JP2008116676A - Equipment and method for manufacturing liquid crystal panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a liquid crystal panel manufacturing apparatus and a method for manufacturing a liquid crystal panel using the same.
液晶パネルは、表示品質が高く、薄型化及び低消費電力化等が可能なことから、様々な
用途に用いられてきている。特に最近は、液晶テレビ等の大型液晶装置への需要が多くな
ってきており、その性能も高いものが望まれるようになってきている。
Liquid crystal panels have been used for various applications because they have high display quality and can be reduced in thickness and power consumption. In recent years, demand for large-sized liquid crystal devices such as liquid crystal televisions has been increasing recently, and devices with high performance have been desired.
高性能な液晶パネルを得るためには、配向膜の配向制御が重要である。従来は、配向膜
を布で擦る「ラビング法」等が一般的に用いられてきたが、ラビング法を用いると埃が落
ちて汚れが付着する、或いは、静電気等により半導体素子が破損する等の問題があるため
、ラビング法に代わる技術として、「光配向法」とよばれる配向制御技術が知られている
(例えば、特許文献1参照。)。
In order to obtain a high-performance liquid crystal panel, alignment control of the alignment film is important. Conventionally, the “rubbing method” or the like in which the alignment film is rubbed with a cloth has been generally used. However, when the rubbing method is used, dust falls and dirt is attached, or a semiconductor element is damaged due to static electricity or the like. Since there is a problem, an alignment control technique called “optical alignment method” is known as an alternative to the rubbing method (see, for example, Patent Document 1).
光配向法を用いた液晶パネルの製造方法においては、例えば、2枚の基板の間に液晶体
と光反応性物質を挟み込んだ被処理基板の外側から紫外線を照射し、光反応性物質を化学
反応させて被処理基板の内部に配向膜を形成する技術がある。
In a liquid crystal panel manufacturing method using a photo-alignment method, for example, ultraviolet light is irradiated from the outside of a substrate to be processed in which a liquid crystal body and a photoreactive substance are sandwiched between two substrates, and the photoreactive substance is chemically treated. There is a technique for forming an alignment film inside a substrate to be processed by reaction.
しかし、液晶体と光反応性物質とを封入した被処理基板に一定波長以下の紫外線を多量
に照射すると、被処理基板内の液晶体と光反応物質が劣化する。さらに、被処理基板に対
して複数のランプから紫外線を照射すると、被処理基板に照射ムラが生じ易くなるため、
液晶パネルの性能及び歩留まりが低下する。高性能で高歩留まりの液晶パネルを製造する
ためには、被処理基板の表面に照射される紫外線の照度をモニタする必要がある。
However, when a substrate to be processed in which a liquid crystal body and a photoreactive substance are sealed is irradiated with a large amount of ultraviolet light having a wavelength less than a certain wavelength, the liquid crystal body and the photoreactive substance in the substrate to be processed are deteriorated. Furthermore, when the substrate to be processed is irradiated with ultraviolet rays from a plurality of lamps, unevenness of irradiation tends to occur on the substrate to be processed.
The performance and yield of the liquid crystal panel are reduced. In order to manufacture a liquid crystal panel with high performance and high yield, it is necessary to monitor the illuminance of ultraviolet rays applied to the surface of the substrate to be processed.
本発明は、液晶体と光反応物質の劣化を抑制し、被処理基板の表面に照射される紫外線
の照度をモニタ可能な液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法を提供
する。
The present invention provides a liquid crystal panel manufacturing apparatus capable of suppressing deterioration of a liquid crystal body and a photoreactive substance and monitoring the illuminance of ultraviolet rays irradiated on the surface of a substrate to be processed, and a method of manufacturing a liquid crystal panel using the same.
本願発明の態様によれば、光反応性物質を含有する液晶体を内部に封入した被処理基板
を処理する処理室と、処理室内に配置され、被処理基板に紫外線を照射して光反応性物質
を反応させ、被処理基板の内部に配向部を形成させる複数のランプと、ランプに対向し、
波長340nm以下の波長領域の紫外線の透過を抑制するフィルタと、複数のランプの照
度を計測する照度計と、被処理基板の紫外線照射面の照度均斉度が75%以上となるよう
に複数のランプの電力を制御するランプ制御装置とを備える液晶パネル製造装置が提供さ
れる。
According to an aspect of the present invention, a processing chamber for processing a substrate to be processed in which a liquid crystal body containing a photoreactive substance is enclosed, and a processing chamber are disposed, and the substrate is irradiated with ultraviolet rays to be photoreactive. A plurality of lamps for reacting a substance to form an alignment portion inside the substrate to be processed, and facing the lamps;
A filter that suppresses the transmission of ultraviolet rays in a wavelength region of 340 nm or less, an illuminometer that measures the illuminance of the plurality of lamps, and a plurality of lamps so that the illuminance uniformity on the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed is 75% or more. There is provided a liquid crystal panel manufacturing apparatus comprising a lamp control device for controlling the power of the lamp.
本願発明の他の態様によれば、光反応性物質を含有する液晶体を内部に封入した被処理
基板の紫外線照射面の照度均斉度が75%以上となるように、複数のランプの電力を制御
しながら波長領域340nm以下の紫外線の透過を抑制するフィルタを介して紫外線を照
射し、光反応性物質を反応させて被処理基板の内部に配向部を形成する液晶パネルの製造
方法が提供される。
According to another aspect of the present invention, the power of a plurality of lamps is adjusted so that the illuminance uniformity on the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed encapsulating a liquid crystal containing a photoreactive substance is 75% or more. Provided is a liquid crystal panel manufacturing method in which an ultraviolet ray is irradiated through a filter that suppresses transmission of ultraviolet rays having a wavelength region of 340 nm or less while being controlled, and a photoreactive substance is reacted to form an alignment portion inside a substrate to be processed. The
本発明によれば、液晶体と光反応物質の劣化を抑制し、被処理基板の表面に照射される
紫外線の照度をモニタ可能な液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法
が提供できる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal panel manufacturing apparatus which can suppress deterioration of a liquid crystal body and a photoreactive substance, and can monitor the illumination intensity of the ultraviolet-ray irradiated to the surface of a to-be-processed substrate, and the manufacturing method of a liquid crystal panel using the same are provided. it can.
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載においては
、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。以下に示す実施の形態は、
この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明
の技術的思想は構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものではない。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. The embodiment shown below is
The apparatus and method for embodying the technical idea of the present invention are illustrated, and the technical idea of the present invention does not specify the structure, arrangement, etc. of the component parts as follows.
−被処理基板−
本発明の実施の形態に係る液晶パネル製造装置を用いて処理可能な被処理基板10を説
明する。図1に例示するように、被処理基板10は、ガラス製等の第1基板12と第2基
板14の間に、電圧印加により方位性を持つ液晶体17と、光反応性を有する光反応性物
質(高分子体)18とが少なくとも封入されている。
-Substrate-
A
液晶体17としては、例えば、エステル系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン(
PCH)系、シクロヘキサン系、フェニルピリジミン系、ジオキサン系の母材が用いられ
る。母材は用途に応じてブレンドされるのが好ましい。駆動電圧を小さくすることが可能
な液晶材料としては、P−エステル系、Pービフェニル系の材料等が好適である。高温に
耐え、安定して作動可能な液晶材料としては、三環系、四環系の母材が好適である。応答
性を向上させ、動画等の表示に好適な液晶材料としては、PCH系又はビフェニル系の材
料が好適である。
Examples of the
PCH) -based, cyclohexane-based, phenylpyridimine-based, and dioxane-based base materials are used. The base material is preferably blended depending on the application. As the liquid crystal material capable of reducing the driving voltage, a P-ester-based material, a P-biphenyl-based material, or the like is preferable. As a liquid crystal material that can withstand high temperatures and operate stably, a tricyclic or tetracyclic base material is suitable. As a liquid crystal material that improves responsiveness and is suitable for displaying moving images or the like, a PCH-based or biphenyl-based material is preferable.
