JP2008091568A - Device and method for mounting substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を吸着保持した状態で降下させてステージ上に載置する基板載置装置及び方法に関する。 The present invention relates to a substrate mounting apparatus and method for lowering and mounting a substrate on a stage while holding the substrate.
搬送されるステージ上に吸着保持されたウエハなどの基板に露光によりパターンを形成するレーザ露光装置において、露光対象である基板のステージ上での位置精度が悪いと、基板に精度良くパターンを形成することが困難になる。このため、基板のステージ上での位置精度を向上させることを目的として、これまで様々な対策が考案されている(例えば、特許文献1参照)。 In a laser exposure apparatus that forms a pattern by exposure on a substrate such as a wafer held by suction on a transported stage, if the positional accuracy of the substrate to be exposed on the stage is poor, the pattern is formed on the substrate with high accuracy. It becomes difficult. For this reason, various measures have been devised so far in order to improve the positional accuracy of the substrate on the stage (see, for example, Patent Document 1).
ところで、基板をステージに載置する基板載置装置の構成として、吸盤により基板を吸着保持したリフトピン(基板載置手段)が降下することにより基板がステージ上に載置される構成が存在するが、この構成では、基板を降下させる際に基板にかかる圧力により、基板とリフトピンとの吸着が解除されて基板の位置がずれる可能性があり、改善が必要であった。
本発明は、上記事情に鑑み、基板と基板載置手段との吸着が解除されて基板の位置がすれることを防止することを目的とする。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to prevent the adsorption of a substrate and a substrate mounting unit from being released and the position of the substrate to be displaced.
請求項1に記載の基板載置装置は、前記基板を吸着保持して降下しステージ上に載置する基板載置手段と、前記基板と前記基板載置手段との吸着が維持される速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させる制御手段と、を有することを特徴とする。
The substrate mounting apparatus according to
請求項1に記載の基板載置装置では、基板載置手段が、基板を吸着保持して降下しステージ上に載置する。ここで、基板載置手段は、制御手段によって制御されており、基板と基板載置手段との吸着が維持される速度プロファイルで降下されるようになっている。 In the substrate mounting apparatus according to the first aspect, the substrate mounting means sucks and holds the substrate and lowers and mounts it on the stage. Here, the substrate mounting means is controlled by the control means, and is lowered with a velocity profile that maintains the suction between the substrate and the substrate mounting means.
これによって、基板を降下させている間に基板と基板載置手段との吸着が解除されて基板の位置がずれることを防止できる。 Thus, it is possible to prevent the position of the substrate from being deviated by releasing the suction between the substrate and the substrate mounting means while the substrate is being lowered.
請求項2に記載の基板載置装置は、請求項1に記載の基板載置装置であって、前記制御手段は、前記基板と前記ステージとの間の圧力Pと、前記基板の重力Gと、前記基板と前記基板載置手段との吸着力Sとが下記(1)式を満足する速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させることを特徴とする。 A substrate mounting apparatus according to a second aspect is the substrate mounting apparatus according to the first aspect, wherein the control means includes a pressure P between the substrate and the stage, and a gravity G of the substrate. The substrate mounting means is lowered with a velocity profile in which the adsorption force S between the substrate and the substrate mounting means satisfies the following expression (1).
P<G+S…(1)
請求項2に記載の基板載置装置では、基板載置手段が、制御手段によって制御されており、基板とステージとの間の圧力Pと、基板の重力Gと、基板と基板載置手段との吸着力Sとが上記(1)式を満足する速度プロファイルで降下されるようになっている。
P <G + S (1)
In the substrate mounting apparatus according to
これによって、基板を降下させている間に基板と基板載置手段との吸着が解除されることを防止できる。 Accordingly, it is possible to prevent the adsorption between the substrate and the substrate mounting unit from being released while the substrate is being lowered.
請求項3に記載の基板載置装置は、請求項2に記載の基板載置装置であって、前記制御手段は、立ち上がり後、前記基板と前記ステージとの間隔hが減少するにつれて立ち下がる速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させることを特徴とする。
The substrate mounting apparatus according to
請求項3に記載の基板載置装置では、基板載置手段が、制御手段によって制御されており、立ち上がり後、基板とステージとの間隔hが減少するにつれて立ち下がる速度プロファイルで降下されるようになっている。
In the substrate mounting apparatus according to
即ち、基板とステージとの間隔hが小さくなって基板にかかる圧力が増加するにつれて、基板の降下速度が低下されるようになっている。これによって、基板と基板載置手段との吸着が維持される範囲内で、基板の降下速度を大きくすることができるので、基板と基板載置手段との吸着を維持すると共に、基板をステージ上へ降下させる時間を短縮できる。 That is, as the space h between the substrate and the stage decreases and the pressure applied to the substrate increases, the descending speed of the substrate decreases. As a result, the lowering speed of the substrate can be increased within a range in which the suction between the substrate and the substrate mounting means is maintained, so that the suction between the substrate and the substrate mounting means is maintained and the substrate is placed on the stage. The time to descend to can be shortened.
請求項4に記載の基板載置装置は、請求項3に記載の基板載置装置であって、前記圧力Pは、下記(2)式を満足することを特徴とする。 A substrate mounting apparatus according to a fourth aspect is the substrate mounting apparatus according to the third aspect, wherein the pressure P satisfies the following expression (2).
P=2∫0 L/2Pn、(Pn=Pn−1+αμLV/h2)…(2)
請求項4に記載の基板載置装置では、基板とステージとの間の圧力Pを、該圧力Pと、基板の長辺又は短辺の長さLと、基板の短辺又は長辺の長さ等によって異なる比例定数αと、空気抵抗μと、基板の降下速度Vと、基板とステージとの間隔hとの相関関係を示す上記(2)式を満足する圧力Pが、上記(1)式を満足するような速度プロファイルで基板が降下される。これによって、基板と基板載置手段との吸着を維持すると共に、基板をステージ上へ降下させる時間を短縮できる。
P = 2∫ 0 L / 2 P n, (P n = P n-1 + αμLV / h 2) ... (2)
In the substrate mounting apparatus according to
請求項5に記載の基板載置装置は、請求項4に記載の基板載置装置であって、前記制御手段は、予め設定された速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させることを特徴とする。
The substrate platform according to claim 5 is the substrate platform according to
請求項5に記載の基板載置装置では、基板載置手段が、制御手段によって制御されており、予め設定された速度プロファイルで降下されるようになっている。即ち、制御手段による基板載置手段の制御をオープン制御としている。 In the substrate mounting apparatus according to the fifth aspect, the substrate mounting means is controlled by the control means, and is lowered with a preset speed profile. That is, the control of the substrate mounting means by the control means is open control.
