JP2008097805A - 半導体記憶装置の温度情報出力回路および方法 - Google Patents
半導体記憶装置の温度情報出力回路および方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】温度変化に相応する温度電圧を生成して出力する温度検出回路と、前記温度電圧を第1温度コードに変換して出力するアナログ/デジタル変換部と、補正コードを用いて前記第1温度コードの誤差を補正した第2温度コードを出力する温度情報補正部とを含む。これにより、アナログ電圧の1次補正によって大きい範囲の出力誤差を除去して、温度コードの2次補正によって微細範囲の出力誤差を除去するため出力誤差が完全に除去された温度情報の出力が可能となり、アナログ電圧の1次補正と温度コードの2次補正作業がテストモードによって自動になされ、反復的な出力モニター作業が必要ないために補正作業が非常に簡素化されて作業時間を短縮することができる。
【選択図】図3
Description
前記温度検出回路100は、バンドギャップリファレンス回路を用いることができ、その構成を詳しく見れば、温度センサ110、電圧調整部120、およびフューズセット130を備える。
前記温度センサ110は、BJT(Bipolar Junction Transistor)の温度特性を用いて半導体記憶装置の内部温度に反比例する温度電圧VTEMPと温度変化に関わらず一定の第1基準電圧VREFとを出力する。
前記電圧調整部120は、前記第1基準電圧VREFを複数の抵抗を介して分配して、前記温度電圧VTEMPの上限および下限を定めるための第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを出力する。この時、複数の抵抗は可変抵抗を含み、前記可変抵抗の抵抗値はフューズコードFS_CODE値によって可変される。
前記フューズセット130は、複数のフューズを含み、前記フューズの切断状態により前記フューズコードFS_CODEを前記電圧調整部120に出力する。
先に、温度検出回路100が動作して温度検出を行い、それにともなう温度電圧VTEMP、および第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを出力する。
前記アナログ/デジタル変換部200が前記温度電圧VTEMP、および第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを用いて温度電圧VTEMPと一致する温度コードTEMP_CODEを探すためのトラッキング動作を行う。
先に、半導体記憶装置の内部温度をテストコードTEST_CODEに該当する特定温度に合わせた後、テストモード信号TMをイネーブルさせる。
前記テストモード信号TMがイネーブルになることにより、前記多重化部250はカウンタ230の出力の代わりに温度コードTEMP_CODEを選択してデコーダ260に出力する。前記デコーダ260の出力は、デジタル/アナログ変換部270を介してアナログ電圧DACOUTに変換されて比較器210に入力される。
この時、温度情報出力回路の出力誤差は、デジタル/アナログ変換部270の出力範囲を決定する第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITにオフセットが存在するためである。すなわち、前記第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITのうち少なくとも1つのレベルが要求される値に比べて大きいか小さいためである。
第1に、所望する第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITが出力され得るフューズコード値を知ることができず、所望する基準電圧に近づくように単にフューズのコード値を段階的に変えていく方式を用いるため、温度情報出力回路の誤差を正確に補正することがほぼ不可能である。
第2に、所望する第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITが出力されるようにするために、フューズの切断と出力値モニター過程とを繰り返さなければならないため、補正作業が非常に不便で作業時間も増加する。
第3に、フューズの切断によって第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを調整するアナログ方式の特性上、補正が完了しても基準電圧自体の単位電圧増加量(解像度)の差と、テストを行うための特定温度の変化によって温度情報出力回路の誤差が依然として残ることがあり、このような補正を繰り返しても温度情報出力回路の誤差を完全に除去することは不可能である。いため適用範囲が制限されるという問題点がある。これに似ている技術はアメリカ登録特許6,928,007(特許文献1)に開示されている。
本発明は、簡単で速かに誤差補正を行えるようにした半導体記憶装置の温度情報出力回路および方法を提供することにまた他の目的がある。
第1に、アナログ電圧の1次補正によって大きい範囲の出力誤差を除去して、温度コードの2次補正によって微細範囲の出力誤差を除去するため出力誤差が完全に除去された温度情報の出力が可能である。