高分子体18としては、例えば、図2に示すようなアゾ化合物(アゾベンゼン)を持つ
高分子材料が用いられる。アゾ化合物を持つ高分子材料は、紫外線、特に波長領域300
〜400nmの紫外線を照射することにより重合し、架橋構造体を形成する。図1に示す
ように、第1基板12と第2基板14の間は、シール部19により貼り合わせられている
。
As the polymer 18, for example, a polymer material having an azo compound (azobenzene) as shown in FIG. 2 is used. A polymer material having an azo compound is UV, particularly in the
It polymerizes by irradiating with ultraviolet rays of ˜400 nm to form a crosslinked structure. As shown in FIG. 1, the
第1基板12の表面には、薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体素子11が複数個配
列されている。複数個の半導体素子11の配列の上には、第1透明電極15が形成されて
いる。一方、第2基板14の表面には、カラーフィルタ13が配置されている。カラーフ
ィルタ13の表面には、第2透明電極16が形成されている。
A plurality of
図1の被処理基板10に紫外線を照射した後の処理中間体(液晶パネル)20の例を図
3に示す。後述する液晶パネル製造装置を用いて、例えば、図1の被処理基板10に電圧
を印加した状態で紫外線を照射すると、第1透明電極15、第2透明電極16の表面に凸
状の配向部21,22がそれぞれ形成される。
FIG. 3 shows an example of the processing intermediate (liquid crystal panel) 20 after the
この配向部21,22は、図1の高分子体18が光照射により重合した架橋構造体であ
り、図4に示すように、第1基板12の一定方向に対してそれぞれ並行に並んで配置され
ている。図5に示すように、第1透明電極15の上面からみた配向部21の立ち上がりの
角度θは、例えば、被処理基板10に印加する電圧等を制御すること等により変更可能で
ある。
The
第1透明電極15,第2透明電極16の表面に、配向部21,22がそれぞれ配置され
ることにより、図6及び図7に例示するように、配向部21,22の隙間(凹部分)に液
晶体17が入り込む。そのため、液晶パネル20の内部に配向部21,22を形成しない
場合に比べて、液晶体17の配向規制力が高くなり、応答速度、透過率、コントラスト、
偏光特性等の液晶パネルの種々の性能及び特性を向上させることができる。
As illustrated in FIGS. 6 and 7, by arranging the
Various performances and characteristics of the liquid crystal panel such as polarization characteristics can be improved.
−液晶パネル製造装置−
(全体構成)
実施の形態に係る液晶パネル製造装置は、図8に示すように、複数の被処理基板10を
収納可能な搬入部2と、搬入部2に収納された被処理基板10の上下を反転させる反転部
3と、反転部3から搬送された被処理基板10の特性を検査する検査部4と、検査部4か
ら搬送された被処理基板10に対して紫外線を照射する紫外線照射部(UV照射部)5と
、UV照射部5から搬送された紫外線を照射後の被処理基板10を反転させる反転部6と
を備える。
-LCD panel manufacturing equipment-
(overall structure)
As shown in FIG. 8, the liquid crystal panel manufacturing apparatus according to the embodiment includes a carry-in
搬入部2の内部には、搬送ロボット25が配置されている。搬送ロボット25は、被処
理基板10を配置するための台の下に配置されたコンピュータシステム(図示省略)によ
り管理され、処理対象となる被処理基板10を反転部3に搬送する。
A
検査部4は、第1検査装置4a及び第2検査装置4bを含む。第1検査装置4a及び第
2検査装置4bは、被処理基板10に電圧を印加し、液晶体17の配向状態を検査するこ
とにより、被処理基板10が所定の品質基準を満たしているか否かを検査する。図8では
、2台の検査装置(第1検査装置4a及び第2検査装置4b)を例示したが、検査装置の
数は、図8に示す液晶パネル製造装置の処理能力に応じていくつあってもよい。
The inspection unit 4 includes a
UV照射部5は、第1UV照射装置5a及び第2UV照射装置5bを含む。第1UV照
射装置5a及び第2UV照射装置5bは、被処理基板10に紫外線を照射する。UV照射
装置の数は、いくつあってもよい。
The
反転部3から検査部4、UV照射部5、反転部6へ被処理基板10の搬送は、反転部3
と反転部6との間の経路に設けられた搬送ロボット62により行われる。搬送ロボット6
2は、搬送ロボット62の経路の下に設けられたコンピュータシステム(図示省略)によ
り管理されている。
The
And the reversing
2 is managed by a computer system (not shown) provided under the path of the transfer robot 62.
装置の外側面には、表示装置61が配置されている。表示装置61により、例えば、検
査部4及びUV照射部5に搬送された被処理基板10の載置位置のアライメント等が可能
である。また、液晶パネル製造装置の内側面には、静電気等を取り除くためのイオナイザ
ー63が取り付けられていてもよい。
A display device 61 is disposed on the outer surface of the device. For example, the display device 61 can align the placement position of the
(処理手順)
図8に示す液晶パネル製造装置を用いて処理を行う場合は、図9のフローチャートに示
すように、ステップS1において、搬入部2に被処理基板10を収納し、図8の搬送ロボ
ット25により、被処理基板10を搬入部2から反転部3に搬送させる。
(Processing procedure)
When processing is performed using the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. 8, as shown in the flowchart of FIG. 9, in step S1, the
図9のステップS2において、図1に示す被処理基板10を上下反転させ、半導体素子
11が形成された側の第1基板12が上方に、カラーフィルタ13が形成された側の第2
基板14が下方になるようにする。反転させることにより、UV照射部5において半導体
素子11が形成された側の第1基板12側からランプ光が照射されるため、カラーフィル
タの損傷が抑制できる。なお、第1基板12が上方にある場合は反転しなくてもよい。
9, the
The
図9のステップS3において、搬送ロボット62が、被処理基板10を反転部3から、
検査部4に搬送する。検査部4において、表示装置61等により被処理基板10の位置合
わせを行い、被処理基板10内部の液晶体17を電圧印加により配向させて、被処理基板
10の良否を判定する。ステップS3の検査において「不良」と判定された被処理基板1
0は、図8の搬送ロボット62により、検査部4から装置外部へ搬送させる。ステップS
3の検査において「良」と評価された被処理基板10は、搬送ロボット62により、検査
部4からUV照射部5に搬送する。
In step S <b> 3 of FIG. 9, the transfer robot 62 removes the
It is conveyed to the inspection unit 4. In the inspection unit 4, the substrate to be processed 10 is aligned by the display device 61 or the like, and the
0 is transported from the inspection unit 4 to the outside of the apparatus by the transport robot 62 of FIG. Step S
The
ステップS4において、UV照射部5において、例えば、340〜400nmの波長領
域の紫外線を340nm以下の波長領域の紫外線に比べて相対的に多く発光させたランプ
光を被処理基板10に照射する。これにより、被処理基板10の内部に封入された高分子
体18を光反応(重合)させ、図3に示すように、処理中間体(液晶パネル)20の内部
に配向部21,22を形成する。液晶パネル20は、UV照射部5から反転部6に搬送し
、ステップS5において、反転部6において必要に応じて上下反転させる。ステップS6
において、液晶パネル20が、反転部6から液晶パネル製造装置の外部に搬送する。
In step S4, the
The
(反転部)
反転部3の一例を示す概略図を図10に示す。反転部3は、被処理基板10を真空吸着
するための第1吸着部31、第2吸着部32、第3吸着部33を有する。第1吸着部31
は処理室30内の下部に配置されており、第1吸着部31に接続された第1可動部34に
より上下に動くようになっている。第2吸着部32は、第1吸着部31の上方に配置され
た回転部35に固定されている。第3吸着部33は処理室の上部に配置されており、第3
吸着部33に接続された第2可動部36によって上下に動くようになっている。
(Reversing part)