請求項6に記載の基板載置装置は、請求項4に記載の基板載置装置であって、前記基板と前記ステージとの間の圧力の実測値Peを前記制御手段へ出力する圧力センサを有しており、前記制御手段は、前記圧力センサから出力された圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、前記降下速度Vを制御することを特徴とする。 A substrate mounting apparatus according to a sixth aspect is the substrate mounting apparatus according to the fourth aspect, wherein a pressure sensor for outputting an actual measurement value Pe between the substrate and the stage to the control means. The control means has the descent speed V so that the actual measured value Pe of pressure output from the pressure sensor is smaller than the calculated value Ps of pressure calculated from the above equation (2). It is characterized by controlling.
請求項6に記載の基板載置装置では、圧力センサから制御手段へ基板とステージとの間の圧力の実測値Peが出力され、制御手段は、圧力センサから出力された圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、基板載置手段の降下速度Vを制御している。 In the substrate mounting apparatus according to the sixth aspect, the actual value Pe of the pressure between the substrate and the stage is output from the pressure sensor to the control means, and the control means receives the actual pressure Pe output from the pressure sensor. The lowering speed V of the substrate mounting means is controlled so as to be smaller than the calculated pressure value Ps calculated from the above equation (2).
これによって、様々な変動要因により、基板を降下させている間の基板とステージとの間の実際の圧力と、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psとの間に誤差が生じた場合でも、基板と基板載置手段との吸着を維持できる。 As a result, an error occurs between the actual pressure between the substrate and the stage while the substrate is lowered and the calculated pressure value Ps calculated from the above equation (2) due to various fluctuation factors. Even in this case, the adsorption between the substrate and the substrate mounting means can be maintained.
請求項7に記載の基板載置装置は、請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載の基板載置装置であって、前記基板載置手段は、前記基板の一方向の中央部から両端部へかけて前記間隔hが広くなるように、前記基板を湾曲させて吸着保持することを特徴とする。
The substrate mounting apparatus according to claim 7 is the substrate mounting apparatus according to any one of
請求項7に記載の基板載置装置では、基板の一方向の中央部から両端部へかけて基板とステージとの間隔hが広くなるように、基板が湾曲されて基板載置手段に吸着保持されている。このため、基板とステージとの間の圧力の上昇を抑制でき、基板と基板載置手段との吸着が解除されることを抑制できる。 In the substrate mounting apparatus according to claim 7, the substrate is curved and sucked and held by the substrate mounting means so that the distance h between the substrate and the stage is widened from the central portion in one direction to both ends of the substrate. Has been. For this reason, an increase in pressure between the substrate and the stage can be suppressed, and the release of the adsorption between the substrate and the substrate mounting means can be suppressed.
請求項8に記載の基板載置方法は、前記基板を吸着保持して降下しステージ上に載置する基板載載置手段を、前記基板と前記基板載置手段との吸着が維持される速度プロファイルで降下させることを特徴とする。 The substrate mounting method according to claim 8, wherein the substrate mounting means for lowering the substrate by sucking and holding the substrate and placing the substrate on the stage is moved at a speed at which the suction between the substrate and the substrate mounting means is maintained. It is lowered by a profile.
請求項8に記載の基板載置方法では、基板載置手段が、基板を吸着保持して降下しステージ上に載置する。ここで、基板載置手段は、基板と基板載置手段との吸着が維持される速度プロファイルで降下されるようになっている。 In the substrate placing method according to the eighth aspect, the substrate placing means sucks and holds the substrate and lowers it and places it on the stage. Here, the substrate mounting means is lowered with a velocity profile that maintains the adsorption between the substrate and the substrate mounting means.
これによって、基板を降下させている間に基板と基板載置手段との吸着が解除されて基板の位置がずれることを防止できる。 Thus, it is possible to prevent the position of the substrate from being deviated by releasing the suction between the substrate and the substrate mounting means while the substrate is being lowered.
請求項9に記載の基板載置方法は、請求項8に記載の基板載置方法であって、前記基板と前記ステージとの間の圧力Pと、前記基板の重力Gと、前記基板と前記基板載置手段との吸着力Sとが下記(1)式を満足する速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させることを特徴とする。 The substrate placement method according to claim 9 is the substrate placement method according to claim 8, wherein the pressure P between the substrate and the stage, the gravity G of the substrate, the substrate and the substrate The substrate placing means is lowered with a velocity profile satisfying the following equation (1) with the adsorption force S with the substrate placing means.
P<G+S…(1)
請求項9に記載の基板載置方法では、基板載置手段が、基板とステージとの間の圧力Pと、基板の重力Gと、基板と基板載置手段との吸着力Sとが上記(1)式を満足する速度プロファイルで降下されるようになっている。
P <G + S (1)
In the substrate mounting method according to claim 9, the substrate mounting means includes the pressure P between the substrate and the stage, the gravity G of the substrate, and the adsorption force S between the substrate and the substrate mounting means ( The vehicle is lowered with a velocity profile that satisfies the equation (1).
これによって、基板を降下させている間に基板と基板載置手段との吸着が解除されることを防止できる。 Accordingly, it is possible to prevent the adsorption between the substrate and the substrate mounting unit from being released while the substrate is being lowered.
請求項10に記載の基板載置方法は、請求項9に記載の基板載置方法であって、立ち上がり後、前記基板と前記ステージとの間隔hが減少するにつれて立ち下がる速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させることを特徴とする。
The substrate placement method according to
請求項10に記載の基板載置方法では、基板載置手段が、立ち上がり後、基板とステージとの間隔hが減少するにつれて立ち下がる速度プロファイルで降下されるようになっている。 In the substrate placing method according to the tenth aspect, the substrate placing means is lowered with a velocity profile that falls as the distance h between the substrate and the stage decreases after the rising.
