JP2008096641A - Display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the number of cutting a substrate and to suppress corrosion in display wiring lines. <P>SOLUTION: A liquid crystal display device 30 is provided, the device including: an active matrix substrate 10 having display wiring lines in a display region and having input terminals T as extension of the display wiring lines in a non-display region provided in the periphery of the display region; a color filter substrate 20 disposed opposing to the active matrix substrate 10; and a liquid crystal layer 15 disposed between the active matrix substrate 10 and the color filter substrate. The color filter substrate 20 is formed into the same dimension in plan view as the active matrix substrate 10 and has a thickness of 100 μm or less. The color filter substrate 20 is provided with penetrating holes 21 reaching to the input terminals T, and a driver IC chip 25 connected to the input terminals T through the penetrating holes 21 is mounted on the substrate 20. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、互いに対向して配置された一対の基板を備えた表示装置に関するものである。   The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a display device including a pair of substrates arranged to face each other.

液晶表示装置を構成する液晶表示パネルには、パネル内の表示用配線に表示用信号を供給するためのドライバＩＣ（集積回路：Integrated Circuit）チップが実装されている。このドライバＩＣチップを実装する技術としては、ベアチップと呼ばれるパッケージ化されていないＩＣチップをガラス基板上に直接実装するＣＯＧ（Chip on Glass）実装が広く知られている。   A liquid crystal display panel constituting the liquid crystal display device is mounted with a driver IC (Integrated Circuit) chip for supplying a display signal to display wiring in the panel. As a technique for mounting this driver IC chip, COG (Chip on Glass) mounting that directly mounts an unpackaged IC chip called a bare chip on a glass substrate is widely known.

例えば、特許文献１には、ＩＣチップを直接フェイスダウンにて液晶表示パネル上に搭載するＣＯＧ構造において、ＩＣチップを液晶表示パネルに接合する異方導電性接着剤のガラス転移点及び軟化点が、ＩＣチップを駆動する入力信号を供給するフレキシブル回路基板を液晶パネルに接合する異方導電性接着剤のガラス転移点及び軟化点よりも１０℃以上高いことを特徴とする液晶パネルの実装構造が開示されている。これによれば、ＩＣ実装及びフレキシブル回路基板実装の接続信頼性を向上させ、液晶パネルのブロックサイズを大きくしない効果がある、と記載されている。
特開平６−８５００４号公報 For example, Patent Document 1 discloses a glass transition point and a softening point of an anisotropic conductive adhesive for bonding an IC chip to a liquid crystal display panel in a COG structure in which an IC chip is directly mounted face-down on a liquid crystal display panel. A mounting structure of a liquid crystal panel characterized by being higher by 10 ° C. than a glass transition point and a softening point of an anisotropic conductive adhesive that joins a liquid crystal panel to a flexible circuit board that supplies an input signal for driving an IC chip It is disclosed. According to this, it is described that the connection reliability of IC mounting and flexible circuit board mounting is improved and the block size of the liquid crystal panel is not increased.
JP-A-6-85004

図８は、ＣＯＧ実装により実装されたドライバＩＣチップ１２５を備えた一般的な液晶表示装置１３０の平面図であり、図９は、その液晶表示装置１３０のＣＯＧ実装部における側面図である。   FIG. 8 is a plan view of a general liquid crystal display device 130 including a driver IC chip 125 mounted by COG mounting, and FIG. 9 is a side view of a COG mounting portion of the liquid crystal display device 130.

液晶表示装置１３０は、図８及び図９に示すように、例えば、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０を有し、カラーフィルタ基板１２０よりも突出したアクティブマトリクス基板１２０の実装領域ＰにドライバＩＣチップ１２５が実装されている。   As shown in FIGS. 8 and 9, the liquid crystal display device 130 includes, for example, an active matrix substrate 110 and a color filter substrate 120 that are arranged to face each other, and the active matrix substrate 120 that protrudes from the color filter substrate 120. The driver IC chip 125 is mounted in the mounting area P.

ここで、アクティブマトリクス基板１１０では、図８に示すように、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる複数のゲート線１１２、各ゲート線１１２と直交する方向に互いに平行に延びる複数のソース線１１１などの複数の表示用配線が配設されている。そして、それらの各表示用配線は、実装領域Ｐまで延設されていると共に、実装領域Ｐにおいて、表示用信号を供給するための入力端子Ｔを有している。また、ドライバＩＣチップ１２５は、図９に示すように、チップ本体１２５ａの下面から突出した電極である複数のバンプ電極１２５ｂを有している。   Here, in the active matrix substrate 110, as shown in FIG. 8, in the display region D, a plurality of gate lines 112 extending in parallel with each other, a plurality of source lines 111 extending in parallel with each other in a direction orthogonal to the gate lines 112, and the like. A plurality of display wirings are provided. Each of the display wirings extends to the mounting region P and has an input terminal T for supplying a display signal in the mounting region P. As shown in FIG. 9, the driver IC chip 125 has a plurality of bump electrodes 125b that are electrodes protruding from the lower surface of the chip body 125a.

そして、ＣＯＧ実装では、ドライバＩＣチップ１２５のバンプ電極１２５ｂと、アクティブマトリクス基板１１０の実装領域Ｐに配置する入力端子Ｔとを、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）によって電気的に接続するようになっている。   In COG mounting, the bump electrodes 125b of the driver IC chip 125 and the input terminals T arranged in the mounting area P of the active matrix substrate 110 are electrically connected by, for example, an anisotropic conductive film (ACF). To connect to.

ところで、上記従来のＣＯＧ実装の液晶表示装置１３０を製造する際には、図９に示すように、カラーフィルタ基板１２０を形成するためのガラス母基板（図９中の２点鎖線参照）を位置Ｃ１及び位置Ｃ２で２回分断する必要があった。   By the way, when manufacturing the above-mentioned conventional COG-mounted liquid crystal display device 130, as shown in FIG. 9, a glass mother substrate (see a two-dot chain line in FIG. 9) for forming the color filter substrate 120 is positioned. It was necessary to divide twice at C1 and position C2.

