JP2008116676A - Equipment and method for manufacturing liquid crystal panel - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide equipment for manufacturing a liquid crystal panel capable of monitoring the illuminance of an ultraviolet ray applied on the surface of a substrate to be processed by suppressing the deterioration of a liquid crystal body and an optical reaction substance, and to provide a method for manufacturing the liquid crystal panel using it. <P>SOLUTION: The equipment for manufacturing the liquid crystal panel includes: a processing chamber 50 for processing a substrate 10 to be processed enclosing a liquid crystal body 17 containing an optical reaction substance 18 in the inside; a plurality of lamps 52 for forming alignment sections 21, 22 in the inside of the substrate 10 to be processed by being arranged in the processing chamber 50, and irradiating the substrate 10 to be processed with the ultraviolet ray to react the optical reaction substance 18; a filter 53 for suppressing the transmission of the ultraviolet ray of a wavelength region of 340 nm or less of wavelength by facing the lamps 52; an illuminance meter 55 for measuring the illuminance of the plurality of the lamps 52; and a lamp control device 7 for controlling the electric power of the plurality of the lamps 52 so that a uniformity ratio of illumination of an ultraviolet irradiation face of the substrate 10 to be processed is 75% or more. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal panel manufacturing apparatus and a method for manufacturing a liquid crystal panel using the same.

液晶パネルは、表示品質が高く、薄型化及び低消費電力化等が可能なことから、様々な
用途に用いられてきている。特に最近は、液晶テレビ等の大型液晶装置への需要が多くな
ってきており、その性能も高いものが望まれるようになってきている。 Liquid crystal panels have been used for various applications because they have high display quality and can be reduced in thickness and power consumption. In recent years, demand for large-sized liquid crystal devices such as liquid crystal televisions has been increasing recently, and devices with high performance have been desired.

高性能な液晶パネルを得るためには、配向膜の配向制御が重要である。従来は、配向膜
を布で擦る「ラビング法」等が一般的に用いられてきたが、ラビング法を用いると埃が落
ちて汚れが付着する、或いは、静電気等により半導体素子が破損する等の問題があるため
、ラビング法に代わる技術として、「光配向法」とよばれる配向制御技術が知られている
（例えば、特許文献１参照。）。 In order to obtain a high-performance liquid crystal panel, alignment control of the alignment film is important. Conventionally, the “rubbing method” or the like in which the alignment film is rubbed with a cloth has been generally used. However, when the rubbing method is used, dust falls and dirt is attached, or a semiconductor element is damaged due to static electricity or the like. Since there is a problem, an alignment control technique called “optical alignment method” is known as an alternative to the rubbing method (see, for example, Patent Document 1).

光配向法を用いた液晶パネルの製造方法においては、例えば、２枚の基板の間に液晶体
と光反応性物質を挟み込んだ被処理基板の外側から紫外線を照射し、光反応性物質を化学
反応させて被処理基板の内部に配向膜を形成する技術がある。 In a liquid crystal panel manufacturing method using a photo-alignment method, for example, ultraviolet light is irradiated from the outside of a substrate to be processed in which a liquid crystal body and a photoreactive substance are sandwiched between two substrates, and the photoreactive substance is chemically treated. There is a technique for forming an alignment film inside a substrate to be processed by reaction.

しかし、液晶体と光反応性物質とを封入した被処理基板に一定波長以下の紫外線を多量
に照射すると、被処理基板内の液晶体と光反応物質が劣化する。さらに、被処理基板に対
して複数のランプから紫外線を照射すると、被処理基板に照射ムラが生じ易くなるため、
液晶パネルの性能及び歩留まりが低下する。高性能で高歩留まりの液晶パネルを製造する
ためには、被処理基板の表面に照射される紫外線の照度をモニタする必要がある。 However, when a substrate to be processed in which a liquid crystal body and a photoreactive substance are sealed is irradiated with a large amount of ultraviolet light having a wavelength less than a certain wavelength, the liquid crystal body and the photoreactive substance in the substrate to be processed are deteriorated. Furthermore, when the substrate to be processed is irradiated with ultraviolet rays from a plurality of lamps, unevenness of irradiation tends to occur on the substrate to be processed.
The performance and yield of the liquid crystal panel are reduced. In order to manufacture a liquid crystal panel with high performance and high yield, it is necessary to monitor the illuminance of ultraviolet rays applied to the surface of the substrate to be processed.

特許第３１６３３５７号公報Japanese Patent No. 3163357

本発明は、液晶体と光反応物質の劣化を抑制し、被処理基板の表面に照射される紫外線
の照度をモニタ可能な液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法を提供
する。 The present invention provides a liquid crystal panel manufacturing apparatus capable of suppressing deterioration of a liquid crystal body and a photoreactive substance and monitoring the illuminance of ultraviolet rays irradiated on the surface of a substrate to be processed, and a method of manufacturing a liquid crystal panel using the same.

本願発明の態様によれば、光反応性物質を含有する液晶体を内部に封入した被処理基板
を処理する処理室と、処理室内に配置され、被処理基板に紫外線を照射して光反応性物質
を反応させ、被処理基板の内部に配向部を形成させる複数のランプと、ランプに対向し、
波長３４０ｎｍ以下の波長領域の紫外線の透過を抑制するフィルタと、複数のランプの照
度を計測する照度計と、被処理基板の紫外線照射面の照度均斉度が７５％以上となるよう
に複数のランプの電力を制御するランプ制御装置とを備える液晶パネル製造装置が提供さ
れる。 According to an aspect of the present invention, a processing chamber for processing a substrate to be processed in which a liquid crystal body containing a photoreactive substance is enclosed, and a processing chamber are disposed, and the substrate is irradiated with ultraviolet rays to be photoreactive. A plurality of lamps for reacting a substance to form an alignment portion inside the substrate to be processed, and facing the lamps;
A filter that suppresses the transmission of ultraviolet rays in a wavelength region of 340 nm or less, an illuminometer that measures the illuminance of the plurality of lamps, and a plurality of lamps so that the illuminance uniformity on the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed is 75% or more. There is provided a liquid crystal panel manufacturing apparatus comprising a lamp control device for controlling the power of the lamp.

本願発明の他の態様によれば、光反応性物質を含有する液晶体を内部に封入した被処理
基板の紫外線照射面の照度均斉度が７５％以上となるように、複数のランプの電力を制御
しながら波長領域３４０ｎｍ以下の紫外線の透過を抑制するフィルタを介して紫外線を照
射し、光反応性物質を反応させて被処理基板の内部に配向部を形成する液晶パネルの製造
方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the power of a plurality of lamps is adjusted so that the illuminance uniformity on the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed encapsulating a liquid crystal containing a photoreactive substance is 75% or more. Provided is a liquid crystal panel manufacturing method in which an ultraviolet ray is irradiated through a filter that suppresses transmission of ultraviolet rays having a wavelength region of 340 nm or less while being controlled, and a photoreactive substance is reacted to form an alignment portion inside a substrate to be processed. The

本発明によれば、液晶体と光反応物質の劣化を抑制し、被処理基板の表面に照射される
紫外線の照度をモニタ可能な液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法
が提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal panel manufacturing apparatus which can suppress deterioration of a liquid crystal body and a photoreactive substance, and can monitor the illumination intensity of the ultraviolet-ray irradiated to the surface of a to-be-processed substrate, and the manufacturing method of a liquid crystal panel using the same are provided. it can.

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載においては
、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。以下に示す実施の形態は、
この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明
の技術的思想は構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものではない。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. The embodiment shown below is
The apparatus and method for embodying the technical idea of the present invention are illustrated, and the technical idea of the present invention does not specify the structure, arrangement, etc. of the component parts as follows.

−被処理基板−
本発明の実施の形態に係る液晶パネル製造装置を用いて処理可能な被処理基板１０を説
明する。図１に例示するように、被処理基板１０は、ガラス製等の第１基板１２と第２基
板１４の間に、電圧印加により方位性を持つ液晶体１７と、光反応性を有する光反応性物
質（高分子体）１８とが少なくとも封入されている。 -Substrate-
A substrate 10 to be processed that can be processed using the liquid crystal panel manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. As illustrated in FIG. 1, a substrate to be processed 10 includes a liquid crystal body 17 having orientation by applying a voltage between a first substrate 12 and a second substrate 14 made of glass or the like, and a photoreaction having photoreactivity. The active substance (polymer) 18 is at least enclosed.

液晶体１７としては、例えば、エステル系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン（
ＰＣＨ）系、シクロヘキサン系、フェニルピリジミン系、ジオキサン系の母材が用いられ
る。母材は用途に応じてブレンドされるのが好ましい。駆動電圧を小さくすることが可能
な液晶材料としては、Ｐ−エステル系、Ｐービフェニル系の材料等が好適である。高温に
耐え、安定して作動可能な液晶材料としては、三環系、四環系の母材が好適である。応答
性を向上させ、動画等の表示に好適な液晶材料としては、ＰＣＨ系又はビフェニル系の材
料が好適である。 Examples of the liquid crystal body 17 include ester-based, biphenyl-based, phenylcyclohexane (
PCH) -based, cyclohexane-based, phenylpyridimine-based, and dioxane-based base materials are used. The base material is preferably blended depending on the application. As the liquid crystal material capable of reducing the driving voltage, a P-ester-based material, a P-biphenyl-based material, or the like is preferable. As a liquid crystal material that can withstand high temperatures and operate stably, a tricyclic or tetracyclic base material is suitable. As a liquid crystal material that improves responsiveness and is suitable for displaying moving images or the like, a PCH-based or biphenyl-based material is preferable.

高分子体１８としては、例えば、図２に示すようなアゾ化合物（アゾベンゼン）を持つ
高分子材料が用いられる。アゾ化合物を持つ高分子材料は、紫外線、特に波長領域３００
〜４００ｎｍの紫外線を照射することにより重合し、架橋構造体を形成する。図１に示す
ように、第１基板１２と第２基板１４の間は、シール部１９により貼り合わせられている
。 As the polymer 18, for example, a polymer material having an azo compound (azobenzene) as shown in FIG. 2 is used. A polymer material having an azo compound is UV, particularly in the wavelength region 300
It polymerizes by irradiating with ultraviolet rays of ˜400 nm to form a crosslinked structure. As shown in FIG. 1, the first substrate 12 and the second substrate 14 are bonded together by a seal portion 19.

第１基板１２の表面には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の半導体素子１１が複数個配
列されている。複数個の半導体素子１１の配列の上には、第１透明電極１５が形成されて
いる。一方、第２基板１４の表面には、カラーフィルタ１３が配置されている。カラーフ
ィルタ１３の表面には、第２透明電極１６が形成されている。 A plurality of semiconductor elements 11 such as thin film transistors (TFTs) are arranged on the surface of the first substrate 12. A first transparent electrode 15 is formed on the array of the plurality of semiconductor elements 11. On the other hand, the color filter 13 is disposed on the surface of the second substrate 14. A second transparent electrode 16 is formed on the surface of the color filter 13.

図１の被処理基板１０に紫外線を照射した後の処理中間体（液晶パネル）２０の例を図
３に示す。後述する液晶パネル製造装置を用いて、例えば、図１の被処理基板１０に電圧
を印加した状態で紫外線を照射すると、第１透明電極１５、第２透明電極１６の表面に凸
状の配向部２１，２２がそれぞれ形成される。 FIG. 3 shows an example of the processing intermediate (liquid crystal panel) 20 after the substrate 10 of FIG. 1 is irradiated with ultraviolet rays. When a liquid crystal panel manufacturing apparatus, which will be described later, is used to irradiate ultraviolet rays in a state where a voltage is applied to the substrate to be processed 10 in FIG. 1, for example, convex alignment portions are formed on the surfaces of the first transparent electrode 15 and the second transparent electrode 16. 21 and 22 are formed, respectively.

この配向部２１，２２は、図１の高分子体１８が光照射により重合した架橋構造体であ
り、図４に示すように、第１基板１２の一定方向に対してそれぞれ並行に並んで配置され
ている。図５に示すように、第１透明電極１５の上面からみた配向部２１の立ち上がりの
角度θは、例えば、被処理基板１０に印加する電圧等を制御すること等により変更可能で
ある。 The alignment portions 21 and 22 are cross-linked structures obtained by polymerizing the polymer body 18 of FIG. 1 by light irradiation, and are arranged in parallel with each other in a certain direction of the first substrate 12 as shown in FIG. Has been. As shown in FIG. 5, the rising angle θ of the alignment portion 21 as viewed from the upper surface of the first transparent electrode 15 can be changed by controlling the voltage applied to the substrate 10 to be processed, for example.