即ち、基板とステージとの間隔hが小さくなって基板にかかる圧力が増加するにつれて、基板の降下速度が低下されるようになっている。これによって、基板と基板載置手段との吸着が維持される範囲内で、基板の速度を大きくすることができるので、基板と基板載置手段との吸着を維持すると共に、基板をステージ上へ降下させる時間を短縮できる。 That is, as the space h between the substrate and the stage decreases and the pressure applied to the substrate increases, the descending speed of the substrate decreases. As a result, the speed of the substrate can be increased within a range in which the adsorption between the substrate and the substrate mounting means is maintained, so that the adsorption between the substrate and the substrate mounting means is maintained and the substrate is placed on the stage. The time to descend can be shortened.
請求項11に記載の基板載置方法は、請求項10に記載の基板載置方法であって、前記圧力Pは、下記(2)式を満足することを特徴とする。 The substrate mounting method according to an eleventh aspect is the substrate mounting method according to the tenth aspect, wherein the pressure P satisfies the following expression (2).
P=2∫0 L/2Pn、(Pn=Pn−1+αμLV/h2)…(2)
但し、Lは前記基板の長辺又は短辺の長さ、αは比例定数、μは空気抵抗、Vは前記基板載置手段の降下速度である。
P = 2∫ 0 L / 2 P n, (P n = P n-1 + αμLV / h 2) ... (2)
However, L is the length of the long side or short side of the substrate, α is a proportionality constant, μ is air resistance, and V is the descending speed of the substrate mounting means.
請求項11に記載の基板載置方法では、基板とステージとの間の圧力Pを、該圧力Pと、基板の長辺又は短辺の長さLと、基板の短辺又は長辺の長さ等によって異なる比例定数αと、空気抵抗μと、基板の降下速度Vと、基板とステージとの間隔hとの相関関係を示す上記(2)式を満足する圧力Pが、上記(1)式を満足するような速度プロファイルで基板が降下される。これによって、基板と基板載置手段との吸着を維持すると共に、基板をステージ上へ降下させる時間を短縮できる。
In the substrate mounting method according to
請求項12に記載の基板載置方法は、請求項11に記載の基板載置方法であって、予め設定された速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させることを特徴とする。 A substrate placing method according to a twelfth aspect is the substrate placing method according to the eleventh aspect, wherein the substrate placing means is lowered with a preset speed profile.
請求項12に記載の基板載置方法では、基板載置手段が、予め設定された速度プロファイルで降下されるようになっている。即ち、基板載置手段の制御をオープン制御としている。 In the substrate placement method according to the twelfth aspect, the substrate placement means is lowered with a preset speed profile. That is, the control of the substrate mounting means is open control.
請求項13に記載の基板載置方法は、請求項12に記載の基板載置方法であって、前記基板と前記ステージとの間の圧力の実測値Peを圧力センサにより取得し、前記圧力センサにより取得された圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、前記降下速度Vを制御することを特徴とする。
The substrate placement method according to
請求項13に記載の基板載置方法では、基板とステージとの間の圧力の実測値Peを圧力センサにより取得し、圧力センサより取得した圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、基板載置手段の降下速度Vを制御している。
In the substrate mounting method according to
これによって、様々な変動要因により、基板を降下させている間の基板とステージとの間の実際の圧力と、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psとの間に誤差が生じた場合でも、基板と基板載置手段との吸着を維持できる。 As a result, an error occurs between the actual pressure between the substrate and the stage while the substrate is lowered and the calculated pressure value Ps calculated from the above equation (2) due to various fluctuation factors. Even in this case, the adsorption between the substrate and the substrate mounting means can be maintained.
請求項14に記載の基板載置方法は、請求項8乃至請求項13の何れか1項に記載の基板載置方法であって、前記基板の一方向の中央部から両端部へかけて前記間隔hが広くなるように、前記基板を湾曲させて前記基板載置手段に吸着保持させることを特徴とする。
The substrate placement method according to
請求項14に記載の基板載置方法では、基板の一方向の中央部から両端部へかけて基板とステージとの間隔hが広くなるように、基板が湾曲されて基板載置手段に吸着保持されている。このため、基板とステージとの間の圧力の上昇を抑制でき、基板と基板載置手段との吸着が解除されることを抑制できる。
The substrate mounting method according to
請求項15に記載の基板載置装置は、請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の基板載置装置であって、前記速度プロファイルの最高値が、前記基板の自然落下速度よりも大きいことを特徴とする。
The substrate mounting apparatus according to claim 15 is the substrate mounting apparatus according to any one of
請求項15に記載の基板載置装置では、基板が降下する速度プロファイルの最高値を、基板の自然落下速度よりも大きくすることで、基板をステージ上へ降下させる時間を短縮している。 In the substrate mounting apparatus according to the fifteenth aspect, the time for lowering the substrate onto the stage is shortened by making the maximum value of the velocity profile at which the substrate descends larger than the natural fall velocity of the substrate.
請求項16に記載の基板載置方法は、請求項8乃至請求項14の何れか1項に記載の基板載置方法であって、前記速度プロファイルの最高値が、前記基板の自然落下速度よりも大きいことを特徴とする。
The substrate placement method according to
請求項16に記載の基板載置方法では、基板が降下する速度プロファイルの最高値を、基板の自然落下速度よりも大きくすることで、基板をステージ上へ降下させる時間を短縮している。 In the substrate mounting method according to the sixteenth aspect, the maximum value of the velocity profile at which the substrate descends is made larger than the natural fall velocity of the substrate, thereby reducing the time for the substrate to descend onto the stage.
以上のように、本発明によれば、基板と基板載置手段との吸着が解除されて基板の位置がすれることを防止することが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the adsorption of the substrate and the substrate mounting unit from being released and the substrate from being displaced.
