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the fluid pressure support means ejects a gas as the fluid.