A schematic diagram showing an example of the reversing
Is arranged in the lower part of the
The second movable part 36 connected to the
被処理基板10を反転させる場合は、図11(a)に示すように、まず、第1吸着部3
1上に被処理基板10を載置させる。そして、図10に示した第1可動部34(図11(
a)では図示省略)により、第1吸着部31をリフトアップさせ、被処理基板10を第2
吸着部32に近づける。図11(b)に示すように、第1吸着部31と第2吸着部32と
を更に近づけて、第2吸着部32に被処理基板10を受け渡す。図11(c)に示すよう
に、回転部35を回転させ、被処理基板10を第2吸着部32の上方に配置する。その後
、図11(d)に示すように、図10に示した第2可動部36(図11(d)では図示省
略)により第3吸着部33をリフトダウンさせ、図11(e)に示すように、被処理基板
10を第3吸着部33の下方に吸着させる。
When inverting the
The
a), the
Approach the
(検査部)
検査部4の一例として、第1検査装置4aを示す概略図を図12に示す。処理室40内
には、被処理基板10を配置するための設置台41が配置されており、設置台41の上方
には、被処理基板10の状態を検査するためのCCDカメラ43が配置されている。設置
台41の下方には、バックライト照射部42が配置されている。
(Inspection unit)
As an example of the inspection unit 4, a schematic diagram showing a
第1検査装置4aを用いて被処理基板10を検査する場合には、図13(a)に示すよ
うに、搬送ロボット62により被処理基板10を設置台41に配置した後、図8の表示装
置61で確認しながら、図12に示すCCDカメラ43を用いて、被処理基板10の位置
調整(アライメント)をする。その後、図13(b)に示すように、被処理基板10に印
加コネクタ44を接続する。図13(c)に示すように、バックライト照射部42により
、被処理基板10の下方から光を照射する。図13(d)に示すように、印加コネクタ4
4に電圧印加部45を接続し、電圧印加部45から一定電圧を印加する。電圧印加により
、被処理基板10の内部の液晶が一定方向に配向する。その後、図13(e)に示すよう
に、被処理基板10内の測定領域を適宜選択し、測定領域内の液晶の配列状態をCCDカ
メラ43により確認して、被処理基板10の良・不良を判定する。
When inspecting the
A
(UV照射部)
−全体構成−
UV照射部5の一例として、第1UV照射装置5aを示す概略図を図14に示す。第1
UV照射装置5aは、被処理基板10を処理する処理室50と、処理室50内に配置され
、被処理基板10に紫外線を照射し、被処理基板10の内部に配向部21,22(図3参
照)を形成させるための複数のランプ52と、ランプ52に対向し、波長340nm以下
の波長領域の紫外線の透過を抑制するフィルタ53とを備える。図14では、複数のラン
プ52は処理室50の上方に位置しているが、ランプ52の位置は、被処理基板10の位
置に応じて適宜変更しても構わない。
(UV irradiation part)
-Overall configuration-
As an example of the
The
複数のランプ52の上方には、ランプ52からの照射光を均一化するための反射鏡57
がそれぞれ配置されている。図15に示すように、ランプ52とフィルタ53との間には
、複数の補助反射板58が配置されても構わない。図15の例においては、補助反射板5
8の内部に、照度を検出するためのセンサが配置されており、センサの検出結果に応じて
、補助反射板58の角度を自在に変更可能であってもよい。センサは、図14のステージ
51上に配置してもよい。
Above the plurality of
Are arranged respectively. As shown in FIG. 15, a plurality of
8, a sensor for detecting illuminance is arranged, and the angle of the
複数のランプ52の配置間隔は、ランプの内径をDとし、Dが25mm以下の場合に、
複数のランプ52の中心間間隔(ランプピッチ)を5D〜6D程度とすることにより、被
処理基板10に対して照度強度のムラの少ない紫外線照射が可能である。なお、Dが20
〜33mmの場合には、ランプピッチを3D〜6Dとすることもできる。
The arrangement interval of the plurality of
By setting the center-to-center spacing (lamp pitch) of the plurality of
In the case of ˜33 mm, the lamp pitch can be 3D to 6D.
図14に例示する実施の形態に係る第1UV照射装置5aにおいては、ランプ外形Dを
27.5mmとした時のランプピッチが7D〜8Dであっても、一定の目的を達成可能で
ある。また、後述する(図25参照)冷却管100の外形D’を70mmとした場合は、
ランプピッチが4Dとした場合でも均等な紫外線照射が可能である。
In the 1st
Even when the lamp pitch is 4D, uniform ultraviolet irradiation is possible.
図17に示すように、ランプ52の長手方向(軸方向)からみた場合のランプ52の中
心部付近には、ランプ52の照度を計測するための第1照度計55及び第2照度計56が
配置されている。図14に示すように、第1照度計55及び第2照度計56は、複数のラ
ンプ52それぞれの上方に、それぞれ1つずつ配置可能である。第1照度計55及び第2
照度計56は、ランプ制御装置7に接続されており、第1照度計55及び第2照度計56
が検出した照度値に応じて、ランプ52の電力が制御可能になっている。なお、ランプ5
2の上方には、1種類の照度計のみが配置されていても構わない。
As shown in FIG. 17, a first illuminance meter 55 and a second illuminance meter 56 for measuring the illuminance of the
The illuminance meter 56 is connected to the
The electric power of the
Only one type of illuminometer may be arranged above 2.
第1照度計55としては、例えば、波長領域340〜370nmの間にピーク感度を有
する照度計を用いることができる。これにより、後述するランプ52の波長365nmに
おける発光ピークをより高精度に検出でき、図1の被処理基板10の高分子体18の重合
、及び被処理基板10の品質劣化抑制に適した波長領域の照射値をより高精度に検出でき
る。図18に、第1照度計55として好適な照度計の分光感度の一例(UV−35)を示
す。
As the first illuminometer 55, for example, an illuminometer having a peak sensitivity in a wavelength region of 340 to 370 nm can be used. Thereby, a light emission peak at a wavelength of 365 nm of the
第2照度計56としては、第1照度計55とは異なる波長領域、例えば、波長領域30
5〜320nmの間にピーク感度を有する照度計を用いることができる。これにより、図
1の被処理基板10の高分子体18の重合阻害及び被処理基板10の品質を低下させる可
能性のある波長、例えば、313nmにおける発光ピークをより高精度に検出できる。図
19に、第2照度計56として好適な照度計の分光感度の例(UV−31)を示す。
As the second illuminometer 56, a wavelength region different from that of the first illuminometer 55, for example, a
An illuminometer having a peak sensitivity between 5 and 320 nm can be used. Thereby, it is possible to detect the emission peak at a wavelength, for example, 313 nm, which inhibits the polymerization of the polymer 18 of the
図14に示す処理室50の内部には、被処理基板10を配置するためのステージ51が
設けられている。ステージ51上には、被処理基板10を冷却する冷却板54が配置され
ている。また、冷却板54を制御し、ランプ52からの光照射による被処理基板10の温
度上昇を制御するために、基板温度制御装置8が配置されている。なお、ステージ51を
、被処理基板10の長手方向に移動させるための移動制御装置9が配置されていてもよい
。更に、処理室50には、被処理基板10に電圧を印加して、被処理基板10の内部に形
成される配向部21,22(図3参照)の形成を助長又は制御するための電圧印加制御装
置64が接続されている。
A
後述する詳細構造により更に明らかとなるが、図14に示す第1UV照射装置5aによ
れば、製造後の液晶パネルの性能等に影響を及ぼす波長領域の紫外線照射を抑制でき、高
性能で歩留まりを向上させた液晶パネルが製造できる。
As will be further clarified by the detailed structure described later, according to the first
−ランプ−
図17に示すランプ52としては、例えば、紫外線透過性を有する石英製の気密性容器
520の内部にタングステン(W)製等の電極521,522が配置された外管径27.