以下、本発明の一実施形態について、図1乃至図24を参照して説明する。なお、図中矢印+Yは基板の往路での移動方向(以下、往動方向という)、図中矢印−Yは、基板の復路での移動方向(以下、復動方向という)を、図中矢印Xは、基板の往復移動方向と直交する方向(以下、X方向という)を示している。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The arrow + Y in the figure indicates the direction of movement of the substrate in the forward path (hereinafter referred to as the forward movement direction), and the arrow -Y in the figure indicates the direction of movement of the substrate in the backward path (hereinafter referred to as the backward movement direction). X indicates a direction orthogonal to the reciprocating direction of the substrate (hereinafter referred to as X direction).
図1に示すように、本発明の一実施形態の基板載置装置10を備えるレーザ露光装置100は、矩形厚板状の設置台22と、露光対象である矩形平板状の基板12を表面に吸着して保持する矩形箱状のステージ14と、基板12を往動方向及び復動方向に搬送する搬送機構16と、を備えている。
As shown in FIG. 1, a
搬送機構16は、設置台22の上面に長手方向に沿って配設され、ステージ14を往復移動可能に支持する2本のガイド24と、ステージ14を往復移動させる駆動部28とを備えている。2本のガイド24は、ステージ14を長手方向が移動方向を向くように支持しており、駆動部28が駆動されると、ステージ14がガイド24に沿って移動する。
The
なお、搬送機構16は、従来から知られているスライド機構と駆動力伝達機構とを組み合わせて構成すれば良い。スライド機構としては、例えば、レール上で移動台を移動させるボール・レールシステム、又は、エアスライドシステム等を採用でき、駆動力伝達機構としては、例えば、カム機構、リンク機構、ラック・ピニオン機構、ボールネジ・ブッシュ機構、エアスライド機構、又は、ピストン・シリンダ機構等を採用できる。
The
また、基板12には、その被露光面上の描画領域における露光位置の基準を示す複数個のアライメントマークが設けられている。なお、基板12としては、プリント配線基板、ディスプレイ用やカラーフィルタ用のガラス基板等を作成するための基材上に感光材料を塗布したもの等を用いることができる。
In addition, the
また、設置台22の長手方向中央部には、ステージ14の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート30が設けられている。ゲート30は、両端部がそれぞれ設置台22に固定されており、ゲート30の往動方向下流側には基板12を露光する露光ユニット32が設けられている。
In addition, a
図2に示すように、露光ユニット32の内部には、m行n列(例えば2行4列)の略マトリックス状に配列された複数(例えば8個)の露光ヘッド38A、38B、…が設置されている。そして、露光ヘッド38A、38B、…による露光エリア40は、例えば、基板12の移動方向を長辺とする矩形状に構成されている。従って、基板12には、その移動動作に伴って、露光ヘッド38A、38B、…毎に帯状の露光済み領域42A、42B、…(以下、これらをまとめて露光済み領域42ともいう)が移動方向の逆方向に相当する走査方向に形成される。
As shown in FIG. 2, in the
また、帯状の露光済み領域42が移動方向(走査方向)と直交する幅方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド38A、38B、…の各々は、配列方向に所定間隔(露光エリア40の長辺の自然数倍)ずらして配置されている。このため、例えば、露光ヘッド38Aによる露光エリア40と露光ヘッド38Bによる露光エリア40との間の露光できない部分は、露光ヘッド38Fによる露光エリア40とすることができる。
Further, each of the exposure heads 38A, 38B,... Arranged in a line is arranged in a predetermined direction in the arrangement direction so that the strip-shaped exposed
図3に示すように、各露光ヘッド38A、38B、…は、入射されたレーザビームを画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子としてのデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)48を備えている。このDMD48は、画像データ処理部11とミラー駆動制御部13とを備えたコントローラ36に接続されている。
As shown in FIG. 3, each
コントローラ36の画像データ処理部11では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド38A、38B、…毎にDMD48の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部13では、画像データ処理部11で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド38A、38B、…毎にDMD48における各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。
The image
また、各露光ヘッド38A、38B、…におけるDMD48の光入射側には、図1に示すように、マルチビームをレーザ光として出射する照明装置44から引き出されたバンドル状の光ファイバー46が接続されている。照明装置44は、その内部に複数の半導体レーザチップから出射されたレーザ光を合波して光ファイバー46に入力する合波モジュールが複数個設置されている。各合波モジュールから延びる光ファイバー46は、合波したレーザ光を伝搬する合波光ファイバーであって、複数の光ファイバーが1つに束ねられてバンドル状の光ファイバーとして形成されている。
Further, as shown in FIG. 1, a bundle-like
また、図3に示すように、DMD48の光入射側には、光ファイバー46から射出された光LをDMD48に向けて反射するミラー50が配設され、また、DMD48の光射出側には、結像光学系52が配設されている。
Further, as shown in FIG. 3, a
この結像光学系52は、DMD48の側から基板12の側へ向う光路に沿って順に配置されたレンズ系54、56、マイクロレンズアレイ58、対物レンズ系60、62により構成されており、照明装置44から射出された光Lを基板12上に結像させる。
The imaging optical system 52 includes
また、図1に示すように、ゲート30の露光ユニット32の反対側(往動方向上流側)には、複数台のCCDカメラ34が設けられている。 複数台のCCDカメラ34は、ステージ14の移動経路の上方に、X方向に並べて配設されており、基板12に設けられた複数のアライメントマークが複数台のCCDカメラ34の撮像エリアを通過するようになっている。
