JP2008103535A - Light emitting element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機化合物を用いた高効率な燐光発光素子であり、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等の分野に好適に使用できる発光体に関するものである。 The present invention is a high-efficiency phosphorescent light emitting device using an organic compound, and is suitably used in the fields of display devices, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, etc. It is related with the light-emitting body which can be performed.
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略す。）は、低電圧で高輝度の発光を得ることが出来る為、有望な次世代の表示素子として注目を集めている。 Today, research and development on various display elements is active. Among them, organic electroluminescent elements (hereinafter abbreviated as “organic EL elements”) can obtain high-luminance light emission at a low voltage. It is attracting attention as a display element for the next generation.
有機ＥＬ素子は、従来用いられてきた液晶に比べて応答速度が速く、かつ自発光であることから、従来の液晶のようにバックライトを必要とせず、極めて薄型のフラットパネルディスプレイを形成することが可能である。このような有機ＥＬ素子は、電界発光現象（ＥＬ）を利用した発光デバイスであり、原理的にはＬＥＤと同じであるが、発光材料として有機化合物を使用している点が特徴である。
一般に有機ＥＬ素子は透明基板上に透明電極と金属電極との間に複数層の有機膜層から構成されて、該有機層が発光層と電荷輸送層とからなる。透明電極としては、仕事関数が大きな酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などが用いられ、透明電極から正孔輸送層への良好な正孔注入特性を持たせている。金属電極としては、アルミニウム、マグネシウム又はそれらの合金などの仕事関数が小さな金属材料を用いて有機層への良好な電子注入性を持たせている。
Organic EL devices have a faster response speed than conventional liquid crystals and self-emission. Therefore, they do not require a backlight like conventional liquid crystals, and form extremely thin flat panel displays. Is possible. Such an organic EL element is a light emitting device utilizing an electroluminescence phenomenon (EL), and is theoretically the same as an LED, but is characterized in that an organic compound is used as a light emitting material.
In general, an organic EL element is composed of a plurality of organic film layers between a transparent electrode and a metal electrode on a transparent substrate, and the organic layer is composed of a light emitting layer and a charge transport layer. As the transparent electrode, indium tin oxide (ITO) having a large work function is used, and good hole injection characteristics from the transparent electrode to the hole transport layer are provided. As the metal electrode, a metal material having a small work function such as aluminum, magnesium, or an alloy thereof is used to give a good electron injection property to the organic layer.
有機化合物を発光材料として用いた有機ＥＬ素子の例として、蒸着法による多層薄膜を利用した有機ＥＬ素子が報告されている。この文献に記載された発光素子は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト−Ｏ，Ｎ）アルミニウム（Ａｌｑ３）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料（例えば芳香族アミン化合物など）と積層させることにより、従来の単層型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。上記のようにこれまで、一般に有機ＥＬ素子に用いられている発光は、発光中心材料の分子の一重項励起子から基底状態になるときの蛍光が取り出されている。
有機ＥＬ発光素子特性向上の手段として、所望の発光波長を有し発光効率の高い有機分子（副構成材料）を発光層にドープする方法が用いられている。このドーピング法の場合、ホスト（主構成材料）となる分子上で電極から注入されたホールと電子が再結合してホスト分子を励起状態とし、そのエネルギーよりも小さい励起エネルギーを有するドーパント分子にエネルギー移動することによって、そのドーパント分子から発光するようになっている。通常、ドーパント分子はホスト分子より発光量子収率が高いものが用いられるので、より高い発光効率が得られることが知られている（例えば特許文献１）。
さらに有機ＥＬ素子の発光層に副構成材料として燐光発光性材料を利用することが提案されている。発表されている代表的な文献としては、例えば非特許文献１、非特許文献２、非特許文献３及び非特許文献４が挙げられる。
As an example of an organic EL element using an organic compound as a light emitting material, an organic EL element using a multilayer thin film by vapor deposition has been reported. The light-emitting element described in this document uses tris (8-hydroxyquinolinato-O, N) aluminum (Alq 3 ) as an electron transport material and is stacked with a hole transport material (for example, an aromatic amine compound). Thus, the light emission characteristics are greatly improved as compared with the conventional single-layer type element. As described above, the light emitted from the singlet exciton of the molecule of the luminescent center material is extracted from the light emission generally used in the organic EL element so far.
As a means for improving the characteristics of the organic EL light emitting device, a method of doping a light emitting layer with an organic molecule (subcomponent material) having a desired light emission wavelength and high light emission efficiency is used. In this doping method, holes and electrons injected from the electrodes on the host (main constituent material) molecules are recombined to bring the host molecules into an excited state, and energy is applied to the dopant molecules having an excitation energy smaller than that energy. By moving, the dopant molecules emit light. Usually, since a dopant molecule having a higher emission quantum yield than a host molecule is used, it is known that higher luminous efficiency can be obtained (for example, Patent Document 1).
Further, it has been proposed to use a phosphorescent material as a sub-constituent material in the light emitting layer of the organic EL element. As typical literatures that have been announced, for example, Non-Patent
燐光性発光材料が特に注目されている理由は、原理的に高発光効率が期待できるからである。その理由は、キャリア再結合により生成される励起子は一重項励起子と三重項励起子からなり、その確率は１：３である。これまでの有機ＥＬ素子は、一重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率は生成された励起子数に対して、２５％でありこれが原理的上限であった。しかし、三重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待され、さらに、エネルギー的に高い一重項からの三重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
このような燐光発光物質を用いた有機ＥＬ素子としては、現在までにイリジウム及び白金を中心金属とする様々な錯体を用いた素子が開発されている。
The reason why phosphorescent light-emitting materials are particularly attracting attention is that high luminous efficiency can be expected in principle. The reason is that excitons generated by carrier recombination are composed of singlet excitons and triplet excitons, and the probability is 1: 3. Until now, organic EL devices have taken out fluorescence when transitioning from a singlet exciton to a ground state as luminescence, but in principle, the luminescence yield is 25% of the number of excitons generated. This was the theoretical upper limit. However, if phosphorescence from excitons generated from triplets is used, a yield of at least three times is expected in principle, and transition due to intersystem crossing from singlet to triplet with high energy is considered. In combination, a 100% light emission yield of 4 times can be expected in principle.
As organic EL devices using such phosphorescent materials, devices using various complexes having iridium and platinum as central metals have been developed so far.
以上のように、次世代表示素子の実用化に向けて種々の検討が盛んに行われており、その中でも燐光発光性材料を用いた有機ＥＬ素子は素子特性向上といった観点から特に脚光を浴びている。しかしながら、まだ素子の発光特性、発光効率、色純度、構造の最適化及び素子の耐久性など課題は数多い。これらの課題を解決するために、燐光発光性材料、主構成材料及び効率的な素子構成の開発が望まれている。 As described above, various studies have been actively conducted for the practical application of next-generation display elements. Among them, organic EL elements using phosphorescent materials are particularly in the spotlight from the viewpoint of improving element characteristics. Yes. However, there are still many problems such as light emission characteristics, light emission efficiency, color purity, structure optimization, and device durability. In order to solve these problems, it is desired to develop phosphorescent materials, main constituent materials, and efficient device configurations.
上記、非特許文献２または非特許文献３において発光層の主構成材料として提案されているのはＡｌｑ３または４，４’−ビス（カルバゾール）ビフェニル（ＣＢＰ）である。Ａｌｑ３はＴｇ（ガラス転移温度、以下同様。）が高く耐久性に優れているが、素子の発光効率が低い。また、ＣＢＰを発光層の主構成材料に用いると、発光層の正孔と電子のキャリアバランスは正孔過剰になる。発光層の過剰な正孔は電子輸送層へ流出し、その結果発光効率が低下する。この解決手段として発光層と電子輸送層の間に正孔阻止層を設ける手段がある。この正孔阻止層により正孔を発光層中に効率よく蓄積することによって、発光層中での電子との再結合確率を向上させ、発光の高効率化を達成することができる。現状で一般的に用いられている正孔阻止材料としては、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）が挙げられる。これにより電子輸送層で電子と正孔の再結合が起こることを防止し発光効率を向上させることができるが、層構成が１層増すことから素子構造が複雑になり、コストが増加するという問題がある。加えて、ＣＢＰ及びＢＣＰは室温でも結晶化し易く有機ＥＬ用材料としての信頼性に欠けるため、素子寿命が短い。
また、Ａｌｑ３、ＣＢＰ以外でも使用可能な主構成材料として、特許文献１には、発光層に、主構成材料として含窒素複素環Ａｒ１と芳香族環Ａｒ２とを有する基と金属Ｍからなる錯体（Ｍ（−Ａｒ１−Ａｒ２−Ｏ−）ｎ）を使用し、副構成材料として貴金属系の金属錯体を使用した有機ＥＬ素子が開示されている。ただし、特許文献１では正孔阻止層を有する４層構造素子のみでの使用が例示されているにとどまるうえ、素子の輝度低下による耐久性は不明であり、上記での問題点を解決できるまでには至っていない。
Non-patent document 2 or non-patent document 3 proposes Alq 3 or 4,4′-bis (carbazole) biphenyl (CBP) as a main constituent material of the light emitting layer. Alq 3 has a high Tg (glass transition temperature, the same applies hereinafter) and excellent durability, but the light emitting efficiency of the device is low. In addition, when CBP is used as the main constituent material of the light emitting layer, the carrier balance of holes and electrons in the light emitting layer becomes excessive. Excess holes in the light emitting layer flow out to the electron transport layer, and as a result, the light emission efficiency decreases. As a solution to this problem, there is a means for providing a hole blocking layer between the light emitting layer and the electron transport layer. By efficiently accumulating holes in the light emitting layer by this hole blocking layer, it is possible to improve the recombination probability with electrons in the light emitting layer and achieve high efficiency of light emission. As a hole blocking material generally used at present, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP) can be mentioned. This can prevent the recombination of electrons and holes in the electron transport layer and improve the light emission efficiency. However, since the layer structure is increased by one layer, the element structure becomes complicated and the cost increases. There is. In addition, CBP and BCP are easy to crystallize even at room temperature and lack reliability as an organic EL material, so that the device life is short.
In addition, as a main constituent material that can be used other than Alq 3 and CBP,
特許文献２には主構成材料にベンゾオキサゾール環と芳香族環を有する基と亜鉛からなる錯体を使用し、副構成材料として貴金属系の金属錯体を使用した有機ＥＬ素子が開示されている。ここに開示された素子構造は正孔阻止層を有せず簡略であるが、具体的な素子の耐久性は不明であり、上記の問題点を解決できるまでには至っていない。 Patent Document 2 discloses an organic EL element using a complex composed of a group having a benzoxazole ring and an aromatic ring and zinc as a main constituent material, and a noble metal-based metal complex as a secondary constituent material. The element structure disclosed here is simple without a hole blocking layer, but the durability of a specific element is unknown, and the above problems have not yet been solved.
そこで本発明は、発光効率が高く耐久性が優れ、かつ簡略な構成を持つ発光素子（特に有機ＥＬ素子）が強く望まれているため、上記問題即ち燐光発光素子の量子効率を高め、劣化問題を解決し、かつ素子構成が簡略な燐光発光素子及び表示装置を提供することを目的とする。 Therefore, since the present invention strongly demands a light emitting element (particularly an organic EL element) having high luminous efficiency, excellent durability, and a simple configuration, the above problem, that is, the quantum efficiency of the phosphorescent light emitting element is improved, and the deterioration problem is caused. It is an object of the present invention to provide a phosphorescent light emitting element and a display device with a simple element structure.