また、実装領域Ｐにおける表示用配線は、保護膜で覆うなどの手段を講じない限り、その表面が露出してしまうので、腐食するおそれがあった。   Further, the display wiring in the mounting region P may be corroded because its surface is exposed unless a measure such as covering with a protective film is taken.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することにある。   The present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to reduce the number of divisions of a substrate and to suppress corrosion of display wiring.

上記目的を達成するために、本発明は、表示用配線及びその表示用配線に接続された入力端子を有する第１基板に対向して配置された第２基板が、第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、第１基板の入力端子に達する貫通孔を有するようにしたものである。   In order to achieve the above object, the present invention provides a second substrate disposed opposite to a first substrate having a display wiring and an input terminal connected to the display wiring in a plan view with respect to the first substrate. And having a through hole reaching the input terminal of the first substrate and having a thickness of 100 μm or less.

具体的に本発明に係る表示装置は、表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有する第１基板と、上記第１基板に対向して配置された第２基板とを備えた表示装置であって、上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられていることを特徴とする。   Specifically, a display device according to the present invention includes a first substrate having a display wiring in a display region and an input terminal in which the display wiring is extended in a non-display region provided around the display region. And a second substrate disposed opposite to the first substrate, wherein the second substrate is formed to have the same dimensions in plan view with respect to the first substrate, The thickness is 100 μm or less, and the second substrate is provided with a through hole reaching the input terminal.

上記の構成によれば、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、また、第２基板には、貫通孔を介して第１基板の入力端子に接続される電子部品などが実装可能であるので、従来のように、第２基板のうち、ドライバＩＣチップなどを実装するための領域を分断により除去する必要がない。そのため、第２基板の分断が第１基板に対し平面視で同寸法にするための分断だけになるので、第２基板に対する分断回数が減ることになる。   According to said structure, a 2nd board | substrate is formed in the same dimension by planar view with respect to a 1st board | substrate, and is the thickness of 100 micrometers or less, and a 2nd board | substrate is a 1st board | substrate through a through-hole. Since an electronic component connected to the input terminal can be mounted, it is not necessary to divide the area for mounting the driver IC chip or the like on the second substrate by dividing, as in the prior art. Therefore, the division of the second substrate is only the division for making the same dimension as the first substrate in plan view, so that the number of divisions for the second substrate is reduced.

また、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成されているので、第１基板上の表示用配線が第２基板に覆われ、第１基板上の表示用配線の腐食が抑制される。   In addition, since the second substrate is formed in the same size as the first substrate in plan view, the display wiring on the first substrate is covered with the second substrate, and the display wiring on the first substrate is corroded. It is suppressed.

したがって、上記の構成によれば、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することが可能になる。   Therefore, according to the above configuration, it is possible to reduce the number of divisions of the substrate and to suppress corrosion of the display wiring.

また、電子部品などを実装する領域には、上記のように、第１基板だけでなく、第２基板も配置されているので、実装領域Ｐにアクティブマトリクス基板１１０（第１基板）だけが配置された従来の液晶表示装置１３０（図８及び図９参照）よりも、電子部品などを実装する領域における表示装置自体の強度が向上する。   Further, as described above, not only the first substrate but also the second substrate is arranged in the area where the electronic components and the like are mounted. Therefore, only the active matrix substrate 110 (first substrate) is arranged in the mounting area P. Compared with the conventional liquid crystal display device 130 (see FIG. 8 and FIG. 9), the strength of the display device itself in the region where electronic components are mounted is improved.

上記第２基板には、上記貫通孔を介して上記入力端子に接続された電子部品が実装されていてもよい。   An electronic component connected to the input terminal via the through hole may be mounted on the second substrate.

上記の構成によれば、電子部品が実装される表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。   According to said structure, the effect of this invention is specifically show | played in the display apparatus in which an electronic component is mounted.

上記電子部品は、上記表示用配線に表示用信号を供給するためのドライバＩＣチップであってもよい。   The electronic component may be a driver IC chip for supplying a display signal to the display wiring.

上記の構成によれば、ドライバＩＣチップが実装される表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。   According to said structure, the effect of this invention is specifically show | played in the display apparatus in which a driver IC chip is mounted.

上記第１基板及び第２基板は、ガラス製であってもよい。   The first substrate and the second substrate may be made of glass.

上記の構成によれば、表示装置を構成する第１基板及び第２基板がガラス製であるので、エッチングによる基板の薄板化が可能になり、本発明の作用効果が具体的に奏される。   According to said structure, since the 1st board | substrate and 2nd board | substrate which comprise a display apparatus are glass-made, the board | substrate thickness reduction by an etching is attained, and the effect of this invention is show | played concretely.

また、電子部品などを実装する領域には、第１基板だけでなく、第２基板も配置されているので、実装領域Ｐにアクティブマトリクス基板１１０（第１基板）だけが配置された従来の液晶表示装置１３０（図８及び図９参照）よりも、電子部品などを実装する領域における表示装置自体の割れが抑制される。   In addition, since not only the first substrate but also the second substrate is disposed in the region where the electronic components are mounted, the conventional liquid crystal in which only the active matrix substrate 110 (first substrate) is disposed in the mounting region P. As compared with the display device 130 (see FIG. 8 and FIG. 9), the crack of the display device itself in the region where the electronic component is mounted is suppressed.

上記第１基板は、アクティブマトリクス基板であり、上記第２基板は、カラーフィルタ基板であり、上記アクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板の間に液晶層が設けられていてもよい。   The first substrate may be an active matrix substrate, the second substrate may be a color filter substrate, and a liquid crystal layer may be provided between the active matrix substrate and the color filter substrate.

上記の構成によれば、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板と、それらの両基板の間に設けられた液晶層とを備えた液晶表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。   According to the above configuration, in the liquid crystal display device including the active matrix substrate and the color filter substrate disposed to face each other, and the liquid crystal layer provided between the two substrates, the function and effect of the present invention are achieved. Played specifically.