As shown in FIG. 1, a plurality of
また、2本のガイド24の間には、リニアエンコーダ25が配設されている。このリニアエンコーダ25は、設置台22上に配置されたリニアスケール25Aと、ステージ14に配置された読取部25Bとで構成されており、ステージ14の搬送方向位置を示す信号をコントローラ36(図4参照)へ出力する。
A
図4に示すように、コントローラ36には、カメラ動作制御部29が設けられている。このカメラ動作制御部29では、露光ステージ動作制御信号が入力されると、CCDカメラ34に対して起動信号を送出する。この起動信号によりCCDカメラ36は起動し撮影待機状態になる。
As shown in FIG. 4, the
また、コントローラ36には、トリガ信号生成部31が設けられている。このトリガ信号生成部31では、リニアエンコーダ25の出力パルスをカウントするパルスカウンタが所定のカウント値をとると(例えば、往路移動するステージ14に搬送された基板12のアライメントマークがCCDカメラ34の撮影画角内に入った位置に対応するパルス数をカウントした際)、トリガ信号を生成してカメラ動作制御部29及びストロボ発光制御部33へ送出する。
The
このトリガ信号の入力タイミングで、カメラ動作制御部29ではCCDカメラ34に対してタイミング信号を送出し、CCDカメラ34は撮影を行う。また、ストロボ発光制御部33ではストロボ光源34Aに対してタイミング信号を送出し、ストロボ光源34AはCCDカメラ34の撮影動作に連動して発光する。
At the input timing of the trigger signal, the camera
このように、ステージ14の動作タイミング(移動動作)と、CCDカメラ34による撮影タイミング及びストロボ光源34Aの発光タイミングとは同期がとられている。また、CCDカメラ34の撮影動作中において、ステージ14は、設置台22上の往路を定速度移動する。このため、ステージ14上に載置されている基板12に付与されたアライメントマークがCCDカメラ34によって撮影される。
As described above, the operation timing (movement operation) of the
ここで、コントローラ36には、CCDカメラ34により撮影された撮影データが送出される撮影データ解析部35が設けられている。この撮影データ解析部35では、CCDカメラ34により撮影された撮影データの解析が行われる。基本的には、撮影された画像データはアナログデータ(光電変換直後は、光量が電圧に変換される)であるため、このアナログデータをデジタル画像データに変換し、当該デジタル画像データが位置データと共に数値(濃度値)管理される。
Here, the
また、コントローラ36には、マーク抽出部37と、マーク照合部39と、露光位置補正係数演算部41と、マークデータメモリ43とが設けられている。撮影データ解析部35で解析されたデジタル画像データは、マーク抽出部37へ送出され、マーク抽出部37は、マークを抽出し、マーク照合部39へ送出する。一方、前記デジタル画像データに対応付けられた位置データは、露光位置補正係数演算部41へ送出される。
In addition, the
マーク照合部39では、抽出したマークの画像データと、予めマークデータメモリ43に記憶されたマークデータとを照合し、一致/不一致を示す信号を前記露光位置補正係数演算部41へ送出する。
The
露光位置補正係数演算部41では、照合の結果、一致していると判別されたマークデータに対応する位置データと、本来の(設計上の)マークの位置データとの誤差を認識し、露光位置(ステージ14の移動方向における露光開始位置並びに、ステージ14の幅方向におけるドットのシフト位置)の補正係数を演算し、露光制御系へ送出する。そしてこの補正係数に基づき、基板12上に記録する画像の位置を適正位置に補正するよう、露光ユニット32の各露光ヘッド38による画像記録開始時期等を補正する。
The exposure position correction
また、図1に示すように、基板12をステージ14上に載置し、また、露光済みの基板12をステージ14上から取り除く基板搬送装置200がステージ14の往路の移動開始位置の近傍に配設されている。
In addition, as shown in FIG. 1, a
基板搬送装置200は、基板12を保持する一対のフォーク62と、一対のフォーク62を昇降させ、且つ昇降方向に沿った軸回りに回転させる回転昇降機構64と、一対のフォーク62を略水平方向にスライドさせるスライド機構66とを備えている。
The
フォーク62は、略水平な方向に略平行に並んだ3本の長尺板状の腕部62Aを備えたE字状の板材であり、3本の腕部62Aの長手方向一端部が、腕部62Aと略直交する長尺板状の基部62Bによって結合されている。各腕部62Aの上面には、複数の吸盤68が、腕部62Aの長手方向に沿って配設されている。
The
また、回転昇降機構64は、エアシリンダや電動シリンダ等の昇降機構70と、昇降機構70の上部に設けられ、フォーク62を重力方向に沿った軸回りに回転させる回転機構72とを備えている。また、スライド機構66は、昇降機構70の上部に配置されたエアシリンダや電動シリンダ等であり、上下左右に略平行に配列され略水平方向に伸縮可能に延在する多段式の4本のシャフト部66Aを備えている。
The
左右一対のシャフト部66Aの先端部には、フォーク取付部材74を介してフォーク62の基部62Bが取り付けられており、左右一対のシャフト部66Aによって、フォーク62が略水平に支持されている。
A
図1、図5に示すように、基板搬送装置200の側方には、基板12が載置される基板載置台76が配設されている。基板載置台76の上面には、複数のピン80が縦横に立設されており、基板12は、ピン80の上に載置され、基板12と基板載置台76の上面との間には隙間ができるようになっている。
As shown in FIGS. 1 and 5, a substrate mounting table 76 on which the
ここで、ピン80の長さは、基板12と基板載置台76の上面との間にフォーク62を挿入できるように設定されている。また、基板載置台76は、フォーク62のスライド移動範囲内に配置されている。このため、基板載置台76に載置された基板12をフォーク62により保持すること、また、フォーク62により保持した基板12を基板載置台76上に載置することが可能となっている。
Here, the length of the
また、基板搬送装置200は、往路の移動開始位置まで移動したステージ14が、フォーク62のスライド移動範囲内に入るように配置されており、フォーク62により保持した基板12をステージ14上に載置することができるようになっている。
Further, the
ここで、後述するように、ステージ14上に載置された基板12は、リフトピン81、82の上昇により、ステージ14の上面14Aから浮いた状態となり、この状態で基板12とステージ14の上面14Aとの間にフォーク62を挿入できるように、リフトピン81、82の上昇量が設定されている。このため、ステージ14上に載置された基板12をフォーク62により保持することが可能である。
Here, as described later, the
次に、ステージ14について説明する。
Next, the
図6、図7に示すように、ステージ14には、基板載置装置10が設けられている。基板載置装置10は、上述のリフトピン81、82と、リフトピン81、82を上下動させる駆動機構の駆動源であるモータ110と、モータ110の駆動を制御する制御手段としてのモータ制御部114とを備えている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
