JP2008114388A - マイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成形基材を準備する成形基材準備工程S10と、レーザ加工装置を用いて成型基材の表面を粗加工する粗加工工程S20と、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程S30とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【選択図】図1
Description
図15は、従来のマイクロ成形金型の製造方法を説明するために示す図である。図15(a1)〜図15(e1)は従来のマイクロ成形金型の製造方法の各工程における集束イオンビームの照射領域を示す図であり、図15(a2)〜図15(e2)は従来のマイクロ成形金型の製造方法の各工程における成形基材910のA1−A1断面図である。
また、加工対象となる成形基材を複合加工装置内の移動台に位置調整して配置してしまえば、その後は、加工対象となる成形基材を移動台から取り外すことなく粗加工工程及び仕上げ加工工程を連続して実施することが可能となるため、マイクロデバイスを製造する際の生産性をさらに高くすることが可能となる。
実施形態1は、本発明のマイクロデバイスの製造方法を、マイクロ成形金型の製造方法(実施形態1に係るマイクロ成形金型の製造方法)に適用した場合を説明するための実施形態である。
まず、ガラス状カーボン含有材料からなる成形基材110を準備する(図2(a1)及び図2(a2)参照。)。ガラス状カーボン含有材料は、熱硬化性樹脂を無酸素状態で加熱して製造することができ、強度及び硬度に優れ、さらにはガラスとの離型性に優れた材料として知られている。実施形態1においては、熱硬化性樹脂にカーボンナノファイバを添加したものを無酸素状態で加熱して製造されるものを用いる。従って、成形基材110は、ガラス状カーボンに加えてカーボンナノファイバを含有するガラス状カーボン含有材料からなる。成形基材110の平面形状は、平板状(例えば、12mm□×3mm厚。)である。
次に、レーザ加工装置を用いて成型基材110の表面を粗加工する(図2(b1)及び図2(b2)参照。)。粗加工工程S20においては、図3に示すように、成形基材110の表面112におけるレーザ光照射領域RLにレーザ光Lを照射して、複数の略半球状凹部120を順次形成する。
そして、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材110の表面112を仕上げ加工する(図2(c1)及び図2(c2)参照。)。仕上げ加工工程S30においては、図5に示すように、成形基材110の表面112における集束イオンビーム照射領域RIBに集束イオンビームIBを照射して、略半球状凹部120を平滑化してマイクロレンズ形成用凹部130とする。集束イオンビームの照射は、例えば、イオン源Ga、加速電圧40kV、エミッション電流2μAの条件でパルス状の集束イオンビーム(例えば、ビーム径50nm、パルス幅1μs。)を用いて成形基材110の表面112を20nmずつずらしながらラスタースキャン方式で走査する(例えば、走査回数100回。)ことにより行われる。
また、加工対象となる成形基材110を複合加工装置10内の移動台20に位置調整して配置してしまえば、その後は、加工対象となる成形基材110を移動台20から取り外すことなく粗加工工程及び仕上げ加工工程を連続して実施することが可能となるため、マイクロ成形金型100を製造する際の生産性をさらに高くすることが可能となる。
実施形態2は、本発明のマイクロデバイスの製造方法を、マイクロ成形金型の製造方法(実施形態2に係るマイクロ成形金型の製造方法)に適用した場合を説明するための実施形態である。
実施形態3は、本発明のマイクロデバイスの製造方法を、マイクロ成形金型の製造方法(実施形態3に係るマイクロ成形金型の製造方法)に適用した場合を説明するための実施形態である。
実施形態4は、本発明のマイクロデバイスの製造方法を、マイクロ成形金型の製造方法(実施形態4に係るマイクロ成形金型の製造方法)に適用した場合を説明するための実施形態である。
実施形態5は、本発明のマイクロデバイスの製造方法を、マイクロ成形金型の製造方法(実施形態5に係るマイクロ成形金型の製造方法)に適用した場合を説明するための実施形態である。
実施形態6は、本発明のマイクロデバイスの製造方法を、μTASなどに用いるマイクロチャネルの製造方法(実施形態6に係るマイクロチャネルの製造方法)に適用した場合を説明するための実施形態である。
まず、硼珪酸ガラスからなる成形基材610を準備する(図12(a1)及び図12(a2)参照。)。成形基材610の形状は、平板状(例えば、15mm×5mm×1.5mm厚。)である。
次に、レーザ加工装置を用いて成型基材610の表面を粗加工する(図12(b1)及び図12(b2)参照。)。粗加工工程においては、図13に示すように、成形基材610の表面612におけるレーザ光照射領域RLにレーザ光Lを照射して、溝用凹部620(例えば、幅50μm、深さ50μm。)を順次形成する。
そして、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材610の表面612を仕上げ加工する(図12(c1)及び図12(c2)参照。)。仕上げ加工工程においては、成形基材610の表面612における集束イオンビーム照射領域に集束イオンビーム(例えば、イオン源Ga、加速電圧40kV、エミッション電流2μA。)を照射して、溝用凹部620を平滑化して溝630とする。集束イオンビームの照射は、ビーム径が例えば50nmのパルス状の集束イオンビーム(例えば、パルス幅1μs。)を用いて成形基材610の表面612を20nmずつずらしながら、溝用凹部620の近傍についてのみラスタースキャン方式で走査する(例えば、走査回数100回。)ことにより行われる。
Claims (12)
- 成形基材を準備する成形基材準備工程と、
レーザ加工装置を用いて前記成型基材の表面を粗加工する粗加工工程と、
集束イオンビーム加工装置を用いて前記成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1に記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記仕上げ加工工程においては、集束イオンビームを用いて前記成形基材の表面を走査することにより、前記成形基材の表面を仕上げ加工することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項2に記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記仕上げ加工工程においては、集束イオンビームを用いて前記成形基材の表面をラスタースキャン方式で走査することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項2又は3に記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記仕上げ加工工程においては、ビーム径が0.1μm以上の集束イオンビームを用いて前記成形基材の表面を走査することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記粗加工工程においては、前記成形基材の表面に、1回又は複数回のレーザ照射により所定の加工形状を形成可能なビームプロファイルを有するパルス状のレーザ光を照射することにより、前記成形基材の表面を粗加工することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記レーザ加工装置として、紫外線レーザ加工装置を用いることを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記レーザ加工装置として、フェムト秒レーザ加工装置を用いることを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記レーザ加工装置として、ファイバレーザ加工装置を用いることを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜8のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記レーザ加工装置及び前記集束イオンビーム加工装置を備える複合加工装置を準備しておき、
前記複合加工装置を用いて、前記粗加工工程と前記仕上げ加工工程とを連続して行うことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記成形基材準備工程と前記粗加工工程との間に、前記成形基材の表面にエネルギー吸収膜を形成するエネルギー吸収膜形成工程をさらに含むとともに、
前記粗加工工程の後に、前記エネルギー吸収膜を除去するエネルギー吸収膜除去工程をさらに含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項1〜10のいずれかに記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記マイクロデバイスは、マイクロ成形金型であり、
前記成形基材は、少なくとも表面側がガラス状カーボン含有材料からなる成形基材であることを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項11に記載のマイクロデバイスの製造方法において、
前記ガラス状カーボン含有材料は、ガラス状カーボンに加えてカーボンナノファイバを含有することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
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