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有するガラス製の第１基板と、上記第１基板に対向して配置されたガラス製の第２基板とを備え、上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられた表示装置を製造する方法であって、上記第１基板、及び該第１基板に対し平面視で同寸法に形成され上記第２基板を形成するための第２基板母材を貼り合わせることにより、貼り合わせ基板体を形成する貼り合わせ工程と、上記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体の上記第２基板母材側をエッチングすることにより、該第２基板母材を上記所定厚さになるように薄板化するエッチング工程と、上記エッチング工程で薄板化された貼り合わせ基板体に対し、上記第２基板母材側からレーザーを照射することにより、上記貫通孔を形成して上記第２基板を作製するレーザー照射工程とを備えることを特徴とする。   The display device manufacturing method according to the present invention includes a glass having a display wiring in a display area and an input terminal in which the display wiring is extended in a non-display area provided around the display area. A first substrate made of glass and a second substrate made of glass arranged to face the first substrate, and the second substrate is formed to have the same dimensions as the first substrate in plan view. A method of manufacturing a display device having a thickness of 100 μm or less and having a through hole reaching the input terminal in the second substrate, the first substrate and the first substrate being A bonding process for forming a bonded substrate body by bonding a second substrate base material formed in the same size in plan view to form the second substrate, and a bonding formed in the bonding process Etching the second substrate base material side of the substrate body By performing the etching process for thinning the second substrate base material so as to have the predetermined thickness, and the bonded substrate body thinned in the etching step, a laser is applied from the second substrate base material side. And a laser irradiation step of forming the second substrate by forming the through hole.

上記の方法によれば、エッチング工程において、貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体の第２基板母材側をエッチングするので、第２基板母材の厚さを容易に１００μｍ以下にすることが可能になる。さらに、レーザー照射工程において、貼り合わせ基板体の１００μｍ以下に薄板化された第２基板母材に対しレーザーを照射するので、第２基板母材に第１基板上の入力端子に達する貫通孔が容易に形成されると共に、第２基板が作製される。   According to the above method, since the second substrate base material side of the bonded substrate body formed in the bonding step is etched in the etching step, the thickness of the second substrate base material is easily set to 100 μm or less. Is possible. Further, in the laser irradiation step, the second substrate base material thinned to 100 μm or less of the bonded substrate body is irradiated with laser, so that the through hole reaching the input terminal on the first substrate is formed in the second substrate base material. The second substrate is manufactured while being easily formed.

これにより、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、また、第２基板には、例えば、実装工程において、貫通孔を介して第１基板の入力端子に接続される電子部品などが実装可能であるので、従来のように、第２基板のうち、ドライバＩＣチップなどを実装するための領域を分断により除去する必要がない。そのため、第２基板の分断が第１基板に対し平面視で同寸法にするための分断だけになるので、第２基板に対する分断回数が減ることになる。   As a result, the second substrate is formed to have the same dimensions as the first substrate in a plan view and has a thickness of 100 μm or less, and the second substrate has, for example, a first through a through hole in a mounting process. Since an electronic component connected to the input terminal of one substrate can be mounted, it is not necessary to divide and remove a region for mounting a driver IC chip or the like on the second substrate as in the conventional case. Therefore, the division of the second substrate is only the division for making the same dimension as the first substrate in plan view, so that the number of divisions for the second substrate is reduced.

また、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成されるので、第１基板上の表示用配線が第２基板に覆われ、第１基板上の表示用配線の腐食が抑制される。   In addition, since the second substrate is formed in the same size as the first substrate in plan view, the display wiring on the first substrate is covered with the second substrate, and corrosion of the display wiring on the first substrate is suppressed. Is done.

したがって、上記の方法によれば、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することが可能になる。   Therefore, according to the above method, the number of divisions of the substrate can be reduced, and corrosion of the display wiring can be suppressed.

上記レーザー照射工程で貫通孔が形成された第２基板に対し、該貫通孔を介して上記入力端子に接続するように電子部品を実装する実装工程を備えてもよい。   You may provide the mounting process which mounts an electronic component with respect to the 2nd board | substrate with which the through-hole was formed in the said laser irradiation process so that it may connect with the said input terminal via this through-hole.

上記の方法によれば、実装工程において、レーザー照射工程で第２基板母材に形成された貫通孔を介して第１基板の入力端子に接続するように電子部品が実装されるので、電子部品が実装される表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。   According to the above method, in the mounting step, the electronic component is mounted so as to be connected to the input terminal of the first substrate through the through hole formed in the second substrate base material in the laser irradiation step. In the display device in which is mounted, the effects of the present invention are specifically exhibited.

本発明によれば、表示用配線及びその表示用配線が延設された入力端子を有する第１基板に対向して配置された第２基板が、第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、第１基板の入力端子に達する貫通孔を有しているため、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することができる。   According to the present invention, the second substrate disposed opposite to the first substrate having the display wiring and the input terminal in which the display wiring is extended is formed to have the same dimension in plan view with respect to the first substrate. In addition, since it has a thickness of 100 μm or less and has a through hole reaching the input terminal of the first substrate, the number of divisions of the substrate can be reduced and corrosion of the display wiring can be suppressed.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、電子部品が実装された表示装置として、ドライバＩＣチップが実装された液晶表示装置について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, a liquid crystal display device on which a driver IC chip is mounted will be described as a display device on which electronic components are mounted. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置３０の平面図である。そして、図２は、液晶表示装置３０の実装部の側面図であり、図３は、図２に対応する液晶表示装置３０の実装部の断面図である。   FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device 30 according to an embodiment of the present invention. 2 is a side view of the mounting portion of the liquid crystal display device 30, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the mounting portion of the liquid crystal display device 30 corresponding to FIG.