ステージ14の上面14Aには、多数のピン86が縦横に立設されており、基板12は、このピン86の上に載置される。また、上面14Aには、リフトピン81、82が挿通される複数の挿通孔78と、複数の吸引孔88と、上面14Aを複数に仕切るリブ102A、102B、102Cが形成されている。
A large number of
挿通孔78は、矩形状の上面14Aの対角線上及び上面14Aの周縁部に沿った直線上に配設されており、上面14Aの中央部に矩形状に配設された4個の挿通孔78にはリフトピン81が挿通され、その他の挿通口78にはリフトピン82が挿通されている。即ち、リフトピン81は、上面14Aの中央部に矩形状に配設され、リフトピン82は、リフトピン81の周囲で上面14Aの対角線上及び上面14Aの周縁部に沿った直線上に配設されている。
The insertion holes 78 are disposed on the diagonal line of the rectangular
また、リフトピン81、82は、挿通孔78を通って上下動するように構成されており、最下位では、ステージ14内に引っ込み、最上位では、基板12と上面14Aとの間に、フォーク62を挿入可能な隙間を確保する。また、リフトピン81の先端部には吸盤83が設けられている。
The lift pins 81 and 82 are configured to move up and down through the
また、図8に示すように、リフトピン81、82の上面14Aからの突出量が、上面14AのX方向中央部から両端部にかけて次第に大きくなっている。
Further, as shown in FIG. 8, the amount of protrusion of the lift pins 81, 82 from the
また、図6、図7に示すように、リブ102A、102Bは、上面14AのX方向中央部においてステージ14の往復移動方向に沿って延在し、リブ102Cは、上面14Aの周縁部に沿って1周しており、上面14Aは、リブ102A、102B、102Cによって、X方向の中央部とその両側とに仕切られている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
また、複数の吸引孔88のうちの数個(例えば、図示するように4個)の吸引孔88は、リブ102Aとリブ102Bとの間に配設され、その他の吸引孔88は、リブ102Aとリブ102Cとの間、及びリブ102Bとリブ102Cとの間に配設されている。
In addition, several (for example, four as illustrated) suction holes 88 among the plurality of suction holes 88 are disposed between the
また、各吸引孔88は、ポンプ(図示省略)に接続されており、ポンプの作動により、基板12とリブ102A、102Bと上面14Aとに囲まれた空気室104A、基板12とリブ102A、102Cと上面14Aとに囲まれた空気室104Bと、基板12とリブ102B、102Dと上面14Aとに囲まれた空気室104Cとから排気が行われて空気室104A、104B、104Cが真空状態になり、基板12が上面14Aに真空吸着される。
Further, each suction hole 88 is connected to a pump (not shown), and by the operation of the pump, the
次に、以上のような構成のレーザ露光装置100の動作について説明する。
Next, the operation of the
まず、図1に示すように、基板搬送装置200が、スライド機構66、回転昇降機構64を作動させて基板載置台76上に載置された未露光の基板12を上側のフォーク62により保持する。この際、基板12は、上側のフォーク62の各腕部62Aの上面に設けられた複数の吸盤68により吸着保持される。
First, as shown in FIG. 1, the
そして、基板搬送装置200は、スライド機構66、回転昇降機構64を作動させて上下のフォーク62をステージ14に向けた後、図5、図8に示すように、上側のフォーク62上の基板12をステージ14の上方に配置する。そして、図9、図10に示すように、基板搬送装置200は、回転昇降機構64を作動させて上側のフォーク62上の基板12をリフトピン81、82上に載置し、吸盤83に吸着させる。
Then, the
この際、リフトピン81、82の上面14Aからの突出量が、上面14AのX方向中央部から両端部へかけて次第に高くなっていることにより、リフトピン81、82上に載置された基板12は、X方向中央部から両端部へかけて基板12とステージ14との間隔hが広くなるような状態で湾曲する。
At this time, the amount of protrusion of the lift pins 81 and 82 from the
そして、基板搬送装置200は、スライド機構66を作動させて上側のフォーク62を基板12と上面14Aとの間から抜き出した後、図11に示すように、スライド機構66、回転昇降機構64を作動させて、上側のフォーク62を基板載置台76上に載置された未露光の基板12と基板載置台76の上面との間へ挿入する。その後、基板搬送装置200は、回転昇降機構64、スライド機構66を作動させて、上側のフォーク62により該基板12を保持しステージ14に向ける。基板搬送装置200は、この状態で待機する。
Then, the
一方で、図12乃至図16及び図7に示すように、基板載置装置10では、モータ制御部114によりモータ110が駆動され、リフトピン81、82が降下して基板12をステージ14に載置する。この際、基板12は、X方向中央部から両端部へかけて、基板12とステージ14との間隔hが広がるように湾曲した状態で降下し、X方向の中央部から両端部へかけてステージ14との接触範囲を広げていく。
On the other hand, as shown in FIGS. 12 to 16 and 7, in the
また、基板12がステージ14に載置される際、ポンプが作動されて、空気室104A、104B、104Cから排気が行われ、基板12がステージ14に吸着される。
Further, when the
次に、ステージ14が往路での移動を開始し、基板12がCCDカメラ34によるアライメント検出工程へと搬送される。
Next, the
まず、コントローラ36により搬送機構16の駆動部28が制御され、基板12を上面に吸着・保持したステージ14が、ガイド24に沿って往動方向に一定速度で移動を開始する。そして、上述したように、CCDカメラ34がコンローラ36により所定タイミングで作動され、各アライメントマークがそれぞれ、各CCDカメラ34におけるレンズの光軸上(各CCDカメラ34の真下)に達すると、各CCDカメラ34は、それぞれ所定のタイミングでストロボ光源34Aを発光し、各アライメントマークを撮影する。そして、上述したように、コントローラ36において、撮影された画像データから各アライメントマークの位置が算出される。
First, the
画像データ処理部11は、算出された各アライメントマークの位置と、そのアライメントマークを撮影したときのステージ14の位置及び各CCDカメラ34の位置から、演算処理によって、ステージ14上における基板12の位置ずれ、移動方向に対する傾き、寸法精度誤差等を把握し、基板12の被露光面に対する適正な露光位置を算出する。
The image