発光層がキャリア輸送性のホスト材料（主構成材料）と燐光発光性のゲスト材料（副構成材料）とからなる場合、三重項励起子からの燐光発光にいたる主な過程は、以下のいくつかの過程からなる。
１．発光層内での電子・正孔の輸送
２．ホストの励起子生成
３．ホスト分子間の励起エネルギー伝達
４．ホストからゲストへの励起エネルギー移動
５．ゲストの三重項励起子生成
６．ゲストの三重項励起子→基底状態時の燐光発光
夫々の過程における所望のエネルギー移動や、発光はさまざまな失活過程と競争でおこる。ＥＬ素子の発光効率を高めるためには、発光中心材料であるゲスト材料そのものの発光量子収率を大きくすべきことは言うまでもない。電荷または励起エネルギーを発光層に閉じ込めることも重要である。さらに、ホスト−ホスト間、あるいはホスト−ゲスト間のエネルギー移動が如何に効率的に行われるかということも大きな問題となる。また、通電による発光劣化の原因は今のところ明らかではないが、少なくともゲスト材料そのもの、又は、その周辺分子によるゲスト材料の環境変化に関連したものと想定される。
When the light emitting layer is composed of a carrier transporting host material (main constituent material) and a phosphorescent guest material (sub constituent material), the main processes leading to phosphorescence emission from triplet excitons are as follows. It consists of the process.
1. 1. Transport of electrons and holes in the light emitting layer 2. Host exciton generation 3. Excitation energy transfer between host molecules 4. Excitation energy transfer from host to guest 5. Generation of guest triplet excitons Guest triplet exciton → phosphorescence emission in the ground state Desired energy transfer and light emission in each process occur in competition with various deactivation processes. Needless to say, in order to increase the light emission efficiency of the EL element, the light emission quantum yield of the guest material itself as the light emission center material should be increased. It is also important to confine the charge or excitation energy in the light emitting layer. Furthermore, how to efficiently transfer energy between the host and the host or between the host and the guest is also a big problem. Further, although the cause of light emission deterioration due to energization is not clear at present, it is assumed that it is related to the environmental change of the guest material due to at least the guest material itself or its surrounding molecules.
本発明者等は、上記問題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、対向した電極間に２成分以上の材料で構成された発光層を有する有機発光素子において、該発光層の主構成材料が亜鉛錯体であり、かつ副構成材料が下記一般式（１）で示される燐光発光性白金錯体であることを特徴とする発光素子が前記問題を解決できることを見出し、本発明に完成するに到った。 As a result of intensive investigations to solve the above problems, the inventors of the present invention, in an organic light emitting device having a light emitting layer composed of a material of two or more components between opposed electrodes, the main constituent material of the light emitting layer is The inventors have found that a light-emitting element characterized in that it is a zinc complex and the sub-constituent material is a phosphorescent platinum complex represented by the following general formula (1) can solve the above problems, and the present invention has been completed. It was.
本発明は以下の［１］〜［５］の内容を包含する。
［１］ 対向した電極間に２成分以上の材料で構成された発光層を有する有機発光素子において、該発光層の主構成材料が亜鉛錯体であり、かつ副構成材料が下記一般式（１）で示される燐光発光性白金錯体であることを特徴とする発光素子。
The present invention includes the following contents [1] to [5].
[1] In an organic light emitting device having a light emitting layer composed of two or more components between opposed electrodes, the main constituent material of the light emitting layer is a zinc complex, and the sub constituent material is represented by the following general formula (1) A phosphorescent platinum complex represented by the formula:
（式（１）中、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、夫々白金原子に配位又は結合する部位を表す。Ｖ１、Ｖ２及びＶ３は夫々二価の原子（団）、単結合又は二重結合を表す。破線で表される結合は単結合又は二重結合を、実線で表される結合は配位結合又は共有結合を表す。）
［２］ 副構成材料が下記一般式（２）で示される燐光発光性白金錯体であることを特徴とする［１］に記載の発光素子。
(In Formula (1), W 1 , W 2 , W 3, and W 4 each represent a site that coordinates or binds to a platinum atom. V 1 , V 2, and V 3 are each a divalent atom (group). A bond represented by a broken line represents a single bond or a double bond, and a bond represented by a solid line represents a coordination bond or a covalent bond.)
[2] The light emitting device according to [1], wherein the sub-constituent material is a phosphorescent platinum complex represented by the following general formula (2).
（式（２）中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよい芳香環又は芳香族複素環を示す。環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは夫々が置換基を介して縮合して環を形成してもよい。環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは該環において複数の置換基同士が縮合してさらに環を形成してもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中の何れか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は夫々独立して炭素又は窒素原子を示す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、夫々独立して二価の原子（団）又は結合手を示す。Ｑ１と環Ａ及び環Ｂ、Ｑ２と環Ａ及び環Ｃ、Ｑ３と環Ｂ及び環Ｄは夫々が置換基を介して縮合して環を形成してもよい。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は、いずれか２つが配位結合手を示し、残りの２つが共有結合手、酸素原子又は硫黄原子を示す。）
［３］ 亜鉛錯体が下記一般式（３）で表される錯体である［１］又は［２］に記載の発光素子。
(In Formula (2), Ring A, Ring B, Ring C and Ring D are nitrogen-containing heterocycles in which any two of them may have a substituent, and the remaining two rings Represents an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent, and ring A, ring B, ring C and ring D may each be condensed via a substituent to form a ring. Ring A, Ring B, Ring C, and Ring D may further form a ring by condensing a plurality of substituents in the ring, and X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are any of these Or the two represent a carbon atom or a nitrogen atom, and Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 each independently represent a nitrogen atom coordinated to a platinum atom. Q 1 , Q 2 and Q 3 each independently represent a divalent atom (group) or a bond, Q 1 and ring A and ring B, Q 2 and ring A and ring C, Q And ring B and ring D are optionally fused to form a ring via the respective substituents .Z 1, Z 2, Z 3 and Z 4, any two of indicates coordination bond, and the remaining Are two covalent bonds, oxygen atoms or sulfur atoms.)
[3] The light emitting device according to [1] or [2], wherein the zinc complex is a complex represented by the following general formula (3).
（式（３）中、環Ｅ及び環Ｆは、夫々独立して置換基を有していてもよい芳香環又は芳香族複素環を示す。また、環Ｅ、環Ｆは夫々が置換基を介して縮合して環を形成してもよく、環Ｅ、環Ｆは該環において複数の置換基同士が縮合してさらに環を形成してもよい。Ｘは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子を示す。Ｙは炭素原子又は窒素原子を示す。ｎは０又は１を表す。）
［４］ ［１］から［３］のいずれか一つに記載の発光素子において、基板上に陽極、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機層並びに陰極が積層されてなり、発光層と陽極の間に正孔輸送層を有し、発光層と陰極の間に電子輸送層を有し、電子輸送層と発光層の間には正孔阻止層を有しないで［３］に記載の亜鉛錯体が電子輸送層に用いられていることを特徴とする有機電界発光素子。
［５］ ［１］から［４］のいずれか一つに記載の発光素子を有する表示装置。
尚、亜鉛錯体は非特許文献５〜８によって、配位子の構造次第では薄膜状態で亜鉛錯体の二量体である方が単量体であるよりも安定であることが指摘されている。
(In Formula (3), Ring E and Ring F each independently represent an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent. Ring E and Ring F each have a substituent. The ring E may be condensed to form a ring, and the ring E and the ring F may be further condensed with a plurality of substituents in the ring, and X may be an oxygen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom. Y represents a carbon atom or a nitrogen atom, and n represents 0 or 1.)
[4] In the light emitting device according to any one of [1] to [3], an organic layer including an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and a cathode are laminated on a substrate, A hole transport layer is provided between the light emitting layer and the anode, an electron transport layer is provided between the light emitting layer and the cathode, and no hole blocking layer is provided between the electron transport layer and the light emitting layer [3] An organic electroluminescence device, wherein the zinc complex described in 1 is used for an electron transport layer.
[5] A display device having the light emitting device according to any one of [1] to [4].
In addition, it is pointed out by the nonpatent literatures 5-8 that the zinc complex is more stable than the monomer which is a dimer of a zinc complex in a thin film state depending on the structure of the ligand.
本発明により、発光層の主構成材料として亜鉛錯体を用い、副構成材料として上記特定の構造の燐光発光性材料を用いることにより、高効率で耐久性に優れ、簡略な構成を持つ発光素子を得ることができる。 According to the present invention, by using a zinc complex as a main constituent material of a light emitting layer and using a phosphorescent material having the above-mentioned specific structure as a sub constituent material, a light emitting device having high efficiency, excellent durability, and a simple configuration can be obtained. Obtainable.
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の有機発光素子の発光層では、副構成材料として燐光発光性材料が用いられる。燐光発光性材料としては白金を有する燐光発光性材料である。
本発明に用いられる白金を有する燐光発光性材料としては、下記一般式（１）で示される白金錯体が挙げられる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In the light emitting layer of the organic light emitting device of the present invention, a phosphorescent material is used as a sub-constituent material. The phosphorescent material is a phosphorescent material having platinum.
Examples of the phosphorescent material having platinum used in the present invention include platinum complexes represented by the following general formula (1).
（式（１）中、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、夫々白金原子に配位又は結合する部位を表す。Ｖ１、Ｖ２及びＶ３は夫々二価の原子（団）、単結合又は二重結合を表す。破線で表される結合は単結合又は二重結合を、実線で表される結合は配位結合又は共有結合を表す。）
白金原子に炭素結合で共有結合するＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４としては特に限定されないが、芳香族炭素環配位子（例えばベンゼン環、ナフタレン環、等）、芳香族複素環配位子（例えば、ピリジン環、トリアジン環、ピロール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピラゾール環、ピロール環等）が挙げられる。これらの環配位子は後述するアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、置換アミノ基等で置換されていてもよい。
(In Formula (1), W 1 , W 2 , W 3, and W 4 each represent a site that coordinates or binds to a platinum atom. V 1 , V 2, and V 3 are each a divalent atom (group). A bond represented by a broken line represents a single bond or a double bond, and a bond represented by a solid line represents a coordination bond or a covalent bond.)
W 1 , W 2 , W 3 and W 4 covalently bonded to the platinum atom by a carbon bond are not particularly limited, but include aromatic carbocyclic ligands (eg, benzene ring, naphthalene ring, etc.), aromatic heterocyclic ring Ligand (for example, pyridine ring, triazine ring, pyrrole ring, triazole ring, thiazole ring, thiadiazole ring, oxazole ring, oxadiazole ring, benzopyrrole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, pyridazine ring Quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, quinazoline ring, naphthyridine ring, cinnoline ring, pyrazole ring, pyrrole ring, etc.). These ring ligands may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a substituted amino group or the like which will be described later.