第2に、アナログ電圧の1次補正と温度コードの2次補正作業がテストモードによって自動になされ、反復的な出力モニター作業が必要ないために補正作業が非常に簡素化されて作業時間を短縮することができる。
本発明に係る半導体記憶装置の温度情報出力回路は、図3に示すように、温度検出回路500、アナログ/デジタル変換部300および温度情報補正部400を備える。
前記コードフォーマット変換部410は、2の補数ロジックを備え、温度コードTEMP_CODEのフォーマットを前記2の補数ロジックを用いて温度情報出力回路の外部で使用可能なように2の補数形態に変換する。
前記フューズセット420は、複数のフューズを備え、第2テストモードによって生成された補正コードFS2_CODEに合うようにフューズの切断がなされる。
前記多重化部430は、制御信号、すなわち、第2テストモード信号TM2により前記フューズセット420に設定された補正コードFS2_CODEとテストコードTEST_CODEのうちの1つを選択して出力する。
前記演算部440は、減算ロジックを備え、前記コードフォーマット変換部410の出力から前記多重化部430の出力を減算して第2温度コードTEMP_CODE_Cを出力する。
本発明は、第1テストモード信号TMを用いた第1テストモード区間中に前記アナログ/デジタル変換部300を制御して、アナログ電圧、すなわち、第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを調整することによって温度コードTEMP_CODEの誤差を最小化する1次補正を行う。また、本発明は、第2テストモード信号TM2を用いた第2テストモード区間中に前記温度情報補正部400を制御して、前記1次補正遂行後にも残っている温度コードTEMP_CODEの誤差が完全に除去されるように温度コードTEMP_CODEの値そのものを調整する2次補正を行う。
例えば、補正がなされない場合に温度誤差が約20℃程であれば、1次補正によってこれを5℃以内に減少させ、2次補正によって誤差が完全に除去されるようにするものである。
したがって、前記1次補正、2次補正、および補正完了後に一般動作モードにおける温度情報出力動作を各々説明することにする。
図3の温度検出回路500の温度センサ110が半導体記憶装置の内部温度にともなう温度電圧VTEMPと第1基準電圧VREFを出力する。この時、多重化部510は第1テストモード信号TMがイネーブルになった状態であるため、アナログ/デジタル変換部300から出力される調整コードTRIM_CODEを電圧調整部120に出力する。したがって、電圧調整部120は前記調整コードTRIM_CODEにより設定されたレベルの第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを出力する。この時、調整コードTRIM_CODEはアナログ/デジタル変換部300の温度コードTEMP_CODEの初期値である。
この時、第1テストモード信号TMがイネーブルになった状態であるため、多重化部360は温度コードTEMP_CODEの代わりにテストコードTEST_CODEを選択してデコーダ370に出力する。また、逆多重化部350は、温度コードTEMP_CODEを調整コードTRIM_CODEで選択して前記図3の多重化部510に出力する。前記テストコードTEST_CODEは温度別に既に設定された複数のコードのうちの1つであり、前記第1テストモードを前記テストコードTEST_CODEに該当する温度で進められる。
図3の温度検出回路500の温度センサ110が半導体記憶装置の内部温度にともなう温度電圧VTEMPと第1基準電圧VREFとを出力する。この時、多重化部510は、第1テストモード信号TMがディスエーブルになった状態であるため、フューズセット130から出力されるフューズコードFS_CODEを電圧調整部120に出力する。したがって、電圧調整部120は、前記フューズコードFS_CODEにより設定されたレベルの第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを出力する。
したがって、温度情報補正部400は、アナログ/デジタル変換部300から出力される温度コードTEMP_CODEのビット数を変更して、2の補数形態に変換して演算部440に出力する。
この場合、前記コードフォーマット変換部410は、アナログ/デジタル変換部300から出力される温度コードTEMP_CODEに2ビット、すなわち、サインビットとダミービットとを追加して2の補数形態に変換する。この時、サインビット符号を表わすために使われ、ダミービットはコードの拡張に備えるために追加されたビットである。
前記テストコードTEST_CODEは、温度別に既に設定されたコードのうちの1つとして、前記コードフォーマット変換部410から出力されるコードと同一の形式を有する。また、前記第2テストモードを前記テストコードTEST_CODEに該当する温度で進め、その温度は前記特定温度の45℃と仮定する。
この時、第2テストモードが特定温度の45℃で進められ、前記テストコードTEST_CODEは前記2進補数形態の45℃の該当するコードである。したがって、温度コードTEMP_CODEそのものに誤差がなければ、、前記コードフォーマット変換部410は45℃に該当する2進補数形態のコードを出力することによって、それにより演算部440は誤差が0℃に該当するコード(00000000)を出力する。