液晶表示装置３０は、図１〜図３に示すように、第１基板であるアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向して配置された第２基板であるカラーフィルタ基板２０と、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板２０の間に設けられた液晶層１５と、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板２０の間で液晶層１５を包囲するように枠状に設けられたシール部１６とを備えている。また、液晶表示装置３０では、表示に寄与する表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲の表示に寄与しない非表示領域Ｎとが規定され、非表示領域ＮにドライバＩＣチップ２５が異方性導電フィルム（以下、ＡＣＦと称する）２６を介して実装されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the liquid crystal display device 30 includes an active matrix substrate 10 that is a first substrate, a color filter substrate 20 that is a second substrate disposed to face the active matrix substrate 10, and an active matrix substrate 10. A liquid crystal layer 15 provided between the matrix substrate 10 and the color filter substrate 20 and a seal portion 16 provided in a frame shape so as to surround the liquid crystal layer 15 between the active matrix substrate 10 and the color filter substrate 20. I have. In the liquid crystal display device 30, a display area D that contributes to display and a non-display area N that does not contribute to display around the display area D are defined, and the driver IC chip 25 is anisotropically conductive in the non-display area N. It is mounted via a film (hereinafter referred to as ACF) 26.

アクティブマトリクス基板１０は、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる複数のゲート線１２と、各ゲート線１２と直交する方向に互いに平行に延びる複数のソース線１１と、各ゲート線１２及び各ソース線１１の交差部分にそれぞれスイッチング素子として設けられた複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）と、各ＴＦＴに対応してそれぞれ設けられた複数の画素電極とを備えている。   In the display region D, the active matrix substrate 10 includes a plurality of gate lines 12 extending in parallel to each other, a plurality of source lines 11 extending in parallel to each other in a direction orthogonal to the gate lines 12, and each gate line 12 and each source line. 11 includes a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) provided as switching elements at the intersections of 11 and a plurality of pixel electrodes respectively provided corresponding to the TFTs.

アクティブマトリクス基板１０では、ゲート線１２及びソース線１１などの表示用配線が非表示領域Ｎに延設され非表示領域ＮのドライバＩＣチップ２５が実装される領域で入力端子Ｔとなっている。   In the active matrix substrate 10, display lines such as the gate lines 12 and the source lines 11 are extended to the non-display area N and serve as input terminals T in the area where the driver IC chip 25 in the non-display area N is mounted.

カラーフィルタ基板２０は、アクティブマトリクス基板１０を覆うように、アクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成され、厚さが１００μｍ以下（好ましくは、１０μｍ〜５０μｍ）になっている。   The color filter substrate 20 is formed to have the same dimensions in plan view with respect to the active matrix substrate 10 so as to cover the active matrix substrate 10 and has a thickness of 100 μm or less (preferably 10 μm to 50 μm).

また、カラーフィルタ基板２０は、表示領域Ｄにおいて、アクティブマトリクス基板１０の各画素電極に対応するようにＲ・Ｇ・Ｂの着色層が設けられたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を覆うように設けられた共通電極とを備えている。   In the display region D, the color filter substrate 20 covers the color filter layer provided with R, G, and B colored layers so as to correspond to the pixel electrodes of the active matrix substrate 10 and the color filter layer. And a common electrode provided.

カラーフィルタ基板２０には、非表示領域Ｎにおいて、アクティブマトリクス基板１０と貼り合わされた際に、アクティブマトリクス基板１０の各入力端子Ｔに達する貫通孔２１が設けられている。   The color filter substrate 20 is provided with through holes 21 that reach the input terminals T of the active matrix substrate 10 when the color filter substrate 20 is bonded to the active matrix substrate 10 in the non-display area N.

液晶層１５は、電気光学特性を有するネマチック液晶を含んでいる。   The liquid crystal layer 15 includes nematic liquid crystal having electro-optical characteristics.

ドライバＩＣチップ２５は、図２及び図３に示すように、半導体素子であるチップ本体２５ａと、そのチップ本体２５ａの下面に突出するように設けられた複数のバンプ電極２５ｂとを備えている。ここで、カラーフィルタ基板２０の貫通孔２１は、ドライバＩＣチップ２５の各バンプ電極２５ｂが収容されるように直径１００μｍ（又は１００μｍ角）程度に形成されている。なお、カラーフィルタ基板２０の貫通孔２１は、ドライバＩＣチップ２５のチップ本体２５ａの少なくとも下部が収容されるように、チップ本体２５ａの外形サイズに開口して形成されていてもよい。   As shown in FIGS. 2 and 3, the driver IC chip 25 includes a chip main body 25a that is a semiconductor element, and a plurality of bump electrodes 25b provided so as to protrude from the lower surface of the chip main body 25a. Here, the through hole 21 of the color filter substrate 20 is formed to have a diameter of about 100 μm (or 100 μm square) so that each bump electrode 25b of the driver IC chip 25 is accommodated. The through hole 21 of the color filter substrate 20 may be formed to open to the outer size of the chip body 25a so that at least the lower part of the chip body 25a of the driver IC chip 25 is accommodated.

ＡＣＦ２６は、プラスチックビーズにＮｉやＡｕなどをメッキした導電粒子２６ａと、導電粒子２６ａの分散媒であるエポキシ樹脂などからなるフィルム状の樹脂層２６ｂとを備えている。そして、液晶表示装置３０では、図３に示すように、ＡＣＦ２６を介してドライバＩＣチップ２５を加熱及び加圧することにより、導電粒子２６ａが各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔの間に押さえつけられた状態で各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔが樹脂層２６ｂによって固定され、各バンプ電極２５ｂと入力端子Ｔバンプ２とが電気的に接続されている。   The ACF 26 includes conductive particles 26a in which plastic beads are plated with Ni, Au, or the like, and a film-like resin layer 26b made of an epoxy resin that is a dispersion medium for the conductive particles 26a. In the liquid crystal display device 30, as shown in FIG. 3, the conductive particles 26 a are pressed between the bump electrodes 25 b and the input terminals T by heating and pressurizing the driver IC chip 25 through the ACF 26. Thus, each bump electrode 25b and the input terminal T are fixed by the resin layer 26b, and each bump electrode 25b and the input terminal T bump 2 are electrically connected.