白金原子に窒素原子で配位又は結合するＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４としては特に限定されないが、ピリジン環、トリアジン環、ピロール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピラゾール環、ピロール環等の含窒素複素環、イミノ基（−Ｃ（Ｒ）＝Ｎ−）等が挙げられる。又、含窒素複素環は後述するアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、置換アミノ基等で置換されていてもよい。 W 1 , W 2 , W 3 and W 4 coordinated or bonded to a platinum atom with a nitrogen atom are not particularly limited, but include a pyridine ring, a triazine ring, a pyrrole ring, a triazole ring, a thiazole ring, a thiadiazole ring, an oxazole ring, Oxadiazole ring, benzopyrrole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, quinazoline ring, naphthyridine ring, cinnoline ring, pyrazole ring, pyrrole And nitrogen-containing heterocycles such as rings, imino groups (—C (R) ═N—) and the like. The nitrogen-containing heterocycle may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a substituted amino group, etc., which will be described later.
白金原子に酸素原子で結合するＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４としては、アリールオキシ（好ましくは炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２の、例えば、フェニルオキシ、トリルオキシ、ナフチルオキシ、アントリルオキシ基等）、ヘテロアリールオキシ（炭素数２〜２０、好ましくは炭素数３〜１５、より好ましくは炭素数３〜１０の、例えば、ピリジルオキシ、トリアゾリルオキシ、チアゾリルオキシ、チアジアゾリルオキシ、オキサゾリルオキシ、オキサジアゾリルオキシ、インドリルオキシ、ベンゾチエニルオキシ、ベンゾフリルオキシ、ピリミジニルオキシ、ピラジニルオキシ、ピリダジニルオキシ、キノリルオキシ、イソキノリルオキシ、キノキサリニルオキシ、フタラジニルオキシ、キナゾリニルオキシ、ナフチリジニルオキシ、シンノリニルオキシ、ピラゾリルオキシ、ピロリルオキシ等）が挙げられる。これらのアリールオキシ及びヘテロアリールオキシは後述するアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、置換アミノ基等で置換されていてもよい。
白金原子に硫黄原子で結合するＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４としては、アリールチオ（好ましくは炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２の、例えば、フェニルチオ、トリルチオ、ナフチルチオ、アントリルチオ基等）、ヘテロアリールチオ（炭素数２〜２０、好ましくは炭素数３〜１５、より好ましくは炭素数３〜１０の、例えば、ピリジルチオ、トリアゾリルチオ、チアゾリルチオ、チアジアゾリルチオ、オキサゾリルチオ、オキサジアゾリルチオ、インドリルチオ、ベンゾチエニルチオ、ベンゾフリルチオ、ピリミジニルチオ、ピラジニルチオ、ピリダジニルチオ、キノリルチオ、イソキノリルチオ、キノキサリニルチオ、フタラジニルチオ、キナゾリニルチオ、ナフチリジニルチオ、シンノリニルチオ、ピラゾリルチオ、ピロリルチオ等）が挙げられる。これらのアリールチオ及びヘテロアリールチオは後述するアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、置換アミノ基等で置換されていてもよい。
Ｖ１、Ｖ２及びＶ３は夫々連結基、単結合又は二重結合を表す。連結基としては特に限定されるものではないが、窒素原子連結基、酸素原子連結基、カルボニル連結基、（ポリ）メチレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、珪素原子連結基等が挙げられる。
W 1 , W 2 , W 3 and W 4 bonded to the platinum atom with an oxygen atom are aryloxy (preferably having 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms). , For example, phenyloxy, tolyloxy, naphthyloxy, anthryloxy group, etc., heteroaryloxy (2-20 carbon atoms, preferably 3-15 carbon atoms, more preferably 3-10 carbon atoms, for example pyridyloxy , Triazolyloxy, thiazolyloxy, thiadiazolyloxy, oxazolyloxy, oxadiazolyloxy, indolyloxy, benzothienyloxy, benzofuryloxy, pyrimidinyloxy, pyrazinyloxy, pyridazinyloxy, quinolyloxy, isoquino Ryloxy, quinoxalinyloxy, phthalazinyloxy, Zoriniruokishi, naphthyridone Gini oxy, thin glue oxy, pyrazolyloxy, pyrrolyloxy, etc.). These aryloxy and heteroaryloxy may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a substituted amino group and the like which will be described later.
W 1 , W 2 , W 3 and W 4 bonded to the platinum atom with a sulfur atom are arylthio (preferably having 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, For example, phenylthio, tolylthio, naphthylthio, anthrylthio group, etc., heteroarylthio (2-20 carbon atoms, preferably 3-15 carbon atoms, more preferably 3-10 carbon atoms, eg, pyridylthio, triazolylthio, thiazolylthio, Asiazolylthio, oxazolylthio, oxadiazolylthio, indolylthio, benzothienylthio, benzofurylthio, pyrimidinylthio, pyrazinylthio, pyridazinylthio, quinolylthio, isoquinolylthio, quinoxalinylthio, phthalazinylthio, quinazolinylthio, naphthyridinylthio, cinnori Lucio, pyrazolyl thio, Piroriruchio etc.). These arylthio and heteroarylthio may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a substituted amino group or the like which will be described later.
V 1 , V 2 and V 3 each represent a linking group, a single bond or a double bond. The linking group is not particularly limited, and examples thereof include a nitrogen atom linking group, an oxygen atom linking group, a carbonyl linking group, a (poly) methylene group, an arylene group, a heteroarylene group, and a silicon atom linking group.
更に本発明に用いられる燐光発光性材料において好ましいものとしては、下記一般式（２）で示される白金錯体が挙げられる。 Furthermore, as a preferable thing in the phosphorescence-emitting material used for this invention, the platinum complex shown by following General formula (2) is mentioned.
（式（２）中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよい芳香環又は芳香族複素環を示す。環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは夫々が置換基を介して縮合して環を形成してもよい。環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは該環において複数の置換基同士が縮合してさらに環を形成してもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中の何れか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は夫々独立して炭素又は窒素原子を示す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、夫々独立して二価の原子（団）又は結合手を示す。Ｑ１と環Ａ及び環Ｂ、Ｑ２と環Ａ及び環Ｃ、Ｑ３と環Ｂ及び環Ｄは夫々が置換基を介して縮合して環を形成してもよい。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は、いずれか２つが配位結合手を示し、残りの２つが共有結合手、酸素原子又は硫黄原子を示す。） (In Formula (2), Ring A, Ring B, Ring C and Ring D are nitrogen-containing heterocycles in which any two of them may have a substituent, and the remaining two rings Represents an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent, and ring A, ring B, ring C and ring D may each be condensed via a substituent to form a ring. Ring A, Ring B, Ring C, and Ring D may further form a ring by condensing a plurality of substituents in the ring, and X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are any of these Or the two represent a carbon atom or a nitrogen atom, and Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 each independently represent a nitrogen atom coordinated to a platinum atom. Q 1 , Q 2 and Q 3 each independently represent a divalent atom (group) or a bond, Q 1 and ring A and ring B, Q 2 and ring A and ring C, Q And ring B and ring D are optionally fused to form a ring via the respective substituents .Z 1, Z 2, Z 3 and Z 4, any two of indicates coordination bond, and the remaining Are two covalent bonds, oxygen atoms or sulfur atoms.)
本発明の一般式（２）で表される白金錯体において、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄにおける置換基を有していてもよい含窒素複素環としては、少なくとも１個の窒素原子を異種原子として有する複素環であり、更に１個〜３個の例えば窒素原子、酸素原子又は硫黄原子からなる異種原子を含有していてもよい５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の複素環が挙げられる。当該含窒素複素環の窒素原子は白金原子に配位することができるものである。多環式基や縮合環式基を形成する他の環としては前記した複素環式基や炭素環式基などが挙げられる。 好ましい当該含窒素複素環としては、例えば、ピリジン環、トリアジン環、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾピロール環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピラゾール環、２Ｈ−ピロール環などが挙げられる。 In the platinum complex represented by the general formula (2) of the present invention, the nitrogen-containing heterocycle optionally having a substituent in ring A, ring B, ring C, or ring D includes at least one nitrogen atom. And a heterocycle having 1 to 3 atoms, which may further contain 1 to 3 hetero atoms including, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, preferably a 5 or 6 membered single atom. Cyclic, polycyclic or fused heterocyclic rings are mentioned. The nitrogen atom of the nitrogen-containing heterocyclic ring can be coordinated to a platinum atom. Examples of the other ring forming the polycyclic group or the condensed cyclic group include the above-described heterocyclic group and carbocyclic group. Preferred examples of the nitrogen-containing heterocycle include a pyridine ring, triazine ring, pyrrole ring, diazole ring, triazole ring, thiazole ring, thiadiazole ring, oxazole ring, oxadiazole ring, benzopyrrole ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, Examples include pyridazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, quinazoline ring, naphthyridine ring, cinnoline ring, pyrazole ring, 2H-pyrrole ring and the like.
一般式（２）で表される白金錯体の環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄにおける含窒素複素環上の１個以上の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、発光特性に悪影響を与えない基であれば特に制限はないが、好ましくは後述する一般式（４）で表される白金錯体におけるＲ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄで説明される基を挙げることができる。 One or more hydrogen atoms on the nitrogen-containing heterocycle in the ring A, ring B, ring C, and ring D of the platinum complex represented by the general formula (2) may be substituted with a substituent. Such a substituent is not particularly limited as long as it does not adversely affect the light emission characteristics, but preferably R 1a , R 1b , R 1c and a platinum complex represented by the following general formula (4) Mention may be made of the groups described for R 1d .
本発明の一般式（２）で表される白金錯体において、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄが置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環である場合の当該アリール環としては、炭素数６〜４０、好ましくは炭素数６〜３０、更に好ましくは６〜２０の単環式、多環式又は縮合環式の炭素環式基が挙げられる。また、当該ヘテロアリール環としては、１個〜３個の例えば窒素原子、酸素原子又は硫黄原子からなる異種原子を含有する、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の複素環式基が挙げられる。
当該複素環式基の多環式や縮合環式を形成する他の環としては前記した複素環式基や前記した炭素環式基などが挙げられる。
In the platinum complex represented by the general formula (2) of the present invention, when the ring A, ring B, ring C, and ring D are an aryl ring or a heteroaryl ring which may have a substituent, the aryl ring Examples thereof include monocyclic, polycyclic or condensed cyclic carbocyclic groups having 6 to 40 carbon atoms, preferably 6 to 30 carbon atoms, and more preferably 6 to 20 carbon atoms. The heteroaryl ring is a monocyclic or polycyclic 5- to 8-membered, preferably 5- or 6-membered, containing 1 to 3 hetero atoms including, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom. And a heterocyclic group of formula or condensed cyclic.
Examples of the other ring forming the polycyclic or condensed ring of the heterocyclic group include the heterocyclic group described above and the carbocyclic group described above.
好ましいアリール環又はヘテロアリール環としては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、トリアジン環、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ナフタレン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、ピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環などが挙げられる。 Preferred aryl rings or heteroaryl rings include, for example, benzene ring, pyridine ring, triazine ring, pyrrole ring, diazole ring, furan ring, thiophene ring, naphthalene ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, quinazoline ring. Cinnoline ring, pyrazole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring and the like.
