JP2008112093A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法及び露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008112093A
JP2008112093A JP2006296281A JP2006296281A JP2008112093A JP 2008112093 A JP2008112093 A JP 2008112093A JP 2006296281 A JP2006296281 A JP 2006296281A JP 2006296281 A JP2006296281 A JP 2006296281A JP 2008112093 A JP2008112093 A JP 2008112093A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spatial light
exposure
pattern
sub
pixels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006296281A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4897432B2 (ja
Inventor
Kazuhiko Kimura
一彦 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NANO SYSTEM SOLUTIONS KK
Original Assignee
NANO SYSTEM SOLUTIONS KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NANO SYSTEM SOLUTIONS KK filed Critical NANO SYSTEM SOLUTIONS KK
Priority to JP2006296281A priority Critical patent/JP4897432B2/ja
Publication of JP2008112093A publication Critical patent/JP2008112093A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4897432B2 publication Critical patent/JP4897432B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】パターンエッジを滑らかに露光することができる露光方法を提供すること。
【解決手段】露光領域における各々の空間光変調素子に位置的に対応する画素を複数のサブ画素に2次元的に区分した上で所望露光パターンを設定し、各々の前記画素における露光を、当該画素に位置的に対応する前記空間光変調素子に担わせ、各々の前記空間光変調素子からの光像を、当該空間光変調素子に位置的に対応する前記画素に属する複数の前記サブ画素の各々に順次に走査して投影するとともに、その光像が投影される前記サブ画素における前記所望露光パターン上での明暗に対応させて各々の前記空間光変調素子のオン・オフの切り替えを行うようにし、サブ画素毎に必要な露光を行う。
【選択図】図6

Description

本発明は、露光方法及び露光装置に関し、さらに詳しくは、空間光変調素子を2次元的に多数配列してなる空間光変調器を使用し、光源から発せられた光を空間光変調器により変調して形成される明暗パターンを対象物に投影することによって当該対象物に露光パターンを形成する露光方法及び露光装置に係わる。
従来、露光装置として、光源と、この光源から発せられた光を変調して明暗パターンを形成するDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス:空間光変調器)と、DMDによって形成された明暗パターンを対象物に結像させる結像光学系とを備えたものが知られている(例えば、特許文献1)。
特開2006−133432号公報
DMDのマイクロミラーは2次元的に配列され、そのDMDによって形成された明暗パターンと相似の露光パターンを対象物に形成していた。そのため、従来の露光方法によれば、次のような問題が生じていた。
たとえば、露光パターン中に直線状パターンが含まれている場合を考えると、その直線状パターンがマイクロミラーの配設方向(直交する2方向)に対応して延在する場合には問題はないが、その直線状パターンがマイクロミラーの配設方向と対応していない場合、つまり、その直線状パターンがマイクロミラーの配設方向に対して傾斜している場合には、その直線状パターンのエッジを滑らかに露光することができないという問題を生じていた。
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、パターンエッジを滑らかに露光することができる露光方法及び露光装置を提供することを目的としている。
請求項1に記載の露光方法は、空間光変調素子を2次元的に多数配列してなる空間光変調器を使用し、光源から発せられた光を前記空間光変調器により変調して得られる明暗パターンを対象物に投影することによって当該対象物に露光パターンを形成する露光方法であって、露光領域における各々の前記空間光変調素子に位置的に対応する画素を複数のサブ画素に2次元的に区分した上で所望露光パターンを設定し、各々の前記画素における露光を、当該画素に位置的に対応する前記空間光変調素子に担わせ、各々の前記空間光変調素子からの光像を、当該空間光変調素子に位置的に対応する前記画素に属する複数の前記サブ画素の各々に順次に走査して投影するとともに、その光像が投影される前記サブ画素における前記所望露光パターン上での明暗に対応させて各々の前記空間光変調素子のオン・オフの切り替えを行うようにし、サブ画素毎に必要な露光を行うことを特徴とする。