第１透明電極１５，第２透明電極１６の表面に、配向部２１，２２がそれぞれ配置され
ることにより、図６及び図７に例示するように、配向部２１，２２の隙間（凹部分）に液
晶体１７が入り込む。そのため、液晶パネル２０の内部に配向部２１，２２を形成しない
場合に比べて、液晶体１７の配向規制力が高くなり、応答速度、透過率、コントラスト、
偏光特性等の液晶パネルの種々の性能及び特性を向上させることができる。 As illustrated in FIGS. 6 and 7, by arranging the alignment portions 21 and 22 on the surfaces of the first transparent electrode 15 and the second transparent electrode 16, the gaps (recess portions) between the alignment portions 21 and 22, respectively. The liquid crystal body 17 enters. Therefore, compared with the case where the alignment parts 21 and 22 are not formed inside the liquid crystal panel 20, the alignment regulating force of the liquid crystal body 17 is increased, and the response speed, transmittance, contrast,
Various performances and characteristics of the liquid crystal panel such as polarization characteristics can be improved.

−液晶パネル製造装置−
（全体構成）
実施の形態に係る液晶パネル製造装置は、図８に示すように、複数の被処理基板１０を
収納可能な搬入部２と、搬入部２に収納された被処理基板１０の上下を反転させる反転部
３と、反転部３から搬送された被処理基板１０の特性を検査する検査部４と、検査部４か
ら搬送された被処理基板１０に対して紫外線を照射する紫外線照射部（ＵＶ照射部）５と
、ＵＶ照射部５から搬送された紫外線を照射後の被処理基板１０を反転させる反転部６と
を備える。 -LCD panel manufacturing equipment-
(overall structure)
As shown in FIG. 8, the liquid crystal panel manufacturing apparatus according to the embodiment includes a carry-in section 2 that can store a plurality of substrates to be processed 10 and a reversal that inverts the top and bottom of the substrate 10 to be processed stored in the carry-in section 2. Unit 3, inspection unit 4 for inspecting the characteristics of the substrate to be processed 10 conveyed from reversing unit 3, and ultraviolet irradiation unit (UV irradiation unit) for irradiating ultraviolet rays onto substrate to be processed 10 conveyed from inspection unit 4 ) 5 and a reversing unit 6 for reversing the substrate 10 to be processed after being irradiated with the ultraviolet rays conveyed from the UV irradiation unit 5.

搬入部２の内部には、搬送ロボット２５が配置されている。搬送ロボット２５は、被処
理基板１０を配置するための台の下に配置されたコンピュータシステム（図示省略）によ
り管理され、処理対象となる被処理基板１０を反転部３に搬送する。 A transport robot 25 is disposed inside the carry-in unit 2. The transfer robot 25 is managed by a computer system (not shown) arranged under a table for placing the substrate 10 to be processed, and transfers the substrate 10 to be processed to the reversing unit 3.

検査部４は、第１検査装置４ａ及び第２検査装置４ｂを含む。第１検査装置４ａ及び第
２検査装置４ｂは、被処理基板１０に電圧を印加し、液晶体１７の配向状態を検査するこ
とにより、被処理基板１０が所定の品質基準を満たしているか否かを検査する。図８では
、２台の検査装置（第１検査装置４ａ及び第２検査装置４ｂ）を例示したが、検査装置の
数は、図８に示す液晶パネル製造装置の処理能力に応じていくつあってもよい。 The inspection unit 4 includes a first inspection device 4a and a second inspection device 4b. The first inspection device 4a and the second inspection device 4b apply a voltage to the substrate to be processed 10 and inspect the alignment state of the liquid crystal body 17 to determine whether or not the substrate to be processed 10 satisfies a predetermined quality standard. Inspect. In FIG. 8, two inspection apparatuses (the first inspection apparatus 4a and the second inspection apparatus 4b) are illustrated. However, the number of inspection apparatuses varies depending on the processing capability of the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. Also good.

ＵＶ照射部５は、第１ＵＶ照射装置５ａ及び第２ＵＶ照射装置５ｂを含む。第１ＵＶ照
射装置５ａ及び第２ＵＶ照射装置５ｂは、被処理基板１０に紫外線を照射する。ＵＶ照射
装置の数は、いくつあってもよい。 The UV irradiation unit 5 includes a first UV irradiation device 5a and a second UV irradiation device 5b. The 1st UV irradiation apparatus 5a and the 2nd UV irradiation apparatus 5b irradiate the to-be-processed substrate 10 with an ultraviolet-ray. There may be any number of UV irradiation devices.

反転部３から検査部４、ＵＶ照射部５、反転部６へ被処理基板１０の搬送は、反転部３
と反転部６との間の経路に設けられた搬送ロボット６２により行われる。搬送ロボット６
２は、搬送ロボット６２の経路の下に設けられたコンピュータシステム（図示省略）によ
り管理されている。 The substrate 10 is transferred from the reversing unit 3 to the inspection unit 4, the UV irradiation unit 5, and the reversing unit 6.
And the reversing unit 6 are performed by a transfer robot 62 provided on the path. Transport robot 6
2 is managed by a computer system (not shown) provided under the path of the transfer robot 62.

装置の外側面には、表示装置６１が配置されている。表示装置６１により、例えば、検
査部４及びＵＶ照射部５に搬送された被処理基板１０の載置位置のアライメント等が可能
である。また、液晶パネル製造装置の内側面には、静電気等を取り除くためのイオナイザ
ー６３が取り付けられていてもよい。 A display device 61 is disposed on the outer surface of the device. For example, the display device 61 can align the placement position of the substrate 10 to be processed conveyed to the inspection unit 4 and the UV irradiation unit 5. An ionizer 63 for removing static electricity or the like may be attached to the inner side surface of the liquid crystal panel manufacturing apparatus.

（処理手順）
図８に示す液晶パネル製造装置を用いて処理を行う場合は、図９のフローチャートに示
すように、ステップＳ１において、搬入部２に被処理基板１０を収納し、図８の搬送ロボ
ット２５により、被処理基板１０を搬入部２から反転部３に搬送させる。 (Processing procedure)
When processing is performed using the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. 8, as shown in the flowchart of FIG. 9, in step S1, the substrate 10 is stored in the carry-in unit 2, and the transfer robot 25 of FIG. The substrate 10 to be processed is transferred from the carry-in unit 2 to the reversing unit 3.

図９のステップＳ２において、図１に示す被処理基板１０を上下反転させ、半導体素子
１１が形成された側の第１基板１２が上方に、カラーフィルタ１３が形成された側の第２
基板１４が下方になるようにする。反転させることにより、ＵＶ照射部５において半導体
素子１１が形成された側の第１基板１２側からランプ光が照射されるため、カラーフィル
タの損傷が抑制できる。なお、第１基板１２が上方にある場合は反転しなくてもよい。 9, the substrate 10 to be processed shown in FIG. 1 is turned upside down so that the first substrate 12 on the side on which the semiconductor element 11 is formed is upward, and the second on the side on which the color filter 13 is formed.
The substrate 14 is positioned downward. By reversing, since the lamp light is irradiated from the side of the first substrate 12 on the side where the semiconductor element 11 is formed in the UV irradiation unit 5, damage to the color filter can be suppressed. In addition, when the 1st board | substrate 12 exists above, it does not need to invert.

図９のステップＳ３において、搬送ロボット６２が、被処理基板１０を反転部３から、
検査部４に搬送する。検査部４において、表示装置６１等により被処理基板１０の位置合
わせを行い、被処理基板１０内部の液晶体１７を電圧印加により配向させて、被処理基板
１０の良否を判定する。ステップＳ３の検査において「不良」と判定された被処理基板１
０は、図８の搬送ロボット６２により、検査部４から装置外部へ搬送させる。ステップＳ
３の検査において「良」と評価された被処理基板１０は、搬送ロボット６２により、検査
部４からＵＶ照射部５に搬送する。 In step S <b> 3 of FIG. 9, the transfer robot 62 removes the substrate 10 to be processed from the reversing unit 3.
It is conveyed to the inspection unit 4. In the inspection unit 4, the substrate to be processed 10 is aligned by the display device 61 or the like, and the liquid crystal body 17 inside the substrate to be processed 10 is aligned by applying a voltage to determine whether the substrate to be processed 10 is good or bad. Substrate 1 to be processed determined as “defective” in the inspection in step S3
0 is transported from the inspection unit 4 to the outside of the apparatus by the transport robot 62 of FIG. Step S
The target substrate 10 evaluated as “good” in the inspection 3 is transferred from the inspection unit 4 to the UV irradiation unit 5 by the transfer robot 62.

ステップＳ４において、ＵＶ照射部５において、例えば、３４０〜４００ｎｍの波長領
域の紫外線を３４０ｎｍ以下の波長領域の紫外線に比べて相対的に多く発光させたランプ
光を被処理基板１０に照射する。これにより、被処理基板１０の内部に封入された高分子
体１８を光反応（重合）させ、図３に示すように、処理中間体（液晶パネル）２０の内部
に配向部２１，２２を形成する。液晶パネル２０は、ＵＶ照射部５から反転部６に搬送し
、ステップＳ５において、反転部６において必要に応じて上下反転させる。ステップＳ６
において、液晶パネル２０が、反転部６から液晶パネル製造装置の外部に搬送する。 In step S4, the UV irradiation unit 5 irradiates the substrate to be processed 10 with, for example, lamp light that emits a relatively large amount of ultraviolet light in the wavelength region of 340 to 400 nm compared to ultraviolet light in the wavelength region of 340 nm or less. As a result, the polymer body 18 enclosed in the substrate 10 to be processed is photoreacted (polymerized), and the alignment portions 21 and 22 are formed in the processing intermediate (liquid crystal panel) 20 as shown in FIG. To do. The liquid crystal panel 20 is conveyed from the UV irradiation unit 5 to the reversing unit 6, and is inverted upside down as necessary in the reversing unit 6 in step S <b> 5. Step S6
The liquid crystal panel 20 is conveyed from the reversing unit 6 to the outside of the liquid crystal panel manufacturing apparatus.

（反転部）
反転部３の一例を示す概略図を図１０に示す。反転部３は、被処理基板１０を真空吸着
するための第１吸着部３１、第２吸着部３２、第３吸着部３３を有する。第１吸着部３１
は処理室３０内の下部に配置されており、第１吸着部３１に接続された第１可動部３４に
より上下に動くようになっている。第２吸着部３２は、第１吸着部３１の上方に配置され
た回転部３５に固定されている。第３吸着部３３は処理室の上部に配置されており、第３
吸着部３３に接続された第２可動部３６によって上下に動くようになっている。 (Reversing part)
A schematic diagram showing an example of the reversing unit 3 is shown in FIG. The reversing unit 3 includes a first suction unit 31, a second suction unit 32, and a third suction unit 33 for vacuum suction of the substrate 10 to be processed. 1st adsorption part 31
Is arranged in the lower part of the processing chamber 30 and is moved up and down by a first movable part 34 connected to the first suction part 31. The second adsorption unit 32 is fixed to a rotating unit 35 disposed above the first adsorption unit 31. The third adsorption unit 33 is disposed in the upper part of the processing chamber, and the third adsorption unit 33
The second movable part 36 connected to the suction part 33 moves up and down.

被処理基板１０を反転させる場合は、図１１（ａ）に示すように、まず、第１吸着部３
１上に被処理基板１０を載置させる。そして、図１０に示した第１可動部３４（図１１（
ａ）では図示省略）により、第１吸着部３１をリフトアップさせ、被処理基板１０を第２
吸着部３２に近づける。図１１（ｂ）に示すように、第１吸着部３１と第２吸着部３２と
を更に近づけて、第２吸着部３２に被処理基板１０を受け渡す。図１１（ｃ）に示すよう
に、回転部３５を回転させ、被処理基板１０を第２吸着部３２の上方に配置する。その後
、図１１（ｄ）に示すように、図１０に示した第２可動部３６（図１１（ｄ）では図示省
略）により第３吸着部３３をリフトダウンさせ、図１１（ｅ）に示すように、被処理基板
１０を第３吸着部３３の下方に吸着させる。 When inverting the substrate 10 to be processed, first, as shown in FIG.
The substrate 10 to be processed is placed on the substrate 1. Then, the first movable portion 34 shown in FIG.
a), the first suction unit 31 is lifted up, and the substrate to be processed 10 is moved to the second position.
Approach the suction part 32. As shown in FIG. 11B, the first suction unit 31 and the second suction unit 32 are brought closer to each other, and the substrate 10 is transferred to the second suction unit 32. As illustrated in FIG. 11C, the rotating unit 35 is rotated, and the substrate 10 to be processed is disposed above the second suction unit 32. Thereafter, as shown in FIG. 11 (d), the third suction portion 33 is lifted down by the second movable portion 36 (not shown in FIG. 11 (d)) shown in FIG. 10, and shown in FIG. 11 (e). As described above, the substrate 10 to be processed is sucked below the third suction portion 33.