一般式（２）で表される白金錯体の環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄにおけるアリール環又はヘテロアリール環上の１個以上の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、発光特性に悪影響を与えない基であれば特に制限はないが、好ましくは後述する一般式（４）で表される白金錯体におけるＲ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄで説明される基を挙げることができる。 One or more hydrogen atoms on the aryl ring or heteroaryl ring in ring A, ring B, ring C, ring D of the platinum complex represented by the general formula (2) may be substituted with a substituent. Such a substituent is not particularly limited as long as it does not adversely affect the light emission characteristics, but preferably R 1a , R 1b , R 1c and a platinum complex represented by the following general formula (4) Mention may be made of the groups described for R 1d .
続いて、一般式（２）において、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３で示される二価の原子（団）について説明する。
本発明においてＱ１、Ｑ２、Ｑ３で示される二価の原子（団）は、４個の環基をつなぐスペーサーとして存在し、その具体例としては、例えば、−（ＣＲ１Ｒ２）ｎ１２−、−Ｏ（ＣＲ１Ｒ２）ｎ１２Ｏ−、−（Ｏ）ｎ１３Ｃ（＝Ｏ）（Ｏ）ｎ１４−、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ３−、−ＢＲ４−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｏ（ＳＯ２）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ５Ｒ６）−、−ＯＳｉ（Ｒ５Ｒ６）Ｏ−、−Ｃ（＝ＣＲ７Ｒ８）−等が挙げられる。ｎ１２は１〜３の整数を表し、ｎ１３及びｎ１４は夫々０又は１を表す。
Subsequently, in the general formula (2), the divalent atoms (groups) represented by Q 1 , Q 2 , and Q 3 will be described.
In the present invention, the divalent atoms (groups) represented by Q 1 , Q 2 , and Q 3 are present as spacers connecting four ring groups, and specific examples thereof include, for example, — (CR 1 R 2 ). n12 −, —O (CR 1 R 2 ) n12 O—, — (O) n13 C (═O) (O) n14 −, oxygen atom, sulfur atom, —NR 3 —, —BR 4 —, —S ( = O) -, - SO 2 -, - O (SO 2) O -, - Si (R 5 R 6) -, - OSi (R 5 R 6) O -, - C (= CR 7 R 8) - Etc. n12 represents an integer of 1 to 3, and n13 and n14 each represents 0 or 1.
−（ＣＲ１Ｒ２）ｎ１２−及び−Ｏ（ＣＲ１Ｒ２）ｎ１２Ｏ−におけるＲ１及びＲ２としては、夫々独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、ＮＲ３におけるＲ３としては、水素原子、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、ＢＲ４におけるＲ４としては、アルキル基、アラルキル基及びアリール基が挙げられ、ＳｉＲ５Ｒ６及び−Ｏ（ＳｉＲ５Ｒ６）Ｏ−におけるＲ５及びＲ６としては、夫々独立して、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、−Ｃ（＝ＣＲ７Ｒ８）−におけるＲ７及びＲ８としては、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基又はシアノ基が挙げられ、これらＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８で示されるアルキル基、アラルキル基及びアリール基の具体例等は、後述する一般式（４）で表される白金錯体におけるアルキル基、アラルキル基及びアリール基の場合と全く同様である。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６とが互いに結合して各々が置換している原子と共に形成される環としては、ヘテロ原子を含んでもよい５又は６員環が挙げられる。
- (CR 1 R 2) n12 - The and -O (CR 1 R 2) n12
具体的な環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジオキソラン環、ジオキサン環、フラン環、ピラン環、チオフェン環、ベンゼン環、テトラヒドロシロール環及びシロール環等が挙げられる。また、これらの環は同一原子からの二価基のスピロ環、異なる原子からの二価基の飽和環、芳香族環等も含むものである。 Specific examples of the ring include a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a tetrahydrofuran ring, a tetrahydropyran ring, a dioxolane ring, a dioxane ring, a furan ring, a pyran ring, a thiophene ring, a benzene ring, a tetrahydrosilole ring, and a silole ring. These rings include a divalent spiro ring from the same atom, a saturated bivalent group from different atoms, an aromatic ring, and the like.
更に本発明に用いられる白金錯体のより好ましい形態としては、下記一般式（４）で表される白金錯体が挙げられる。 Furthermore, as a more preferable form of the platinum complex used for this invention, the platinum complex represented by following General formula (4) is mentioned.
（式（４）中、置換基Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄは、夫々独立して、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、モノ又はジアルキルアミノ基、モノ又はジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヘテロ環基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基を表し、Ｒ１ａ基同士、Ｒ１ｂ基同士、Ｒ１ｃ基同士、Ｒ１ｄ基同士、Ｒ１ａとＲ１ｂ、Ｒ１ａとＲ１ｃ、Ｒ１ｂとＲ１ｄとが一緒になって縮合環構造を形成してもよい。又は夫々の基とＱ１、Ｑ２、Ｑ３におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、又はＲ６とで縮合環を形成してもよい。ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４は０〜３の整数を表す。また、ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４が２以上の整数の場合は、複数のＲ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄは異なっていてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は前記と同じ意味を表す。）
で表される白金錯体。
(In the formula (4), the substituents R 1a , R 1b , R 1c and R 1d are each independently an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. Amino group, mono- or dialkylamino group, mono- or diarylamino group, alkoxy group, aryloxy group, heteroaryloxy group, alkoxycarbonyl group, acyloxy group, acylamino group, carbamoyl group, hydroxyl group, mercapto group, halogen atom, Represents a cyano group, a carboxyl group, a nitro group, a heterocyclic group, a trialkylsilyl group, a triarylsilyl group, R 1a groups, R 1b groups, R 1c groups, R 1d groups, R 1a and R 1b , R 1a and R 1c, also form a fused ring structure and R 1b and R 1d are taken together to form . Or R 1 in each group and Q 1, Q 2, Q 3 , R 2, R 3, R 4, R 5, or may form a condensed ring with R 6 .m 1, m 2, m 3 and m 4 represent an integer of 0 to 3. When m 1 , m 2 , m 3 and m 4 are integers of 2 or more, a plurality of R 1a , R 1b , R 1c and R 1d are X 1 , X 2 , X 3 , X 4 , Q 1 , Q 2 , Q 3 , Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 represent the same meaning as described above.
A platinum complex represented by
一般式（４）において、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ、Ｒ１ｄで示されるアルキル基としては、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。 In general formula (4), as an alkyl group shown by R < 1a > , R < 1b > , R < 1c> , R <1d >, for example, it is C1-C30, Preferably it is C1-C20, More preferably, it is C1-C10. And linear, branched or cyclic alkyl groups, and specific examples thereof include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, n- Examples include hexyl group, 2-ethylhexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-hexadecyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.
ハロゲン化アルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子によりハロゲン置換された基が挙げられ、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。 Examples of the halogenated alkyl group include groups in which one or more hydrogen atoms of the alkyl group described above are halogen-substituted by a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom. Specifically, for example, a trifluoromethyl group, And perfluoroalkyl groups such as a pentafluoroethyl group.
アラルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子が前記した炭素環式アリール基（当該アリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。）で置換された基が挙げられる。好ましいアラルキル基としては、置換基を有していてもよい、炭素数７〜３０、好ましくは７〜２０、より好ましくは７〜１５のアリール化アルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、１−フェネチル基などが挙げられる。 As the aralkyl group, one or more hydrogen atoms of the above-described alkyl group have the above-described carbocyclic aryl group (the aryl group has a substituent such as the above-described alkyl group, an alkoxy group described later, and a halogen atom). And a group substituted with a). Preferable aralkyl groups include arylated alkyl groups having 7 to 30 carbon atoms, preferably 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 15 carbon atoms which may have a substituent. Specific examples include, for example, Examples include benzyl group, 4-methylbenzyl group, 4-methoxybenzyl group, 1-phenethyl group and the like.
アルケニル基としては、炭素数２〜３０、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基に１個以上の二重結合を有するものが挙げられ、具体例としては、例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。 Examples of the alkenyl group include those having one or more double bonds in a linear or branched alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms. Specific examples include a vinyl group, an allyl group, a 2-butenyl group, and a 3-pentenyl group.
アルキニル基としては、炭素数２〜３０、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基に１個以上の三重結合を有するものが挙げられ、具体例としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基等が挙げられる。 Examples of the alkynyl group include those having one or more triple bonds in a linear or branched alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms. Specific examples include ethynyl group, 1-propynyl group, 2-propynyl group and the like.
アリール基としては、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２のアリール基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。当該アリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。 Examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, and more preferably 6 to 12 carbon atoms. Specific examples include a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, Anthranyl group etc. are mentioned. The aryl group may have a substituent such as the above-described alkyl group, an alkoxy group described later, and a halogen atom.
ヘテロアリール基としては、炭素数２〜１５で、異種原子として少なくとも１個、好ましは１〜３個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式のヘテロアリール基が挙げられ、具体的にはフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、ナフチリジニル基、シンノリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基及びベンゾチアゾリル基等が挙げられる。当該ヘテロアリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。 The heteroaryl group has 2 to 15 carbon atoms and contains at least one hetero atom, preferably 1 to 3 hetero atoms such as nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom, etc. Preferred examples include 5- or 6-membered monocyclic, polycyclic or condensed ring heteroaryl groups, and specific examples include furyl, thienyl, pyridyl, pyrimidinyl, pyrazinyl, pyridazinyl, and pyrazolyl groups. Imidazolyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, benzofuryl group, benzothienyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, quinazolinyl group, naphthyridinyl group, cinnolinyl group, benzoimidazolyl group, benzoxazolyl group, etc. Is mentioned. The heteroaryl group may have a substituent such as the above-described alkyl group, an alkoxy group described later, or a halogen atom.
モノ又はジアルキルアミノ基としては、前記したようなアルキル基により、１個又は２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などが挙げられる。 Examples of the mono- or dialkylamino group include amino groups in which one or two hydrogen atoms are substituted by the alkyl group as described above. Specific examples include, for example, a methylamino group, a dimethylamino group, diethylamino group. Group and the like.
モノ又はジアラルキルアミノ基としては、前記したようなアラルキル基により、１個又は２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基、１−フェニルエチルアミノ基などが挙げられる。 Examples of the mono- or diaralkylamino group include amino groups in which one or two hydrogen atoms are substituted with the aralkyl group as described above. Specific examples include, for example, a benzylamino group, a dibenzylamino group. And 1-phenylethylamino group.
モノ又はジアリールアミノ基としては、前記したようなアリール基により、１個又は２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。 Examples of the mono- or diarylamino group include amino groups in which one or two hydrogen atoms are substituted by the aryl group as described above. Specific examples include, for example, a phenylamino group, a diphenylamino group, and a ditolylamino group. Group, phenylnaphthylamino group and the like.
アルコキシ基としては、前記したようなアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。 Examples of the alkoxy group include a group in which an oxygen atom is bonded to the alkyl group as described above, and specific examples include, for example, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a tert group. -Butoxy group, 2-ethylhexyloxy group, etc. are mentioned.
アルケニルオキシ基としては、前記したようなアルケニル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、ビニルオキシ基、アリルオキシ基などが挙げられる。 Examples of the alkenyloxy group include a group in which an oxygen atom is bonded to the alkenyl group as described above. Specific examples include a vinyloxy group and an allyloxy group.
アラルキルオキシ基としては、前記したようなアラルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジルオキシ基、１−フェネチルオキシ基などが挙げられる。 Examples of the aralkyloxy group include a group in which an oxygen atom is bonded to the aralkyl group as described above, and specific examples include a benzyloxy group and a 1-phenethyloxy group.