上記構成の液晶表示装置３０では、各画素電極毎に１つの画素が構成されており、各画素において、ドライバＩＣチップ２５を介してゲート線１２からゲート信号がゲート電極に送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ドライバＩＣチップ２５を介してソース線１１からソース信号がソース電極に送られることにより、半導体層及びドレイン電極を介して画素電極に所定の電荷を書き込まれる。このとき、画素電極と共通電極との間で電位差が生じ、液晶層１５に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置３０では、液晶層１５に印加される電圧を変えることによって、液晶層１５の配向状態を変えて液晶層１５の光透過率を調整して画像が表示される。   In the liquid crystal display device 30 configured as described above, one pixel is formed for each pixel electrode. In each pixel, a gate signal is sent from the gate line 12 to the gate electrode via the driver IC chip 25, and the TFT is turned on. When the state is reached, a source signal is sent from the source line 11 to the source electrode via the driver IC chip 25, whereby a predetermined charge is written to the pixel electrode via the semiconductor layer and the drain electrode. At this time, a potential difference is generated between the pixel electrode and the common electrode, and a predetermined voltage is applied to the liquid crystal layer 15. In the liquid crystal display device 30, by changing the voltage applied to the liquid crystal layer 15, the alignment state of the liquid crystal layer 15 is changed and the light transmittance of the liquid crystal layer 15 is adjusted to display an image.

次に、上記構成の液晶表示装置３０を製造する方法について図４〜図７を用いて説明する。本実施形態の製造方法は、アクティブマトリクス基板作製工程、カラーフィルタ基板母材作製工程、貼り合わせ工程、エッチング工程、液晶注入工程、レーザー照射工程及び実装工程を備えている。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 30 having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. The manufacturing method of this embodiment includes an active matrix substrate manufacturing process, a color filter substrate base material manufacturing process, a bonding process, an etching process, a liquid crystal injection process, a laser irradiation process, and a mounting process.

＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
まず、厚さ０．４ｍｍ程度のガラス基板の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線１２、及びゲート線１２の突出部であるゲート電極などを形成する。 <Active matrix substrate manufacturing process>
First, a metal film such as aluminum is formed by sputtering on the entire glass substrate having a thickness of about 0.4 mm, and then a pattern is formed by a photolithography technique (Photo Engraving Process, hereinafter referred to as “PEP technique”). Then, a gate line 12 and a gate electrode which is a protruding portion of the gate line 12 are formed.

続いて、ゲート線１２及びゲート電極などが形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。   Subsequently, a silicon nitride film or the like is formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method on the entire substrate on which the gate line 12 and the gate electrode are formed, thereby forming a gate insulating film.

さらに、ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を順に成膜し、その後、ゲート電極上にＰＥＰ技術により島状にパターン形成して半導体層を形成する。   Furthermore, an intrinsic amorphous silicon film and an n + amorphous silicon film doped with phosphorus are sequentially formed on the entire substrate on which the gate insulating film is formed by CVD, and then patterned in an island shape on the gate electrode by PEP technology. Then, a semiconductor layer is formed.

そして、半導体層が形成された基板全体に、アルミニウムなどからなる金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ソース線１１、ソース線１１の突出部であるソース電極、及びソース電極に対峙して配置するドレイン電極などを形成する。   Then, a metal film made of aluminum or the like is formed on the entire substrate on which the semiconductor layer is formed by a sputtering method, and then a pattern is formed by a PEP technique to form a source electrode 11 and a source electrode that is a protruding portion of the source line 11 And a drain electrode and the like arranged to face the source electrode.

さらに、ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、ｎ＋アモルファスシリコン層の一部を除去することにより、チャネル領域をパターン形成して、ＴＦＴを形成する。   Further, using the source electrode and the drain electrode as a mask, a part of the n + amorphous silicon layer is removed to pattern the channel region and form a TFT.

続いて、ＴＦＴが形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜などを成膜して、層間絶縁膜を形成する。   Subsequently, a silicon nitride film or the like is formed on the entire substrate on which the TFT is formed by a CVD method to form an interlayer insulating film.

その後、層間絶縁膜のドレイン電極に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホールを形成する。   Thereafter, a portion corresponding to the drain electrode of the interlayer insulating film is removed by etching to form a contact hole.

さらに、層間絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、画素電極を形成する。   Further, an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed on the entire substrate on the interlayer insulating film by a sputtering method, and then a pattern is formed by a PEP technique to form a pixel electrode.

最後に、画素電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を塗布し、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。   Finally, a polyimide resin is applied to the entire substrate on the pixel electrode, and an alignment process is performed on the surface by rubbing to form an alignment film.

以上のようにして、アクティブマトリクス基板１０を作製することができる。   As described above, the active matrix substrate 10 can be manufactured.

＜カラーフィルタ基板母材作製工程＞
まず、厚さ０．４ｍｍ程度のガラス基板上に、顔料分散法等を用いて、カラーフィルタ層を形成する。 <Color filter substrate base material manufacturing process>
First, a color filter layer is formed on a glass substrate having a thickness of about 0.4 mm by using a pigment dispersion method or the like.

次いで、カラーフィルタ層上に、印刷法により、オーバーコート層を形成する。   Next, an overcoat layer is formed on the color filter layer by a printing method.

さらに、オーバーコート層上に、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜を成膜した後、ＰＥＰ技術などによりパターン形成して、共通電極を形成する。   Further, an ITO film is formed on the overcoat layer by a sputtering method, and then a pattern is formed by a PEP technique or the like to form a common electrode.

最後に、共通電極を覆うように基板全面に、印刷法により、ポリイミド系樹脂を塗布し、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。   Finally, a polyimide resin is applied to the entire surface of the substrate by a printing method so as to cover the common electrode, and an alignment film is formed on the surface by a rubbing method.

以上のようにして、カラーフィルタ基板母材２０ａを作製することができる。   As described above, the color filter substrate base material 20a can be manufactured.

＜貼り合わせ工程＞
まず、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板母材２０ａの一方の基板にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布して、シール部１６を形成する。 <Lamination process>
First, a seal material made of a thermosetting epoxy resin or the like is applied to one of the active matrix substrate 10 and the color filter substrate base material 20a by screen printing in a frame-like pattern lacking the liquid crystal inlet portion, and then sealed. Part 16 is formed.