（検査部）
検査部４の一例として、第１検査装置４ａを示す概略図を図１２に示す。処理室４０内
には、被処理基板１０を配置するための設置台４１が配置されており、設置台４１の上方
には、被処理基板１０の状態を検査するためのＣＣＤカメラ４３が配置されている。設置
台４１の下方には、バックライト照射部４２が配置されている。 (Inspection unit)
As an example of the inspection unit 4, a schematic diagram showing a first inspection device 4a is shown in FIG. An installation table 41 for arranging the substrate to be processed 10 is arranged in the processing chamber 40, and a CCD camera 43 for inspecting the state of the substrate to be processed 10 is arranged above the installation table 41. ing. A backlight irradiation unit 42 is disposed below the installation table 41.

第１検査装置４ａを用いて被処理基板１０を検査する場合には、図１３（ａ）に示すよ
うに、搬送ロボット６２により被処理基板１０を設置台４１に配置した後、図８の表示装
置６１で確認しながら、図１２に示すＣＣＤカメラ４３を用いて、被処理基板１０の位置
調整（アライメント）をする。その後、図１３（ｂ）に示すように、被処理基板１０に印
加コネクタ４４を接続する。図１３（ｃ）に示すように、バックライト照射部４２により
、被処理基板１０の下方から光を照射する。図１３（ｄ）に示すように、印加コネクタ４
４に電圧印加部４５を接続し、電圧印加部４５から一定電圧を印加する。電圧印加により
、被処理基板１０の内部の液晶が一定方向に配向する。その後、図１３（ｅ）に示すよう
に、被処理基板１０内の測定領域を適宜選択し、測定領域内の液晶の配列状態をＣＣＤカ
メラ４３により確認して、被処理基板１０の良・不良を判定する。 When inspecting the substrate 10 to be processed using the first inspection apparatus 4a, as shown in FIG. 13A, after the substrate 10 is placed on the installation table 41 by the transfer robot 62, the display shown in FIG. While confirming with the apparatus 61, the position of the substrate 10 to be processed (alignment) is adjusted using the CCD camera 43 shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 13B, the application connector 44 is connected to the substrate 10 to be processed. As shown in FIG. 13C, the backlight irradiation unit 42 irradiates light from below the substrate 10 to be processed. As shown in FIG. 13 (d), the application connector 4
A voltage application unit 45 is connected to 4 and a constant voltage is applied from the voltage application unit 45. By applying the voltage, the liquid crystal inside the substrate 10 is aligned in a certain direction. Thereafter, as shown in FIG. 13 (e), the measurement region in the substrate to be processed 10 is appropriately selected, and the alignment state of the liquid crystal in the measurement region is confirmed by the CCD camera 43. Determine.

（ＵＶ照射部）
−全体構成−
ＵＶ照射部５の一例として、第１ＵＶ照射装置５ａを示す概略図を図１４に示す。第１
ＵＶ照射装置５ａは、被処理基板１０を処理する処理室５０と、処理室５０内に配置され
、被処理基板１０に紫外線を照射し、被処理基板１０の内部に配向部２１，２２（図３参
照）を形成させるための複数のランプ５２と、ランプ５２に対向し、波長３４０ｎｍ以下
の波長領域の紫外線の透過を抑制するフィルタ５３とを備える。図１４では、複数のラン
プ５２は処理室５０の上方に位置しているが、ランプ５２の位置は、被処理基板１０の位
置に応じて適宜変更しても構わない。 (UV irradiation part)
-Overall configuration-
As an example of the UV irradiation unit 5, a schematic diagram showing a first UV irradiation device 5a is shown in FIG. First
The UV irradiation apparatus 5a is disposed in the processing chamber 50 for processing the substrate to be processed 10 and the processing chamber 50. The UV irradiation device 5a irradiates the substrate to be processed 10 with ultraviolet rays, and aligns portions 21 and 22 (see FIG. 3) and a filter 53 that faces the lamp 52 and suppresses transmission of ultraviolet rays in a wavelength region of 340 nm or less. In FIG. 14, the plurality of lamps 52 are positioned above the processing chamber 50, but the positions of the lamps 52 may be appropriately changed according to the position of the substrate 10 to be processed.

複数のランプ５２の上方には、ランプ５２からの照射光を均一化するための反射鏡５７
がそれぞれ配置されている。図１５に示すように、ランプ５２とフィルタ５３との間には
、複数の補助反射板５８が配置されても構わない。図１５の例においては、補助反射板５
８の内部に、照度を検出するためのセンサが配置されており、センサの検出結果に応じて
、補助反射板５８の角度を自在に変更可能であってもよい。センサは、図１４のステージ
５１上に配置してもよい。 Above the plurality of lamps 52, a reflecting mirror 57 for making the irradiation light from the lamps 52 uniform.
Are arranged respectively. As shown in FIG. 15, a plurality of auxiliary reflectors 58 may be disposed between the lamp 52 and the filter 53. In the example of FIG. 15, the auxiliary reflector 5
8, a sensor for detecting illuminance is arranged, and the angle of the auxiliary reflector 58 may be freely changed according to the detection result of the sensor. The sensor may be arranged on the stage 51 in FIG.

複数のランプ５２の配置間隔は、ランプの内径をＤとし、Ｄが２５ｍｍ以下の場合に、
複数のランプ５２の中心間間隔（ランプピッチ）を５Ｄ〜６Ｄ程度とすることにより、被
処理基板１０に対して照度強度のムラの少ない紫外線照射が可能である。なお、Ｄが２０
〜３３ｍｍの場合には、ランプピッチを３Ｄ〜６Ｄとすることもできる。 The arrangement interval of the plurality of lamps 52 is such that the inner diameter of the lamp is D and D is 25 mm or less.
By setting the center-to-center spacing (lamp pitch) of the plurality of lamps 52 to about 5D to 6D, it is possible to irradiate the substrate 10 with ultraviolet rays with less unevenness in illuminance intensity. D is 20
In the case of ˜33 mm, the lamp pitch can be 3D to 6D.

図１４に例示する実施の形態に係る第１ＵＶ照射装置５ａにおいては、ランプ外形Ｄを
２７．５ｍｍとした時のランプピッチが７Ｄ〜８Ｄであっても、一定の目的を達成可能で
ある。また、後述する（図２５参照）冷却管１００の外形Ｄ’を７０ｍｍとした場合は、
ランプピッチが４Ｄとした場合でも均等な紫外線照射が可能である。 In the 1st UV irradiation apparatus 5a which concerns on embodiment illustrated in FIG. 14, a fixed objective can be achieved even if the lamp pitch is 7D-8D when the lamp external shape D is 27.5 mm. In addition, when the outer shape D ′ of the cooling pipe 100 described later (see FIG. 25) is 70 mm,
Even when the lamp pitch is 4D, uniform ultraviolet irradiation is possible.

図１７に示すように、ランプ５２の長手方向（軸方向）からみた場合のランプ５２の中
心部付近には、ランプ５２の照度を計測するための第１照度計５５及び第２照度計５６が
配置されている。図１４に示すように、第１照度計５５及び第２照度計５６は、複数のラ
ンプ５２それぞれの上方に、それぞれ１つずつ配置可能である。第１照度計５５及び第２
照度計５６は、ランプ制御装置７に接続されており、第１照度計５５及び第２照度計５６
が検出した照度値に応じて、ランプ５２の電力が制御可能になっている。なお、ランプ５
２の上方には、１種類の照度計のみが配置されていても構わない。 As shown in FIG. 17, a first illuminance meter 55 and a second illuminance meter 56 for measuring the illuminance of the lamp 52 are located near the center of the lamp 52 when viewed from the longitudinal direction (axial direction) of the lamp 52. Has been placed. As shown in FIG. 14, the first illuminance meter 55 and the second illuminance meter 56 can be arranged one above each of the plurality of lamps 52. First illuminance meter 55 and second
The illuminance meter 56 is connected to the lamp control device 7, and the first illuminance meter 55 and the second illuminance meter 56.
The electric power of the lamp 52 can be controlled according to the illuminance value detected by. Lamp 5
Only one type of illuminometer may be arranged above 2.

第１照度計５５としては、例えば、波長領域３４０〜３７０ｎｍの間にピーク感度を有
する照度計を用いることができる。これにより、後述するランプ５２の波長３６５ｎｍに
おける発光ピークをより高精度に検出でき、図１の被処理基板１０の高分子体１８の重合
、及び被処理基板１０の品質劣化抑制に適した波長領域の照射値をより高精度に検出でき
る。図１８に、第１照度計５５として好適な照度計の分光感度の一例（ＵＶ−３５）を示
す。 As the first illuminometer 55, for example, an illuminometer having a peak sensitivity in a wavelength region of 340 to 370 nm can be used. Thereby, a light emission peak at a wavelength of 365 nm of the lamp 52 described later can be detected with higher accuracy, and a wavelength region suitable for polymerization of the polymer 18 of the substrate 10 to be processed and suppression of quality degradation of the substrate 10 to be processed in FIG. Can be detected with higher accuracy. FIG. 18 shows an example (UV-35) of spectral sensitivity of a suitable illuminometer as the first illuminometer 55.

第２照度計５６としては、第１照度計５５とは異なる波長領域、例えば、波長領域３０
５〜３２０ｎｍの間にピーク感度を有する照度計を用いることができる。これにより、図
１の被処理基板１０の高分子体１８の重合阻害及び被処理基板１０の品質を低下させる可
能性のある波長、例えば、３１３ｎｍにおける発光ピークをより高精度に検出できる。図
１９に、第２照度計５６として好適な照度計の分光感度の例（ＵＶ−３１）を示す。 As the second illuminometer 56, a wavelength region different from that of the first illuminometer 55, for example, a wavelength region 30.
An illuminometer having a peak sensitivity between 5 and 320 nm can be used. Thereby, it is possible to detect the emission peak at a wavelength, for example, 313 nm, which inhibits the polymerization of the polymer 18 of the substrate 10 of FIG. 1 and may deteriorate the quality of the substrate 10 with higher accuracy. In FIG. 19, the example (UV-31) of the spectral sensitivity of a suitable illuminometer as the 2nd illuminometer 56 is shown.

図１４に示す処理室５０の内部には、被処理基板１０を配置するためのステージ５１が
設けられている。ステージ５１上には、被処理基板１０を冷却する冷却板５４が配置され
ている。また、冷却板５４を制御し、ランプ５２からの光照射による被処理基板１０の温
度上昇を制御するために、基板温度制御装置８が配置されている。なお、ステージ５１を
、被処理基板１０の長手方向に移動させるための移動制御装置９が配置されていてもよい
。更に、処理室５０には、被処理基板１０に電圧を印加して、被処理基板１０の内部に形
成される配向部２１，２２（図３参照）の形成を助長又は制御するための電圧印加制御装
置６４が接続されている。 A stage 51 for placing the substrate 10 to be processed is provided inside the processing chamber 50 shown in FIG. A cooling plate 54 that cools the substrate 10 to be processed is disposed on the stage 51. Further, a substrate temperature control device 8 is arranged to control the cooling plate 54 and to control the temperature rise of the substrate 10 to be processed due to light irradiation from the lamp 52. A movement control device 9 for moving the stage 51 in the longitudinal direction of the substrate 10 to be processed may be arranged. Furthermore, a voltage is applied to the processing chamber 50 to apply or control a voltage to the substrate to be processed 10 to promote or control the formation of the alignment portions 21 and 22 (see FIG. 3) formed inside the substrate 10 to be processed. A control device 64 is connected.

後述する詳細構造により更に明らかとなるが、図１４に示す第１ＵＶ照射装置５ａによ
れば、製造後の液晶パネルの性能等に影響を及ぼす波長領域の紫外線照射を抑制でき、高
性能で歩留まりを向上させた液晶パネルが製造できる。 As will be further clarified by the detailed structure described later, according to the first UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 14, it is possible to suppress ultraviolet irradiation in a wavelength region that affects the performance of the liquid crystal panel after manufacture, and to improve the yield with high performance. An improved liquid crystal panel can be manufactured.