請求項2に記載の露光方法は、請求項1に記載の露光方法であって、前記光像の走査を、前記空間光変調器と前記対象物との間の光路中に介在させたチルトミラーによって行わせることを特徴とする。
請求項3に記載の露光方法は、請求項1に記載の露光方法であって、前記光像の走査を、前記空間光変調器と前記対象物の相対移動によって行わせることを特徴とする。
請求項4に記載の露光方法は、請求項1から3いずれか一に記載の露光方法であって、前記空間光変調器として、前記空間光変調素子がマイクロミラーから構成されるDMDを使用することを特徴とする。
請求項5に記載の露光装置は、空間光変調素子を2次元的に多数配列してなる空間光変調器を備え、光源から発せられた光を前記空間光変調器により変調して得られる明暗パターンを対象物に投影することによって当該対象物に露光パターンを形成する露光装置であって、露光領域における各々の前記空間光変調素子に位置的に対応する画素を複数のサブ画素に2次元的に区分した画面上で所望露光パターンを設定するためのパターン設定手段と、各々の前記空間光変調素子からの光像を前記対象物上で同時に走査して、各々の前記空間光変調素子からの光像を、当該前記空間光変調素子に位置的に対応する前記画素に属する複数の前記サブ画素の各々に順次に導かせる光像走査手段と、各々の前記空間光変調素子のオン・オフを切り替えて、当該空間光変調素子からの光像を当該光像が投影される前記サブ画素における前記所望露光パターン上での明暗に対応させる切替手段とを備えることを特徴とする。
請求項6に記載の露光装置は、請求項5に記載の露光装置において、前記走査手段は、前記空間光変調器と前記対象物との間の光路中に介在させたチルトミラーを含んで構成されていることを特徴とする。
請求項7に記載の露光装置は、請求項5に記載の露光装置において、前記走査手段は、前記空間光変調器又は前記対象物の一方を他方に対して相対移動させる移動手段を含んで構成されていることを特徴とする。
請求項8に記載の露光装置は、請求項5から7いずれか一に記載の露光装置において、前記空間光変調器として、前記空間光変調素子がマイクロミラーから構成されるDMDを備えることを特徴とする。
請求項1から4に記載の発明によれば、各々の空間光変調素子からの光像を、当該空間光変調素子に位置的に対応する画素に属する複数のサブ画素の各々に順次に走査して投影するとともに、その光像が投影されるサブ画素における所望明暗パターン上での明暗に対応させて空間光変調素子のオン・オフの切り替えを行うようにしたので、サブ画素単位で露光・未露光を行える。したがって、たとえば、露光パターンが直線状パターンを含み、直線状パターンがマイクロミラーの配設方向と対応していない場合でも、パターンエッジを滑らかに露光することができる。
請求項5から8に記載の発明によれば、各々の空間光変調素子からの光像を、当該空間光変調素子に位置的に対応する画素に属する複数のサブ画素の各々に順次に走査して投影することができるとともに、その光像が投影されるサブ画素における所望明暗パターン上での明暗に対応させて空間光変調素子のオン・オフの切り替えを行えるので、サブ画素単位で露光・未露光を行える。したがって、たとえば、露光パターンが直線状パターンを含み、直線状パターンがマイクロミラーの配設方向と対応していない場合でも、パターンエッジを滑らかに露光することができる。
まず、本発明に係る露光方法を実施する露光装置について説明する。
図1は露光装置の構成の一部を示し、図2はその露光装置の制御ブロックを示している。ここで、図1では、図示の便宜上、各構成の大きさや距離は実際のものとは対応していないことに留意を要する。
これらに示す露光装置100は、光源110と、空間光変調器の1つであるDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)120と、DMD120によって形成される明暗パターンを対象物に結像させる結像光学系130と、明暗パターンを対象物上で走査するためのチルトミラー140と、対象物150を載せるためのステージ160とを備えている。
ここで光源110としては、一般にDMDとの組み合わせに使用される公知の光源を使用することが可能である。例えば、光源110としては、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ、発光ダイオード又はレーザその他の光源を使用することができる。
DMD120は、光源110から発せられた光を反射させ変調させる多数のマイクロミラー(空間光変調素子)が2次元的に多数配列されたマイクロミラーアレイ部を備えている。そして、このマイクロミラーアレイ部を構成するマイクロミラーは各々独立して角度を調整できるようにされている。この各マイクロミラーの角度を調整することによって、マイクロミラーパターンが形成され、そのマイクロミラーパターンに光を当てた場合に明暗パターンが形成されることになる。
結像光学系130は複数のレンズによって構成されている。実施形態ではコリメートレンズ131と結像レンズ132とによって構成されているが、これに限定されるものではない。結像レンズ130の構成は、DMD120の各マイクロミラーの光像を対象物150に1対1で投影できるものであれば、その数や種類を問わない。