続いて、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板母材２０ａの他方の基板に液晶層１５の厚さに相当する直径を有し、プラスチックなどからなる球状のスペーサーを散布する。   Subsequently, spherical spacers having a diameter corresponding to the thickness of the liquid crystal layer 15 and made of plastic or the like are dispersed on the other substrate of the active matrix substrate 10 and the color filter substrate base material 20a.

さらに、図４に示すように、アクティブマトリクス基板１０とカラーフィルタ基板母材２０ａとを貼り合わせた後に、シール部１６を硬化させて貼り合わせ基板体３０ａを形成する。   Further, as shown in FIG. 4, after the active matrix substrate 10 and the color filter substrate base material 20a are bonded together, the seal portion 16 is cured to form a bonded substrate body 30a.

＜エッチング工程＞
まず、貼り合わせ基板体３０ａのアクティブマトリクス基板１０側の表面に保護フィルムを貼り付ける。 <Etching process>
First, a protective film is bonded to the surface of the bonded substrate body 30a on the active matrix substrate 10 side.

続いて、保護フィルムが貼り付けられた貼り合わせ基板体３０ａのカラーフィルタ基板母材２０ａ側の表面をフッ酸系のエッチング液に浸し、カラーフィルタ基板母材２０ａの表面をエッチングすることにより、図５に示すように、５０μｍ程度に薄板化されたカラーフィルタ基板母材２０ｂを有する貼り合わせ基板体３０ｂを形成する。   Subsequently, the surface of the color filter substrate base material 20a on the side of the color filter substrate base material 20a of the bonded substrate body 30a to which the protective film is attached is immersed in a hydrofluoric acid-based etching solution to etch the surface of the color filter substrate base material 20a. As shown in FIG. 5, a bonded substrate body 30b having a color filter substrate base material 20b thinned to about 50 μm is formed.

その後、貼り合わせ基板体３０ｂのアクティブマトリクス基板１０側の表面に貼り付けられた保護フィルムを剥離する。   Thereafter, the protective film bonded to the surface of the bonded substrate body 30b on the active matrix substrate 10 side is peeled off.

なお、エッチング工程では、エッチング液に研磨剤を分散させ、エッチング液による化学的研磨と、研磨剤による機械的研磨とを同時に行ってもよい。   In the etching step, an abrasive may be dispersed in the etchant, and chemical polishing with the etchant and mechanical polishing with the abrasive may be performed simultaneously.

＜液晶注入工程＞
貼り合わせ基板体３０ｂに減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ（Ultraviolet）硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射により、液晶材料を封止して液晶層１５を形成する。 <Liquid crystal injection process>
After injecting a liquid crystal material into the bonded substrate body 30b by a decompression method, a UV (Ultraviolet) curable resin is applied to the liquid crystal injection port, and the liquid crystal material is sealed by UV irradiation to form the liquid crystal layer 15.

＜レーザー照射工程＞
図６に示すように、貼り合わせ基板体３０ｂに対しカラーフィルタ基板母材２０ｂ側から、例えばＫｒＦエキシマレーザー（λ＝２４８ｎｍ）などのＵＶレーザー光５を照射することにより、アクティブマトリクス基板１０上の各入力端子Ｔに達する貫通孔２１を形成して、貼り合わせ基板体３０ｃを形成する。 <Laser irradiation process>
As shown in FIG. 6, by irradiating the bonded substrate body 30b with UV laser light 5 such as KrF excimer laser (λ = 248 nm) from the color filter substrate base material 20b side, A through-hole 21 reaching each input terminal T is formed to form a bonded substrate body 30c.

＜実装工程＞
まず、図７に示すように、貫通孔２１及びバンプ電極２５ｂが嵌合するように位置合わせして、貼り合わせ基板体３０ｃの非表示領域ＮにＡＣＦ２６を介してドライバＩＣチップ２５を配置させる。 <Mounting process>
First, as shown in FIG. 7, the driver IC chip 25 is arranged via the ACF 26 in the non-display area N of the bonded substrate body 30 c by positioning so that the through-hole 21 and the bump electrode 25 b are fitted.

続いて、ドライバＩＣチップ２５の背面に圧着ツールを押し当てて、その圧着ツールで、例えば１５０℃〜２００℃で加熱しながら加圧する。これによって、図３に示すように、ＡＣＦ２６中の導電粒子２６ａが各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔの間に押さえつけられた状態で樹脂層２６ｂがチップ本体２５ａの下側で硬化して各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔが固定されるので、各バンプ電極２５ｂと入力端子Ｔとが電気的に接続されると共に、カラーフィルタ基板２０上の非表示領域ＮにドライバＩＣチップ２５が実装される。   Subsequently, a crimping tool is pressed against the back surface of the driver IC chip 25 and is pressed with the crimping tool while being heated at, for example, 150 ° C. to 200 ° C. As a result, as shown in FIG. 3, the resin layer 26b is cured under the chip body 25a while the conductive particles 26a in the ACF 26 are pressed between the bump electrodes 25b and the input terminals T. 25b and the input terminal T are fixed, the bump electrodes 25b and the input terminal T are electrically connected, and the driver IC chip 25 is mounted in the non-display area N on the color filter substrate 20.

以上のようにして、液晶表示装置３０を製造することができる。   The liquid crystal display device 30 can be manufactured as described above.

以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置３０及びその製造方法によれば、エッチング工程において、貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体３０ａのカラーフィルタ基板母材２０ａ側をエッチングするので、カラーフィルタ基板母材２０ａの厚さを容易に１００μｍ以下にすることができる。さらに、レーザー照射工程において、貼り合わせ基板体３０ｂの１００μｍ以下に薄板化されたカラーフィルタ基板母材２０ｂに対しレーザーを照射するので、カラーフィルタ基板母材２０ｂにアクティブマトリクス基板１０上の入力端子Ｔに達する貫通孔２１が容易に形成されて、カラーフィルタ基板２０を作製することができる。   As described above, according to the liquid crystal display device 30 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, in the etching process, the color filter substrate base material 20a side of the bonded substrate body 30a formed in the bonding process is etched. The thickness of the color filter substrate base material 20a can be easily reduced to 100 μm or less. Further, in the laser irradiation step, the color filter substrate base material 20b thinned to 100 μm or less of the bonded substrate body 30b is irradiated with laser, so that the input terminal T on the active matrix substrate 10 is connected to the color filter substrate base material 20b. The color filter substrate 20 can be manufactured by easily forming the through-hole 21 that reaches the above.

