JP2008115373A - 樹脂組成物の流れ率の測定方法、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 - Google Patents

Abstract

【課題】一括成形工程における充填性のアンバンランスにより発生するウエルドボイドを解決するための樹脂組成物の異なる流路の流れ率の測定方法及び、ウエルドボイドが改善するための樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、所定時間が経過した時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めて樹脂組成物の流れ率を測定する方法であって、前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／２〜１／１０である
ことを特徴とする樹脂組成物の流れ率の測定方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂組成物の流れ率の測定方法、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置に関する。

トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止には、エポキシ樹脂のトランスファー成形による方法が低コスト、大量生産に適した方法として採用されており
、封止用樹脂の改良、進歩により高信頼性の半導体部品の実装が可能になっている。一方、エレクトロニクス製品の軽薄短小化の流れの中で半導体パッケージは薄型化小型化が年々進み、ＩＣカード、メモリーカード、液晶デバイスに見られる薄型製品へ搭載するためにパッケージの厚みが重要な特性になってきた。また半導体デバイスと外部端子の接続方法も変化してきており、従来は金属性のフレームが主流であったが、近年は樹脂基板に配線を加工しその基板に半導体部品を実装するＢＧＡ、ＣＳＰ、ＬＧＡなどのパッケージ形態が増えてきている。これらＢＧＡ、ＣＳＰ、ＬＧＡなどのパッケージは半導体デバイスを基板上に実装し、その後封止材により基板及び半導体デバイスを一括封止する片面成形を行っている。さらにこれらの樹脂基板を用いた成形においても生産性を向上する目的で１枚の基板に複数の半導体デバイスを搭載し、かつ基板のサイズをより大判化することでより多くの半導体デバイスを同時に成形する方向に進んでいる。この様な一括成形においては、半導体デバイス上と基板上の封止材を充填する部分の厚みが異なるため、成形の時の封止材の充填性が半導体デバイス上の薄い厚みと基板上の深い厚みの部分で異なり、厚みが薄い半導体デバイス上の充填が遅れ、充填性が不均一になりウエルドボイドが発生することが懸念されている。

一方、結晶性エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂を使用して封止用エポキシ樹脂成形材料の粘度を低減し、充填剤を高充填することで硬化物の低膨張率化と高Ｔｇ化の両立を図ると共に耐リフロークラック性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
特開平１１−３５８０３号公報 特開平１１−１００４９０号公報

本発明の目的は、ウエルドボイド発生の指標となり得る樹脂組成物の流れ率の測定方法を提供することである。また、本発明の目的は、前記樹脂組成物の流れ率の測定方法を用いて、ウエルドボイドが発生しにくい樹脂組成物を提供すること、さらにはそれによって封止された素子を備える電子部品装置を提供することである。

本発明は、（１）断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、所定時間が経過した時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めて樹脂組成物の流れ率を測定する方法であって、
前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／２〜１／１０である
ことを特徴とする樹脂組成物の流れ率の測定方法に関する。

また、本発明は、（２）前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は幅が同じで、スリット（ａ）の深さに対するスリット（ｂ）の深さの比が１／２〜１／１０であることを特徴とする前記（１）記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法に関する。

また、本発明は、（３）前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は深さが同じで、スリット（ａ）の幅に対するスリット（ｂ）の幅の比が１／２〜１／１０であることを特徴とする前記（１）記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法に関する。

また、本発明は、（４）前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／４であることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法に関する。

また、本発明は、（５）断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、スリット（ａ）が樹脂組成物で満たされた時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法に関する。

また、本発明は、（６）前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法に関する。

また、本発明は、（７）エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記（４）に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法により測定したスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率が３２％以下であることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（８）前記無機充填剤の平均粒径が１５μｍ以下であることを特徴とする前記（７）記載の封止用エポキシ樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（９）前記無機充填剤の平均粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする前記（７）記載の封止用エポキシ樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（１０）２００℃、１時間放置後の加熱減量が０．１５重量％以上であることを特徴とする前記（７）〜（９）のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（１１）２００℃、１時間放置後の加熱減量が０．２０重量％以上であることを特徴とする前記（７）〜（９）のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（１２）前記（７）〜（１１）のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物により封止された素子を備える電子部品装置に関する。