−ランプ−
図１７に示すランプ５２としては、例えば、紫外線透過性を有する石英製の気密性容器
５２０の内部にタングステン（Ｗ）製等の電極５２１，５２２が配置された外管径２７．
５ｍｍ、肉厚１．５ｍｍ、発光長Ｌが１０００ｍｍ、ランプ電圧１２７５Ｖ、ランプ電圧
値１３．５Ａの紫外線ランプ等が利用可能である。気密性容器５２０の内部には、アルゴ
ン（Ａｒ）ガス等の希ガスが封入されている。 -Lamp-
As the lamp 52 shown in FIG. 17, for example, an outer tube diameter of 27.522 in which electrodes 521 and 522 made of tungsten (W) are arranged inside an airtight container 520 made of quartz having ultraviolet transparency.
An ultraviolet lamp having a thickness of 5 mm, a thickness of 1.5 mm, a light emission length L of 1000 mm, a lamp voltage of 1275 V, and a lamp voltage value of 13.5 A can be used. An airtight container 520 is filled with a rare gas such as argon (Ar) gas.

このような紫外線ランプとしては、気密性容器５２０の内部に水銀（Ｈｇ）と波長領域
３００〜４００ｎｍにおいて水銀のスペクトル以外に少なくとも１つ以上の発光を有する
金属封入物が封入されたランプが好適である。例えば、気密性容器５２０の内部に水銀と
少量の希ガスを封入させた高圧水銀ランプ、又は、気密性容器５２０の内部に水銀とハロ
ゲン化した金属を封入したメタルハライドランプ等の高輝度放電ランプ等が利用可能であ
る。 As such an ultraviolet lamp, a lamp in which an airtight container 520 is filled with mercury (Hg) and a metal enclosure having at least one emission other than the spectrum of mercury in the wavelength region of 300 to 400 nm is suitable. is there. For example, a high-pressure mercury lamp in which mercury and a small amount of rare gas are sealed in the airtight container 520, or a high-intensity discharge lamp such as a metal halide lamp in which mercury and a halogenated metal are sealed in the airtight container 520 Is available.

特に、図１に示す被処理基板１０を処理する場合に好適なランプ５２としては、気密性
容器５２０の内部に水銀とハロゲン化タリウムとが封入されたタリウム系メタルハライド
ランプを用いることができる。例えば、水銀１．６ｍｇ／ｃｃ、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ
）０．１ｍｇ／ｃｃ、アルゴン１．３３ｋＰａ程度封入したタリウム系メタルハライドラ
ンプを用いた場合は、図２０に示すように、波長３５２ｎｍ、３６５ｎｍ、３７８ｎｍ付
近に大きな発光ピークを有し、その時の電気的特性は、１２５０Ｖ、１４．０Ａ程度を示
す。 In particular, as the lamp 52 suitable for processing the substrate 10 to be processed shown in FIG. 1, a thallium metal halide lamp in which mercury and thallium halide are enclosed in an airtight container 520 can be used. For example, mercury 1.6 mg / cc, thallium iodide (TlI
) When a thallium-based metal halide lamp encapsulated with 0.1 mg / cc and about 1.33 kPa of argon is used, as shown in FIG. The characteristics are about 1250V and about 14.0A.

タリウム（Ｔｌ）は、３５２ｎｍ、３７８ｎｍの波長領域内に強い輝線スペクトルを持
ち、水銀の発光強度を減少させる効果を持つ。そのため、例えば、３１３ｎｍの水銀発光
を抑制し、３４０〜４００ｎｍの波長領域の発光を相対的に多くした紫外線を発光させる
ことできる。よって、タリウムを含むランプ５２を図１４の液晶パネル製造装置に利用す
ることにより、図３の液晶パネル２０の特性に大きく影響を及ぼす波長領域３４０ｎｍ以
下の紫外線の照射を低減できる。 Thallium (Tl) has a strong emission line spectrum in the wavelength region of 352 nm and 378 nm, and has the effect of reducing the emission intensity of mercury. Therefore, for example, it is possible to emit ultraviolet rays that suppress mercury emission at 313 nm and relatively increase emission in the wavelength region of 340 to 400 nm. Therefore, by using the lamp 52 containing thallium in the liquid crystal panel manufacturing apparatus of FIG. 14, it is possible to reduce the irradiation of ultraviolet rays having a wavelength region of 340 nm or less that greatly affects the characteristics of the liquid crystal panel 20 of FIG.

ハロゲン化タリウムの封入量は、ランプの内径Ｄ≦３０ｍｍの場合において、封入量Ｍ
は０．０１ｍｇ／ｃｃ≦Ｍ≦０．３ｍｇ／ｃｃから選択される量とするのが好ましい。よ
り好ましくは、ランプの内径ＤがＤ≦３０ｍｍ、発光長Ｌが５００ｍｍ≦Ｌ≦２５００ｍ
ｍとした場合に、水銀の封入量Ｈｇを０．９ｍｇ／ｃｃ≦Ｈｇ≦２．０ｍｇ／ｃｃ、ハロ
ゲン化タリウムの封入量Ｍを、０．０１２ｍｇ／ｃｃ≦Ｍ≦０．１ｍｇ／ｃｃの中から選
択される量とするのが好ましい。 The amount of thallium halide sealed is M when the inside diameter of the lamp is D ≦ 30 mm.
Is preferably an amount selected from 0.01 mg / cc ≦ M ≦ 0.3 mg / cc. More preferably, the inner diameter D of the lamp is D ≦ 30 mm, and the light emission length L is 500 mm ≦ L ≦ 2500 m.
m, the enclosed amount Hg of mercury is 0.9 mg / cc ≦ Hg ≦ 2.0 mg / cc, and the enclosed amount M of thallium halide is 0.012 mg / cc ≦ M ≦ 0.1 mg / cc. Preferably, the amount is selected from

ハロゲン化タリウムの封入量ＭをＭ≦０．３ｍｇ／ｃｃとすることにより、ランプ５２
の軸方向に対して均一な照度が得られるため、被処理基板１０に対する紫外線の均一な照
射が実現できる。また、図２０を参照すれば分かるように、被処理基板１０の特性に影響
を及ぼす波長３１３ｎｍの照度のピーク値を、波長３６５ｎｍの照度のピーク値に比べて
５％以下に低減できるので、紫外線照射後の液晶パネルの特性をより向上させることがで
きる。 By setting the amount M of thallium halide to be M ≦ 0.3 mg / cc, the lamp 52
Since uniform illuminance can be obtained with respect to the axial direction, uniform irradiation of ultraviolet rays to the substrate 10 to be processed can be realized. As can be seen from FIG. 20, the peak value of illuminance at a wavelength of 313 nm that affects the characteristics of the substrate to be processed 10 can be reduced to 5% or less compared to the peak value of illuminance at a wavelength of 365 nm. The characteristics of the liquid crystal panel after irradiation can be further improved.

一方、ハロゲン化タリウムの封入量を０．３ｍｇ／ｃｃ以上とすると、気密性容器５２
０内に封入されたタリウムが、ランプ５２の長手方向に不均一に分散するため、発光分離
が生じ、ランプ性能が低下する。 On the other hand, if the sealed amount of thallium halide is 0.3 mg / cc or more, the airtight container 52
Since thallium enclosed in 0 is dispersed non-uniformly in the longitudinal direction of the lamp 52, luminescence separation occurs, and lamp performance deteriorates.

ランプ５２としては、図２１に示すようなスペクトルを持つ鉄系メタルハライドランプ
を利用することもできる。例えば、水銀１．２ｍｇ／ｃｃ、鉄０．０２７ｍｇ／ｃｃ、沃
化水銀０．１ｍｇ／ｃｃの放電媒体を気密容器内に封入した鉄系メタルハライドランプは
、図２１から分かるように、波長３６５ｎｍに最も大きい発光ピークを有する。 As the lamp 52, an iron-based metal halide lamp having a spectrum as shown in FIG. 21 can also be used. For example, an iron-based metal halide lamp in which a discharge medium of mercury 1.2 mg / cc, iron 0.027 mg / cc, and mercury iodide 0.1 mg / cc is sealed in an airtight container has a wavelength of 365 nm as shown in FIG. It has the largest emission peak.

図２２に示すように、鉄系メタルハライドランプと、タリウム系メタルハライドランプ
を比較した場合は、図１の被処理基板１０の製造後の特性に影響を及ぼす波長３４０ｎｍ
以下の照度の波長を積分して比較すると、鉄系メタルハライドランプの方が、タリウム系
メタルハライドランプに比べて値が２倍以上多いことが分かる。 As shown in FIG. 22, when an iron-based metal halide lamp and a thallium-based metal halide lamp are compared, a wavelength of 340 nm that affects the characteristics of the substrate 10 to be processed of FIG.
When the following illuminance wavelengths are integrated and compared, it can be seen that the value of the iron-based metal halide lamp is more than twice that of the thallium-based metal halide lamp.

したがって、ランプ５２からの波長３４０ｎｍ以下の波長領域の発光そのものを抑制し
たい場合は、鉄系メタルハライドランプよりもタリウム系メタルハライドランプを用いる
のが好ましい。なお、波長領域３４０ｎｍ以下の紫外線は、後述するフィルタ５３により
透過を抑制することもできるため、照射可能な波長領域が相対的に広い紫外線を発光する
ランプを使用したい場合は、タリウム系メタルハライドランプよりも鉄系メタルハライド
ランプを用いるのが好ましい。 Therefore, when it is desired to suppress light emission from the lamp 52 in a wavelength region of 340 nm or less, it is preferable to use a thallium-based metal halide lamp rather than an iron-based metal halide lamp. In addition, since the ultraviolet rays with a wavelength region of 340 nm or less can be suppressed by the filter 53 described later, if you want to use a lamp that emits ultraviolet rays with a relatively wide irradiating wavelength region, use a thallium metal halide lamp. Also, it is preferable to use an iron-based metal halide lamp.

図２３に、実施の形態に係る鉄系メタルハライドランプと比較例としての水銀ランプの
分光分布の比較例を示す。水銀ランプは、３６５ｎｍ，３１３ｎｍ，３０３ｎｍの波長領
域に大きな発光ピークを有する。３６５ｎｍ周辺照度に着目した場合、鉄系メタルハライ
ドランプは、水銀ランプに比べて４５％程度低い照度を示すが、被処理基板１０への照射
に好適な波長領域である３４０〜３８０ｎｍにおいては、全体的に高い照度を持つ。 FIG. 23 shows a comparative example of spectral distributions of the iron-based metal halide lamp according to the embodiment and a mercury lamp as a comparative example. Mercury lamps have large emission peaks in the wavelength regions of 365 nm, 313 nm, and 303 nm. When focusing on the illuminance around 365 nm, the iron-based metal halide lamp shows an illuminance that is about 45% lower than that of the mercury lamp, but in the wavelength range of 340 to 380 nm suitable for irradiation to the substrate 10 to be processed, High illuminance.

水銀ランプは、被処理基板１０の特性に変化を及ぼす３４０ｎｍ以下の波長領域に高い
発光ピークを有することから、被処理基板１０の性能向上を考慮すると、水銀ランプより
も鉄系メタルハライドランプを用いるのが好ましい。 Since the mercury lamp has a high emission peak in a wavelength region of 340 nm or less that affects the characteristics of the substrate 10 to be processed, an iron-based metal halide lamp is used rather than the mercury lamp in consideration of performance improvement of the substrate 10 to be processed. Is preferred.

図２４の例に示すように、発光長Ｌが１８００ｍｍの鉄系メタルハイドランプを用いて
照度を測定した場合においても、電極間距離が１００ｍｍ〜１８００ｍｍの範囲において
ランプ５２の軸方向に対してほぼ均一な照度が得られることから、被処理基板１０を大型
化する場合に好適である。また、図１４に示す第１ＵＶ照射装置５ａに適用する場合は、
発光長Ｌが２５００ｍｍの鉄系メタルハイドランプ又はタリウム系メタルハライドランプ
を用いた場合においても、図２４と実質的に同様な効果が得られる。 As shown in the example of FIG. 24, even when the illuminance is measured using an iron-based metal hydride lamp having a light emission length L of 1800 mm, the distance between the electrodes is in the range of 100 mm to 1800 mm, and is almost the axial direction of the lamp 52. Since uniform illuminance can be obtained, it is suitable for increasing the size of the substrate 10 to be processed. Moreover, when applying to the 1st UV irradiation apparatus 5a shown in FIG.
Even when an iron-based metal hydride lamp or a thallium-based metal halide lamp having a light emission length L of 2500 mm is used, substantially the same effect as in FIG. 24 can be obtained.