チルトミラー140は、2軸のチルトミラーであり、光学的に見た場合に上記DMD120のマイクロミラーの配設方向(直交する2方向)に対応する各軸を中心に正逆に傾動できるように構成されている。このチルトミラー140の傾き制御によって、DMD120の各マイクロミラーからの光像を対象物150上で走査できる。
対象物150としては、リソグラフィプロセスが必要とされるもの、例えば、半導体基板や液晶基板などが挙げられる。
また、ステージ160としては、限定はされないが、X、Y、θの3軸のステージが設置されている。
次に、露光装置1の電気的構成を図2に基づいて説明する。
同図に示すように、露光装置1は制御部210を備えている。この制御部210には入力部220、記憶部230、光源駆動部240、DMD駆動部250、チルトミラー駆動部260及びステージ駆動部270が接続されている。なお、露光装置1は、図示はされていないがディスプレイ等の表示部を備えることも可能である。
記憶部230には、露光処理プログラムや、露光処理に必要とされる各種データが記憶されている。制御部210は、この記憶部230に記憶されている各種処理プログラムを実行処理する。
入力部220は、キーボード、マウス、スキャナ、タッチパネル、スイッチなどから構成されている。この入力部220からは、記憶部230に記憶されている処理プログラムに従ってなされる制御部210からの指令に基づき、ユーザが露光処理に関するデータを入力して設定することができる。例えば、ユーザは、所望の露光パターンデータを入力して設定することができる。換言すれば、この入力部220及び制御部210は、記憶部230に記憶された処理プログラムと共働して、記憶部230に露光パターンデータを設定するためのパターン設定手段として機能する。
光源駆動部240は、記憶部230に記憶されている処理プログラムに従ってなされる制御部210からの指令に基づき、光源110のオン・オフさせるためのものである。
DMD駆動部250は、記憶部230に記憶されている処理プログラムに従ってなされる制御部210からの指令に基づき、DMD120の各マイクロミラーを動作させてオン・オフさせるためのものである。換言すれば、このDMD駆動部250と制御部210は、記憶部230に記憶された処理プログラムや露光データと共働して、DMD120の各マイクロミラーのオン・オフを切り替えさせる切替手段として機能する。ここで、マイクロミラーがオンの状態とは、マイクロミラーで反射された光が対象物150上に投影される状態に当該マイクロミラーを傾けた状態をいい、マイクロミラーがオフの状態とは、マイクロミラーで反射した光が対象物150上に投影されない状態に当該マイクロミラーを傾けた状態をいう。
チルトミラー駆動部260は、記憶部230に記憶されている処理プログラム等に従ってなされる制御部210からの指令に基づき、チルトミラー140を2軸を中心に動作させて傾き角を変更させるためのものである。換言すれば、このチルトミラー駆動部260と制御部210は、記憶部230に記憶された処理プログラム等と共働して、チルトミラー140による走査の方向、順序、速度を制御する光像走査手段として機能する。
ステージ駆動部270は、記憶部230に記憶されている処理プログラム等に従ってなされる制御部210からの指令に基づき、ステージ160をX軸、Y軸方向に移動させたり、θ軸を中心として回転させるためのものである。
次に、本実施形態に係る露光装置1によって実施される露光方法を従来例との比較において説明する。なお、ここでは、説明を分かりやすくするために、5行5列にマイクロミラーが並んだDMDを使用した場合の露光方法について説明する。
図3(A)には5行5列にマイクロミラーが並んだDMD120の模式図が示されている。同図にはマイクロミラーを特定するためa〜eの行番号、1〜5の列符号がそれぞれ示されている。
また、図3(B)にはこのDMD120によって露光される露光領域が示されている。同図にはDMD120の各マイクロミラーで露光される領域(画素)を特定するためのa’〜e’行番号、1’〜5’の列番号がそれぞれ示されている。
ここで、i行j列に位置するマイクロミラーを(i,j)マイクロミラーとし、i’行j’列に位置するマイクロミラーを(i’,j’)画素と表現すれば、(a,1)マイクロミラー、(a,2)マイクロミラー、・・・、(c,3)マイクロミラー、・・・、(e,5)マイクロミラーは、それぞれ、(a’,1’)画素、(a’,2’)画素、・・・、(c’,3’)画素、・・・、(e’,5’)画素に位置的に対応し、各画素はその位置的に対応するマイクロミラーによって露光されるようになっている。
以上を前提にして、光学的に見て対象物150上で画素の配設方向に交差する方向に延在する斜線パターン(明パターン)を形成する場合について考える。
まず、従来の露光方法について説明する。
この従来の露光方法では、露光したい斜線パターンに対応するマイクロミラーの傾きと、それ以外のマイクロミラーの傾きとを互いに変える。すなわち、露光したい斜線パターンに対応するマイクロミラーをオンとし、それ以外のマイクロミラーをオフとする。その一例が図4(A)に示されている。同図においては白抜きのマイクロミラーはオンの状態であり、このオンの状態のマイクロミラーからの光像は明暗パターンの明部となる。一方、斜線が付されているマイクロミラーはオフの状態であり、このオフの状態のマイクロミラーからの光像は明暗パターンの暗部となる。
このように各マイクロミラーの傾きを調節し、各マイクロミラーの総体によって形成される明暗パターンを対象物に一度機に投影して露光パターンを形成している。図4(B)にはこの従来の露光方法によって得られた露光パターンが示されている。同図においては白抜きの画素が露光パターンの明部に対応し、斜線が付されている画素が露光パターンの暗部に対応している。