本発明によれば、ウエルドボイド発生の指標となり得る樹脂組成物の流れ率の測定方法を提供することができ、それによって厚みが異なる充填部分の充填に用いる場合の封止用樹脂組成物の適正を判断することができる。また、本発明によれば、前記樹脂組成物の流れ率の測定方法を用いて、ウエルドボイドが発生しにくい樹脂組成物を提供することができ、さらにはそれによって封止された素子を備える信頼性の高い電子部品装置を提供することができる。

本発明の樹脂組成物の流れ率の測定方法は、断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、所定時間が経過した時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めて樹脂組成物の流れ率を測定する方法であって、前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／２〜１／１０であることを特徴とする。

本発明の測定方法で用いるスリット（ａ）とスリット（ｂ）は、互いに異なる断面積を有するものであり、前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／２〜１／１０であることが好ましい。前記断面積の比（Ｙ／Ｘ）が１／１０未満では、スリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａとスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂとの差が広がり測定自体が困難となる。一方、前記断面積の比（Ｙ／Ｘ）が１／２を超えると、逆に前記流長ＡとＢとの差が狭まり、ウエルドボイド発生の指標となり得る樹脂組成物の流れ率の測定方法として十分な評価ができない。前記断面積の比（Ｙ／Ｘ）は、好ましくは１／２〜１／８、より好ましくは１／３〜１／５、特に好ましくは１／４である。

前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は、断面積の比（Ｙ／Ｘ）が１／２〜１／１０の範囲にあれば、各スリットの幅と深さは適宜選択すればよい。断面積の比を前記範囲に設定し易いという観点からは、前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は、幅が同じで、スリット（ａ）の深さに対するスリット（ｂ）の深さの比を１／２〜１／１０にする、または、前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は深さが同じで、スリット（ａ）の幅に対するスリット（ｂ）の幅の比を１／２〜１／１０にする方法が挙げられる。

前記断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）とでは、断面積の大きいスリット（ａ）の方が樹脂組成物の流動性は高いため、スリット（ａ）の長さが短いと樹脂組成物がすぐに流れ切ってしまい、スリット（ｂ）の樹脂組成物の流長を測定し難くなる可能性がある。この点を勘案して、スリット（ａ）とスリット（ｂ）の長さを設定することが好ましい。

スリット（ａ）とスリット（ｂ）の断面形状は特に限定されず、例えば、矩形、円形、半円形などが挙げられ、これらのなかでも矩形が好ましい。前記両スリットの断面形状は同じであっても異なっていてもよい。

また、スリット（ａ）とスリット（ｂ）の形状も特に限定されず、直線状でも曲線状でもよく、螺旋状やコ字形状に屈曲していてもよい。前記両スリットの形状は同じであっても異なっていてもよいが、前述したように樹脂組成物の流動性はスリット（ｂ）に比べてスリット（ａ）の方が高くなるため、測定のし易さからスリット（ａ）はある程度の長さを有していることが好ましく、省スペース化の点で螺旋状やコ字形状に屈曲している形状であることが好ましい。

また、スリット（ａ）とスリット（ｂ）は金型に形成されていることが好ましく、金型の材質は特に制限は無く、金属製でも樹脂製でもよい。

本発明の樹脂組成物の流れ率の測定方法は、スリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、所定時間が経過した時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めて、ウエルドボイド発生の指標とするものである。この指標は、厚みが異なる充填部分の充填に用いる場合の封止用樹脂組成物の適正を判断する上で有効である。スリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流した場合、スリット（ｂ）を流れる樹脂組成物のせん断速度は、スリット（ａ）を流れるせん断速度に比べて速くなる。スリット（ａ）を流れる樹脂組成物のせん断速度とスリット（ｂ）を流れる樹脂組成物のせん断速度の差が大きいと、厚みが異なる充填部分に対する充填性が不均一になり、ウエルドボイドが発生し易くなってしまうため、スリット（ｂ）を流れる樹脂組成物のせん断速度が遅くなることで両者のせん断速度の差が小さくなることが好ましい。前記流長の比率が小さくなる方向は、スリット（ｂ）を流れる樹脂組成物のせん断速度が遅くなることを表している。このように、前記流長の比率は樹脂組成物のウエルドボイド発生の指標とすることができ、厚みが異なる充填部分の充填に用いる場合の封止用樹脂組成物の適正を判断する上で有効である。