5mm、肉厚1.5mm、発光長Lが1000mm、ランプ電圧1275V、ランプ電圧
値13.5Aの紫外線ランプ等が利用可能である。気密性容器520の内部には、アルゴ
ン(Ar)ガス等の希ガスが封入されている。
-Lamp-
As the
An ultraviolet lamp having a thickness of 5 mm, a thickness of 1.5 mm, a light emission length L of 1000 mm, a lamp voltage of 1275 V, and a lamp voltage value of 13.5 A can be used. An
このような紫外線ランプとしては、気密性容器520の内部に水銀(Hg)と波長領域
300〜400nmにおいて水銀のスペクトル以外に少なくとも1つ以上の発光を有する
金属封入物が封入されたランプが好適である。例えば、気密性容器520の内部に水銀と
少量の希ガスを封入させた高圧水銀ランプ、又は、気密性容器520の内部に水銀とハロ
ゲン化した金属を封入したメタルハライドランプ等の高輝度放電ランプ等が利用可能であ
る。
As such an ultraviolet lamp, a lamp in which an
特に、図1に示す被処理基板10を処理する場合に好適なランプ52としては、気密性
容器520の内部に水銀とハロゲン化タリウムとが封入されたタリウム系メタルハライド
ランプを用いることができる。例えば、水銀1.6mg/cc、ヨウ化タリウム(TlI
)0.1mg/cc、アルゴン1.33kPa程度封入したタリウム系メタルハライドラ
ンプを用いた場合は、図20に示すように、波長352nm、365nm、378nm付
近に大きな発光ピークを有し、その時の電気的特性は、1250V、14.0A程度を示
す。
In particular, as the
) When a thallium-based metal halide lamp encapsulated with 0.1 mg / cc and about 1.33 kPa of argon is used, as shown in FIG. The characteristics are about 1250V and about 14.0A.
タリウム(Tl)は、352nm、378nmの波長領域内に強い輝線スペクトルを持
ち、水銀の発光強度を減少させる効果を持つ。そのため、例えば、313nmの水銀発光
を抑制し、340〜400nmの波長領域の発光を相対的に多くした紫外線を発光させる
ことできる。よって、タリウムを含むランプ52を図14の液晶パネル製造装置に利用す
ることにより、図3の液晶パネル20の特性に大きく影響を及ぼす波長領域340nm以
下の紫外線の照射を低減できる。
Thallium (Tl) has a strong emission line spectrum in the wavelength region of 352 nm and 378 nm, and has the effect of reducing the emission intensity of mercury. Therefore, for example, it is possible to emit ultraviolet rays that suppress mercury emission at 313 nm and relatively increase emission in the wavelength region of 340 to 400 nm. Therefore, by using the
ハロゲン化タリウムの封入量は、ランプの内径D≦30mmの場合において、封入量M
は0.01mg/cc≦M≦0.3mg/ccから選択される量とするのが好ましい。よ
り好ましくは、ランプの内径DがD≦30mm、発光長Lが500mm≦L≦2500m
mとした場合に、水銀の封入量Hgを0.9mg/cc≦Hg≦2.0mg/cc、ハロ
ゲン化タリウムの封入量Mを、0.012mg/cc≦M≦0.1mg/ccの中から選
択される量とするのが好ましい。
The amount of thallium halide sealed is M when the inside diameter of the lamp is D ≦ 30 mm.
Is preferably an amount selected from 0.01 mg / cc ≦ M ≦ 0.3 mg / cc. More preferably, the inner diameter D of the lamp is D ≦ 30 mm, and the light emission length L is 500 mm ≦ L ≦ 2500 m.
m, the enclosed amount Hg of mercury is 0.9 mg / cc ≦ Hg ≦ 2.0 mg / cc, and the enclosed amount M of thallium halide is 0.012 mg / cc ≦ M ≦ 0.1 mg / cc. Preferably, the amount is selected from
ハロゲン化タリウムの封入量MをM≦0.3mg/ccとすることにより、ランプ52
の軸方向に対して均一な照度が得られるため、被処理基板10に対する紫外線の均一な照
射が実現できる。また、図20を参照すれば分かるように、被処理基板10の特性に影響
を及ぼす波長313nmの照度のピーク値を、波長365nmの照度のピーク値に比べて
5%以下に低減できるので、紫外線照射後の液晶パネルの特性をより向上させることがで
きる。
By setting the amount M of thallium halide to be M ≦ 0.3 mg / cc, the
Since uniform illuminance can be obtained with respect to the axial direction, uniform irradiation of ultraviolet rays to the
一方、ハロゲン化タリウムの封入量を0.3mg/cc以上とすると、気密性容器52
0内に封入されたタリウムが、ランプ52の長手方向に不均一に分散するため、発光分離
が生じ、ランプ性能が低下する。
On the other hand, if the sealed amount of thallium halide is 0.3 mg / cc or more, the
Since thallium enclosed in 0 is dispersed non-uniformly in the longitudinal direction of the
ランプ52としては、図21に示すようなスペクトルを持つ鉄系メタルハライドランプ
を利用することもできる。例えば、水銀1.2mg/cc、鉄0.027mg/cc、沃
化水銀0.1mg/ccの放電媒体を気密容器内に封入した鉄系メタルハライドランプは
、図21から分かるように、波長365nmに最も大きい発光ピークを有する。
As the
図22に示すように、鉄系メタルハライドランプと、タリウム系メタルハライドランプ
を比較した場合は、図1の被処理基板10の製造後の特性に影響を及ぼす波長340nm
以下の照度の波長を積分して比較すると、鉄系メタルハライドランプの方が、タリウム系
メタルハライドランプに比べて値が2倍以上多いことが分かる。
As shown in FIG. 22, when an iron-based metal halide lamp and a thallium-based metal halide lamp are compared, a wavelength of 340 nm that affects the characteristics of the
When the following illuminance wavelengths are integrated and compared, it can be seen that the value of the iron-based metal halide lamp is more than twice that of the thallium-based metal halide lamp.
したがって、ランプ52からの波長340nm以下の波長領域の発光そのものを抑制し
たい場合は、鉄系メタルハライドランプよりもタリウム系メタルハライドランプを用いる
のが好ましい。なお、波長領域340nm以下の紫外線は、後述するフィルタ53により
透過を抑制することもできるため、照射可能な波長領域が相対的に広い紫外線を発光する
ランプを使用したい場合は、タリウム系メタルハライドランプよりも鉄系メタルハライド
ランプを用いるのが好ましい。
Therefore, when it is desired to suppress light emission from the
図23に、実施の形態に係る鉄系メタルハライドランプと比較例としての水銀ランプの
分光分布の比較例を示す。水銀ランプは、365nm,313nm,303nmの波長領
域に大きな発光ピークを有する。365nm周辺照度に着目した場合、鉄系メタルハライ
ドランプは、水銀ランプに比べて45%程度低い照度を示すが、被処理基板10への照射
に好適な波長領域である340〜380nmにおいては、全体的に高い照度を持つ。
FIG. 23 shows a comparative example of spectral distributions of the iron-based metal halide lamp according to the embodiment and a mercury lamp as a comparative example. Mercury lamps have large emission peaks in the wavelength regions of 365 nm, 313 nm, and 303 nm. When focusing on the illuminance around 365 nm, the iron-based metal halide lamp shows an illuminance that is about 45% lower than that of the mercury lamp, but in the wavelength range of 340 to 380 nm suitable for irradiation to the
水銀ランプは、被処理基板10の特性に変化を及ぼす340nm以下の波長領域に高い
発光ピークを有することから、被処理基板10の性能向上を考慮すると、水銀ランプより
も鉄系メタルハライドランプを用いるのが好ましい。
Since the mercury lamp has a high emission peak in a wavelength region of 340 nm or less that affects the characteristics of the
図24の例に示すように、発光長Lが1800mmの鉄系メタルハイドランプを用いて
照度を測定した場合においても、電極間距離が100mm〜1800mmの範囲において
ランプ52の軸方向に対してほぼ均一な照度が得られることから、被処理基板10を大型
化する場合に好適である。また、図14に示す第1UV照射装置5aに適用する場合は、
発光長Lが2500mmの鉄系メタルハイドランプ又はタリウム系メタルハライドランプ
を用いた場合においても、図24と実質的に同様な効果が得られる。
As shown in the example of FIG. 24, even when the illuminance is measured using an iron-based metal hydride lamp having a light emission length L of 1800 mm, the distance between the electrodes is in the range of 100 mm to 1800 mm, and is almost the axial direction of the
Even when an iron-based metal hydride lamp or a thallium-based metal halide lamp having a light emission length L of 2500 mm is used, substantially the same effect as in FIG. 24 can be obtained.