アリールオキシ基としては、前記したようなアリール基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。 Examples of the aryloxy group include a group in which an oxygen atom is bonded to the aryl group as described above, and specific examples include a phenoxy group, a tolyloxy group, a naphthyloxy group, and the like.
ヘテロアリールオキシ基としては、前記したようなヘテロアリール基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、２−ピリジルオキシ基、２−ピラジニルオキシ基、２−ピリミジニルオキシ基、２−キノリルオキシ基などが挙げられる。 Examples of the heteroaryloxy group include groups in which an oxygen atom is bonded to the heteroaryl group as described above, and specific examples include, for example, a 2-pyridyloxy group, a 2-pyrazinyloxy group, a 2-pyrimidinyloxy group, and 2 -A quinolyloxy group etc. are mentioned.
アシル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数１〜１８のアシル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、アクリロイル基等が挙げられる。 The acyl group may be linear or branched, and examples thereof include C1-C18 acyl groups derived from carboxylic acids such as aliphatic carboxylic acids and aromatic carboxylic acids. Specific examples include, for example, Examples include formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, pivaloyl group, pentanoyl group, hexanoyl group, lauroyl group, stearoyl group, benzoyl group and acryloyl group.
アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。 The alkoxycarbonyl group may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include an alkoxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms. Specific examples include, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and n-propoxy group. Carbonyl group, 2-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, lauryloxycarbonyl group, stearyloxycarbonyl group, cyclohexyloxy A carbonyl group etc. are mentioned.
アリールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。 Examples of the aryloxycarbonyl group include an aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, and specific examples include a phenoxycarbonyl group and a naphthyloxycarbonyl group.
アシルオキシ基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数２〜１８のアシルオキシ基が挙げられ、具体例としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、アクリロイルオキシ基等が挙げられる。 Examples of the acyloxy group include C2-C18 acyloxy groups derived from carboxylic acids, and specific examples include, for example, acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, pivaloyloxy group, pentanoyloxy group, hexanoyloxy group. Group, lauroyloxy group, stearoyloxy group, benzoyloxy group, acryloyloxy group and the like.
アシルアミノ基としては、アミノ基の１個の水素原子が前記したようなアシル基で置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。 Examples of the acylamino group include amino groups in which one hydrogen atom of the amino group is substituted with an acyl group as described above. Specific examples include, for example, formylamino group, acetylamino group, propionylamino group, pivaloylamino. Group, pentanoylamino group, hexanoylamino group, benzoylamino group and the like.
カルバモイル基としては、無置換のカルバモイル基又は窒素原子上の少なくとも１つの水素原子が前記したようなアルキル基、アリール基又はアラルキル基などで置換されたモノ又はジ置換カルバモイル基が挙げられ、例えば、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。 Examples of the carbamoyl group include an unsubstituted carbamoyl group or a mono- or di-substituted carbamoyl group in which at least one hydrogen atom on a nitrogen atom is substituted with an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or the like as described above. Examples thereof include a carbamoyl group, a methylcarbamoyl group, a diethylcarbamoyl group, and a phenylcarbamoyl group.
アルキルチオ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜６のアルキルチオ基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。 The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms. Specific examples include, for example, a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, and an isopropylthio group. Group, n-butylthio group, 2-butylthio group, isobutylthio group, tert-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group and the like.
アラルキルチオ基としては、前記したようなアラルキル基に硫黄原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジルチオ基、１−フェネチルチオ基などが挙げられる。 Examples of the aralkylthio group include a group in which a sulfur atom is bonded to the aralkyl group as described above, and specific examples include a benzylthio group and a 1-phenethylthio group.
アリールチオ基としては、前記したようなアリール基に硫黄原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。 Examples of the arylthio group include a group in which a sulfur atom is bonded to the aryl group as described above. Specific examples include a phenylthio group and a naphthylthio group.
ヘテロアリールチオ基としては、前記したようなヘテロアリール基に硫黄原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、ピリジルチオ基、２−ベンズイミダゾリルチオ基、２−ベンズオキサゾリルチオ基、２−ベンズチアゾリルチオ基などが挙げられる。 Examples of the heteroarylthio group include groups in which a sulfur atom is bonded to the heteroaryl group as described above. Specific examples include, for example, a pyridylthio group, a 2-benzimidazolylthio group, a 2-benzoxazolylthio group, Examples include 2-benzthiazolylthio group.
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
ヘテロ環基は、前記したようなヘテロアリール基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。 The heterocyclic group is a heteroaryl group as described above, for example, imidazolyl group, pyridyl group, quinolyl group, furyl group, thienyl group, piperidyl group, morpholino group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzthiazolyl group Etc.
トリアルキルシリル基としては、前記したようなアルキル基で三置換されたシリル基が挙げられ、具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基などが挙げられる。 Examples of the trialkylsilyl group include a silyl group trisubstituted with an alkyl group as described above, and specific examples include a trimethylsilyl group and a tert-butyldimethylsilyl group.
トリアリールシリル基としては、前記したアリール基で三置換されたシリル基が挙げられ、具体例としては、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。 Examples of the triarylsilyl group include a silyl group trisubstituted with the above-described aryl group, and specific examples include a triphenylsilyl group.
これらの置換基は更に置換されていてもよい。また、Ｒ１ａ基同士、Ｒ１ｂ基同士、Ｒ１ｃ基同士、Ｒ１ｄ基同士が一緒になって縮合環構造を形成してもよく、更には、Ｒ１ａとＲ１ｂ、Ｒ１ｃとＲ１ｃ又は／及びＲ１ｂとＲ１ｄとが一緒になって縮合環構造を形成していてもよい。該縮合環の具体例としては、例えばフェナンスレン環、フルオレン−９−オン環、１，１０−フェナンスロリン環、４，５−ジアザフルオレン−９−オン環等が挙げられる。
ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４は夫々Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄの数を示し、夫々独立して０〜３の整数を示す。また、ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４が２以上の整数の場合は、複数のＲ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄは同一であっても互いに異なっていてもよい。
These substituents may be further substituted. Further, R 1a groups, R 1b groups, R 1c groups, and R 1d groups may be combined to form a condensed ring structure. Furthermore, R 1a and R 1b , R 1c and R 1c Or / and R 1b and R 1d may be combined to form a condensed ring structure. Specific examples of the condensed ring include a phenanthrene ring, a fluoren-9-one ring, a 1,10-phenanthroline ring, and a 4,5-diazafluoren-9-one ring.
m 1 , m 2 , m 3 and m 4 represent the numbers of R 1a , R 1b , R 1c and R 1d , respectively, and independently represent an integer of 0 to 3; When m 1 , m 2 , m 3 and m 4 are integers of 2 or more, a plurality of R 1a , R 1b , R 1c and R 1d may be the same or different from each other.
一般式（４）で示される白金錯体のさらに好ましい形態としては、例えば、下記一般式（５）で表される白金錯体が挙げられる。 As a more preferable form of the platinum complex represented by the general formula (4), for example, a platinum complex represented by the following general formula (5) may be mentioned.
（式（５）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ及びＲ１ｄは、夫々独立して、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、モノ又はジアルキルアミノ基、モノ又はジアラルキルアミノ基、モノ又はジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヘテロ環基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、を表し、Ｒ１ａ基同士、Ｒ１ｂ基同士、Ｒ１ｃ基同士、Ｒ１ｄ基同士、Ｒ１ａとＲ１ｂ、Ｒ１ａとＲ１ｃ、Ｒ１ｂとＲ１ｄとが一緒になって縮合環構造を形成してもよい。又はＲ１ａとＲ１ｂはＲ１ａｂと一緒になって縮合環構造を形成してもよい。Ｒ１ａｂは水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。白金原子とＸ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４との結合は、そのうちの二つが配位結合を残りの二つが共有結合を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４は前記と同じ意味を表す。）
一般式（５）における置換基Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ１ｃ、Ｒ１ｄ及びＲ１ａｂの説明は一般式（４）にて置換基の説明として列記したものと同様である。
(In the formula (5), R 1a , R 1b , R 1c and R 1d are each independently an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an amino group, mono or Dialkylamino group, mono- or diaralkylamino group, mono- or diarylamino group, alkoxy group, aryloxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, heteroaryloxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, acyloxy group, acylamino group, Represents a carbamoyl group, a hydroxyl group, a mercapto group, a halogen atom, a cyano group, a carboxyl group, a nitro group, a heterocyclic group, a trialkylsilyl group, a triarylsilyl group, R 1a groups, R 1b groups, R 1c Groups, R 1d groups, R 1a and R 1b , R 1a and R 1c , R 1b and R 1d may be combined to form a condensed ring structure, or R 1a and R 1b may be combined with R 1ab to form a condensed ring structure, and R 1ab is a hydrogen atom. Represents an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, wherein the platinum atom and X 1 , X 2 , X 3, and X 4 have a coordinate bond and the remaining two covalent bonds. It represents .X 1, X 2, X 3 , X 4,
The explanation of the substituents R 1a , R 1b , R 1c , R 1d and R 1ab in the general formula (5) is the same as that listed as the explanation of the substituents in the general formula (4).
また、Ｒ１ａ基同士、Ｒ１ｂ基同士、Ｒ１ｃ基同士、Ｒ１ｄ基同士が一緒になって縮合環構造を形成してもよく、更には、Ｒ１ａとＲ１ｂ、Ｒ１ａとＲ１ｃ又は／及びＲ１ｂとＲ１ｄとが一緒になって縮合環構造を形成していてもよい。又は、Ｒ１ａとＲ１ｂはＲ１ａｂとが一緒になって縮合環構造を形成していてもよい。該縮合環の具体例としては、例えばフェナンスレン環、フルオレン−９−オン環、１，１０−フェナンスロリン環、４，５−ジアザフルオレン−９−オン環等が挙げられる。 Further, R 1a groups, R 1b groups, R 1c groups, and R 1d groups may be combined to form a condensed ring structure. Furthermore, R 1a and R 1b , R 1a and R 1c Or / and R 1b and R 1d may be combined to form a condensed ring structure. Alternatively, R 1a and R 1b may be combined with R 1ab to form a condensed ring structure. Specific examples of the condensed ring include a phenanthrene ring, a fluoren-9-one ring, a 1,10-phenanthroline ring, and a 4,5-diazafluoren-9-one ring.
以下、本発明に用いられる一般式（１）で示される副構成材料（ゲスト材料）である燐光性発光をする白金金属錯体の具体的な構造式を以下に示す。但し、これらは、代表例を例示しただけで、本発明に用いられる一般式（１）で示される白金金属錯体がこれに限定されるものではない。 Hereinafter, a specific structural formula of a platinum metal complex that emits phosphorescent light, which is a sub-constituent material (guest material) represented by the general formula (1) used in the present invention, is shown below. However, these are merely representative examples, and the platinum metal complex represented by the general formula (1) used in the present invention is not limited thereto.
また、本発明に用いられる一般式（１）で示される副構成材料（ゲスト材料）である燐光性発光をする白金金属錯体の他の具体的な化合物群を以下に示す。 Further, other specific compound groups of platinum metal complexes that emit phosphorescent light, which are sub-constituent materials (guest materials) represented by the general formula (1) used in the present invention, are shown below.