本発明の樹脂組成物の流れ率の測定方法は、まず、スリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流す。流す樹脂組成物の量は特に限定されず、スリット（ａ）とスリット（ｂ）の断面積や長さなどに応じて適宜選択すればよいが、少なすぎる場合はスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａとスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂを測定することが困難となる可能性があるため、通常は、３ｇ程度であることが好ましい。樹脂組成物をスリット（ａ）とスリット（ｂ）に流入する時の圧力は特に限定されないが、１０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の範囲であることが好ましい。樹脂組成物をスリット（ａ）とスリット（ｂ）に流入する時の速度は特に限定されないが、１．０〜５ｍｍ／ｓｅｃの範囲であることが好ましい。スリット（ａ）とスリット（ｂ）に流す際の樹脂組成物は液状である必要があり、樹脂組成物が粉末状、粒状、タブレット状などの固体である場合は加熱により液状にする。また、スリット（ａ）とスリット（ｂ）を樹脂組成物が流れている間も樹脂組成物は液状である必要があり、樹脂組成物が液状を保つ温度下で測定が行なわれ、通常１６５〜１８５℃の温度下で測定が行なわれる。

本発明の樹脂組成物の流れ率の測定方法は、スリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流した後、所定時間が経過した時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を測定する。ここで所定時間は特に限定されないが、測定のし易さの点から、スリット（ａ）が樹脂組成物で満たされた時点であることが好ましい。すなわち、スリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、スリット（ａ）が樹脂組成物で満たされた時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａ、すなわちスリット（ａ）の長さに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂを測定することが好ましい。

樹脂組成物の流れ率は、スリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率であり、流長Ｂ／流長Ａ×１００（％）で表される。

本発明の測定方法で用いる樹脂組成物は、特に制限されないが、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であることが好ましい。

本発明の測定方法で用いられるエポキシ樹脂は、封止用樹脂組成物に一般的に用いられるものであれば特に限定されず、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、三官能エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、多環芳香族型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は単独で用いても２種類以上を混合して用いてもよい。これらのなかでも、多環芳香族型エポキシ樹脂が好ましい。また、これらのエポキシ樹脂は、十分に精製されたもので、イオン性不純物が少ないものが好ましい。例えば、遊離Ｎａイオン及び遊離Ｃｌイオンは５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。

本発明の測定方法で用いられる硬化剤は、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているものであれば特に制限はないが、たとえば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とシクロペンタジエンから共重合により合成される、ジクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のジクロペンタジエン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでもノボラック型フェノール樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂に対する硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３がより好ましい。

本発明の測定方法で用いられる無機充填剤は、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているものであれば特に制限はないが、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛などが挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、充填性、線膨張係数の低減の観点からは溶融シリカが好ましく、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましい。形状は充填性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。

無機充填剤の平均粒径は、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下である。前記平均粒径が１５μｍを超える場合は、樹脂組成物の充填性が不均一になり、ウエルドボイドが発生しやすくなる。また、無機充填剤の比表面積は、好ましくは３．５ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは３.８ｍ^２／ｇ以上である。前記比表面積が３．５ｍ^２／ｇ未満である場合は、樹脂組成物の充填性が不均一になり、ウエルドボイドが発生しやすくなる。無機充填剤の配合量は、封止用エポキシ樹脂組成物に対して、好ましくは７８〜９２重量％、より好ましくは８２〜８９重量％である。