この時、温度コードTEMP_CODEの誤差は、一般動作モードでも続けてオフセットとして作用するようになる。
詳述した第1および第2テストモードを通した1次および2次補正が完了して一般動作モードに進入すれば、図3の温度検出回路500が温度電圧VTEMPおよび1次補正によってフューズセット130に格納されたフューズコードFS_CODEを用いて第2基準電圧VULIMIT,VLLIMITを出力する。
この時、温度コードTEMP_CODEは、誤差が完全に補正されたり、微細な誤差が残り得る。
そして、温度情報補正部400が前記温度コードTEMP_CODEの微細な誤差が完全に除去された第2温度コードTEMP_CODE_Cを出力する。
110…温度センサ
111…温度比例電流生成部
112…温度電圧出力部
113…温度反比例電流生成部
114…電流/電圧変換部
120…電圧調整部
130、420…フューズセット
300…アナログ/デジタル変換部
310…比較器
320…フィルタ
330…カウンタ
340…オシレータ
350…逆多重化部
360、430、510…多重化部
370…デコーダ
380…デジタル/アナログ変換部
DLY…遅延素子
400…温度情報補正部
410…コードフォーマット変換部
440…演算部
Claims (34)
- 温度変化に相応する温度電圧を生成して出力する温度検出回路と、
前記温度電圧を第1温度コードに変換して出力するアナログ/デジタル変換部と、
補正コードを用いて前記第1温度コードの誤差を補正した第2温度コードを出力する温度情報補正部と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記温度検出回路は、
半導体記憶装置の内部温度に反比例する温度電圧と温度変化に関わらず一定の第1基準電圧を出力する温度センサと、
前記第1基準電圧を複数の抵抗を介して分配して、前記温度電圧の上限および下限を定めるための第2基準電圧を出力する電圧調整部と、
複数のフューズ(Fuse)を備え、前記フューズの切断状態によって前記複数の抵抗値を調整するためのフューズコードを出力するフューズセットと
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記アナログ/デジタル変換部は、
前記温度電圧と内部アナログ電圧を比較して、その比較結果を出力する比較器と、
前記比較結果に応じて第1温度コードを増加又は減少させて出力するカウンタと、
テストモード信号によりテストコード又は前記第1温度コードを出力する多重化部と、
前記多重化部の出力を復号化した復号化信号を出力するデコーダと、
前記復号化信号を前記内部アナログ電圧に変換して出力するデジタル/アナログ変換部と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記比較結果の高周波成分を遮断して出力するフィルタと、
前記アナログ/デジタル変換部の内部構成の動作のためのクロック信号を提供するオシレータと
をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 温度変化に相応する温度電圧を生成して出力し、外部から入力された調整コードによって自身の出力電圧レベル補正が可能な温度検出回路と、
前記温度電圧を第1温度コードに変換して出力し、所定制御信号によって前記温度検出回路に前記調整コードを出力するアナログ/デジタル変換部と、
補正コードを用いて前記第1温度コードの誤差を補正した第2温度コードを出力する温度情報補正部と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記温度検出回路は、
半導体記憶装置の内部温度に反比例する温度電圧と温度変化に関わらず一定の第1基準電圧を出力する温度センサと、
前記第1基準電圧を複数の抵抗を介して分配して、前記温度電圧の上限および下限を定めるための第2基準電圧を出力し、前記調整コードにより前記第2基準電圧レベルを調整する電圧調整部と
を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記温度センサは、
温度変化に比例する電流を複数の電流パスを介して生成する温度比例電流生成部と、
前記温度比例電流生成部の温度係数特性電圧を用いて温度変化に対応する温度電圧を出力する温度電圧出力部と、
温度変化に反比例する電流を複数の電流パスを介して生成する温度反比例電流生成部と、
前記温度比例電流生成部の電流と前記温度反比例電流生成部の電流を用いて温度変化に関わらず一定の前記第1基準電圧を生成する電流/電圧変換部と
を備えることを特徴とする請求項2又は請求項6に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記温度比例電流生成部は、
互いのサイズが異なり、電源端に共通接続された複数のトランジスタからなる第1トランジスタ群と、
前記第1トランジスタ群のトランジスタのうちの一部と接地端との間に各々接続され、負温度係数特性を有する第2トランジスタ群と、