続いて、本発明において用いられる主構成材料（ホスト材料）について説明する。発光層のホスト材料は亜鉛金属と配位子から形成される金属錯体が挙げられる。この亜鉛錯体は中性金属錯体（電荷をもたない金属錯体）もしくはイオン性金属錯体であってもかまわないが、中性金属錯体であることが好ましい。亜鉛錯体としては、例えば、下記一般式（３）で示される亜鉛錯体が挙げられる。 Next, the main constituent material (host material) used in the present invention will be described. Examples of the host material for the light emitting layer include metal complexes formed from zinc metal and a ligand. The zinc complex may be a neutral metal complex (a metal complex having no charge) or an ionic metal complex, but is preferably a neutral metal complex. As a zinc complex, the zinc complex shown by following General formula (3) is mentioned, for example.
（式（３）中、環Ｅ及び環Ｆは、夫々独立して置換基を有していてもよい芳香環又は芳香族複素環を示す。環Ｅ、環Ｆは夫々が置換基を介して縮合して環を形成してもよい。環Ｅ、環Ｆは該環において複数の置換基同士が縮合してさらに環を形成してもよい。Ｘは酸素原子、硫黄原子又は置換基を有してもよい窒素原子を示す。Ｙは炭素原子又は窒素原子を示す。ｎは０又は１を表す。）
本発明の一般式（３）中における置換基および芳香環（アリール環）又は芳香族複素環（ヘテロアリール環）の説明としては、前記一般式（１）又は（２）の説明中のものと同様な基が挙げられる。
さらに、一般式（３）で示される亜鉛錯体の好ましい形態としては、例えば、下記一般式（６）で表される亜鉛錯体が挙げられる。
(In Formula (3), Ring E and Ring F each independently represent an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent. Ring E and Ring F are each via a substituent. A ring may be condensed to form ring E and ring F, and a plurality of substituents may be condensed with each other to form a ring, and X has an oxygen atom, a sulfur atom or a substituent. And Y represents a carbon atom or a nitrogen atom, and n represents 0 or 1.)
Examples of the substituent and the aromatic ring (aryl ring) or aromatic heterocycle (heteroaryl ring) in the general formula (3) of the present invention are as described in the general formula (1) or (2). Similar groups are mentioned.
Furthermore, as a preferable form of the zinc complex shown by General formula (3), the zinc complex represented by following General formula (6) is mentioned, for example.
（式（６）中、置換基Ｒ２ａ及びＲ２ｂは、夫々独立して、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、モノ又はジアルキルアミノ基、モノ又はジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヘテロ環基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基を表し、Ｒ２ａ基同士、Ｒ２ｂ基同士、Ｒ２ａとＲ２ｂとが一緒になって縮合環構造を形成してもよい。ｍ５及びｍ６は０〜４の整数を表す。また、ｍ５及びｍ６が２以上の整数の場合は、複数のＲ２ａ及びＲ２ｂは異なっていてもよい。Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示す。ｎは０又は１を表す。）
置換基Ｒ２ａ、Ｒ２ｂの説明としては、前記一般式（４）の説明中の置換基Ｒ１ａ、Ｒ１ｂと同様な基が挙げられる。
以下、本発明に用いられる主構成材料（ホスト材料）である一般式（３）又は（６）で表される亜鉛錯体の具体的な構造式を挙げる。本発明で用いられる主構成材料は、これら具体例に限定されるものではない。
(In the formula (6), each of the substituents R 2a and R 2b independently represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an amino group, mono or Dialkylamino group, mono- or diarylamino group, alkoxy group, aryloxy group, heteroaryloxy group, alkoxycarbonyl group, acyloxy group, acylamino group, carbamoyl group, hydroxyl group, mercapto group, halogen atom, cyano group, carboxyl group, It represents a nitro group, a heterocyclic group, a trialkylsilyl group, or a triarylsilyl group, and R 2a groups, R 2b groups, or R 2a and R 2b may be combined to form a condensed ring structure. m 5 and m 6 represent an integer of 0 to 4. When m 5 and m 6 are integers of 2 or more, The numbers R 2a and R 2b may be different, X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and n represents 0 or 1.)
Examples of the substituents R 2a and R 2b include the same groups as the substituents R 1a and R 1b in the description of the general formula (4).
Hereinafter, specific structural formulas of the zinc complex represented by the general formula (3) or (6), which is the main constituent material (host material) used in the present invention, will be given. The main constituent material used in the present invention is not limited to these specific examples.
上記に列記した亜鉛錯体については、上記基本骨格を有する亜鉛錯体の集合分子、すなわちクラスターであっても良い。 The zinc complexes listed above may be aggregated molecules of zinc complexes having the basic skeleton, that is, clusters.
本発明に用いられる発光層における主構成材料及び副構成材料は単量体であっても、また、デンドリマー及び高分子化合物のような重合体でもあっても良い。又、本発明に用いられる主構成材料及び副構成材料は有機溶媒もしくは水溶液に溶解性を有する特性を有してもよい。
本発明で発光層に使用するホスト材料は、ＣＢＰをホスト材としてＩｒ 錯体（例えば、ＢＴＰＩｒ）をゲスト材として、ＣＢＰが正孔を流し易い欠点を補うために、ＢＣＰなどの正孔阻止層を施す技術が知られているが、本発明のホスト材料の組み合わせを用いると、正孔阻止層なしで、同等の性能を得ることができる。
本発明に用いる主構成材料と副構成材料の割合は主構成材料／副構成材料＝９９．９／０．１質量％〜５０／５０質量％であり、好ましくは９９．５／０．５質量％〜７０／３０質量％である。さらに好ましくは９９．０／１．０質量％〜８０／２０質量％である。
The main constituent material and the sub constituent material in the light emitting layer used in the present invention may be a monomer, or may be a polymer such as a dendrimer and a polymer compound. Further, the main constituent material and the sub constituent material used in the present invention may have a property of being soluble in an organic solvent or an aqueous solution.
In the present invention, the host material used for the light emitting layer is made of a CBP as a host material and an Ir complex (for example, BTPyr) as a guest material. Although the technique to apply is known, when the combination of the host materials of the present invention is used, equivalent performance can be obtained without a hole blocking layer.
The ratio of the main constituent material and the sub constituent material used in the present invention is main constituent material / sub constituent material = 99.9 / 0.1 mass% to 50/50 mass%, and preferably 99.5 / 0.5 mass. % To 70/30% by mass. More preferably, it is 99.0 / 1.0 mass%-80/20 mass%.
上記具体例を示した主構成材料群及び副構成材料を含む発光層には、他の成分も含むことが出来る。即ち、他のゲスト材料である金属錯体材料、蛍光材料、燐光材料などの発光材料等、又は下記に示した正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層で挙げられる化合物等が挙げられる。
本発明の発光層の厚みは１ｎｍ〜５μｍが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍがより好ましい。さらに好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。
The light emitting layer containing the main constituent material group and the sub constituent materials shown in the specific examples can contain other components. That is, other guest materials such as metal complex materials, fluorescent materials, luminescent materials such as phosphorescent materials, or the following compounds such as hole injection layer, hole transport layer, electron injection layer, electron transport layer, etc. Is mentioned.
The thickness of the light emitting layer of the present invention is preferably 1 nm to 5 μm, and more preferably 10 nm to 1 μm. More preferably, it is 20 nm-200 nm.
発光素子の有機層（有機化合物層）の形成方法は、特に限定されないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても良く、またこれらの各層は夫々他の機能を備えた物であっても良い。各層の形成には夫々種々の材料を用いることが出来る。 The method for forming the organic layer (organic compound layer) of the light-emitting element is not particularly limited, but methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method, and ink jet method are used. Resistance heating vapor deposition and coating methods are preferred. A light emitting element is an element in which a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer or a light emitting layer are formed between a pair of electrodes of an anode and a cathode. In addition to a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, An electron transport layer, a protective layer, and the like may be provided, and each of these layers may be provided with other functions. Various materials can be used for forming each layer.
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＯとする）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。 The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Is a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO), metals such as gold, silver, chromium, and nickel, and conductivity with these metals. Mixtures or laminates with metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, and laminates of these with ITO, preferably In particular, ITO is preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like. The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 20 nm to 1 μm, and further preferably 50 nm to 500 nm.
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、たとえばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、ＩＴＯ分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。 As the anode, a layer formed on a soda-lime glass, non-alkali glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used. Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, electron beam method, sputtering method, resistance heating vapor deposition method, chemical reaction method (sol-gel method, etc.), application of ITO dispersion, etc. A film is formed by the method. The anode can be subjected to cleaning and other treatments to lower the drive voltage of the element and increase the light emission efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いる事ができ、具体例としてはリチウム、ナトリウム、カリウムといったアルカリ金属およびその弗化物、マグネシウム、カルシウムといったアルカリ土類金属及びその弗化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属等である。 The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, etc., and the adhesion, ionization potential, stability, etc., between the negative electrode and the adjacent layer such as the electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, etc. Selected in consideration of As the material of the cathode, metals, alloys, metal halides, metal oxides, electrically conductive compounds, or mixtures thereof can be used. Specific examples include alkali metals such as lithium, sodium and potassium, and fluorides thereof, magnesium. Alkaline earth metals such as calcium and fluorides thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or mixed metals thereof, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, etc. Preferably, the material has a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, a lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, a magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof.
陰極は、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることも出来る。陰極の膜厚は材料により適時選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することも出来る。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金で極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陰極及び陽極のシート抵抗は低い方が好ましい。 The cathode can also have a laminated structure containing the above compound and mixture. The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 20 nm to 1 μm, and further preferably 50 nm to 500 nm. For production of the cathode, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, and a coating method are used, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, it is possible to simultaneously deposit a plurality of metals to form a pole with an alloy, or an alloy prepared in advance may be deposited. The sheet resistance of the cathode and the anode is preferably low.
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール） 誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、イリジウム錯体、プラズマ化学的気相成長法により形成されたＣＦｘ（フッ化炭素）等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常０．５ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層にＣＦｘを用いた場合、膜厚は、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の作製方法は、真空蒸着法やＬＢ法、前記のプラズマ化学的気相成長法、正孔注入、正孔輸送剤を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することが出来、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。 The material of the hole injection layer and the hole transport layer has any one of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, and the function of blocking electrons injected from the cathode. It ’s fine. Specific examples include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline derivatives Polymer, thiophene oligomer, conductive polymer oligomer such as polythiophene, organosilane derivative, iridium complex, shape by plasma chemical vapor deposition Examples include CF x (fluorocarbon) formed. The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, but are usually preferably in the range of 0.5 nm to 5 μm, more preferably 1 nm to 1 μm, and further preferably 5 nm to 500 nm. . When CF x is used for the hole injection layer, the film thickness is preferably 0.5 nm or more and 5 nm or less. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. The hole injection layer and the hole transport layer are prepared by a vacuum deposition method, an LB method, the above-described plasma chemical vapor deposition method, a hole injection method, or a method of coating by dissolving or dispersing a hole transport agent in a solvent. A method such as a spin coating method, a casting method, a dip coating method, or an ink jet method is used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, alkyd resin, epoxy resin, silicon resin, and the like.