本発明の測定方法で用いられる封止用エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤、カップリング剤、三酸化アンチモン、カーボンブラック、ベンガラなどの着色剤、天然ワックス、合成ワックスなどの離型剤及びシリコーンオイル、ゴムなどの低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支え無い。硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般に封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを広く用いることができ、例えばベンジルメチルアミン等の３級アミン類、イミダゾール類、１，８−ジアザビシクロウンデセン、トリフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げられるが特に限定するものではない。これらは単独でも混合してもよい。カップリング剤は一般に封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを広く用いることができ、例えばエポキシシラン、アニリノシラン、メチルメトキシシラン、メルカプトシランなどを単独または混合して使用してよい。

本発明の樹脂組成物の流れ率の測定方法は、樹脂組成物のウエルドボイド発生の指標とすることができ、この指標は、厚みが異なる充填部分の充填に用いる場合の封止用樹脂組成物の適正を判断する上で有効となる。例えば、本発明の測定方法において、前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／４であるスリットを用いて、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物の流れ率を測定した場合、スリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率が３２％以下である封止用エポキシ樹脂組成物は、厚みが異なる充填部分に対する充填性が均一になり、ウエルドボイドが発生し難くなる。

前記スリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を３２％以下とするには、封止用エポキシ樹脂組成物に含まれる無機充填剤の平均粒径を調整すればよく、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下とする。また、前記スリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を３２％以下とするには、封止用エポキシ樹脂組成物を２００℃、１時間放置後した加熱減量を調整すればよく、好ましくは０．１５重量％以上、より好ましくは０．２０重量％以上である。また、前記加熱減量の上限は、０.５重量％以下であることが好ましく、０.４重量％以下であることがより好ましい。前記加熱減量は以下の式により算出することができる。

加熱減量（重量％）＝（加熱前の重量−加熱後の重量）／加熱前の重量×１００
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製造するためには、封止用エポキシ樹脂組成物をミキサー等によって均一に混合した後、さらに加熱ロールまたはニーダ等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料とすることが出来る。また、パッケージの成形条件に合うような寸法及び質量でタブレット化すると取り扱いが容易である。
本発明の電子部品装置は、上記本発明の封止用エポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えることを特徴とする。かかる電子部品装置としては、例えば、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、それら素子部を本発明の封止用エポキシ樹脂組成物で封止したものが挙げられる。より具体的には、たとえば、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファ成形等により封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣ；テープキャリアにバンプで接続した半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物で封止したＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）；配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物で封止したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）モジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール；裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板の表面に素子を搭載し、バンプ又はワイヤボンディングにより素子と有機基板に形成された配線を接続した後、封止用エポキシ樹脂組成物で素子を封止したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）；などが挙げられる。また、プリント回路板にも本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は有効に使用できる。本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。

次に実施例により本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。

（封止用エポキシ樹脂組成物）
実施例１〜３、比較例１〜２
表１に示す封止用エポキシ樹脂組成物の配合割合（重量部）で各原材料を配合しミキサーにより均一混合し、次に８０〜１２０℃で二軸混練機を用いて混練し冷却後粉砕しタブレット化し、封止用エポキシ樹脂組成物を得た。この封止用エポキシ樹脂組成物を用い、以下の方法により、スパイラルフロー、流れ率、ウエルドボイド面積、加熱減量の測定を行った。

（１）スパイラルフロー
ＥＭＭ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、封止用エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成形し、流動距離（ｉｎｃｈ）を求めた。

（２）流れ率
幅が同じでスリットの深さが異なる４本のスリット１〜４を有する、図１に示す金型（６８ｍｍ×６０ｍｍ）を用いた。封止用エポキシ樹脂組成物３.０ｇのタブレットを１７５℃で５秒間予備加熱し、溶融させ、樹脂注入入口５から金型温度１７５℃、プランジャースピード５.０ｍｍ／ｓｅｃ、トランスファー圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で注入し、スリット１が封止用エポキシ樹脂組成物で１００％充填した時点で、スリット２に充填した封止用エポキシ樹脂組成物の流長を測定し、流れ率を以下の式から求めた。