前記第2トランジスタ群のトランジスタに印加された電圧を用いて前記第1トランジスタ群を制御する電流制御機と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記第2トランジスタ群のトランジスタは、ダイオードで動作し、前記ダイオードの両端の電圧が負温度係数特性を有することを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記温度電圧出力部は、
前記温度電圧を出力するノードと、
前記ノードと電源端との間に接続されたトランジスタと、
前記ノードと接地端との間に接続された分配抵抗と、
前記分配抵抗を介して分配された電圧と前記温度比例電流生成部の内部電圧とを用いて前記トランジスタを制御する電流制御機と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記温度反比例電流生成部は、
互いのサイズが異なり、電源端に共通接続された複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのうちの1つを介して流れる電流にともなう電圧と前記温度比例電流生成部の内部電圧とを用いて前記複数のトランジスタを制御する電流制御機と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記電流/電圧変換部は、前記温度比例電流生成部の電流パスと前記温度反比例電流生成部の電流パスのうちで各々1つのパスを介して流れる電流の計が温度に関わらず一定の2つの電流パスと共通接続された抵抗素子を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記電圧調整部は、
電源端に接続された第1トランジスタと、
前記第1トランジスタと接地端との間に接続された第1分配抵抗と、
前記第1分配抵抗の分配電圧と前記第1基準電圧を用いて前記第1トランジスタを制御する第1電流制御機と、
前記電源端に接続された第2トランジスタと、
前記第2トランジスタと接地端との間に接続された第2分配抵抗と、
前記第1トランジスタと前記第1分配抵抗の接続ノード電圧と前記第2分配抵抗の分配電圧を用いて前記第2トランジスタを制御する第2電流制御機と
を備えることを特徴とする請求項2又は請求項6に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記第1電流制御機および第2電流制御機は、差動増幅器を備えることを特徴とする請求項13に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記第1分配抵抗と第2分配抵抗とは、各々少なくとも1つの可変抵抗を備え、前記可変抵抗の抵抗値が前記調整コードにより可変されることを特徴とする請求項13に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記電流制御機は、差動増幅器を備えることを特徴とする請求項8、請求項10、又は請求項11のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 複数のフューズを備え、前記フューズの切断状態により前記複数の抵抗値を調整するためのフューズコードを出力するフューズセットと、
制御信号により前記フューズコードと前記調整コードのうち1つを選択して前記電圧調整部に出力する多重化部と
をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記制御信号は、テストモード信号であることを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記アナログ/デジタル変換部は、
前記温度電圧と内部アナログ電圧を比較して、その比較結果を出力する比較器と、
前記比較結果に応じて第1温度コードを増加又は減少させて出力するカウンタと、
テストモード信号により前記第1温度コードを前記調整コードとして前記温度検出回路に出力したり、前記第1温度コードをアナログ/デジタル変換部内部に出力したりする多重化部と、
テストモード信号によりテストコード又は前記第1温度コードを出力する多重化部と、
前記多重化部の出力を復号化した復号化信号を出力するデコーダと、
前記復号化信号を前記内部アナログ電圧に変換して出力するデジタル/アナログ変換部と
を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記アナログ/デジタル変換部は、
前記デジタルコードの高周波成分を遮断して出力するフィルタと、
前記アナログ/デジタル変換部の内部構成の動作のためのクロック信号を提供するオシレータと
をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記温度情報補正部は、
前記第1温度コードのフォーマットを温度情報出力回路の外部で使用可能な形態に変換するコードフォーマット変換部と、
補正コードを設定するためのフューズセットと、
所定制御信号により前記フューズセットに設定された補正コードとテストコードのうちの1つを選択して出力する多重化部と、
前記コードフォーマット変換部の出力と前記多重化部の出力とを用いて前記第2温度コードを出力する演算部と