ここで、露光パターンに応じた画像データは、コントローラ36内のメモリに一旦記憶されている。したがって、露光ユニット32による画像露光時に、そのメモリに記憶されている露光パターンの画像データに基づいて生成する制御信号を、上記した適正な露光位置に合わせ込んで画像露光する補正制御(アライメント)を実行する。なお、この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を2値(ドットの記録の有無)で表したデータである。
Here, the image data corresponding to the exposure pattern is temporarily stored in the memory in the
こうして、各CCDカメラ34による各アライメントマーク18の測定(撮影)が完了すると、ステージ14は搬送機構16により、ガイド24に沿って一旦露光位置を通過した後、復路で移動し、露光位置を通過する。そして、基板12はステージ14の移動に伴い、各露光ヘッド38の下方を移動し、被露光面の描画領域が露光開始位置に達すると、各露光ヘッド38はレーザビームを照射して基板12の被露光面(描画領域)に対する画像露光を開始する。
Thus, when the measurement (photographing) of each alignment mark 18 by each
すなわち、コントローラ36のメモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部11で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド38毎に制御信号が生成される。この制御信号には、補正制御(アライメント)により、アライメント測定した基板12に対する露光位置ずれの補正が加えられている。そして、ミラー駆動制御部13は、生成及び補正された制御信号に基づいて各露光ヘッド38毎にDMDのマイクロミラーの各々をオン・オフ制御する。
That is, the image data stored in the memory of the
照明装置44の光ファイバー46から出射されたレーザ光がDMDに照射されると、DMDのマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光が、レンズ系により基板12の被露光面上に結像される。つまり、照明装置44から出射されたレーザ光が画素毎にオン・オフされて、基板12がDMDの使用画素数と略同数の画素単位で露光される。
When the laser beam emitted from the
そして、基板12がステージ14と共に一定速度で移動されることにより、基板12が各露光ヘッド38によってステージ14の復動方向と反対の方向、即ち走査方向に露光され、各露光ヘッド38毎に帯状の露光済み領域42が形成される(図2参照)。各露光ヘッド38による基板12への画像露光が完了すると、ステージ14は搬送機構16により、基板12が載置された初期位置に復帰される。
Then, by moving the
ステージ14が初期位置へ復帰移動すると、リフトピン81、82が上昇し、基板12のステージ14の上面14Aへの吸着が解除される。そして、図17に示すように、上下のフォーク62をステージ14へ向けた状態で待機している基板搬送装置200が、スライド機構66、回転昇降機構64を作動させて下側のフォーク62により露光済みの基板12を保持する。
When the
そして、図18、図19に示すように、基板搬送装置200は、スライド機構66を作動させて露光済みの基板12をステージ14から取り除くと共に、未露光の基板12を保持した上側のフォーク62により未露光の基板12をリフトピン81、82上に載置する。
As shown in FIGS. 18 and 19, the
そして、図19に示すように、基板搬送装置200は、回転調整機構64、スライド機構66を作動させて下側のフォーク62により露光済みの基板12を基板載置台76上に載置する。そして、基板載置台76上に載置された露光済みの基板12は、機外の搬送コンベア(図示省略)へ搬送され、次工程へ搬送される
ところで、リフトピン81、82の降下速度V、降下加速度Aが図21のグラフに示すプロファイルとなるように、モータ制御部114がモータ110をオープン制御している。図21のグラフからわかるように、リフトピン81、82の降下速度Vは、降下を開始した直後、即ち、ステージ14と基板12との間隔hが大きい間は大きくなっており、時間が経過するにつれて、即ち、ステージ14と基板12との間隔hが小さくなるにつれて、次第に小さくなっている。
Then, as shown in FIG. 19, the
ここで、リフトピン81、82の降下速度Vは、ステージ14と基板12との圧力Pが下記(1)式を満足するように予め設定されている。
Here, the lowering speed V of the lift pins 81 and 82 is set in advance so that the pressure P between the
P<G+S…(1)
但し、Gは、基板12の重力、Sは、基板12と吸盤83との吸着力である。
P <G + S (1)
Here, G is the gravity of the
また、図22に示すように、基板12が降下している間のステージ14と基板12との間の圧力Pは、下記(2)式を満足している。
Further, as shown in FIG. 22, the pressure P between the
P=2∫0 L/2Pn、(Pn=Pn−1+αμLV/h2)…(2)
但し、Lは基板12の長辺の長さ、αは基板12のサイズによって異なる比例定数であり、本実施形態では12、μは空気抵抗である。
P = 2∫ 0 L / 2 Pn , (Pn = P n-1 + αμLV / h 2) ... (2)
However, L is the length of the long side of the board |
即ち、本実施形態では、ステージ14と基板12との間の圧力Pが、基板12の重力Gと、基板12と吸盤83との吸着力Sとの和を超えない範囲内、即ち、基板12と吸盤83との吸着が維持される範囲内で、基板12の降下速度Vが増減されており、基板12とステージ14との間隔hが大きく、基板12にかかる圧力Pが小さい間は、基板12の降下速度Vを増加し、ステージ14と基板12との間隔hが小さくなって基板12にかかる圧力Pが増加すると、基板12の降下速度Vを減少させている。
That is, in the present embodiment, the pressure P between the
これによって、基板12を降下させている間に基板12と吸盤83との吸着を維持すると共に、基板12をステージ14へ降下させる時間を短縮できる。
As a result, while the
また、基板12のX方向中央部から両端部へかけて基板12とステージ14との間隔hが広くなるように、基板12を湾曲させた状態で、降下させるように構成したことにより、降下中の基板12とステージ14との間の圧力の上昇を抑制でき、基板12と吸盤83との吸着が解除されることを抑制できる。
In addition, since the
次に、本実施形態においてオープン制御に替えて行われるフィードバック制御について図23のフローチャートを参照して説明する。 Next, feedback control performed in place of the open control in the present embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG.