−ランプ水冷構造−
図１４に示すランプ５２の周辺部を表す模式図を図２５に示す。ランプ５２は、内管１
０１及び外管１０２の二重管構造を有する冷却管１００に取り囲まれている。内管１０１
と外管１０２の間には、ランプ５２を冷却するための水（純水）が収容されている。また
、内管１０１と外管１０２との間には、分光特性を有し、ランプ５２からの赤外線を吸収
するための熱吸収フィルタ１０３が、ランプ５２を取り囲むように配置されている。 -Lamp water cooling structure-
FIG. 25 is a schematic diagram showing the periphery of the lamp 52 shown in FIG. The lamp 52 is connected to the inner tube 1
A cooling pipe 100 having a double pipe structure of 01 and an outer pipe 102 is surrounded. Inner pipe 101
Between the outer tube 102 and the outer tube 102, water (pure water) for cooling the lamp 52 is accommodated. In addition, a heat absorption filter 103 having spectral characteristics and absorbing infrared rays from the lamp 52 is disposed between the inner tube 101 and the outer tube 102 so as to surround the lamp 52.

熱吸収フィルタ１０３としては、赤外線を吸収するとともに、約３００〜４００ｎｍの
波長領域の紫外線を選択的に透過可能な分光特性を有する熱吸収フィルタが好ましい。例
えば、図２６に示すように、２６０〜４００ｎｍの波長領域に分光透過率のピークを有す
る熱吸収フィルタが利用可能である。図２６に示すような分光特性を有する熱吸収フィル
タ１０３を配置することにより、被処理基板１０の内部の高分子体１８を効率よく反応さ
せる波長領域の紫外線を透過させることが可能になるとともに、被処理基板１０の加熱の
原因となる可視光線・赤外線の照射が抑制されるため、被処理基板１０の特性劣化が更に
抑制され、製造後の液晶パネルの歩留まり及び性能が向上する。 The heat absorption filter 103 is preferably a heat absorption filter having spectral characteristics capable of absorbing infrared rays and selectively transmitting ultraviolet rays in a wavelength region of about 300 to 400 nm. For example, as shown in FIG. 26, a heat absorption filter having a spectral transmittance peak in the wavelength region of 260 to 400 nm can be used. By disposing the heat absorption filter 103 having spectral characteristics as shown in FIG. 26, it becomes possible to transmit ultraviolet rays in a wavelength region in which the polymer 18 inside the substrate to be processed 10 reacts efficiently, Since the irradiation of visible light and infrared rays that cause heating of the substrate to be processed 10 is suppressed, the characteristic deterioration of the substrate to be processed 10 is further suppressed, and the yield and performance of the manufactured liquid crystal panel are improved.

−フィルタ−
図１４に示すフィルタ５３としては、石英製やガラス製の基体上に複数層の薄膜を蒸着
させた多層膜フィルタ又は石英製やガラス製の基体中に吸収物を添加した光学フィルタ、
吸収型フィルタ等が利用可能である。フィルタ５３の特性としては、短波長側の中心カッ
トオフ波長を３２０〜３６０ｎｍの波長領域内に有するローパスフィルタが好ましい。な
お、実施の形態に係るフィルタ５３において「中心カットオフ波長」とは、垂直入射（入
射角０度）の時の波長により定義されるカットオフ波長を指す。 -Filter-
As the filter 53 shown in FIG. 14, a multilayer filter obtained by depositing a plurality of thin films on a quartz or glass substrate, or an optical filter in which an absorbent is added to a quartz or glass substrate,
An absorption filter or the like can be used. As a characteristic of the filter 53, a low pass filter having a central cutoff wavelength on the short wavelength side in a wavelength region of 320 to 360 nm is preferable. In the filter 53 according to the embodiment, the “center cutoff wavelength” refers to a cutoff wavelength defined by the wavelength at normal incidence (incidence angle 0 degree).

紫外線の入射角が大きくなると、カットオフ波長は短波長側に移動する。例えば、中心
カットオフ波長３６０ｎｍで示される吸収物を添加したローパスフィルタを用いた場合は
、図２７に示すように、紫外線の入射角を３０°、４５°とした場合の分光透過率５０％
で定義されるカットオフ波長が、３５５〜３６０ｎｍ範囲で変化するが、その変化幅は比
較的小さい。一方、図２８に示すように、中心カットオフ波長３５０ｎｍの多層膜フィル
タを用いた場合は、入射角を３０°、６０°とすることにより、分光透過率５０％が３５
０ｎｍ、３４０ｎｍ、３２５ｎｍとなり、紫外線の入射角に対するカットオフ波長の変化
幅が大きくなる。 When the incident angle of ultraviolet rays increases, the cutoff wavelength moves to the short wavelength side. For example, when a low-pass filter to which an absorber having a center cutoff wavelength of 360 nm is added is used, as shown in FIG. 27, the spectral transmittance is 50% when the incident angles of ultraviolet rays are 30 ° and 45 °.
The cut-off wavelength defined in (1) changes in the range of 355 to 360 nm, but the change width is relatively small. On the other hand, as shown in FIG. 28, when a multilayer filter having a center cutoff wavelength of 350 nm is used, the spectral transmittance 50% is 35 by setting the incident angle to 30 ° and 60 °.
It becomes 0 nm, 340 nm, and 325 nm, and the change width of the cutoff wavelength with respect to the incident angle of ultraviolet rays becomes large.

被処理基板１０内部の高分子体１８の重合を促進させて配向部２１，２２を形成し、製
造後の液晶パネル２０の特性変化を低減するためには、波長３４０ｎｍ以下の紫外線照射
を抑制するフィルタ５３として、中心カットオフ波長Ｎを３２０〜３６０ｎｍ、好ましく
は３３０〜３５０ｎｍの波長領域に有し、且つ、紫外線の入射角を０°〜６０°とした場
合のカットオフ波長の変化が−１５ｎｍ＜Ｎ＜＋１５ｎｍの範囲にある多層膜フィルタを
用いるのが好ましい。 In order to promote the polymerization of the polymer 18 inside the substrate to be processed 10 to form the alignment portions 21 and 22 and reduce the change in the characteristics of the liquid crystal panel 20 after the manufacture, ultraviolet irradiation with a wavelength of 340 nm or less is suppressed. The filter 53 has a central cutoff wavelength N in the wavelength region of 320 to 360 nm, preferably 330 to 350 nm, and the change in cutoff wavelength is −15 nm when the incident angle of ultraviolet rays is 0 ° to 60 °. It is preferable to use a multilayer filter in the range of <N <+15 nm.

実施の形態に係るフィルタを用いることにより、波長領域３００〜４００ｎｍにおける
光量を１００％とした場合に、波長領域３４０ｎｍ以下の光が５％以下となるように抑制
された紫外光を被処理基板１０に照射することができる。 By using the filter according to the embodiment, when the amount of light in the wavelength region 300 to 400 nm is 100%, the ultraviolet light that is suppressed so that the light in the wavelength region 340 nm or less is 5% or less is processed substrate 10. Can be irradiated.

−ランプ制御装置−
図１４に示すランプ制御装置７は、図２９に示すように、ランプ電力制御部７１、照度
判定部７２、積算光量判定部７３、均斉度判定部７４を備える。ランプ制御装置７には、
被処理基板１０の処理に好適な照度値の設定値等の種々のデータを記憶させるための記憶
装置７５が設けられていてもよい。 -Lamp control device-
As shown in FIG. 29, the lamp control device 7 shown in FIG. 14 includes a lamp power control unit 71, an illuminance determination unit 72, an integrated light amount determination unit 73, and a uniformity determination unit 74. The lamp control device 7 includes
A storage device 75 for storing various data such as a set value of an illuminance value suitable for processing the substrate to be processed 10 may be provided.

ランプ電力制御部７１は、照度判定部７２、積算光量判定部７３、均斉度判定部７４の
判定結果に基づいてランプの電力を制御する。照度判定部７２は、記憶装置７５に記憶さ
れた照度値の設定データ等を読み出して、第１照度計５５又は第２照度計５６が検出した
照度値が、所定の範囲内にあるか否かを判定することができる。 The lamp power control unit 71 controls lamp power based on the determination results of the illuminance determination unit 72, the integrated light amount determination unit 73, and the uniformity determination unit 74. The illuminance determination unit 72 reads the illuminance value setting data stored in the storage device 75, and whether or not the illuminance value detected by the first illuminance meter 55 or the second illuminance meter 56 is within a predetermined range. Can be determined.

図３０に、図１に示す被処理基板１０を処理する場合の、照度値、照射時間と、図３に
示す配向部２１，２２の配向状態（重合効果）、劣化、生産効率の関係を示す。「照度値
」とは、第１照度計５５として、図１８に示す分光感度を有する照度計で検出した値を表
している。また、以下において「照射時間」とは、ランプ５２から図１の被処理基板１０
に実際に照射する時間を表す。 FIG. 30 shows the relationship between the illuminance value and the irradiation time when the substrate 10 shown in FIG. 1 is processed, the orientation state (polymerization effect) of the orientation parts 21 and 22 shown in FIG. . The “illuminance value” represents a value detected by the illuminometer having the spectral sensitivity shown in FIG. 18 as the first illuminometer 55. In the following description, “irradiation time” refers to the substrate to be processed 10 of FIG.
Represents the actual irradiation time.

図３０に示すように、第１照度計５５が検出する照度値が２５ｍＷ／ｃｍ²以下の場合
は、図１の高分子体１８の重合効果は得られるが、製造後の液晶パネル２０に劣化が生じ
、生産効率も低くなる。照度値が４０ｍＷ／ｃｍ²以上になるとよく重合が進み生産効率
も向上するが、１００ｍＷ／ｃｍ²より高くなると高分子体１８へのダメージが大きくな
るので、７５ｍＷ／ｃｍ²に抑制することで、重合効果も得られ、且つ製造後の液晶パネ
ル２０の劣化も生じにくくさせることができる。 As shown in FIG. 30, when the illuminance value detected by the first illuminometer 55 is 25 mW / cm ² or less, the polymerization effect of the polymer body 18 of FIG. 1 is obtained, but the liquid crystal panel 20 after manufacture is deteriorated. And production efficiency is lowered. When the illuminance value is 40 mW / cm ² or more, the polymerization proceeds well and the production efficiency is improved. However, when the illuminance value is higher than 100 mW / cm ² , damage to the polymer body 18 is increased, so by suppressing to 75 mW / cm ² , A polymerization effect is also obtained, and deterioration of the liquid crystal panel 20 after manufacture can be made difficult to occur.

よって、照度判定部７２は、図１の被処理基板１０を処理する場合は、第１照度計５５
の照度値が、例えば、２５ｍＷ／ｃｍ²以上であるか、好ましくは、２５〜１００ｍＷ／
ｃｍ²の範囲にあるか、より好ましくは、４０〜７５ｍＷ／ｃｍ²の範囲にあるか否かを判
定し、判定結果に基づいて、ランプ電力制御部７１によってランプ５２の電圧又は電流を
制御するのが好ましい。 Therefore, when the illuminance determination unit 72 processes the substrate 10 to be processed of FIG.
Is, for example, 25 mW / cm ² or more, or preferably 25 to 100 mW /
or in the range of cm ^2, more preferably, it determines whether the range of 40~75mW / cm ^2, based on the determination result, controls the voltage or current of the lamp 52 by the lamp power control unit 71 Is preferred.

一般に、ランプ５２は、寿命が近づくにつれて光量が徐々に低下する傾向にある。その
ため、第１照度計５５等が検出する照度値も時間の経過とともに低くなる。複数の被処理
基板１０に対してそれぞれ均等な光量で紫外線を照射するためには、点灯時間が長期化す
るにつれてランプ５２が劣化し、照度が低くなった場合に、電圧又は電流を上げて照度を
一定以上に維持することが望ましい。 In general, the lamp 52 has a tendency that the amount of light gradually decreases as the lifetime approaches. For this reason, the illuminance value detected by the first illuminance meter 55 and the like also decreases with time. In order to irradiate the plurality of substrates to be processed with ultraviolet rays with an equal amount of light, when the lamp 52 deteriorates and the illuminance decreases as the lighting time becomes longer, the illuminance is increased by increasing the voltage or current. It is desirable to maintain the above a certain level.