−ランプ水冷構造−
図14に示すランプ52の周辺部を表す模式図を図25に示す。ランプ52は、内管1
01及び外管102の二重管構造を有する冷却管100に取り囲まれている。内管101
と外管102の間には、ランプ52を冷却するための水(純水)が収容されている。また
、内管101と外管102との間には、分光特性を有し、ランプ52からの赤外線を吸収
するための熱吸収フィルタ103が、ランプ52を取り囲むように配置されている。
-Lamp water cooling structure-
FIG. 25 is a schematic diagram showing the periphery of the
A cooling
Between the outer tube 102 and the outer tube 102, water (pure water) for cooling the
熱吸収フィルタ103としては、赤外線を吸収するとともに、約300〜400nmの
波長領域の紫外線を選択的に透過可能な分光特性を有する熱吸収フィルタが好ましい。例
えば、図26に示すように、260〜400nmの波長領域に分光透過率のピークを有す
る熱吸収フィルタが利用可能である。図26に示すような分光特性を有する熱吸収フィル
タ103を配置することにより、被処理基板10の内部の高分子体18を効率よく反応さ
せる波長領域の紫外線を透過させることが可能になるとともに、被処理基板10の加熱の
原因となる可視光線・赤外線の照射が抑制されるため、被処理基板10の特性劣化が更に
抑制され、製造後の液晶パネルの歩留まり及び性能が向上する。
The heat absorption filter 103 is preferably a heat absorption filter having spectral characteristics capable of absorbing infrared rays and selectively transmitting ultraviolet rays in a wavelength region of about 300 to 400 nm. For example, as shown in FIG. 26, a heat absorption filter having a spectral transmittance peak in the wavelength region of 260 to 400 nm can be used. By disposing the heat absorption filter 103 having spectral characteristics as shown in FIG. 26, it becomes possible to transmit ultraviolet rays in a wavelength region in which the polymer 18 inside the substrate to be processed 10 reacts efficiently, Since the irradiation of visible light and infrared rays that cause heating of the substrate to be processed 10 is suppressed, the characteristic deterioration of the substrate to be processed 10 is further suppressed, and the yield and performance of the manufactured liquid crystal panel are improved.
−フィルタ−
図14に示すフィルタ53としては、石英製やガラス製の基体上に複数層の薄膜を蒸着
させた多層膜フィルタ又は石英製やガラス製の基体中に吸収物を添加した光学フィルタ、
吸収型フィルタ等が利用可能である。フィルタ53の特性としては、短波長側の中心カッ
トオフ波長を320〜360nmの波長領域内に有するローパスフィルタが好ましい。な
お、実施の形態に係るフィルタ53において「中心カットオフ波長」とは、垂直入射(入
射角0度)の時の波長により定義されるカットオフ波長を指す。
-Filter-
As the
An absorption filter or the like can be used. As a characteristic of the
紫外線の入射角が大きくなると、カットオフ波長は短波長側に移動する。例えば、中心
カットオフ波長360nmで示される吸収物を添加したローパスフィルタを用いた場合は
、図27に示すように、紫外線の入射角を30°、45°とした場合の分光透過率50%
で定義されるカットオフ波長が、355〜360nm範囲で変化するが、その変化幅は比
較的小さい。一方、図28に示すように、中心カットオフ波長350nmの多層膜フィル
タを用いた場合は、入射角を30°、60°とすることにより、分光透過率50%が35
0nm、340nm、325nmとなり、紫外線の入射角に対するカットオフ波長の変化
幅が大きくなる。
When the incident angle of ultraviolet rays increases, the cutoff wavelength moves to the short wavelength side. For example, when a low-pass filter to which an absorber having a center cutoff wavelength of 360 nm is added is used, as shown in FIG. 27, the spectral transmittance is 50% when the incident angles of ultraviolet rays are 30 ° and 45 °.
The cut-off wavelength defined in (1) changes in the range of 355 to 360 nm, but the change width is relatively small. On the other hand, as shown in FIG. 28, when a multilayer filter having a center cutoff wavelength of 350 nm is used, the
It becomes 0 nm, 340 nm, and 325 nm, and the change width of the cutoff wavelength with respect to the incident angle of ultraviolet rays becomes large.
被処理基板10内部の高分子体18の重合を促進させて配向部21,22を形成し、製
造後の液晶パネル20の特性変化を低減するためには、波長340nm以下の紫外線照射
を抑制するフィルタ53として、中心カットオフ波長Nを320〜360nm、好ましく
は330〜350nmの波長領域に有し、且つ、紫外線の入射角を0°〜60°とした場
合のカットオフ波長の変化が−15nm<N<+15nmの範囲にある多層膜フィルタを
用いるのが好ましい。
In order to promote the polymerization of the polymer 18 inside the substrate to be processed 10 to form the
実施の形態に係るフィルタを用いることにより、波長領域300〜400nmにおける
光量を100%とした場合に、波長領域340nm以下の光が5%以下となるように抑制
された紫外光を被処理基板10に照射することができる。
By using the filter according to the embodiment, when the amount of light in the
−ランプ制御装置−
図14に示すランプ制御装置7は、図29に示すように、ランプ電力制御部71、照度
判定部72、積算光量判定部73、均斉度判定部74を備える。ランプ制御装置7には、
被処理基板10の処理に好適な照度値の設定値等の種々のデータを記憶させるための記憶
装置75が設けられていてもよい。
-Lamp control device-
As shown in FIG. 29, the
A
ランプ電力制御部71は、照度判定部72、積算光量判定部73、均斉度判定部74の
判定結果に基づいてランプの電力を制御する。照度判定部72は、記憶装置75に記憶さ
れた照度値の設定データ等を読み出して、第1照度計55又は第2照度計56が検出した
照度値が、所定の範囲内にあるか否かを判定することができる。
The lamp
図30に、図1に示す被処理基板10を処理する場合の、照度値、照射時間と、図3に
示す配向部21,22の配向状態(重合効果)、劣化、生産効率の関係を示す。「照度値
」とは、第1照度計55として、図18に示す分光感度を有する照度計で検出した値を表
している。また、以下において「照射時間」とは、ランプ52から図1の被処理基板10
に実際に照射する時間を表す。
FIG. 30 shows the relationship between the illuminance value and the irradiation time when the
Represents the actual irradiation time.