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体、フッ化リチウム、酸化リチウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等が挙げられる。電子注入層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常０．０１ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは０．２ｎｍ〜５ｎｍである。電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の一種又は二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することが出来、樹脂成分としては正孔注入層及び正孔輸送層の場合に例示したものが適用できる。
好ましくは、電子輸送層と発光層の間には正孔阻止層を有しないで請求項３に記載の亜鉛錯体が電子輸送材料として用いられることが望ましい。図1に示すように基板上に陽極、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機層並びに陰極が積層されてなり、発光層と陽極の間に正孔輸送層を有し、発光層と陰極の間に電子輸送層を有し、電子輸送層と発光層の間には正孔阻止層を有しないで亜鉛錯体が電子輸送層に用いられていることを特徴とすることが挙げられる。
電子輸送材料は亜鉛金属と配位子から形成される金属錯体が挙げられる。この亜鉛錯体は中性金属錯体（電荷をもたない金属錯体）もしくはイオン性金属錯体であってもかまわないが、中性金属錯体であることが好ましい。亜鉛錯体としては、例えば、下記一般式（３）で示される亜鉛錯体が挙げられる。さらに、一般式（３）で示される亜鉛錯体の好ましい形態としては、例えば、下記一般式（６）で表される亜鉛錯体が挙げられる。
本発明に用いられる電子輸送材料としては、一般式（３）又は（６）で表される亜鉛錯体の具体的な構造式としては、発光材料として明示した化合物Ｈ―１〜Ｈ−４３が挙げられる。本発明に用いられる電子輸送材料としては、これら具体例に限定されるものではない。
The material of the electron injection layer and the electron transport layer may be any material having any one of the function of injecting electrons from the cathode, the function of transporting electrons, and the function of blocking holes injected from the anode. Specific examples include triazole derivatives, oxazole derivatives, polycyclic compounds, heteropolycyclic compounds such as bathocuproine, oxadiazole derivatives, fluorenone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, anthraquinone dimethane derivatives, anthrone derivatives. Carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, anthracene derivatives, acid anhydrides of aromatic ring tetracarboxylic acids such as naphthalenetetracarboxylic acid or perylenetetracarboxylic acid, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, Various metal complexes typified by metal complexes with metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazole ligands, organosilane derivatives, iridium complexes, lithium fluoride, lithium oxide Potassium fluoride is cesium fluoride. The thickness of the electron injection layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 0.01 nm to 1 μm, more preferably 0.1 nm to 100 nm, and further preferably 0.2 nm to 5 nm. Although the film thickness of an electron carrying layer is not specifically limited, Usually, the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injection / transport agent is dissolved or dispersed in a solvent (a spin coating method, a casting method, a dip coating method, etc.) ), An ink jet method or the like is used. In the case of a coating method, it can melt | dissolve or disperse | distribute with a resin component, and what was illustrated in the case of a positive hole injection layer and a positive hole transport layer is applicable as a resin component.
Preferably, it is desirable that the zinc complex according to claim 3 is used as an electron transport material without having a hole blocking layer between the electron transport layer and the light emitting layer. As shown in FIG. 1, an anode, a hole transport layer, an organic layer including a light emitting layer and an electron transport layer, and a cathode are laminated on a substrate, and has a hole transport layer between the light emitting layer and the anode, and emits light. It is characterized in that a zinc complex is used for the electron transport layer without having a hole blocking layer between the electron transport layer and the light emitting layer. It is done.
Examples of the electron transport material include a metal complex formed from zinc metal and a ligand. The zinc complex may be a neutral metal complex (a metal complex having no charge) or an ionic metal complex, but is preferably a neutral metal complex. As a zinc complex, the zinc complex shown by following General formula (3) is mentioned, for example. Furthermore, as a preferable form of the zinc complex shown by General formula (3), the zinc complex represented by following General formula (6) is mentioned, for example.
As an electron transport material used in the present invention, specific structural formulas of the zinc complex represented by the general formula (3) or (6) include compounds H-1 to H-43 specified as light emitting materials. It is done. The electron transport material used in the present invention is not limited to these specific examples.
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば良い。具体例としては、インジウム、錫、鉛、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属、酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化ニッケル、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化鉄、酸化イッテルビウム、酸化チタンなどの金属酸化物、弗化マグネシウム、弗化リチウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウムの金属弗化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法を適用できる。
本発明は、有機ＥＬ素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。また、図３の平面図に示すように、本発明で示した高効率な発光素子が複数行列配置され、好ましくは、それぞれの発光素子を選択的に駆動する駆動回路を備えた表示装置を形成することができる。
本発明で示した高効率な発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例としては表示装置・照明装置やプリンターの光源、液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源としては、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換えることができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成する。本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することができる。照明装置やバックライトに関しては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。ディスプレイへの応用では、単純マトリックス方式及びアクティブマトリクス方式であるＴＦＴ駆動回路を用いて駆動する方式が考えられる。上記ＩＴＯ電極の上に多層あるいは単層の有機ＥＬ層／陰極層を順次積層し有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。本発明の発光層を用いた表示パネルを駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
As a material for the protective layer, any material may be used as long as it has a function of suppressing the entry of elements that promote element deterioration such as moisture and oxygen into the element. Specific examples include metals such as indium, tin, lead, gold, silver, copper, aluminum, titanium, nickel, magnesium oxide, silicon oxide, aluminum oxide, germanium oxide, nickel oxide, calcium oxide, barium oxide, iron oxide, Metal oxides such as ytterbium oxide, titanium oxide, magnesium fluoride, lithium fluoride, aluminum fluoride, calcium fluoride metal fluoride, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychloro Copolymers obtained by copolymerizing trifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymers of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, and monomer mixtures containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer. Coalesced, copolymerization main chain fluorine-containing copolymer having a cyclic structure, 1% by weight of the water absorbing material water absorption, water absorption of 0.1% or less of the moisture-proof material, and the like. There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ions) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method can be applied.
The present invention can be applied to any of an organic EL element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix. Further, as shown in the plan view of FIG. 3, a plurality of high-efficiency light-emitting elements shown in the present invention are arranged in a matrix, and preferably a display device including a drive circuit that selectively drives each light-emitting element is formed. can do.
The highly efficient light-emitting element shown in the present invention can be applied to products that require energy saving and high luminance. Application examples include light sources for display devices / illuminators and printers, backlights for liquid crystal display devices, and the like. As a display device, energy saving, high visibility, and a lightweight flat panel display are possible. In addition, as a light source of a printer, a laser light source unit of a laser beam printer that is widely used at present can be replaced with the light emitting element of the present invention. Elements that can be independently addressed are arranged on the array, and an image is formed by performing desired exposure on the photosensitive drum. By using the element of the present invention, the volume of the apparatus can be greatly reduced. With respect to the lighting device and the backlight, the energy saving effect according to the present invention can be expected. In application to a display, a driving method using a TFT driving circuit which is a simple matrix method or an active matrix method can be considered. A multilayer or single-layer organic EL layer / cathode layer is sequentially laminated on the ITO electrode to obtain an organic EL display panel. By driving the display panel using the light emitting layer of the present invention, stable display can be achieved even for long-time display with good image quality.
以下、本発明について実施例及び比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれらに
よって何ら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例中において物性の測定に用
いた装置は以下の通りである。
スペクトル：ＵＳＢ２０００（オーシャンオプティクス社製）
輝度：色彩輝度計ＣＳ−１００（ミノルタ社製）
電流電圧：ソースメーター２４００（ケースレーインスツルメンツ社製）
本実施例及び比較例に用いた蒸着型素子作成工程の共通部分を説明する。
素子構成として、図１に示す有機層が４層の素子を使用した。ＩＴＯ基板上に、以下の有機層、電子注入層及び電極層を１０−４ Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱により順次真空蒸着し、製膜した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited at all by these. In addition, the apparatus used for the measurement of the physical property in an Example and a comparative example is as follows.
Spectrum: USB2000 (Ocean Optics)
Luminance: Color luminance meter CS-100 (Minolta)
Current voltage: Source meter 2400 (manufactured by Keithley Instruments)
The common part of the vapor deposition type | mold element production process used for the present Example and the comparative example is demonstrated.
As an element configuration, an element having four organic layers shown in FIG. 1 was used. On the ITO substrate, the following organic layer, electron injection layer, and electrode layer were sequentially vacuum-deposited by resistance heating in a vacuum chamber of 10 −4 Pa to form a film.
ＩＴＯ側を陽極にＡｌ側を陰極にして電圧を印加して、電流、輝度、発光スペクトル測定を行った。上記測定は素子劣化の原因として酸素や水が問題なので、その要因を除くため真空チャンバーから水及び酸素が１ｐｐｍ以下に維持されたアルゴンで満たされたグローブボックスに空気に触れることなく取り出し、ガラスキャップで封止を行った後に測定を行った。 A voltage was applied with the ITO side as the anode and the Al side as the cathode, and current, luminance, and emission spectrum were measured. In the above measurement, oxygen and water are problems as the cause of element deterioration. To remove the cause, take out the glove box filled with argon with water and oxygen kept below 1 ppm from the vacuum chamber without touching the air, Measurement was performed after sealing.
（比較例１）
例示化合物Ｅ−３をゲスト材料として、ホスト材料Ａｌｑ３中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、図1に示した素子構成で素子を作製した。
素子構成：有機層１（正孔注入層）（１０ｎｍ）：ＣｕＰｃ、有機層２（正孔輸送層）（３０ｎｍ）：α−ＮＰＤ、有機層３（発光層）（４５ｎｍ）：所定のホスト／所定のゲスト（重量比６重量％）、有機層４（電子輸送層）（３５ｎｍ）：Ａｌｑ３、電子注入層（０．５ｎｍ）：ＬｉＦ、電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ。
１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは６２７ｎｍ、外部量子効率は０．１８%であった。表１に特性をまとめた。
(Comparative Example 1)
Using Illustrative Compound E-3 as a guest material, 6 wt% of the host material Alq 3 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, and a device having the device configuration shown in FIG. 1 was produced.
Device configuration: Organic layer 1 (hole injection layer) (10 nm): CuPc, organic layer 2 (hole transport layer) (30 nm): α-NPD, organic layer 3 (light emitting layer) (45 nm): predetermined host / Predetermined guest (weight ratio 6 wt%), organic layer 4 (electron transport layer) (35 nm): Alq 3 , electron injection layer (0.5 nm): LiF, electrode layer (100 nm): Al.
The emission peak at 1000 cd / m 2 was 627 nm, and the external quantum efficiency was 0.18%. Table 1 summarizes the characteristics.
（実施例１）
例示化合物Ｅ−３をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−２中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、素子を作製した。素子構成は比較例1と同様である。
１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは６２９ｎｍ、外部量子効率は４．７％であった。表１に特性をまとめた。
(Example 1)
Using Illustrative Compound E-3 as a guest material, 6 wt% of the host material H-2 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, and a device was fabricated. The element configuration is the same as in Comparative Example 1.
The emission peak at 1000 cd / m 2 was 629 nm, and the external quantum efficiency was 4.7%. Table 1 summarizes the characteristics.
（実施例２）
例示化合物Ｅ−４をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−２中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、素子を作製した。素子構成は比較例1と同様である。
１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは６３１ｎｍ、外部量子効率は４．７％であった。表１に特性をまとめた。
(Example 2)
Using Illustrative Compound E-4 as a guest material, 6 wt% of the host material H-2 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, and a device was fabricated. The element configuration is the same as in Comparative Example 1.