この従来の露光方法によれば、DMD120によって形成されるマイクロミラーパターンつまり明暗パターンと、対象物上に形成される明暗パターンつまり露光パターンとが相似になる。この場合、露光パターンの微細化の程度は、マイクロミラーの構成(大きさ)と光学系の分解能とによって制約され、例えば斜線パターンや円パターンを含む露光パターンを形成する場合にはエッジの円滑化の程度にも限界がある。
次に、本実施形態に係る露光方法を説明する。
まず、露光領域における各々のマイクロミラーに対応する画素の各々を複数のサブ画素に2次元的に区分する。実施形態では画素の各々を、説明の便宜上、4行4列のサブ画素に区分している。そして、そのサブ画素の総体から構成される画面上で、所望露光パターンの設定を行う。この過程が図5(A)〜(C)に示されている。このようにすれば、露光領域に対応する画像が多数のサブ画素から構成されるので、微細でパターンエッジが円滑な所望露光パターンが設定できることとなる。
次いで、各々の画素つまり(a’,1’)〜(e’,5’)画素における露光を、それぞれ、当該画素に対応するマイクロミラーつまり(a,1)〜(e,5)マイクロミラーに担わせる。そして、実際に露光する場合には、(a,1)〜(e,5)マイクロミラーの各々からの光像を、当該マイクロミラーに対応する(a’,1’)〜(e’,5’)画素に属する16個のサブ画素の各々に順次に走査して投影する。また、それと同時に、その光像が投影されるサブ画素における所望明暗パターン上での明暗に対応させて(a,1)〜(e,5)マイクロミラーの各々のオン・オフの切り替えを行う。例えば、光像が投影されるサブ画素が所望露光パターン上で明部であれば、そのサブ画素の露光を担当するマイクロミラーからの光が当該サブ画素に到達するように当該マイクロミラーの傾きを調整し(マイクロミラーがオン)、光像が投影されるサブ画素が所望露光パターン上で暗部であれば、そのサブ画素の露光を担当するマイクロミラーからの光が当該サブ画素に到達しないように当該マイクロミラーの傾きを調整する(マイクロミラーがオフ)。
図6を用いて、この露光方法をさらに具体的に説明する。なお、ここでは、(b’,5’)画素を(b,5)マイクロミラーで露光する場合を代表例として説明する。すなわち、実際には、(a,1)〜(e,5)マイクロミラーでそれぞれ(a’,1’)〜(e’,5’)画素のサブ画素の1つずつが同時に露光されることになるが、その1つを例に取って説明する。
特に限定はされないが、まず、(b,5)マイクロミラーからの光像を、(b’,5’)画素に属する16個のサブ画素のうち左上隅のサブ画素に投影する。この場合、当該サブ画素は所望露光パターン上で暗部であるので、(b,5)マイクロミラーからの光が当該サブ画素に到達しないように当該マイクロミラーの傾きを調整しておく(マイクロミラーがオフ)。
次に、チルトミラー140を動作させて(b,5)マイクロミラーからの光像を、右隣のサブ画素に投影する。この場合も、当該サブ画素は所望露光パターン上で暗部であるので、(b,5)マイクロミラーからの光が当該サブ画素に到達しないように当該マイクロミラーの傾きを調整しておく(マイクロミラーがオフ)。
次に、チルトミラー140を動作させて(b,5)マイクロミラーからの光像を、さらに右隣のサブ画素に投影する。この場合、当該サブ画素は所望露光パターン上で明部であるので、(b,5)マイクロミラーをオンにして、(b,5)マイクロミラーからの光が当該サブ画素に到達するようにしておく。
その後は、図6のように(b,5)マイクロミラーからの光像を走査すると同時に、その光像が投影されるサブ画素における所望露光パターン上での明暗に対応させて(b,5)マイクロミラーのオン・オフの切り替えを行う。
なお、サブ画素単位で露光する場合、そのサブ画素の露光を担当するマイクロミラーの光はその周辺のサブ画素と隣の画素を構成するサブ画素にも当たるが、光のエネルギの分布はガウス分布となるので、エネルギが最大となる所で当該サブ画素を所定時間で露光するようにすればよい。
以上のようにして、一つの露光領域の露光が完了したならば、ステップ・アンド・リピート方式で、次の露光領域の露光を行う。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、チルトミラー140によってマイクロミラーからの光像を走査するようにしたが、DMD120に対して、対象物150を載置するステージ160を相対移動させることによって光像を走査するようにしてもよい。この場合には、上記チルトミラー駆動部260に代えて、DMD120又はステージ160を移動させるに適した駆動部(例えばモータ)が必要となる。
また、上記実施形態では、空間光変調器としてDMDを例に挙げたが、液晶を使用した空間光変調器その他の空間光変調器を使用できる。この場合には、上記DMD駆動部250に代えて、液晶を使用した空間光変調器その他の空間光変調器に適した駆動部が必要となる。
実施形態の露光方法に使用される露光装置の光学系の構成の一部を示す図である。 露光装置の制御構成を示すブロック図である。 同図(A)は5行5列にマイクロミラーとが並んだDMDの模式図、同図(B)はそのDMDによって露光される露光領域に対応する画像を示す図である。 従来の露光方法を説明するための図であって、同図(A)はDMDのマイクロミラーパターンの説明図、同図(B)はその露光方法によって得られた露光パターンを示す図である。 実施形態の露光方法を説明するための図であって、所望露光パターンの設定手順を示す図である。 実施形態の露光方法を説明するための図であって、サブ画素の露光手順を示す図である。
符号の説明
100 露光装置
110 光源
120 DMD
130 結像光学系