まず、基板12が初期位置にセットされたことが確認されると処理ルーチンが開始されてステップ1へ移行する。ステップ1では、モータ110が駆動されて、リフトピン81、82が、予め設定されている図22に示すプロファイルの降下速度Vで降下する。
First, when it is confirmed that the
次に、ステップ2では、モータ制御部114において、モータ110の回転信号からリフトピン81、82の降下速度V、ステージ14と基板12との間隔hが判断され、該降下速度V、該間隔hに応じた圧力である圧力Psが、上記(2)の演算式から演算される。
Next, in
ここで、図24、図25に示すように、上面14Aの中央部には、円状の貫通孔116が空けられ、上面14Aの裏面側には、圧力検出手段としての圧力センサ112が貫通孔116に面して配設されており、ステージ14と基板12との間の実際の圧力Peが、圧力センサ112によって実測され、圧力Peの測定データがモータ制御部114へ送信されるようになっている。
Here, as shown in FIGS. 24 and 25, a circular through hole 116 is formed in the center of the
モータ制御部114では、圧力Peが、演算された圧力Psよりも大きいか否かが判定され、判定が肯定されるとステップ3へ移行し、判定が否定されるとステップ4へ移行する。
The
ステップ3では、モータ制御部114によりモータ110の回転速度が低下される。その後、再びステップ2の判定が実行され、判定が肯定されている間は、ステップ2、3が繰り返し実行される。一方、ステップ4では、モータ制御部114により、リフトピン81、82の降下開始から終了までの時間が経過したか否かが判定され、判定が否定されるステップ2へ移行してステップ2〜4が繰り返し実行され、判定が肯定されると処理ルーチンを終了する。
In
即ち、本実施形態では、圧力センサ112から出力された圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、リフトピン81、82の降下速度Vを制御している。
That is, in the present embodiment, the descending speed V of the lift pins 81 and 82 is set so that the actual measured value Pe output from the
これによって、様々な変動要因により、基板12を降下させている間の基板12とステージ14との間の実際の圧力と、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psとの間に誤差が生じた場合でも、基板12と吸盤83との吸着を維持できる。
As a result, due to various fluctuation factors, the actual pressure between the
以上、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは陶業者にとって明らかである。例えば、本実施形態では、本発明の基板載置装置及び方法を、レーザ露光装置に適用したが、検査装置等の他の装置にも適用可能である。 The present invention has been described in detail with respect to specific embodiments. However, the present invention is not limited to such embodiments, and it is understood that various other embodiments are possible within the scope of the present invention. It is clear to the contractor. For example, in the present embodiment, the substrate mounting apparatus and method of the present invention are applied to a laser exposure apparatus, but can be applied to other apparatuses such as an inspection apparatus.
また、本実施形態では、上記(2)式では、Lを基板12の長辺の長さとしたが、Lを基板12の短辺の長さとしても良い。この場合には、比例定数αを変えることで対応可能である。
In this embodiment, L is the length of the long side of the
また、本実施形態では、基板12の降下速度Vのプロファイルの少なくとも最高値が、基板12の自然落下速度よりも大きいことが好ましい。
In this embodiment, it is preferable that at least the maximum value of the profile of the descending speed V of the
10 基板載置装置
12 基板
14 ステージ
81 リフトピン(基板載置手段)
112 モータ制御部(制御手段)
114 圧力センサ(圧力検出手段)
DESCRIPTION OF
112 Motor control unit (control means)
114 Pressure sensor (pressure detection means)
Claims (16)
前記基板と前記基板載置手段との吸着が維持される速度プロファイルで前記基板載置手段を降下させる制御手段と、
を有することを特徴とする基板載置装置。 A substrate mounting means for sucking and holding the substrate and lowering and mounting on the stage;
Control means for lowering the substrate mounting means with a velocity profile that maintains the adsorption between the substrate and the substrate mounting means;
A substrate mounting apparatus characterized by comprising:
P<G+S…(1) The control means is a velocity profile in which the pressure P between the substrate and the stage, the gravity G of the substrate, and the adsorption force S between the substrate and the substrate mounting means satisfy the following expression (1): 2. The substrate mounting apparatus according to claim 1, wherein the substrate mounting means is lowered.
P <G + S (1)
P=2∫0 L/2Pn、(Pn=Pn−1+αμLV/h2)…(2)
但し、Lは前記基板の長辺又は短辺の長さ、αは比例定数、μは空気抵抗、Vは前記基板載置手段の降下速度である。 The said pressure P satisfies the following (2) Formula, The substrate mounting apparatus of Claim 3 characterized by the above-mentioned.
P = 2∫ 0 L / 2 P n, (P n = P n-1 + αμLV / h 2) ... (2)
However, L is the length of the long side or short side of the substrate, α is a proportionality constant, μ is air resistance, and V is the descending speed of the substrate mounting means.
前記制御手段は、前記圧力センサから出力された圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、前記降下速度Vを制御することを特徴とする請求項4に記載の基板載置装置。 A pressure sensor that outputs an actual measurement value Pe between the substrate and the stage to the control means;
The control means controls the descent speed V so that the actual pressure value Pe output from the pressure sensor is smaller than the calculated pressure value Ps calculated from the above equation (2). The substrate mounting apparatus according to claim 4.
P<G+S…(1) The substrate placement is performed at a velocity profile in which the pressure P between the substrate and the stage, the gravity G of the substrate, and the suction force S between the substrate and the substrate placement means satisfy the following expression (1). 9. The substrate mounting method according to claim 8, wherein the means is lowered.
P <G + S (1)
P=2∫0 L/2Pn、(Pn=Pn−1+αμLV/h2)…(2)
但し、Lは前記基板の長辺又は短辺の長さ、αは比例定数、μは空気抵抗、Vは前記基板載置手段の降下速度である。 The substrate mounting method according to claim 10, wherein the pressure P satisfies the following expression (2).
P = 2∫ 0 L / 2 P n, (P n = P n-1 + αμLV / h 2) ... (2)
However, L is the length of the long side or short side of the substrate, α is a proportionality constant, μ is air resistance, and V is the descending speed of the substrate mounting means.
前記圧力センサにより取得された圧力の実測値Peが、上記(2)式から演算される圧力の演算値Psよりも小さくなるように、前記降下速度Vを制御することを特徴とする請求項12に記載の基板載置方法。 An actual measurement value Pe between the substrate and the stage is obtained by a pressure sensor,
13. The descending speed V is controlled so that an actual pressure value Pe acquired by the pressure sensor is smaller than a calculated pressure value Ps calculated from the equation (2). The substrate mounting method according to the above.
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