図30に示すように、第1照度計55が検出する照度値が25mW/cm2以下の場合
は、図1の高分子体18の重合効果は得られるが、製造後の液晶パネル20に劣化が生じ
、生産効率も低くなる。照度値が40mW/cm2以上になるとよく重合が進み生産効率
も向上するが、100mW/cm2より高くなると高分子体18へのダメージが大きくな
るので、75mW/cm2に抑制することで、重合効果も得られ、且つ製造後の液晶パネ
ル20の劣化も生じにくくさせることができる。
As shown in FIG. 30, when the illuminance value detected by the first illuminometer 55 is 25 mW / cm 2 or less, the polymerization effect of the polymer body 18 of FIG. 1 is obtained, but the
よって、照度判定部72は、図1の被処理基板10を処理する場合は、第1照度計55
の照度値が、例えば、25mW/cm2以上であるか、好ましくは、25〜100mW/
cm2の範囲にあるか、より好ましくは、40〜75mW/cm2の範囲にあるか否かを判
定し、判定結果に基づいて、ランプ電力制御部71によってランプ52の電圧又は電流を
制御するのが好ましい。
Therefore, when the
Is, for example, 25 mW / cm 2 or more, or preferably 25 to 100 mW /
or in the range of cm 2, more preferably, it determines whether the range of 40~75mW / cm 2, based on the determination result, controls the voltage or current of the
一般に、ランプ52は、寿命が近づくにつれて光量が徐々に低下する傾向にある。その
ため、第1照度計55等が検出する照度値も時間の経過とともに低くなる。複数の被処理
基板10に対してそれぞれ均等な光量で紫外線を照射するためには、点灯時間が長期化す
るにつれてランプ52が劣化し、照度が低くなった場合に、電圧又は電流を上げて照度を
一定以上に維持することが望ましい。
In general, the
図14に示す液晶パネル製造装置においては、照度判定部72が、第1照度計55又は
第2照度計56の照度値を検出し、ランプ52の点灯時間に対する第1照度計55又は第
2照度計56の照度値の変化量が約10%以下となった場合に、照度値を所定の値に戻す
ように、ランプの電圧又は電流を制御するのが好ましい。なお「点灯時間」とは、ランプ
52を現実に点灯させた時間の積算値を表す。
In the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. 14, the
積算光量判定部73は、「積算光量」が一定値以上となるか否かを判定する。「積算光
量」とは、第1照度計55が検出した照度値とランプ52の照射時間との積で示される。
例えば、図1の被処理基板10を処理する場合においては、積算光量判定部73が、積算
光量が2000mJ/cm2以上となるか否かを判定することができる。積算光量を20
00mJ/cm2以上とすることにより、被処理基板10の内部の高分子体18の重合効
果が得られるとともに、図3の液晶パネルの特性劣化が生じにくくなる。一方、2000
mJ/cm2以下とすることにより、図3の液晶パネル内部の配向部21,22の形成が
十分に行われなくため、性能低下を招く。
The integrated light
For example, when processing the
By setting it to 00 mJ / cm 2 or more, the polymerization effect of the polymer 18 inside the substrate to be processed 10 can be obtained, and the characteristic deterioration of the liquid crystal panel shown in FIG. On the other hand, 2000
By setting it to mJ / cm 2 or less, the
均斉度判定部74は、第1照度計55又は第2照度計が検出した最大照度値と最小照度
値とから計算される「均斉度」が所定値以上であるか否かを判定する。ここで、「均斉度
」とは、図31に示すように、被処理基板10の長手方向と照度の関係に着目した場合に
、第1照度計55(又は第2照度計56)が検出した照度値の最大照度値(MAX)と最
小照度値(MIN)を用いて、
均斉度(%)=(1−(MAX−MIN)/(MAX+MIN))×100
により表される照度の均一性の割合をいう。
The
Uniformity (%) = (1− (MAX−MIN) / (MAX + MIN)) × 100
The ratio of the uniformity of illuminance represented by
図14に示すように、複数のランプ52からそれぞれ光が照射されると、被処理基板1
0の表面に照射される紫外線の照度が場所によって変化する。変化量が大きくなると、被
処理基板10の表面に照射ムラが生じるため、応答性の高い液晶パネルの製造が困難とな
る。
As shown in FIG. 14, when light is irradiated from each of the plurality of
The illuminance of ultraviolet rays applied to the 0 surface varies depending on the location. When the amount of change increases, irradiation unevenness occurs on the surface of the
図29に示す均斉度判定部74を備えることにより、複数のランプ52の出力電力に応
じて、被処理基板10の表面に対する均斉度が所定の範囲であるか否かを判定できるため
、より性能の高い液晶パネルが製造できる。
By providing the
なお、図14においては、ランプ52の上方に配置された第1照度計52(又は第2照
度計56)の照度値に基づいて被処理基板10の表面の均斉度を推定する方法を示したが
、被処理基板10を配置するステージ51又は冷却板54上に照度計を配置して、ステー
ジ51又は冷却板54上の照度計の測定結果に応じて均斉度を評価してもよい。
FIG. 14 shows a method for estimating the uniformity of the surface of the
図32に、波長領域340〜370nmの間にピーク感度を有する照度計を用いた場合
の均斉度と液晶パネルの性能との関係を表す表を示す。均斉度を75%以上とすることに
より、図3の液晶パネル20の応答速度、透過率、コントラスト、偏光(光)特性等の種
々の性能を向上させることができる。均斉度判定部74は、図1に示す被処理基板10を
処理する場合には、第1照度計55で算出した場合の均斉度が75%以上であるか否かを
判定し、その判定結果に基づいて、ランプ電力制御部71によりランプの電圧又は電流を
制御するのが好ましい。
FIG. 32 shows a table showing the relationship between the uniformity and the performance of the liquid crystal panel when using an illuminometer having a peak sensitivity in the wavelength region of 340 to 370 nm. By setting the uniformity to 75% or more, various performances such as response speed, transmittance, contrast, and polarization (light) characteristics of the
−有害波長照度判定機構−
図37(a)に示すように、図1に示す被処理基板10を処理する場合、波長340n
m又は320nm以下の有害波長領域の光、特に、水銀の発光ピークを示す波長313n
mの光が被処理基板10の斜線部分に照射されると、図37(b)に示すように、照射後
の液晶パネル20に白いムラが残る。図38に、波長313nmの紫外線を検出する第2
照度計56を用いた場合の波長313nmの紫外線が及ぼすパネル劣化の影響の関係を示
す。
-Harmful wavelength illuminance determination mechanism-
As shown in FIG. 37 (a), when processing the substrate to be processed 10 shown in FIG.
m or light having a harmful wavelength region of 320 nm or less, in particular, a wavelength of 313 n indicating a light emission peak of mercury
When m light is irradiated onto the shaded portion of the
The relationship of the influence of panel deterioration which the ultraviolet-ray with a wavelength of 313 nm at the time of using the illuminance meter 56 is shown is shown.
図38に示すように、照度値が1mW/cm2以下の場合には、図37(b)に示すよ
うなパネル劣化は生じにくいが、照度値が1mW/cm2以上の場合には、図37(b)
に示すようなパネル劣化が生じる割合が高くなる。
As shown in FIG. 38, when the illuminance value is 1 mW / cm 2 or less, panel deterioration as shown in FIG. 37 (b) hardly occurs, but when the illuminance value is 1 mW / cm 2 or more, 37 (b)
The rate at which panel deterioration as shown in FIG.
図29に示す照度判定部72は、第2照度計56の照度値が1mW/cm2以上となる
場合には、例えば、図示を省略した表示装置等を介してユーザに警告する、或いは、図1
5に示す反射鏡57或いは補助反射板58の角度を調節させるための機構(図示省略)を
制御することにより、被処理基板10の性能に影響を与える有害波長領域の紫外線の照射
を抑制することができる。
When the illuminance value of the second illuminometer 56 is 1 mW / cm 2 or more, for example, the
By controlling a mechanism (not shown) for adjusting the angle of the reflecting
なお、図38に示すように、図1に示す被処理基板10を処理する場合は、第2照度計
56の照度の値が1mW/cm2以上、より好ましくは、0.5mW/cm2以上又は0.
2mW/cm2以上となった場合に、照度判定部72がユーザに警告等を発するようにす
るのが好ましい。
Incidentally, as shown in FIG. 38, when processing the
When it becomes 2 mW / cm 2 or more, it is preferable that the
−基板温度制御機構−
図14に示す冷却板54を上面からみた場合の模式図を図33に示す。冷却板54は、
例えば、アルミ等の金属製であり、内部に冷却水を流通させるための流路(冷却水流路)
541を備えている。冷却水の流通速度は、図14に示す基板温度制御装置8により制御
されていてもよいし、一定速度であっても構わない。図34に示すように、処理室50の
内部に、複数の冷風ノズル542が被処理基板10の長手方向に沿ってそれぞれ離間して
配置されており、冷風ノズル542から、例えば、5〜15℃の冷風が送られるようにな
っていてもよい。これにより、被処理基板10の基板温度が、70℃以下、好ましくは、
20〜50℃に制御される。冷風ノズル542の位置は、基板の大きさに応じて変更可能
である。なお、冷風ノズル542の代わりに冷風を送るためのファンが設置されていても
よい。
-Substrate temperature control mechanism-
FIG. 33 shows a schematic diagram when the cooling
For example, it is made of metal such as aluminum and has a flow path (cooling water flow path) for circulating cooling water inside.
541. The circulation speed of the cooling water may be controlled by the substrate
Controlled at 20-50 ° C. The position of the cold air nozzle 542 can be changed according to the size of the substrate. A fan for sending cold air may be installed instead of the cold air nozzle 542.