140 チルトミラー
150 露光対象物
160 ステージ
210 制御部
220 入力部
230 記憶部
240 光源駆動部
250 DMD駆動部
260 チルトミラー駆動部
270 ステージ駆動部
(a,1)〜(e,5) マイクロミラー
(a’,1’)〜(e’,5’) 露光領域上の画素

Claims (8)

  1. 空間光変調素子を2次元的に多数配列してなる空間光変調器を使用し、光源から発せられた光を前記空間光変調器により変調して得られる明暗パターンを対象物に投影することによって当該対象物に露光パターンを形成する露光方法であって、露光領域における各々の前記空間光変調素子に位置的に対応する画素を複数のサブ画素に2次元的に区分した上で所望露光パターンを設定し、各々の前記画素における露光を、当該画素に位置的に対応する前記空間光変調素子に担わせ、各々の前記空間光変調素子からの光像を、当該空間光変調素子に位置的に対応する前記画素に属する複数の前記サブ画素の各々に順次に走査して投影するとともに、その光像が投影される前記サブ画素における前記所望露光パターン上での明暗に対応させて各々の前記空間光変調素子のオン・オフの切り替えを行うようにし、サブ画素毎に必要な露光を行うことを特徴とする露光方法。
  2. 前記光像の走査を、前記空間光変調器と前記対象物との間の光路中に介在させたチルトミラーによって行わせることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
  3. 前記光像の走査を、前記空間光変調器と前記対象物の相対移動によって行わせることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
  4. 前記空間光変調器として、前記空間光変調素子がマイクロミラーから構成されるDMDを使用することを特徴とする請求項1から3いずれか一に記載の露光方法。
  5. 空間光変調素子を2次元的に多数配列してなる空間光変調器を備え、光源から発せられた光を前記空間光変調器により変調して得られる明暗パターンを対象物に投影することによって当該対象物に露光パターンを形成する露光装置であって、露光領域における各々の前記空間光変調素子に位置的に対応する画素を複数のサブ画素に2次元的に区分した画面上で所望露光パターンを設定するためのパターン設定手段と、各々の前記空間光変調素子からの光像を前記対象物上で同時に走査して、各々の前記空間光変調素子からの光像を、当該前記空間光変調素子に位置的に対応する前記画素に属する複数の前記サブ画素の各々に順次に導かせる光像走査手段と、各々の前記空間光変調素子のオン・オフを切り替えて、当該空間光変調素子からの光像を当該光像が投影される前記サブ画素における前記所望露光パターン上での明暗に対応させる切替手段とを備えることを特徴とする露光装置。
  6. 前記走査手段は、前記空間光変調器と前記対象物との間の光路中に介在させたチルトミラーを含んで構成されていることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
  7. 前記走査手段は、前記空間光変調器又は前記対象物の一方を他方に対して相対移動させる移動手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
  8. 前記空間光変調器として、前記空間光変調素子がマイクロミラーから構成されるDMDを備えることを特徴とする請求項5から7いずれか一に記載の露光装置。
JP2006296281A 2006-10-31 2006-10-31 露光方法及び露光装置 Active JP4897432B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006296281A JP4897432B2 (ja) 2006-10-31 2006-10-31 露光方法及び露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006296281A JP4897432B2 (ja) 2006-10-31 2006-10-31 露光方法及び露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008112093A true JP2008112093A (ja) 2008-05-15
JP4897432B2 JP4897432B2 (ja) 2012-03-14

Family

ID=39444624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006296281A Active JP4897432B2 (ja) 2006-10-31 2006-10-31 露光方法及び露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4897432B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011107570A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012185434A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013179305A (ja) * 2008-02-04 2013-09-09 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119124A (ja) * 1997-06-24 1999-04-30 Lucent Technol Inc 複合入射ビームの制御システム