図１４に示す液晶パネル製造装置においては、照度判定部７２が、第１照度計５５又は
第２照度計５６の照度値を検出し、ランプ５２の点灯時間に対する第１照度計５５又は第
２照度計５６の照度値の変化量が約１０％以下となった場合に、照度値を所定の値に戻す
ように、ランプの電圧又は電流を制御するのが好ましい。なお「点灯時間」とは、ランプ
５２を現実に点灯させた時間の積算値を表す。 In the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. 14, the illuminance determination unit 72 detects the illuminance value of the first illuminance meter 55 or the second illuminance meter 56, and the first illuminance meter 55 or the second illuminance with respect to the lighting time of the lamp 52. It is preferable to control the voltage or current of the lamp so that the illuminance value is returned to a predetermined value when the change amount of the illuminance value of the total 56 is about 10% or less. The “lighting time” represents an integrated value of the time when the lamp 52 is actually turned on.

積算光量判定部７３は、「積算光量」が一定値以上となるか否かを判定する。「積算光
量」とは、第１照度計５５が検出した照度値とランプ５２の照射時間との積で示される。
例えば、図１の被処理基板１０を処理する場合においては、積算光量判定部７３が、積算
光量が２０００ｍＪ／ｃｍ²以上となるか否かを判定することができる。積算光量を２０
００ｍＪ／ｃｍ²以上とすることにより、被処理基板１０の内部の高分子体１８の重合効
果が得られるとともに、図３の液晶パネルの特性劣化が生じにくくなる。一方、２０００
ｍＪ／ｃｍ²以下とすることにより、図３の液晶パネル内部の配向部２１，２２の形成が
十分に行われなくため、性能低下を招く。 The integrated light quantity determination unit 73 determines whether or not the “integrated light quantity” is a certain value or more. The “integrated light amount” is indicated by the product of the illuminance value detected by the first illuminometer 55 and the irradiation time of the lamp 52.
For example, when processing the substrate 10 to be processed of FIG. 1, the integrated light quantity determination unit 73 can determine whether or not the integrated light quantity is 2000 mJ / cm ² or more. Integrated light quantity is 20
By setting it to 00 mJ / cm ² or more, the polymerization effect of the polymer 18 inside the substrate to be processed 10 can be obtained, and the characteristic deterioration of the liquid crystal panel shown in FIG. On the other hand, 2000
By setting it to mJ / cm ² or less, the alignment portions 21 and 22 inside the liquid crystal panel of FIG. 3 are not sufficiently formed, resulting in performance degradation.

均斉度判定部７４は、第１照度計５５又は第２照度計が検出した最大照度値と最小照度
値とから計算される「均斉度」が所定値以上であるか否かを判定する。ここで、「均斉度
」とは、図３１に示すように、被処理基板１０の長手方向と照度の関係に着目した場合に
、第１照度計５５（又は第２照度計５６）が検出した照度値の最大照度値（ＭＡＸ）と最
小照度値（ＭＩＮ）を用いて、

均斉度（％）＝（１−（ＭＡＸ−ＭＩＮ）／（ＭＡＸ＋ＭＩＮ））×１００

により表される照度の均一性の割合をいう。 The uniformity determination unit 74 determines whether or not the “uniformity” calculated from the maximum illuminance value and the minimum illuminance value detected by the first illuminance meter 55 or the second illuminance meter is equal to or greater than a predetermined value. Here, the “homogeneity” is detected by the first illuminometer 55 (or the second illuminometer 56) when attention is paid to the relationship between the longitudinal direction of the substrate 10 to be processed and the illuminance, as shown in FIG. Using the maximum illuminance value (MAX) and minimum illuminance value (MIN) of the illuminance value,

Uniformity (%) = (1− (MAX−MIN) / (MAX + MIN)) × 100

The ratio of the uniformity of illuminance represented by

図１４に示すように、複数のランプ５２からそれぞれ光が照射されると、被処理基板１
０の表面に照射される紫外線の照度が場所によって変化する。変化量が大きくなると、被
処理基板１０の表面に照射ムラが生じるため、応答性の高い液晶パネルの製造が困難とな
る。 As shown in FIG. 14, when light is irradiated from each of the plurality of lamps 52, the substrate to be processed 1
The illuminance of ultraviolet rays applied to the 0 surface varies depending on the location. When the amount of change increases, irradiation unevenness occurs on the surface of the substrate 10 to be processed, making it difficult to manufacture a liquid crystal panel with high responsiveness.

図２９に示す均斉度判定部７４を備えることにより、複数のランプ５２の出力電力に応
じて、被処理基板１０の表面に対する均斉度が所定の範囲であるか否かを判定できるため
、より性能の高い液晶パネルが製造できる。 By providing the uniformity determination unit 74 shown in FIG. 29, it is possible to determine whether or not the uniformity with respect to the surface of the substrate to be processed 10 is within a predetermined range according to the output power of the plurality of lamps 52. Liquid crystal panels can be manufactured.

なお、図１４においては、ランプ５２の上方に配置された第１照度計５２（又は第２照
度計５６）の照度値に基づいて被処理基板１０の表面の均斉度を推定する方法を示したが
、被処理基板１０を配置するステージ５１又は冷却板５４上に照度計を配置して、ステー
ジ５１又は冷却板５４上の照度計の測定結果に応じて均斉度を評価してもよい。 FIG. 14 shows a method for estimating the uniformity of the surface of the substrate 10 to be processed based on the illuminance value of the first illuminance meter 52 (or the second illuminance meter 56) disposed above the lamp 52. However, an illuminance meter may be disposed on the stage 51 or the cooling plate 54 on which the substrate 10 is disposed, and the uniformity may be evaluated according to the measurement result of the illuminance meter on the stage 51 or the cooling plate 54.

図３２に、波長領域３４０〜３７０ｎｍの間にピーク感度を有する照度計を用いた場合
の均斉度と液晶パネルの性能との関係を表す表を示す。均斉度を７５％以上とすることに
より、図３の液晶パネル２０の応答速度、透過率、コントラスト、偏光（光）特性等の種
々の性能を向上させることができる。均斉度判定部７４は、図１に示す被処理基板１０を
処理する場合には、第１照度計５５で算出した場合の均斉度が７５％以上であるか否かを
判定し、その判定結果に基づいて、ランプ電力制御部７１によりランプの電圧又は電流を
制御するのが好ましい。 FIG. 32 shows a table showing the relationship between the uniformity and the performance of the liquid crystal panel when using an illuminometer having a peak sensitivity in the wavelength region of 340 to 370 nm. By setting the uniformity to 75% or more, various performances such as response speed, transmittance, contrast, and polarization (light) characteristics of the liquid crystal panel 20 of FIG. 3 can be improved. When the substrate 10 shown in FIG. 1 is processed, the uniformity determination unit 74 determines whether or not the uniformity calculated by the first illuminometer 55 is 75% or more, and the determination result Based on the above, it is preferable that the lamp power control unit 71 controls the voltage or current of the lamp.

−有害波長照度判定機構−
図３７（ａ）に示すように、図１に示す被処理基板１０を処理する場合、波長３４０ｎ
ｍ又は３２０ｎｍ以下の有害波長領域の光、特に、水銀の発光ピークを示す波長３１３ｎ
ｍの光が被処理基板１０の斜線部分に照射されると、図３７（ｂ）に示すように、照射後
の液晶パネル２０に白いムラが残る。図３８に、波長３１３ｎｍの紫外線を検出する第２
照度計５６を用いた場合の波長３１３ｎｍの紫外線が及ぼすパネル劣化の影響の関係を示
す。 -Harmful wavelength illuminance determination mechanism-
As shown in FIG. 37 (a), when processing the substrate to be processed 10 shown in FIG.
m or light having a harmful wavelength region of 320 nm or less, in particular, a wavelength of 313 n indicating a light emission peak of mercury
When m light is irradiated onto the shaded portion of the substrate 10 to be processed, white unevenness remains on the liquid crystal panel 20 after irradiation as shown in FIG. FIG. 38 shows a second example of detecting ultraviolet light having a wavelength of 313 nm.
The relationship of the influence of panel deterioration which the ultraviolet-ray with a wavelength of 313 nm at the time of using the illuminance meter 56 is shown is shown.

図３８に示すように、照度値が１ｍＷ／ｃｍ²以下の場合には、図３７（ｂ）に示すよ
うなパネル劣化は生じにくいが、照度値が１ｍＷ／ｃｍ²以上の場合には、図３７（ｂ）
に示すようなパネル劣化が生じる割合が高くなる。 As shown in FIG. 38, when the illuminance value is 1 mW / cm ² or less, panel deterioration as shown in FIG. 37 (b) hardly occurs, but when the illuminance value is 1 mW / cm ² or more, 37 (b)
The rate at which panel deterioration as shown in FIG.

図２９に示す照度判定部７２は、第２照度計５６の照度値が１ｍＷ／ｃｍ₂以上となる
場合には、例えば、図示を省略した表示装置等を介してユーザに警告する、或いは、図１
５に示す反射鏡５７或いは補助反射板５８の角度を調節させるための機構（図示省略）を
制御することにより、被処理基板１０の性能に影響を与える有害波長領域の紫外線の照射
を抑制することができる。 When the illuminance value of the second illuminometer 56 is 1 mW / cm ₂ or more, for example, the illuminance determination unit 72 shown in FIG. 29 warns the user via a display device or the like that is not shown, or 1
By controlling a mechanism (not shown) for adjusting the angle of the reflecting mirror 57 or the auxiliary reflecting plate 58 shown in FIG. 5, it is possible to suppress irradiation of ultraviolet rays in a harmful wavelength region that affects the performance of the substrate 10 to be processed. Can do.

なお、図３８に示すように、図１に示す被処理基板１０を処理する場合は、第２照度計
５６の照度の値が１ｍＷ／ｃｍ²以上、より好ましくは、０．５ｍＷ／ｃｍ²以上又は０．
２ｍＷ／ｃｍ²以上となった場合に、照度判定部７２がユーザに警告等を発するようにす
るのが好ましい。 Incidentally, as shown in FIG. 38, when processing the target substrate 10 shown in FIG. 1, the value of the illuminance of the second illuminance meter 56 is 1 mW / cm ² or more, more preferably, 0.5 mW / cm ² or more Or 0.
When it becomes ² mW / cm ² or more, it is preferable that the illuminance determination unit 72 issues a warning or the like to the user.

−基板温度制御機構−
図１４に示す冷却板５４を上面からみた場合の模式図を図３３に示す。冷却板５４は、
例えば、アルミ等の金属製であり、内部に冷却水を流通させるための流路（冷却水流路）
５４１を備えている。冷却水の流通速度は、図１４に示す基板温度制御装置８により制御
されていてもよいし、一定速度であっても構わない。図３４に示すように、処理室５０の
内部に、複数の冷風ノズル５４２が被処理基板１０の長手方向に沿ってそれぞれ離間して
配置されており、冷風ノズル５４２から、例えば、５〜１５℃の冷風が送られるようにな
っていてもよい。これにより、被処理基板１０の基板温度が、７０℃以下、好ましくは、
２０〜５０℃に制御される。冷風ノズル５４２の位置は、基板の大きさに応じて変更可能
である。なお、冷風ノズル５４２の代わりに冷風を送るためのファンが設置されていても
よい。 -Substrate temperature control mechanism-
FIG. 33 shows a schematic diagram when the cooling plate 54 shown in FIG. 14 is viewed from above. The cooling plate 54
For example, it is made of metal such as aluminum and has a flow path (cooling water flow path) for circulating cooling water inside.
541. The circulation speed of the cooling water may be controlled by the substrate temperature control device 8 shown in FIG. 14, or may be a constant speed. As shown in FIG. 34, a plurality of cold air nozzles 542 are arranged in the processing chamber 50 so as to be separated from each other along the longitudinal direction of the substrate 10 to be processed. The cool air may be sent. Accordingly, the substrate temperature of the substrate 10, 70 ° C. or less, preferably,
Controlled at 20-50 ° C. The position of the cold air nozzle 542 can be changed according to the size of the substrate. A fan for sending cold air may be installed instead of the cold air nozzle 542.