被処理基板10の内部に封入される高分子体18及び液晶体17は、熱可塑性を有する
ことから、高温に曝すと、特性劣化を起こす場合がある。例えば、波長365nmにピー
ク感度を有する照度計で測った場合の照度値を100mW/cm2において、照射時間を
200℃とした場合は、被処理基板10の基板温度が200℃に達するため、高分子体1
8及び液晶体17の特性劣化が著しくなる。
Since the polymer body 18 and the
8 and the
図34に示す第1UV照射装置5aによれば、冷風ノズル542及び冷却板54を備え
ることにより、被処理基板10の温度を一定温度以下に制御できるため、高分子体18及
び液晶体17の劣化が低減され、製造後の液晶パネルの応答速度、透過率、コントラスト
、偏光(光)特性等、種々の特性を向上させることができる。
According to the first
冷風ノズル542及び冷却板54の駆動は、被処理基板10の大きさによって選択する
ことができる。例えば、550mm×650mmの被処理基板10を処理する場合、冷風
ノズル542のみを用いて冷却することも十分可能であるが、例えば、1500mm×1
800mmの被処理基板10等のように、比較的大型な基板を処理する場合は、冷風ノズ
ル542と冷却板54とを併用するようにしてもよい。
The driving of the cold air nozzle 542 and the cooling
When processing a relatively large substrate such as the substrate to be processed 10 of 800 mm, the cold air nozzle 542 and the cooling
一方、逆に冷風を吹きかけることにより、被処理基板10の表面温度にバラツキが生じ
てしまう場合は、冷却板54のみを駆動させることが望ましい。図34に示すように、処
理室50内に基板温度を測定する温度センサ543を設け、温度センサ543の検出値に
応じて、基板温度制御装置8が、冷却板54と冷風ノズル542の駆動を選択的に制御す
るようにしてもよい。
On the other hand, if the surface temperature of the
−基板移動制御機構−
図35に示すように、ランプ52と被処理基板10との距離や、反射板の光の反射具合
により、被処理基板10の表面に照射される光量が、局所的に不均一になる場合がある。
そのため、図35においては、実線で示される位置において、まず、一定時間紫外線を照
射した後、移動制御装置9により、ステージ51を距離Wだけ被処理基板10の長手方向
に移動させるようにしてもよい。これにより、ステージ51を移動せずに処理する場合に
比べて、被処理基板10のに照射される光をより均一化させることができる。
-Substrate movement control mechanism-
As shown in FIG. 35, the amount of light applied to the surface of the substrate to be processed 10 may be locally non-uniform depending on the distance between the
Therefore, in FIG. 35, at a position indicated by a solid line, first, after irradiating ultraviolet rays for a certain period of time, the
距離Wは、ランプ52からの照度が一定値以上となる有効照射範囲内で変更可能である
が、ランプ52の特性を考慮すると、ランプピッチの1/2程度ずつ動かすようにするの
が好ましい。例えば、ランプ52として発光管外径27.5mm、発光長1000mmの
メタルハライドランプを5灯搭載し、550mm×650mmの図1に示す被処理基板1
0を処理する場合は、波長領域340〜370nmの間にピーク感度を有する照度計(第
1照度計55)の照度値を75mW/cm2として25秒照射し、その後、被処理基板1
0を基板の長手方向にW=125mm程度移動させて、75mW/cm2において更に2
5秒照射する。これにより、液晶パネル20に生じる反応ムラを抑制でき、性能の高い液
晶パネル20の生産が実現できる。
The distance W can be changed within an effective irradiation range in which the illuminance from the
In the case of
0 is moved in the longitudinal direction of the substrate by about W = 125 mm, and further 2 at 75 mW / cm 2 .
Irradiate for 5 seconds. Thereby, the reaction nonuniformity which arises in the
(紫外線照射装置を用いた液晶パネルの製造方法)
図14に示す第1UV照射装置5aを用いて図1に示す被処理基板10を処理する場合
は、図36のステップS11に示すように、まずセットアップを行う。セットアップとし
ては、例えば、ランプ制御装置7、基板温度制御装置8、移動制御装置9、及び電圧印加
制御装置61を駆動させるための各種設定データを記憶装置(図示省略)等に入力するこ
とができる。
(Liquid crystal panel manufacturing method using ultraviolet irradiation device)
When processing the
また、ステージ51上に、テスト用の被処理基板10を配置し、処理室50の内部を処
理条件に設定した上で、被処理基板10の表面の照度及びその照度における第1照度計5
5及び第2照度計56の照度値との関係を導出しておく。また、図31に示すように、被
処理基板10の表面の長手方向に対する第1照度計55の照度値との関係を導出しておく
。これにより、第1照度計55及び第2照度計56の照度値に基づいて、被処理基板10
の表面の実際の照度値、或いは被処理基板10の表面の照度の均斉度等の関係が計算でき
る。
Further, the
5 and the illuminance value of the second illuminometer 56 are derived. Further, as shown in FIG. 31, the relationship between the illuminance value of the first illuminometer 55 with respect to the longitudinal direction of the surface of the
The actual illuminance value on the surface of the substrate or the uniformity of the illuminance on the surface of the
セットアップが終了したら、図8に示す搬送ロボット62により、実際に処理する被処
理基板10を図14の冷却板54上に配置し、ステップS12において、被処理基板10
の冷却を開始させる。冷却方法は、被処理基板10の大きさに基づいて、5〜15℃の冷
風によって空冷してもよいし、図34に示すように、温度センサ543によって基板温度
を検出し、基板温度が例えば70℃以下に制御されるように、基板温度制御装置8により
、冷却板54又は冷風ノズル542を制御してもよい。
When the setup is completed, the
Start cooling. The cooling method may be air-cooled with cold air of 5 to 15 ° C. based on the size of the
引き続き、ステップS13において、被処理基板10に例えば、0〜30Vの電圧が印
加される。ステップS14において、被処理基板10に電圧を印加した状態で、例えば、
第1照度計55の照度値が75mW/cm2の条件においてランプ光を25秒照射する。
その後、ステップS15において、ステージ51を被処理基板10の長手方向に移動させ
て、ステップS16において、被処理基板10に電圧を印加した状態で、例えば、第1照
度計55の照度値が75mW/cm2の条件においてランプ光を25秒照射する。
Subsequently, in step S13, for example, a voltage of 0 to 30 V is applied to the
The lamp light is irradiated for 25 seconds under the condition that the illuminance value of the first illuminometer 55 is 75 mW / cm 2 .
Thereafter, in step S15, the
図14のランプ制御装置7は、ランプ52が、第1照度計55の照度値が40mW/c
m2以上において、第1照度計55の照度値とランプの照射時間との積が2000mJ/
cm2以上となるように被処理基板10に紫外線を照射させる。また、ランプの照射時間
に対する第1照度計55の照度値の変化量が10%以下となった場合には、ランプの電力
を制御する。ランプ制御装置7は、均斉度を算出し、均斉度が75%以上となるように、
ランプの電力を制御する。処理が済んだ被処理基板10は、ステップS17において、図
14の処理室50から搬出され、図8の搬送ロボット62により反転部6に搬送される。
In the
At m 2 or more, the product of the illuminance value of the first illuminometer 55 and the irradiation time of the lamp is 2000 mJ /
The substrate to be processed 10 is irradiated with ultraviolet rays so as to be equal to or greater than cm 2 . Further, when the amount of change in the illuminance value of the first illuminometer 55 with respect to the lamp irradiation time becomes 10% or less, the power of the lamp is controlled. The
Control lamp power. The processed
図8に示す実施の形態に係るUV照射部5(第1UV照射装置5a)によれば、製造後
の液晶パネルの性能等に影響を及ぼす波長領域340nm以下の紫外線照射を抑制できる
ため、高性能で歩留まりを向上させた液晶パネルが製造できる。
The UV irradiation unit 5 (first
本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は
この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代
替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Although the present invention has been described according to the above-described embodiments, it should not be understood that the descriptions and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したが
って、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項
によってのみ定められるものである。
It goes without saying that the present invention includes various embodiments not described herein. Accordingly, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.
