JP2008090238A

JP2008090238A - Wire grid polarizing plate and method of manufacturing the same

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Publication number: JP2008090238A
Application number: JP2006274175A
Authority: JP
Inventors: Norikazu Miyashita; 憲和宮下
Original assignee: Asahi Kasei Corp
Current assignee: Asahi Kasei Corp
Priority date: 2006-10-05
Filing date: 2006-10-05
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2026-10-05
Also published as: JP5026759B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wire grid polarizing plate having metallic wires stably erected at ≤150 nm pitch and having both excellent polarization degree and light transmissivity through a wide range of visible ray and a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The wire grid polarizing plate has a base material 1, a dielectric layer 2 provided on the base material 1 and comprising an inorganic dielectric body having a refractive index higher than that of a material comprising the base material and a metallic wire layer having the metallic wires 3 erected parallel to each other at equal interval on the dielectric layer 2. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、微細凹凸格子を有するワイヤグリッド偏光板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a wire grid polarizer having a fine concavo-convex grid and a method for manufacturing the same.

近年のフォトリソグラフィー技術の発達により、光の波長レベルの周期を有する微細構造パターンを形成することができるようになってきた。このように非常に狭い周期のパターンを有する部材や製品は、半導体分野だけでなく、光学分野において利用範囲が広く有用である。 With the recent development of photolithography technology, it has become possible to form a fine structure pattern having a period of light wavelength level. Such a member or product having a pattern with a very narrow period is widely useful not only in the semiconductor field but also in the optical field.

例えば、基材と、この基材上に特定のピッチで互いに平行に立設された金属ワイヤとを含む構造体は、そのピッチが入射光、例えば可視光の波長４００ｎｍから７００ｎｍに比べて大きければ、回折格子となる。逆に、そのピッチが可視光の波長よりもかなり小さいピッチ、例えば２分の１以下であれば、金属ワイヤが、金属ワイヤの長手方向に平行に振動する電場ベクトル成分をほとんど反射し、金属ワイヤの長手方向に垂直に振動する電場ベクトル成分はほとんど透過するため、単一偏光を作り出す偏光板としてこの構造体を使用することができる。実際、そのような構造体は、ワイヤグリッド偏光板（ワイヤグリッド偏光子とも呼ばれる）として、各種の液晶表示装置、偏光ビームスプリッター、偏光反射鏡、光アイソレータに利用されている。ワイヤグリッド偏光板は、反射板などを用いることで透過しない光を再利用することができるので、光の有効利用の観点からも望ましいものである。 For example, a structure including a base material and metal wires erected in parallel with each other at a specific pitch on the base material has a larger pitch than incident light, for example, a wavelength of visible light of 400 nm to 700 nm. Becomes a diffraction grating. On the other hand, if the pitch is much smaller than the wavelength of visible light, for example, half or less, the metal wire reflects almost the electric field vector component that oscillates parallel to the longitudinal direction of the metal wire. Since the electric field vector component oscillating perpendicularly to the longitudinal direction of the light is almost transmitted, this structure can be used as a polarizing plate for producing a single polarized light. In fact, such a structure is used as a wire grid polarizer (also called a wire grid polarizer) in various liquid crystal display devices, polarization beam splitters, polarization reflectors, and optical isolators. Since the wire grid polarizer can reuse light that does not pass through the use of a reflector or the like, it is also desirable from the viewpoint of effective use of light.

近年、非常に狭い周期の周期的な格子状凸部を有するワイヤグリッド偏光子が開発されている。例えば、特許文献１によるワイヤグリッド偏光子は、基板とグリッド導電素子との間に、基板の屈折率より屈折率が低く厚さが制御された領域を設けることで、「レイリー共鳴」と呼ばれる、光の透過特性と反射特性との間で急激に変化する共鳴現象の最長波長の共鳴ポイントを可視光領域より短波長へシフトさせ、これによって共鳴効果が発生しない可視波長の帯域を広げることで、グリッド導電素子のピッチが２００ｎｍで可視光用のワイヤグリッド偏光子を実現している。 In recent years, wire grid polarizers having periodic lattice-shaped convex portions with a very narrow period have been developed. For example, the wire grid polarizer according to Patent Document 1 is called “Rayleigh resonance” by providing a region having a refractive index lower than the refractive index of the substrate and a controlled thickness between the substrate and the grid conductive element. By shifting the resonance point of the longest wavelength of the resonance phenomenon that rapidly changes between the light transmission characteristic and the reflection characteristic to a shorter wavelength than the visible light region, thereby expanding the visible wavelength band where the resonance effect does not occur, A wire grid polarizer for visible light is realized with a grid conductive element pitch of 200 nm.