被処理基板１０の内部に封入される高分子体１８及び液晶体１７は、熱可塑性を有する
ことから、高温に曝すと、特性劣化を起こす場合がある。例えば、波長３６５ｎｍにピー
ク感度を有する照度計で測った場合の照度値を１００ｍＷ／ｃｍ²において、照射時間を
２００℃とした場合は、被処理基板１０の基板温度が２００℃に達するため、高分子体１
８及び液晶体１７の特性劣化が著しくなる。 Since the polymer body 18 and the liquid crystal body 17 sealed in the substrate to be processed 10 have thermoplasticity, they may be deteriorated when exposed to high temperatures. For example, when the illuminance value measured with an illuminometer having a peak sensitivity at a wavelength of 365 nm is 100 mW / cm ² and the irradiation time is 200 ° C., the substrate temperature of the substrate to be processed 10 reaches 200 ° C. Molecular body 1
8 and the liquid crystal body 17 are significantly deteriorated in characteristics.

図３４に示す第１ＵＶ照射装置５ａによれば、冷風ノズル５４２及び冷却板５４を備え
ることにより、被処理基板１０の温度を一定温度以下に制御できるため、高分子体１８及
び液晶体１７の劣化が低減され、製造後の液晶パネルの応答速度、透過率、コントラスト
、偏光（光）特性等、種々の特性を向上させることができる。 According to the first UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 34, since the temperature of the substrate 10 to be processed can be controlled to a predetermined temperature or less by providing the cold air nozzle 542 and the cooling plate 54, the polymer body 18 and the liquid crystal body 17 are deteriorated. Thus, various characteristics such as response speed, transmittance, contrast, and polarization (light) characteristics of the manufactured liquid crystal panel can be improved.

冷風ノズル５４２及び冷却板５４の駆動は、被処理基板１０の大きさによって選択する
ことができる。例えば、５５０ｍｍ×６５０ｍｍの被処理基板１０を処理する場合、冷風
ノズル５４２のみを用いて冷却することも十分可能であるが、例えば、１５００ｍｍ×１
８００ｍｍの被処理基板１０等のように、比較的大型な基板を処理する場合は、冷風ノズ
ル５４２と冷却板５４とを併用するようにしてもよい。 The driving of the cold air nozzle 542 and the cooling plate 54 can be selected according to the size of the substrate 10 to be processed. For example, when processing the substrate 10 to be processed of 550 mm × 650 mm, it is sufficiently possible to cool using only the cold air nozzle 542. For example, 1500 mm × 1
When processing a relatively large substrate such as the substrate to be processed 10 of 800 mm, the cold air nozzle 542 and the cooling plate 54 may be used in combination.

一方、逆に冷風を吹きかけることにより、被処理基板１０の表面温度にバラツキが生じ
てしまう場合は、冷却板５４のみを駆動させることが望ましい。図３４に示すように、処
理室５０内に基板温度を測定する温度センサ５４３を設け、温度センサ５４３の検出値に
応じて、基板温度制御装置８が、冷却板５４と冷風ノズル５４２の駆動を選択的に制御す
るようにしてもよい。 On the other hand, if the surface temperature of the substrate 10 to be processed varies due to the blowing of cold air, it is desirable to drive only the cooling plate 54. As shown in FIG. 34, a temperature sensor 543 for measuring the substrate temperature is provided in the processing chamber 50, and the substrate temperature control device 8 drives the cooling plate 54 and the cold air nozzle 542 in accordance with the detection value of the temperature sensor 543. You may make it control selectively.

−基板移動制御機構−
図３５に示すように、ランプ５２と被処理基板１０との距離や、反射板の光の反射具合
により、被処理基板１０の表面に照射される光量が、局所的に不均一になる場合がある。
そのため、図３５においては、実線で示される位置において、まず、一定時間紫外線を照
射した後、移動制御装置９により、ステージ５１を距離Ｗだけ被処理基板１０の長手方向
に移動させるようにしてもよい。これにより、ステージ５１を移動せずに処理する場合に
比べて、被処理基板１０のに照射される光をより均一化させることができる。 -Substrate movement control mechanism-
As shown in FIG. 35, the amount of light applied to the surface of the substrate to be processed 10 may be locally non-uniform depending on the distance between the lamp 52 and the substrate 10 to be processed and the degree of light reflection of the reflector. is there.
Therefore, in FIG. 35, at a position indicated by a solid line, first, after irradiating ultraviolet rays for a certain period of time, the stage 51 is moved in the longitudinal direction of the substrate to be processed 10 by the distance W by the movement control device 9. Good. Thereby, compared with the case where it processes without moving the stage 51, the light irradiated to the to-be-processed substrate 10 can be made more uniform.

距離Ｗは、ランプ５２からの照度が一定値以上となる有効照射範囲内で変更可能である
が、ランプ５２の特性を考慮すると、ランプピッチの１／２程度ずつ動かすようにするの
が好ましい。例えば、ランプ５２として発光管外径２７．５ｍｍ、発光長１０００ｍｍの
メタルハライドランプを５灯搭載し、５５０ｍｍ×６５０ｍｍの図１に示す被処理基板１
０を処理する場合は、波長領域３４０〜３７０ｎｍの間にピーク感度を有する照度計（第
１照度計５５）の照度値を７５ｍＷ／ｃｍ²として２５秒照射し、その後、被処理基板１
０を基板の長手方向にＷ＝１２５ｍｍ程度移動させて、７５ｍＷ／ｃｍ²において更に２
５秒照射する。これにより、液晶パネル２０に生じる反応ムラを抑制でき、性能の高い液
晶パネル２０の生産が実現できる。 The distance W can be changed within an effective irradiation range in which the illuminance from the lamp 52 becomes a certain value or more. However, in consideration of the characteristics of the lamp 52, it is preferable that the distance W be moved by about ½ of the lamp pitch. For example, as the lamp 52, five metal halide lamps having an outer diameter of the arc tube of 27.5 mm and a light emission length of 1000 mm are mounted, and the substrate 1 to be processed shown in FIG.
In the case of processing 0, the illuminance value of the illuminance meter (first illuminance meter 55) having a peak sensitivity in the wavelength region 340 to 370 nm is set to 75 mW / cm ^{2 and} irradiated for 25 seconds, and then the substrate 1 to be processed
0 is moved in the longitudinal direction of the substrate by about W = 125 mm, and further 2 at 75 mW / cm ² .
Irradiate for 5 seconds. Thereby, the reaction nonuniformity which arises in the liquid crystal panel 20 can be suppressed, and production of the liquid crystal panel 20 with high performance is realizable.

（紫外線照射装置を用いた液晶パネルの製造方法）
図１４に示す第１ＵＶ照射装置５ａを用いて図１に示す被処理基板１０を処理する場合
は、図３６のステップＳ１１に示すように、まずセットアップを行う。セットアップとし
ては、例えば、ランプ制御装置７、基板温度制御装置８、移動制御装置９、及び電圧印加
制御装置６１を駆動させるための各種設定データを記憶装置（図示省略）等に入力するこ
とができる。 (Liquid crystal panel manufacturing method using ultraviolet irradiation device)
When processing the substrate 10 to be processed shown in FIG. 1 using the first UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 14, first, setup is performed as shown in step S11 of FIG. As the setup, for example, various setting data for driving the lamp control device 7, the substrate temperature control device 8, the movement control device 9, and the voltage application control device 61 can be input to a storage device (not shown). .

また、ステージ５１上に、テスト用の被処理基板１０を配置し、処理室５０の内部を処
理条件に設定した上で、被処理基板１０の表面の照度及びその照度における第１照度計５
５及び第２照度計５６の照度値との関係を導出しておく。また、図３１に示すように、被
処理基板１０の表面の長手方向に対する第１照度計５５の照度値との関係を導出しておく
。これにより、第１照度計５５及び第２照度計５６の照度値に基づいて、被処理基板１０
の表面の実際の照度値、或いは被処理基板１０の表面の照度の均斉度等の関係が計算でき
る。 Further, the test substrate 10 is arranged on the stage 51, the interior of the processing chamber 50 is set as a processing condition, and the illuminance of the surface of the substrate 10 to be processed and the first illuminometer 5 at the illuminance.
5 and the illuminance value of the second illuminometer 56 are derived. Further, as shown in FIG. 31, the relationship between the illuminance value of the first illuminometer 55 with respect to the longitudinal direction of the surface of the substrate 10 to be processed is derived. Thereby, based on the illuminance values of the first illuminance meter 55 and the second illuminance meter 56, the substrate to be processed 10.
The actual illuminance value on the surface of the substrate or the uniformity of the illuminance on the surface of the substrate 10 to be processed can be calculated.

セットアップが終了したら、図８に示す搬送ロボット６２により、実際に処理する被処
理基板１０を図１４の冷却板５４上に配置し、ステップＳ１２において、被処理基板１０
の冷却を開始させる。冷却方法は、被処理基板１０の大きさに基づいて、５〜１５℃の冷
風によって空冷してもよいし、図３４に示すように、温度センサ５４３によって基板温度
を検出し、基板温度が例えば７０℃以下に制御されるように、基板温度制御装置８により
、冷却板５４又は冷風ノズル５４２を制御してもよい。 When the setup is completed, the substrate 10 to be actually processed is placed on the cooling plate 54 in FIG. 14 by the transfer robot 62 shown in FIG.
Start cooling. The cooling method may be air-cooled with cold air of 5 to 15 ° C. based on the size of the substrate 10 to be processed. As shown in FIG. 34, the substrate temperature is detected by a temperature sensor 543, and the substrate temperature is, for example, The cooling plate 54 or the cold air nozzle 542 may be controlled by the substrate temperature control device 8 so as to be controlled to 70 ° C. or lower.

引き続き、ステップＳ１３において、被処理基板１０に例えば、０〜３０Ｖの電圧が印
加される。ステップＳ１４において、被処理基板１０に電圧を印加した状態で、例えば、
第１照度計５５の照度値が７５ｍＷ／ｃｍ²の条件においてランプ光を２５秒照射する。
その後、ステップＳ１５において、ステージ５１を被処理基板１０の長手方向に移動させ
て、ステップＳ１６において、被処理基板１０に電圧を印加した状態で、例えば、第１照
度計５５の照度値が７５ｍＷ／ｃｍ²の条件においてランプ光を２５秒照射する。 Subsequently, in step S13, for example, a voltage of 0 to 30 V is applied to the substrate 10 to be processed. In step S14, with the voltage applied to the substrate 10 to be processed, for example,
The lamp light is irradiated for 25 seconds under the condition that the illuminance value of the first illuminometer 55 is 75 mW / cm ² .
Thereafter, in step S15, the stage 51 is moved in the longitudinal direction of the substrate 10 to be processed. In step S16, with the voltage applied to the substrate 10 to be processed, for example, the illuminance value of the first illuminance meter 55 is 75 mW / Lamp light is irradiated for 25 seconds under the condition of cm ² .

図１４のランプ制御装置７は、ランプ５２が、第１照度計５５の照度値が４０ｍＷ／ｃ
ｍ₂以上において、第１照度計５５の照度値とランプの照射時間との積が２０００ｍＪ／
ｃｍ₂以上となるように被処理基板１０に紫外線を照射させる。また、ランプの照射時間
に対する第１照度計５５の照度値の変化量が１０％以下となった場合には、ランプの電力
を制御する。ランプ制御装置７は、均斉度を算出し、均斉度が７５％以上となるように、
ランプの電力を制御する。処理が済んだ被処理基板１０は、ステップＳ１７において、図
１４の処理室５０から搬出され、図８の搬送ロボット６２により反転部６に搬送される。 In the lamp control device 7 of FIG. 14, the lamp 52 has an illuminance value of the first illuminometer 55 of 40 mW / c.
At m ₂ or more, the product of the illuminance value of the first illuminometer 55 and the irradiation time of the lamp is 2000 mJ /
The substrate to be processed 10 is irradiated with ultraviolet rays so as to be equal to or greater than cm ₂ . Further, when the amount of change in the illuminance value of the first illuminometer 55 with respect to the lamp irradiation time becomes 10% or less, the power of the lamp is controlled. The lamp control device 7 calculates the uniformity, so that the uniformity is 75% or more.
Control lamp power. The processed substrate 10 that has been processed is unloaded from the processing chamber 50 of FIG. 14 and transferred to the reversing unit 6 by the transfer robot 62 of FIG. 8 in step S17.

図８に示す実施の形態に係るＵＶ照射部５（第１ＵＶ照射装置５ａ）によれば、製造後
の液晶パネルの性能等に影響を及ぼす波長領域３４０ｎｍ以下の紫外線照射を抑制できる
ため、高性能で歩留まりを向上させた液晶パネルが製造できる。 The UV irradiation unit 5 (first UV irradiation device 5a) according to the embodiment shown in FIG. 8 can suppress ultraviolet irradiation in a wavelength region of 340 nm or less that affects the performance of the manufactured liquid crystal panel and the like. Can produce liquid crystal panels with improved yields.