これにより、カラーフィルタ基板２０がアクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、また、カラーフィルタ基板２０には、実装工程において、貫通孔２１を介してアクティブマトリクス基板１０の入力端子Ｔに接続されるドライバＩＣチップ２５が実装されるので、従来のように、カラーフィルタ基板のうち、ドライバＩＣチップなどを実装するための領域を分断により除去する必要がない。そのため、カラーフィルタ基板２０の分断がアクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法にするための分断だけになるので、カラーフィルタ基板２０に対する分断回数を減らすことができる。   As a result, the color filter substrate 20 is formed to have the same dimensions in plan view with respect to the active matrix substrate 10 and has a thickness of 100 μm or less, and the color filter substrate 20 has a through hole 21 in the mounting process. Since the driver IC chip 25 connected to the input terminal T of the active matrix substrate 10 is mounted, it is necessary to remove a region for mounting the driver IC chip or the like from the color filter substrate by dividing as in the prior art. There is no. For this reason, the division of the color filter substrate 20 is only division for making the active matrix substrate 10 have the same dimensions in plan view, so that the number of divisions with respect to the color filter substrate 20 can be reduced.

また、カラーフィルタ基板２０がアクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成されているので、アクティブマトリクス基板１０上のゲート線１２やソース線１１などの表示用配線がカラーフィルタ基板２０に覆われ、アクティブマトリクス基板１０上の表示用配線の腐食を抑制することができる。   Further, since the color filter substrate 20 is formed to have the same dimensions as the plan view with respect to the active matrix substrate 10, display wiring such as the gate lines 12 and the source lines 11 on the active matrix substrate 10 covers the color filter substrate 20. Thus, corrosion of the display wiring on the active matrix substrate 10 can be suppressed.

したがって、本実施形態の液晶表示装置３０及びその製造方法によれば、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することができる。   Therefore, according to the liquid crystal display device 30 and the manufacturing method thereof of the present embodiment, it is possible to reduce the number of divisions of the substrate and suppress corrosion of the display wiring.

また、上記実施形態では、ドライバＩＣチップ２５を実装する領域に、アクティブマトリクス基板１０だけでなく、カラーフィルタ基板２０も配置されているので、実装領域Ｐにアクティブマトリクス基板１１０だけが配置された従来の液晶表示装置１３０（図８及び図９参照）よりも、ドライバＩＣチップ２５を実装する領域における液晶表示装置３０自体の割れを抑制することができる。   In the above embodiment, not only the active matrix substrate 10 but also the color filter substrate 20 are arranged in the region where the driver IC chip 25 is mounted, so that only the active matrix substrate 110 is arranged in the mounting region P. As compared with the liquid crystal display device 130 (see FIGS. 8 and 9), the cracking of the liquid crystal display device 30 itself in the region where the driver IC chip 25 is mounted can be suppressed.

また、上記実施形態では、ドライバＩＣチップ２５がカラーフィルタ基板２０の表面上に実装されているので、例えば、ドライバＩＣチップ２５を表示領域Ｄの近傍に配置することができ、ドライバＩＣチップ２５を実装する位置の自由度が高くなっている。これに対して、従来では、図９に示すように、カラーフィルタ基板１２０の縁部との物理的な位置関係によって、ドライバＩＣチップ１２５の実装可能な位置に制約があり、ドライバＩＣチップ１２５を表示領域Ｄの近傍に配置できなかった。   In the above embodiment, since the driver IC chip 25 is mounted on the surface of the color filter substrate 20, for example, the driver IC chip 25 can be disposed in the vicinity of the display area D. The degree of freedom of the mounting position is high. On the other hand, conventionally, as shown in FIG. 9, there is a restriction on the position where the driver IC chip 125 can be mounted due to the physical positional relationship with the edge of the color filter substrate 120. It could not be arranged in the vicinity of the display area D.

さらに、上記実施形態では、実装工程において、ドライバＩＣチップ２５のバンプ電極２５ｂとアクティブマトリクス基板１０の入力端子ＴとをＡＣＦ２６によって接続させる方法を例示したが、本発明は、バンプ電極２５ｂと入力端子Ｔとをレーザー光による共晶、及びＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）やＮＣＰ（Non Conductive Paste）のようなペースト系の接着剤などによって接続させてもよい。   Further, in the above embodiment, the method of connecting the bump electrode 25b of the driver IC chip 25 and the input terminal T of the active matrix substrate 10 by the ACF 26 in the mounting process is exemplified. However, the present invention is not limited to the bump electrode 25b and the input terminal. T may be connected with eutectic by laser light, and paste adhesive such as ACP (Anisotropic Conductive Paste) and NCP (Non Conductive Paste).

また、上記実施形態では、カラーフィルタ基板２０に実装する電子部品として、ドライバＩＣチップ２５を例示したが、本発明は、電子部品として、光センサーなどを実装してもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the driver IC chip 25 was illustrated as an electronic component mounted in the color filter board | substrate 20, you may mount an optical sensor etc. as an electronic component in this invention.

さらに、上記実施形態では、表示装置として、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示装置、及び水分混入防止用に対向基板が貼り合わせられたＥＬ（electroluminescence）表示装置などのその他の表示装置にも適用することができる。   Furthermore, in the above embodiment, an active matrix liquid crystal display device is exemplified as the display device. However, in the present invention, a passive matrix liquid crystal display device and a counter substrate are bonded to prevent moisture mixing. The present invention can also be applied to other display devices such as an EL (electroluminescence) display device.