流れ率（％）＝スリット２の樹脂組成物の流長／スリット１の長さ×１００
（３）ウエルドボイド面積
図２（ａ）に示す９個の擬似チップ６が３×３の配列で搭載された基板を、上金型８及び下金型９からなる金型を用いて挟み込み型締めして固定した（図２（ｂ））。基板の固定は基板の表面が上金型８に対向し、基板の裏面が下金型９に対向するように実施した。

封止用エポキシ樹脂組成物３.０ｇのタブレットを１７５℃で１０秒間予備加熱し、溶融させ、樹脂注入入口１０にトランスファー速度１．７ｍｍ／ｓｅｃ、トランスファー圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ^２で注入し、成形温度（金型温度）１７５℃、成形圧力３ＭＰａでキャビティを充填し、９個の擬似チップを一括封止したパッケージ成形品を得た。パッケージ成形品において、樹脂封止層の最大厚みは０.５０ｍｍ、チップ上の樹脂封止層の厚みは０.１ｍｍであった（図２（ｂ））。前記厚み０.１ｍｍの樹脂封止層に発生したウエルドボイド面積を測定した。なお、ウエルドボイドが複数発生した場合は面積を合計した。

（４）加熱減量
封止用エポキシ樹脂組成物２０ｇをアルミ容器に採って正確に計量し、２００℃雰囲気下にて１時間放置した後、再度計量し、下記式により加熱減量を算出した。

加熱減量（重量％）＝（加熱前の重量−加熱後の重量）／加熱前の重量×１００

上記の通り、異なる断面積のスリットを流れる流長の比率（流れ率）の測定を行うことにより、封止用エポキシ樹脂組成物のウエルボイドの発生の評価を行うことができた。

実施例で用いた流れ率測定用金型の模式図である。 ウエルドボイド面積測定用の金型の表面図（ａ）と断面図（ｂ）である。

符号の説明

１：幅３．７ｍｍ、深さ０．８ｍｍのスリット１
２：幅３．７ｍｍ、深さ０．２ｍｍのスリット２
３：幅３．７ｍｍ、深さ０．１５ｍｍのスリット３
４：幅３．７ｍｍ、深さ０．１ｍｍのスリット４
５：樹脂組成物注入入口
６：擬似チップ
８：上金型
９：下金型
１０：樹脂注入入口

Claims (12)

1. 断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、所定時間が経過した時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めて樹脂組成物の流れ率を測定する方法であって、
   前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／２〜１／１０である
   ことを特徴とする樹脂組成物の流れ率の測定方法。
2. 前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は幅が同じで、スリット（ａ）の深さに対するスリット（ｂ）の深さの比が１／２〜１／１０であることを特徴とする請求項１記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法。
3. 前記スリット（ａ）とスリット（ｂ）は深さが同じで、スリット（ａ）の幅に対するスリット（ｂ）の幅の比が１／２〜１／１０であることを特徴とする請求項１記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法。
4. 前記スリット（ａ）の断面積Ｘに対するスリット（ｂ）の断面積Ｙの比（Ｙ／Ｘ）が１／４であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法。
5. 断面積が異なるスリット（ａ）とスリット（ｂ）に樹脂組成物を流し、スリット（ａ）が樹脂組成物で満たされた時点におけるスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率を求めることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法。
6. 前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法。
7. エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であって、請求項４に記載の樹脂組成物の流れ率の測定方法により測定したスリット（ａ）の樹脂組成物の流長Ａに対するスリット（ｂ）の樹脂組成物の流長Ｂの比率が３２％以下であることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。
8. 前記無機充填剤の平均粒径が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
9. 前記無機充填剤の平均粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
10. ２００℃、１時間放置後の加熱減量が０．１５重量％以上であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
11. ２００℃、１時間放置後の加熱減量が０．２０重量％以上であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
12. 請求項７〜１１のいずれか一項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物により封止された素子を備える電子部品装置。

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