The emission peak at 1000 cd / m 2 was 631 nm, and the external quantum efficiency was 4.7%. Table 1 summarizes the characteristics.
（実施例３）
例示化合物Ｅ−５をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−２中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、素子を作製した。素子構成は比較例1と同様である。１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは６２５ｎｍ、外部量子効率は５．９％であった。表１に特性をまとめた。
(Example 3)
Using Illustrative Compound E-5 as a guest material, 6% by weight of host material H-2 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, and a device was fabricated. The element configuration is the same as in Comparative Example 1. The emission peak at 1000 cd / m 2 was 625 nm, and the external quantum efficiency was 5.9%. Table 1 summarizes the characteristics.
（実施例４）
例示化合物Ｅ−３をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−１７中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、素子を作製した。素子構成は比較例1と同様である。１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは６２４ｎｍ、外部量子効率は３．３％であった。表１に特性をまとめた。
Example 4
Using Illustrative Compound E-3 as a guest material, 6 wt% of the host material H-17 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, and a device was fabricated. The element configuration is the same as in Comparative Example 1. The emission peak at 1000 cd / m 2 was 624 nm, and the external quantum efficiency was 3.3%. Table 1 summarizes the characteristics.
（実施例５）
例示化合物Ｅ−５をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−１７中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、素子を作製した。素子構成は比較例1と同様である。１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは６２４ｎｍ、外部量子効率は５．２％であった。表１に特性をまとめた。
(Example 5)
Using Illustrative Compound E-5 as a guest material, 6 wt% of the host material H-17 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, and a device was fabricated. The element configuration is the same as in Comparative Example 1. The emission peak at 1000 cd / m 2 was 624 nm, and the external quantum efficiency was 5.2%. Table 1 summarizes the characteristics.
（実施例６）
例示化合物Ｅ−１をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−１７中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って発光層を形成し、素子を作製した。素子構成は比較例1と同様である。１０００ｃｄ／ｍ２時の発光ピークは５１６ｎｍ、外部量子効率は３．９％であった。表１に特性をまとめた。
(Example 6)
Using Illustrative Compound E-1 as a guest material, 6 wt% of the host material H-17 was doped by co-evaporation to form a light emitting layer, whereby a device was fabricated. The element configuration is the same as in Comparative Example 1. The emission peak at 1000 cd / m 2 was 516 nm, and the external quantum efficiency was 3.9%. Table 1 summarizes the characteristics.
（比較例２）
比較例１の素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２、４２５ｍＡ／ｃｍ２で定電流ＤＣ駆動させた。初期輝度を１として輝度の減衰をフォトダイオードＳ２３８６−１８Ｋ（浜松フォトニクス製）にて測定した。輝度が初期輝度から半減する時間は７．３時間であった。
(Comparative Example 2)
The element of Comparative Example 1 was driven by constant current DC at an initial luminance of 1000 cd / m 2 and 425 mA / cm 2 . The initial luminance was set to 1, and the luminance attenuation was measured with a photodiode S2386-18K (manufactured by Hamamatsu Photonics). The time for the luminance to halve from the initial luminance was 7.3 hours.
（実施例７）
実施例１の素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２、２６．１７ｍＡ／ｃｍ２で定電流ＤＣ駆動させた。初期輝度を１として輝度の減衰をフォトダイオードＳ２３８６−１８Ｋ（浜松フォトニクス製）にて測定した。輝度は５６０時間の駆動で初期輝度の７８．７４％であり、７００時間の駆動で初期輝度の７６．３０％であった（図２）。この１４０時間の減衰は２．４４％であり、同じ割合で輝度が減衰するとした場合、輝度が初期輝度から半減する時間は２２０９時間と推定された。比較例２に比べて、初期輝度から半減する時間が著しく改善された。図２に比較例２及び実施例７における有機ＥＬ素子の初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２、定電流ＤＣ駆動下における輝度減衰の様子を示した。
(Example 7)
The element of Example 1 was driven by constant current DC at an initial luminance of 1000 cd / m 2 and 26.17 mA / cm 2 . The initial luminance was set to 1, and the luminance attenuation was measured with a photodiode S2386-18K (manufactured by Hamamatsu Photonics). The luminance was 78.74% of the initial luminance after driving for 560 hours, and 76.30% of the initial luminance after driving for 700 hours (FIG. 2). The decay for 140 hours was 2.44%, and when the luminance was attenuated at the same rate, the time for the luminance to be halved from the initial luminance was estimated to be 2209 hours. Compared to Comparative Example 2, the time to halve the initial luminance was remarkably improved. FIG. 2 shows how the organic EL elements in Comparative Example 2 and Example 7 have an initial luminance of 1000 cd / m 2 , and luminance attenuation under constant current DC driving.
（比較例３）
耐久性が高く、かつ低電圧駆動な素子構成として、有機層１（正孔注入層）にＣＦｘを用い、有機層２（正孔輸送層）にα―ＮＰＤを５０ｎｍ、下記のＢＴＰＩｒをゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−２中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って有機層３（発光層）を４０ｎｍ、有機層４（電子輸送層）にＨ−２を用いて２０ｎｍ、電子注入層ＬｉＦ、陰極にＡｌを順次製膜し、素子を作製した。１０ｍＡ時のＣＩＥ色度座標は（０．６７，０．３２）外部量子効率は３．２％であった。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ２において輝度が初期輝度
から半減する時間は３１時間であった。表２に特性をまとめた。
(Comparative Example 3)
As an element configuration with high durability and low voltage drive, CFx is used for the organic layer 1 (hole injection layer), α-NPD is 50 nm for the organic layer 2 (hole transport layer), and the following BTPIr is a guest material As an example, 6% by weight in the host material H-2 is doped by co-evaporation, the organic layer 3 (light emitting layer) is 40 nm, the organic layer 4 (electron transport layer) is 20 nm using H-2, the electron injection layer An element was fabricated by sequentially forming LiF and Al on the cathode. The CIE chromaticity coordinate at 10 mA was (0.67, 0.32), and the external quantum efficiency was 3.2%. At the initial luminance of 3000 cd / m 2 , the time for the luminance to be halved from the initial luminance was 31 hours. Table 2 summarizes the characteristics.
（実施例８）
比較例３と同様の素子構成で、例示化合物Ｅ−５をゲスト材料として素子を作製した。１０ｍＡ時のＣＩＥ色度座標は（０．６５，０．３５）外部量子効率は７．０％であった。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ２において輝度が初期輝度から半減する時間は１０２４時間であった。表２に特性をまとめた。
(Example 8)
A device having the same device configuration as that of Comparative Example 3 was prepared using Exemplified Compound E-5 as a guest material. The CIE chromaticity coordinate at 10 mA was (0.65, 0.35), and the external quantum efficiency was 7.0%. At the initial luminance of 3000 cd / m 2 , the time for the luminance to be halved from the initial luminance was 1024 hours. Table 2 summarizes the characteristics.
（実施例９）
比較例３と同様の素子構成で、例示化合物Ｅ−４をゲスト材料として素子を作製した。１０ｍＡ時のＣＩＥ色度座標は（０．６７，０．３３）外部量子効率は６．４％であった。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ２において輝度が初期輝度から半減する時間は６６０時間であった。表２に特性をまとめた。
Example 9
A device having the same device configuration as that of Comparative Example 3 was prepared using Exemplified Compound E-4 as a guest material. The CIE chromaticity coordinate at 10 mA was (0.67, 0.33), and the external quantum efficiency was 6.4%. At the initial luminance of 3000 cd / m 2 , the time for the luminance to be halved from the initial luminance was 660 hours. Table 2 summarizes the characteristics.
（実施例１０）
アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置に本実施の形態の構造の有機ＥＬ素子を適用した。すなわち、ガラス基板上に有機ＥＬ素子を駆動するに必要なＴＦＴを画素毎に形成し、その上に、絶縁膜、平坦化層を形成した。さらにその上に透明なＩＴＯからなるホール注入電極を形成した。このように形成したＴＦＴガラス基板上に実施例8と同様に有機層１（正孔注入層）にＣＦｘを用い、有機層２（正孔輸送層）にα―ＮＰＤを５０ｎｍ、例示化合物Ｅ−５をゲスト材料として、ホスト材料Ｈ−２中に６重量％、共蒸着によるドーピングを行って有機層（発光層）を４０ｎｍ、さらに有機層４（電子輸送層）にＨ−２を用いて２０ｎｍ、電子注入層ＬｉＦ、陰極にＡｌを順次製膜して素子を作製した。本発明に特徴的な点は、発光層と電子輸送層の積層構成にある。
・ガラス基板に複数の発光素子を行列配列してなる。この場合の発光素子は、本発明の請求項１〜４のような構成を有する赤色発光素子だけでも良い。
・フルカラー表示をする場合には、赤色発光素子のほかに青色発光素子と緑色発光素子とを組み合わせる必要がある。この場合、青色発光素子と緑色発光素子としては、請求項１〜４の発光素子にかぎらず、従来のゲスト材料として３重項でなくても１重項の材料でも使用することができる。そして、これらの従来素子では、電子輸送層と発光層との間に正孔阻止層を設けていてもよい。
・各発光素子は、表示画素（ピクセル）を構成している。
上記実施例、比較例から明らかなように、発光層の主構成材料が亜鉛錯体であり、かつ副構成材料が燐光発光性白金錯体であることを特徴とする発光素子は発光効率が高く、かつ耐久性にも非常に優れていた。
このように本発明の素子は高効率で耐久性に優れ、簡略な素子構成を持つ素子を実現した。
(Example 10)
The organic EL element having the structure of the present embodiment was applied to an active matrix organic EL display device. That is, a TFT necessary for driving an organic EL element was formed on a glass substrate for each pixel, and an insulating film and a planarizing layer were formed thereon. Further, a hole injection electrode made of transparent ITO was formed thereon. On the TFT glass substrate thus formed, CFx was used for the organic layer 1 (hole injection layer) in the same manner as in Example 8, α-NPD was 50 nm for the organic layer 2 (hole transport layer), and exemplary compound E- 5% as a guest material, 6% by weight in the host material H-2, by co-evaporation, the organic layer (light emitting layer) is 40 nm, and the organic layer 4 (electron transport layer) is 20 nm using H-2. Then, an electron injection layer LiF and Al were sequentially formed on the cathode to produce a device. The characteristic point of the present invention is the laminated structure of the light emitting layer and the electron transport layer.
A plurality of light emitting elements are arranged in a matrix on a glass substrate. In this case, the light-emitting element may be only the red light-emitting element having the configuration according to the first to fourth aspects of the present invention.
In the case of full color display, it is necessary to combine a blue light emitting element and a green light emitting element in addition to a red light emitting element. In this case, the blue light emitting element and the green light emitting element are not limited to the light emitting elements of
Each light emitting element constitutes a display pixel (pixel).
As is clear from the above examples and comparative examples, the light-emitting element, in which the main constituent material of the light-emitting layer is a zinc complex and the sub-constituent material is a phosphorescent platinum complex, has high luminous efficiency, and Durability was also very good.
As described above, the element of the present invention realizes an element having high efficiency, excellent durability, and a simple element configuration.
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