2…搬入部
3…反転部
4…検査部
4a…第1検査装置
4b…第2検査装置
5…UV照射部
5a…第1UV照射装置
5b…第2UV照射装置
6…反転部
7…ランプ制御装置
8…基板温度制御装置
9…移動制御装置
10…被処理基板
11…半導体素子
12…基板
13…カラーフィルタ
14…基板
15…透明電極
16…透明電極
17…液晶体
18…高分子体
19…シール部
20…液晶パネル
21…配向部
22…配向部
25…搬送ロボット
30…処理室
31…第1吸着部
32…第2吸着部
33…第3吸着部
34…可動部
35…回転部
36…可動部
40…処理室
41…設置台
42…バックライト照射部
43…CCDカメラ
44…印加コネクタ
45…電圧印加部
50…処理室
51…ステージ
52…ランプ
53…フィルタ
54…冷却板
55…第1照度計
56…第2照度計
57…反射鏡
58…補助反射板
61…表示装置
62…搬送ロボット
63…イオナイザー
64…電圧印加制御装置
71…ランプ電力制御部
72…照度判定部
73…積算光量判定部
74…均斉度判定部
75…記憶装置
100…冷却管
101…内管
102…外管
103…熱吸収フィルタ
520…気密性容器
521,522…電極
541…冷却水流路
542…冷風ノズル
543…温度センサ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記処理室内に配置され、前記被処理基板に紫外線を照射して前記光反応性物質を反応
させ、前記被処理基板の内部に配向部を形成させる複数のランプと、
前記ランプに対向し、波長340nm以下の波長領域の紫外線の透過を抑制するフィル
タと、
前記ランプの照度を計測する照度計と、
前記被処理基板の紫外線照射面の均斉度が75%以上となるように前記ランプの電力を
制御するランプ制御装置
とを備えることを特徴とする液晶パネル製造装置。 A processing chamber for processing a substrate to be processed in which a liquid crystal containing a photoreactive substance is enclosed;
A plurality of lamps disposed in the processing chamber, irradiating the substrate to be processed with ultraviolet rays to react the photoreactive substance, and forming an alignment portion inside the substrate to be processed;
A filter that opposes the lamp and suppresses transmission of ultraviolet rays in a wavelength region of 340 nm or less;
An illuminometer that measures the illuminance of the lamp;
A liquid crystal panel manufacturing apparatus comprising: a lamp control device that controls power of the lamp so that the uniformity of the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed is 75% or more.
請求項1に記載の液晶パネル製造装置。 The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the illuminance meter has a peak sensitivity in a wavelength region of 340 to 370 nm.
る均斉度に基づいて、前記ランプの電力を制御することを特徴とする請求項1又は2に記
載の液晶パネル製造装置。 The said lamp control apparatus controls the electric power of the said lamp based on the uniformity calculated from the maximum illumination value detected by the said illumination meter, and the minimum illumination intensity value. Liquid crystal panel manufacturing equipment.
10%以下となるように前記ランプの電力を制御することを特徴とする請求項1〜3のい
ずれか1項に記載の液晶パネル製造装置。 The said lamp control apparatus controls the electric power of the said lamp so that the variation | change_quantity of the illuminance value of the said luminometer with respect to the lighting time of the said lamp may be 10% or less. The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to the item.
特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶パネル製造装置。 The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a harmful wavelength illuminometer that measures illuminance in a harmful wavelength region emitted by the lamp.
度が75%以上となるように、複数のランプの電力を制御しながら波長領域340nm以
下の紫外線の透過を抑制するフィルタを介して前記被処理基板に紫外線を照射し、前記光
反応性物質を反応させて前記被処理基板の内部に配向部を形成することを特徴とする液晶
パネルの製造方法。 While controlling the power of the plurality of lamps so that the illuminance uniformity on the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed in which the liquid crystal containing the photoreactive substance is sealed is 75% or more, the ultraviolet ray having a wavelength region of 340 nm or less is controlled. A method of manufacturing a liquid crystal panel, comprising: irradiating the substrate to be processed with ultraviolet light through a filter that suppresses transmission, and reacting the photoreactive substance to form an alignment portion in the substrate to be processed.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210438A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Iwasaki Electric Co Ltd | Metal halide lamp |
WO2013004053A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Device, method, sample table and light source device for making pre-tilt angle of liquid crystal panel |
JP2013168274A (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Iwasaki Electric Co Ltd | Ultraviolet ray irradiation device, luminance adjustment method, and luminance distribution measurement tool |
JP5344105B1 (en) * | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | Polarizing light irradiation apparatus for photo-alignment and polarized light irradiation method for photo-alignment |
JP2017015887A (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | アイグラフィックス株式会社 | Optical alignment irradiation device |
JP2017072768A (en) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | ウシオ電機株式会社 | Light irradiation device and light irradiation method |
KR101768777B1 (en) | 2014-12-06 | 2017-08-17 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | Photo-alignment apparatus and photo-alignment method |
CN110383157A (en) * | 2017-06-28 | 2019-10-25 | 捷恩智株式会社 | The manufacturing method of liquid crystal display element |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0857300A (en) * | 1994-08-26 | 1996-03-05 | Sekisui Chem Co Ltd | Ultraviolet irradiation apparatus |
JPH09292602A (en) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of liquid crystal display panel and producing device |
JP2000241785A (en) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Nec Eng Ltd | Production of liquid crystal display element cell and apparatus for production |
JP2001235760A (en) * | 1999-12-14 | 2001-08-31 | Sharp Corp | Method of manufacturing liquid crystal display device and device for manufacture thereof |
JP2002350858A (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Sony Corp | Light orientation device |
JP2006058755A (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Fujitsu Display Technologies Corp | Liquid crystal display and its manufacturing method |
JP2006142706A (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Inkjet recorder |
-
2006
- 2006-11-02 JP JP2006299521A patent/JP4925790B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0857300A (en) * | 1994-08-26 | 1996-03-05 | Sekisui Chem Co Ltd | Ultraviolet irradiation apparatus |
JPH09292602A (en) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of liquid crystal display panel and producing device |
JP2000241785A (en) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Nec Eng Ltd | Production of liquid crystal display element cell and apparatus for production |
JP2001235760A (en) * | 1999-12-14 | 2001-08-31 | Sharp Corp | Method of manufacturing liquid crystal display device and device for manufacture thereof |
JP2002350858A (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Sony Corp | Light orientation device |
JP2006058755A (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Fujitsu Display Technologies Corp | Liquid crystal display and its manufacturing method |
JP2006142706A (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Inkjet recorder |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210438A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Iwasaki Electric Co Ltd | Metal halide lamp |
WO2013004053A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Device, method, sample table and light source device for making pre-tilt angle of liquid crystal panel |
JP2013168274A (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Iwasaki Electric Co Ltd | Ultraviolet ray irradiation device, luminance adjustment method, and luminance distribution measurement tool |
CN103728784B (en) * | 2013-03-08 | 2016-08-24 | 优志旺电机株式会社 | Polarization light emitting apparatus for light orientation and light orientation polarizing light irradiation method |
KR101352243B1 (en) | 2013-03-08 | 2014-01-17 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | Apparatus and method for irradiating polarized light for light alignment |
CN103728784A (en) * | 2013-03-08 | 2014-04-16 | 优志旺电机株式会社 | Apparatus and method for irradiating polarized light for light alignment |
JP2014174352A (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Ushio Inc | Polarized light irradiation device for photo-alignment, and polarized light irradiation method for photo-alignment |
US9354472B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-31 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Polarized light irradiating apparatus and method of irradiating polarized light for photo alignment |
JP5344105B1 (en) * | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | Polarizing light irradiation apparatus for photo-alignment and polarized light irradiation method for photo-alignment |
US9581863B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-02-28 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Polarized light irradiating apparatus and method of irradiating polarized light for photo alignment |
US9766503B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-09-19 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Polarized light irradiating apparatus and method of irradiating polarized light for photo alignment |
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KR101768777B1 (en) | 2014-12-06 | 2017-08-17 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | Photo-alignment apparatus and photo-alignment method |
JP2017015887A (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | アイグラフィックス株式会社 | Optical alignment irradiation device |
JP2017072768A (en) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | ウシオ電機株式会社 | Light irradiation device and light irradiation method |
CN110383157A (en) * | 2017-06-28 | 2019-10-25 | 捷恩智株式会社 | The manufacturing method of liquid crystal display element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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