を備えることを特徴とする請求項1又は請求項5に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。 - 前記コードフォーマット変換部は、入力情報を2の補数に変換するロジック回路を備えることを特徴とする請求項21に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記制御信号は、テストモード信号であることを特徴とする請求項21に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 前記演算部は、2つの入力情報を減算するロジック回路を備えることを特徴とする請求項21に記載の半導体記憶装置の温度情報出力回路。
- 温度変化に相応する温度電圧と前記温度電圧を第1温度コードに変換するための範囲を設定する基準電圧とを出力する温度検出回路と、
前記基準電圧を用いて前記温度電圧を前記第1温度コードに変換するアナログ/デジタル変換手段と
を備えた半導体記憶装置の温度情報出力方法であって、
前記第1温度コードと既に設定されたテストコードとを用いて前記第1温度コードの誤差を補正するための補正コードを生成するステップと、
前記第1温度コードと前記補正コードとを演算して補正された第2温度コードを出力するステップと
を含む、半導体記憶装置の温度情報出力方法。 - 前記補正コードを生成するステップは、テストモード区間中になされることを特徴とする請求項25に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。
- 前記補正コードを生成するステップは、
前記第1温度コードを前記テストコードと同一のフォーマットに変換するステップと、
前記変換された第1温度コードで前記テストコードを減算して、前記補正コードを生成するステップと
からなることを特徴とする請求項25に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。 - 前記補正された第2温度コードを出力するステップは、
前記第1温度コードを前記テストコードと同一のフォーマットに変換するステップと、
前記変換された第1温度コードで前記補正コードを減算して、補正された温度コードを前記第2温度コードとして出力するステップと
からなることを特徴とする請求項25に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。 - 温度変化に相応する温度電圧と前記温度電圧を第1温度コードに変換するための範囲を設定する基準電圧とを出力する温度検出回路と、
前記温度電圧をデジタルコードに変換し、前記デジタルコードを前記基準電圧を用いて変換したアナログ電圧が前記温度電圧と一致するように前記デジタルコード値を変化させて前記第1温度コードに出力するアナログ/デジタル変換手段と
を備えた半導体記憶装置の温度情報出力方法であって、
テストコードを変換したアナログ電圧が前記温度電圧と一致するように前記第1温度コードを変化させ、前記変化した第1温度コードで前記基準電圧を変化させることによって前記アナログ電圧が変化するようにして前記第1温度コードを補正する補正ステップ(a)と、
前記第1温度コードと既に設定されたテストコードとを用いて前記第1温度コードの誤差を補正するための補正コードを生成し、前記補正コードを用いて前記第1温度コードを第2温度コードに補正する補正ステップ(b)と
を備え、
前記補正ステップ(a)および補正ステップ(b)を選択的に行って前記第2温度コードを出力する
ことを特徴とする半導体記憶装置の温度情報出力方法。 - 前記補正ステップ(a)および補正ステップ(b)は、別のテストモードによって行われることを特徴とする請求項29に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。
- 前記テストコードは、温度別に既に設定されたコードのうちの1つであることを特徴とする請求項25又は請求項29に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。
- 前記補正ステップ(b)で前記補正コードを生成するステップは、
前記第1温度コードを前記テストコードと同一のフォーマットに変換するステップと、
前記変換された第1温度コードで前記テストコードを減算して、前記補正コードを生成するステップと
からなることを特徴とする請求項29に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。 - 前記補正ステップ(b)で前記第1温度コードを第2温度コードに補正するステップは、
前記第1温度コードを前記テストコードと同一のフォーマットに変換するステップと、
前記変換された第1温度コードで前記補正コードを減算することによって前記第2温度コードに補正するステップと
からなることを特徴とする請求項29に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。 - 前記第1温度コードを前記テストコードと同一のフォーマットに変換するステップは、2の補数を用いてなされることを特徴とする請求項27、請求項28、請求項32又は請求項33のうちいずれか1項に記載の半導体記憶装置の温度情報出力方法。
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