本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は
この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代
替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。 Although the present invention has been described according to the above-described embodiments, it should not be understood that the descriptions and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したが
って、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項
によってのみ定められるものである。 It goes without saying that the present invention includes various embodiments not described herein. Accordingly, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

本発明の実施の形態に係る被処理基板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the to-be-processed substrate which concerns on embodiment of this invention. 図１の高分子体１８の具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of the polymer body 18 of FIG. 図１の被処理基板１０に紫外線を照射した後の液晶パネルの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the liquid crystal panel after irradiating the to-be-processed substrate 10 of FIG. 1 with an ultraviolet-ray. 図３の配向部２１の配向状態を例示する斜視図である。FIG. 4 is a perspective view illustrating an alignment state of an alignment unit 21 in FIG. 3. 図３の配向部２１の立ち上がり角度θを表す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a rising angle θ of the alignment unit 21 in FIG. 3. 図３の液晶パネルの液晶体の状態（電圧印加しない場合）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state (when voltage is not applied) of the liquid crystal body of the liquid crystal panel of FIG. 図３の液晶パネルの液晶体の状態（電圧印加時）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state (at the time of voltage application) of the liquid crystal body of the liquid crystal panel of FIG. 本発明の実施の形態に係る液晶パネル製造装置の全体構成の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the whole structure of the liquid crystal panel manufacturing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図８の液晶パネル製造装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the liquid crystal panel manufacturing apparatus of FIG. 図８の反転部の詳細を示す概略図である。It is the schematic which shows the detail of the inversion part of FIG. 図１０の反転部の具体的動作の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example of the specific operation | movement of the inversion part of FIG. 図８の検査部の詳細を示す概略図である。It is the schematic which shows the detail of the test | inspection part of FIG. 図１２の検査部の具体的動作の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example of the specific operation | movement of the test | inspection part of FIG. 図８のＵＶ照射部の詳細を示す概略図である。It is the schematic which shows the detail of the UV irradiation part of FIG. 図１４のランプの周辺構成の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the periphery structure of the lamp | ramp of FIG. 図１４のランプの周辺構成の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the periphery structure of the lamp | ramp of FIG. 図１４のランプを長手方向（軸方向）からみた場合の概略図である。It is the schematic at the time of seeing the lamp | ramp of FIG. 14 from a longitudinal direction (axial direction). 図１７の第１照射計に好適な照射計の分光感度を示すグラフである。It is a graph which shows the spectral sensitivity of the irradiator suitable for the 1st irradiometer of FIG. 図１７の第２照射計に好適な照射計の分光感度を示すグラフである。It is a graph which shows the spectral sensitivity of the irradiator suitable for the 2nd irradiometer of FIG. タリウム系メタルハライドランプの分光分布を示すグラフである。It is a graph which shows the spectral distribution of a thallium type metal halide lamp. 鉄系メタルハライドランプの分光分布を示すグラフである。It is a graph which shows the spectral distribution of an iron-type metal halide lamp. 鉄系メタルハライドランプとタリウム系メタルハライドランプの分光分布の比較を示すグラフである。It is a graph which shows the comparison of the spectral distribution of an iron-type metal halide lamp and a thallium-type metal halide lamp. 鉄系メタルハライドランプと水銀ランプの分光分布の比較を示すグラフである。It is a graph which shows the comparison of the spectral distribution of an iron-type metal halide lamp and a mercury lamp. 鉄系メタルハライドランプの軸方向に対する照度分布を示すグラフである。It is a graph which shows the illumination intensity distribution with respect to the axial direction of an iron-type metal halide lamp. 図１４に示すランプの周辺部を表す断面図である。It is sectional drawing showing the peripheral part of the lamp | ramp shown in FIG. 図２５に示す熱線吸収フィルタの分光透過率分布を示すグラフである。It is a graph which shows the spectral transmittance distribution of the heat ray absorption filter shown in FIG. 図１４に示すフィルタの入射角度と透過率との関係を表すグラフ（その１）である。It is the graph (the 1) showing the relationship between the incident angle of the filter shown in FIG. 14, and the transmittance | permeability. 図１４に示すフィルタの入射角度と透過率との関係を表すグラフ（その２）である。It is the graph (the 2) showing the relationship between the incident angle of the filter shown in FIG. 14, and the transmittance | permeability. 図１４に示すランプ制御装置の具体例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the specific example of the lamp | ramp control apparatus shown in FIG. 図１に示す被処理基板を処理する場合の照度値、照射時間、重合効果、劣化、生産効率の関係を示す。The relationship between the illuminance value, the irradiation time, the polymerization effect, the deterioration, and the production efficiency in the case of processing the substrate to be processed shown in FIG. 本発明の実施の形態に係る均斉度の算出方法を説明するグラフである。It is a graph explaining the calculation method of the uniformity which concerns on embodiment of this invention. 均斉度とパネル性能との関係を表す表である。It is a table | surface showing the relationship between uniformity and panel performance. 本発明の実施の形態に係る冷却板の平面図である。It is a top view of the cooling plate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る基板温度制御機構を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the substrate temperature control mechanism which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る基板移動制御機構を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the board | substrate movement control mechanism which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る液晶パネル製造方法の一例を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining an example of the liquid crystal panel manufacturing method which concerns on embodiment of this invention. 有害波長領域（３１３ｎｍ周辺領域）が被処理基板の特性に及ぼす影響を示し、図３７（ａ）は照射時の被処理基板、図３７（ｂ）は、照射後の液晶パネルを示す平面図である。FIG. 37A is a plan view showing a substrate to be processed during irradiation, and FIG. 37B is a plan view showing a liquid crystal panel after irradiation. is there. 照度値とパネル劣化との関係を示す表である。It is a table | surface which shows the relationship between an illuminance value and panel deterioration.

符号の説明Explanation of symbols

２…搬入部
３…反転部
４…検査部
４ａ…第１検査装置
４ｂ…第２検査装置
５…ＵＶ照射部
５ａ…第１ＵＶ照射装置
５ｂ…第２ＵＶ照射装置
６…反転部
７…ランプ制御装置
８…基板温度制御装置
９…移動制御装置
１０…被処理基板
１１…半導体素子
１２…基板
１３…カラーフィルタ
１４…基板
１５…透明電極
１６…透明電極
１７…液晶体
１８…高分子体
１９…シール部
２０…液晶パネル
２１…配向部
２２…配向部
２５…搬送ロボット
３０…処理室
３１…第１吸着部
３２…第２吸着部
３３…第３吸着部
３４…可動部
３５…回転部
３６…可動部
４０…処理室
４１…設置台
４２…バックライト照射部
４３…ＣＣＤカメラ
４４…印加コネクタ
４５…電圧印加部
５０…処理室
５１…ステージ
５２…ランプ
５３…フィルタ
５４…冷却板
５５…第１照度計
５６…第２照度計
５７…反射鏡
５８…補助反射板
６１…表示装置
６２…搬送ロボット
６３…イオナイザー
６４…電圧印加制御装置
７１…ランプ電力制御部
７２…照度判定部
７３…積算光量判定部
７４…均斉度判定部
７５…記憶装置
１００…冷却管
１０１…内管
１０２…外管
１０３…熱吸収フィルタ
５２０…気密性容器
５２１，５２２…電極
５４１…冷却水流路
５４２…冷風ノズル
５４３…温度センサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Carry-in part 3 ... Inversion part 4 ... Inspection part 4a ... 1st inspection apparatus 4b ... 2nd inspection apparatus 5 ... UV irradiation part 5a ... 1st UV irradiation apparatus 5b ... 2nd UV irradiation apparatus 6 ... Inversion part 7 ... Lamp control apparatus DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Substrate temperature control device 9 ... Movement control device 10 ... Substrate to be processed 11 ... Semiconductor element 12 ... Substrate 13 ... Color filter 14 ... Substrate 15 ... Transparent electrode 16 ... Transparent electrode 17 ... Liquid crystal body 18 ... Polymer body 19 ... Seal Section 20 ... Liquid crystal panel 21 ... Orientation section 22 ... Orientation section 25 ... Transfer robot 30 ... Processing chamber 31 ... First suction section 32 ... Second suction section 33 ... Third suction section 34 ... Movable section 35 ... Rotating section 36 ... Movable Unit 40 ... Processing chamber 41 ... Installation table 42 ... Backlight irradiation unit 43 ... CCD camera 44 ... Applying connector 45 ... Voltage applying unit 50 ... Processing chamber 51 ... Stage 52 ... Lamp 53 ... Filter 54 ... Cooling plate 55 ... First illuminance meter 56 ... Second illuminance meter 57 ... Reflector 58 ... Auxiliary reflector 61 ... Display device 62 ... Transport robot 63 ... Ionizer 64 ... Voltage application control device 71 ... Lamp power control unit 72 ... Illuminance Determination unit 73 ... Integrated light amount determination unit 74 ... Uniformity determination unit 75 ... Storage device 100 ... Cooling pipe 101 ... Inner pipe 102 ... Outer pipe 103 ... Heat absorption filter 520 ... Airtight container 521, 522 ... Electrode 541 ... Cooling water flow path 542 ... Cold air nozzle 543 ... Temperature sensor

Claims (6)

光反応性物質を含有する液晶体を内部に封入した被処理基板を処理する処理室と、
前記処理室内に配置され、前記被処理基板に紫外線を照射して前記光反応性物質を反応
させ、前記被処理基板の内部に配向部を形成させる複数のランプと、
前記ランプに対向し、波長３４０ｎｍ以下の波長領域の紫外線の透過を抑制するフィル
タと、
前記ランプの照度を計測する照度計と、
前記被処理基板の紫外線照射面の均斉度が７５％以上となるように前記ランプの電力を
制御するランプ制御装置
とを備えることを特徴とする液晶パネル製造装置。 A processing chamber for processing a substrate to be processed in which a liquid crystal containing a photoreactive substance is enclosed;
A plurality of lamps disposed in the processing chamber, irradiating the substrate to be processed with ultraviolet rays to react the photoreactive substance, and forming an alignment portion inside the substrate to be processed;
A filter that opposes the lamp and suppresses transmission of ultraviolet rays in a wavelength region of 340 nm or less;
An illuminometer that measures the illuminance of the lamp;
A liquid crystal panel manufacturing apparatus comprising: a lamp control device that controls power of the lamp so that the uniformity of the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed is 75% or more. 前記照度計が、波長領域３４０〜３７０ｎｍの間にピーク感度を持つことを特徴とする
請求項１に記載の液晶パネル製造装置。 The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the illuminance meter has a peak sensitivity in a wavelength region of 340 to 370 nm. 前記ランプ制御装置が、前記照度計が検出した最大照度値と最小照度値とから計算され
る均斉度に基づいて、前記ランプの電力を制御することを特徴とする請求項１又は２に記
載の液晶パネル製造装置。 The said lamp control apparatus controls the electric power of the said lamp based on the uniformity calculated from the maximum illumination value detected by the said illumination meter, and the minimum illumination intensity value. Liquid crystal panel manufacturing equipment. 前記ランプ制御装置が、前記ランプの点灯時間に対する前記照度計の照度値の変化量が
１０％以下となるように前記ランプの電力を制御することを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載の液晶パネル製造装置。 The said lamp control apparatus controls the electric power of the said lamp so that the variation | change_quantity of the illuminance value of the said luminometer with respect to the lighting time of the said lamp may be 10% or less. The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to the item. 前記ランプが発する有害波長領域の照度を計測する有害波長照度計を更に備えることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶パネル製造装置。 The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a harmful wavelength illuminometer that measures illuminance in a harmful wavelength region emitted by the lamp. 光反応性物質を含有する液晶体を内部に封入した被処理基板の紫外線照射面の照度均斉
度が７５％以上となるように、複数のランプの電力を制御しながら波長領域３４０ｎｍ以
下の紫外線の透過を抑制するフィルタを介して前記被処理基板に紫外線を照射し、前記光
反応性物質を反応させて前記被処理基板の内部に配向部を形成することを特徴とする液晶
パネルの製造方法。 While controlling the power of the plurality of lamps so that the illuminance uniformity on the ultraviolet irradiation surface of the substrate to be processed in which the liquid crystal containing the photoreactive substance is sealed is 75% or more, the ultraviolet ray having a wavelength region of 340 nm or less is controlled. A method of manufacturing a liquid crystal panel, comprising: irradiating the substrate to be processed with ultraviolet light through a filter that suppresses transmission, and reacting the photoreactive substance to form an alignment portion in the substrate to be processed.

Images