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
WO2002041196A1 (en) * 2000-11-14 2002-05-23 Ball Semiconductor, Inc. Digital photolithography system for making smooth diagonal components
JP2005536875A (ja) * 2002-08-24 2005-12-02 マスクレス・リソグラフィー・インコーポレーテッド 連続直接書込み光リソグラフィ
JP2005352447A (ja) * 2004-05-13 2005-12-22 Ricoh Co Ltd 画像表示装置・投射光学系
JP2006128194A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JPH11119124A (ja) * 1997-06-24 1999-04-30 Lucent Technol Inc 複合入射ビームの制御システム
WO2002041196A1 (en) * 2000-11-14 2002-05-23 Ball Semiconductor, Inc. Digital photolithography system for making smooth diagonal components
JP2005536875A (ja) * 2002-08-24 2005-12-02 マスクレス・リソグラフィー・インコーポレーテッド 連続直接書込み光リソグラフィ
JP2005352447A (ja) * 2004-05-13 2005-12-22 Ricoh Co Ltd 画像表示装置・投射光学系
JP2006128194A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013179305A (ja) * 2008-02-04 2013-09-09 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2011107570A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012185434A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4897432B2 (ja) 2012-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101790775B (zh) 无掩模曝光方法
JP5315711B2 (ja) 照明装置及び画像投影装置
US9310697B2 (en) Digital exposure device using digital micro-mirror device and a method for controlling the same
JP4486323B2 (ja) 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置
CN110325918B (zh) 直接成像曝光装置以及直接成像曝光方法
KR100702072B1 (ko) 마스크리스 광 라이터
JP7337877B2 (ja) 非ブレーズドdmdを伴う解像度強化型のデジタルリソグラフィ
CN102385256A (zh) 曝光装置
JP4897432B2 (ja) 露光方法及び露光装置
KR100816494B1 (ko) 마스크리스 노광기 및 이를 이용한 표시장치용 기판의 제조방법
JP4235972B2 (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
TWI542955B (zh) 描繪裝置及描繪方法
KR102020934B1 (ko) 마스크리스 노광 장치의 얼라인 방법
KR101854521B1 (ko) Dmd를 이용한 노광시스템
JP4686753B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP2005010468A (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
US20240111215A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method for electronic device
JP7196271B2 (ja) ダイレクトイメージング露光装置及びダイレクトイメージング露光方法
KR101784102B1 (ko) Dmd를 이용한 노광시스템
JP2024032060A (ja) 露光装置および露光方法
JP2008131536A (ja) プロジェクタ、及び、プロジェクタの姿勢制御用テストパターン
JP2016031502A (ja) 描画装置および描画方法
US9684164B2 (en) Digital exposure device
JP2024046863A (ja) 露光装置および露光方法
JPH1116808A (ja) パターン露光装置及びそのパターン転写歪み補正方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111206

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4897432

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250