また、上記実施形態では、ガラス基板により構成された表示装置を例示したが、本発明は、プラスチック基板などにより構成された表示装置にも適用することができる。さらに、第１基板がプラスチック基板により構成され、第２基板がガラス基板により構成された表示装置であってもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the display apparatus comprised by the glass substrate was illustrated, this invention is applicable also to the display apparatus comprised by the plastic substrate etc. Furthermore, a display device in which the first substrate is formed of a plastic substrate and the second substrate is formed of a glass substrate may be used.

以上説明したように、本発明は、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することができるので、互いに対向して配置された一対の基板を備えた表示装置全般について有用である。   As described above, the present invention can reduce the number of divisions of the substrate and suppress corrosion of the display wiring, and thus is useful for all display devices including a pair of substrates arranged to face each other. is there.

本発明の実施形態に係る液晶表示装置３０の平面図である。It is a top view of the liquid crystal display device 30 which concerns on embodiment of this invention. 液晶表示装置３０の側面図である。4 is a side view of the liquid crystal display device 30. FIG. 液晶表示装置３０の断面図である。3 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device 30. FIG. 液晶表示装置３０を製造する際の貼り合わせ工程を示す断面図である。4 is a cross-sectional view illustrating a bonding process when manufacturing the liquid crystal display device 30. FIG. 液晶表示装置３０を製造する際のエッチング工程を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing an etching process when manufacturing the liquid crystal display device 30. FIG. 液晶表示装置３０を製造する際のレーザー照射工程を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a laser irradiation process when manufacturing the liquid crystal display device 30. FIG. 液晶表示装置３０を製造する際の実装工程を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a mounting process when manufacturing the liquid crystal display device 30. FIG. 従来の液晶表示装置１３０の平面図である。It is a top view of the conventional liquid crystal display device. 液晶表示装置１３０の側面図である。3 is a side view of a liquid crystal display device 130. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

Ｄ 表示領域
Ｎ 非表示領域
Ｔ 入力端子
５ ＵＶレーザー光
１０ アクティブマトリクス基板（第１基板）
１１ ソース線（表示用配線）
１２ ゲート線（表示用配線）
１５ 液晶層
２０ カラーフィルタ基板（第２基板）
２１ 貫通孔
２５ ドライバＩＣチップ（電子部品）
３０ 液晶表示装置
３０ａ〜３０ｃ 貼り合わせ基板体 D Display area N Non-display area T Input terminal 5 UV laser beam 10 Active matrix substrate (first substrate)
11 Source line (display wiring)
12 Gate line (display wiring)
15 Liquid crystal layer 20 Color filter substrate (second substrate)
21 Through hole 25 Driver IC chip (electronic component)
30 Liquid crystal display devices 30a to 30c Bonded substrate body

Claims (7)

表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有する第１基板と、
上記第１基板に対向して配置された第２基板とを備えた表示装置であって、
上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、
上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられていることを特徴とする表示装置。 A first substrate having a display wiring in a display area and an input terminal in which the display wiring is extended in a non-display area provided around the display area;
A display device comprising: a second substrate disposed opposite to the first substrate;
The second substrate is formed to have the same dimensions in plan view with respect to the first substrate, and has a thickness of 100 μm or less.
The display device, wherein the second substrate is provided with a through hole reaching the input terminal. 請求項１に記載された表示装置において、
上記第２基板には、上記貫通孔を介して上記入力端子に接続された電子部品が実装されていることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
An electronic component connected to the input terminal through the through hole is mounted on the second substrate. 請求項１に記載された表示装置において、
上記電子部品は、上記表示用配線に表示用信号を供給するためのドライバＩＣチップであることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
The display device, wherein the electronic component is a driver IC chip for supplying a display signal to the display wiring. 請求項１に記載された表示装置において、
上記第１基板及び第２基板は、ガラス製であることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
The display device, wherein the first substrate and the second substrate are made of glass. 請求項１に記載された表示装置において、
上記第１基板は、アクティブマトリクス基板であり、
上記第２基板は、カラーフィルタ基板であり、
上記アクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板の間に液晶層が設けられていることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
The first substrate is an active matrix substrate,
The second substrate is a color filter substrate;
A display device, wherein a liquid crystal layer is provided between the active matrix substrate and the color filter substrate. 表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有するガラス製の第１基板と、
上記第１基板に対向して配置されたガラス製の第２基板とを備え、
上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、
上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられた表示装置を製造する方法であって、
上記第１基板、及び該第１基板に対し平面視で同寸法に形成され上記第２基板を形成するための第２基板母材を貼り合わせることにより、貼り合わせ基板体を形成する貼り合わせ工程と、
上記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体の上記第２基板母材側をエッチングすることにより、該第２基板母材を上記所定厚さになるように薄板化するエッチング工程と、
上記エッチング工程で薄板化された貼り合わせ基板体に対し、上記第２基板母材側からレーザーを照射することにより、上記貫通孔を形成して上記第２基板を作製するレーザー照射工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 A glass first substrate having a display wiring in a display area, and having an input terminal in which the display wiring is extended in a non-display area provided around the display area;
A second substrate made of glass disposed opposite to the first substrate,
The second substrate is formed to have the same dimensions in plan view with respect to the first substrate, and has a thickness of 100 μm or less.
The second substrate is a method of manufacturing a display device provided with a through hole reaching the input terminal,
A bonding step of forming a bonded substrate body by bonding the first substrate and a second substrate base material that is formed to have the same dimensions in plan view with respect to the first substrate and forms the second substrate. When,
An etching step of thinning the second substrate base material to the predetermined thickness by etching the second substrate base material side of the bonded substrate body formed in the bonding step;
A laser irradiation step of forming the through-hole to form the second substrate by irradiating a laser beam from the second substrate base material side to the bonded substrate body thinned in the etching step. A manufacturing method of a display device characterized by the above. 請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記レーザー照射工程で貫通孔が形成された第２基板に対し、該貫通孔を介して上記入力端子に接続するように電子部品を実装する実装工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 In the manufacturing method of the display device according to claim 6,
A method of manufacturing a display device, comprising: a mounting step of mounting an electronic component so as to be connected to the input terminal through the through hole on the second substrate having the through hole formed in the laser irradiation step. .

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