このワイヤグリッド偏光子の製造工程においては、透明基板の表面上に透明誘電体の膜を堆積させ、次いでホログラフィ干渉リソグラフィを使用してフォトレジスト内に微細な格子構造を形成し、次いでこの構造を金属膜に転写して平行なグリッド導電素子のアレイを前記基板上に形成する。その後、このグリッド導電素子をマスクとして基板をエッチングして、導電素子を支持するリブを作製する。 In the manufacturing process of the wire grid polarizer, a transparent dielectric film is deposited on the surface of a transparent substrate, and then a holographic interference lithography is used to form a fine lattice structure in the photoresist. An array of parallel grid conductive elements is formed on the substrate by transferring to a metal film. Thereafter, the substrate is etched using the grid conductive element as a mask to produce a rib for supporting the conductive element.

また、特許文献２には、格子パターンを有する型を作製し、基材上に金属薄膜とポリマーとを所定の順序で形成し、前記型を利用してエンボス技法によりポリマーに格子パターンを転写し、そのパターンをマスクにして金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成し、その後ポリマーを除去することにより、ピッチが１２０ｎｍ以下のワイヤグリッド偏光子を製造する方法が開示されている。
特表２００３−５０２７０８号公報特開２００６−８４７７６号公報 In Patent Document 2, a mold having a lattice pattern is prepared, a metal thin film and a polymer are formed on a substrate in a predetermined order, and the lattice pattern is transferred to the polymer by an embossing technique using the mold. A method of manufacturing a wire grid polarizer having a pitch of 120 nm or less by etching a metal thin film using the pattern as a mask to form a metal lattice pattern and then removing the polymer is disclosed.
Special table 2003-502708 gazette JP 2006-84776 A

しかしながら、特許文献１に開示されたワイヤグリッド偏光子は、共鳴効果の影響を避けるために、使用できる誘電体の種類が限定されるというだけでなく、現在のフォトリソグラフィー技術を用いて作製しているため、ワイヤグリッドのピッチが１５０ｎｍ以下の格子状凸部を有するワイヤグリッド偏光子を安価に製造することができず、可視光の低波長域（約４００ｎｍの領域）において十分な偏光度が得られない。 However, the wire grid polarizer disclosed in Patent Document 1 is not only limited in the types of dielectrics that can be used in order to avoid the influence of the resonance effect, but also manufactured using the current photolithography technology. Therefore, a wire grid polarizer having a grid-like convex portion with a wire grid pitch of 150 nm or less cannot be manufactured at a low cost, and a sufficient degree of polarization can be obtained in a low wavelength region of visible light (approximately 400 nm region). I can't.

また、特許文献２に開示されたワイヤグリッド偏光子は、型を用いてエンボス技法を利用しており、その型を現在のフォトリソグラフィー技術で作製しているため、単位寸法が１００ｃｍ^２以上の、１５０ｎｍ以下のピッチを有するワイヤグリッド偏光子を得ることは困難である。さらに、特許文献２に開示されたワイヤグリッド偏光子は、基板上に直に金属ワイヤが密着した形態であるので、基板と金属ワイヤとの間の密着強度が低く、金属ワイヤが安定して立設されないという問題もある。 Moreover, since the wire grid polarizer disclosed in Patent Document 2 uses an embossing technique using a mold, and the mold is manufactured by the current photolithography technique, the unit dimension is 100 cm ² or more. It is difficult to obtain a wire grid polarizer having a pitch of 150 nm or less. Furthermore, since the wire grid polarizer disclosed in Patent Document 2 has a form in which the metal wire is in close contact with the substrate, the adhesion strength between the substrate and the metal wire is low, and the metal wire stands stably. There is also a problem that it is not installed.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、金属ワイヤが１５０ｎｍ以下のピッチで安定して立設されており、可視光領域の広帯域にわたって優れた偏光度と光線透過率を両立するワイヤグリッド偏光板及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and a wire grid in which metal wires are erected stably at a pitch of 150 nm or less and have both excellent polarization degree and light transmittance over a wide band in the visible light region. It aims at providing a polarizing plate and its manufacturing method.

本発明のワイヤグリッド偏光板は、基材と、前記基材上に設けられ、前記基材を構成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する無機誘電体で構成された誘電体層と、前記誘電体層上に、互いに平行で等間隔に立設された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ層と、を具備することを特徴とする。 The wire grid polarizing plate of the present invention includes a base material, and a dielectric layer formed on the base material and made of an inorganic dielectric having a refractive index larger than the refractive index of the material constituting the base material, And a metal wire layer having a plurality of metal wires arranged in parallel and at equal intervals on the dielectric layer.

本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記金属ワイヤ層は、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で、前記長手方向と略平行な方向に一軸延伸することにより得られた延伸部材の微細凹凸格子を転写して作製されたスタンパを用いて、前記誘電体層上に設けられた金属層から作製されたことが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, the metal wire layer has a stretched member having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface, and the width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the concavo-convex grid. In a state in which the step is freed, the stamper is provided on the dielectric layer using a stamper produced by transferring a fine concavo-convex lattice of a stretched member obtained by uniaxial stretching in a direction substantially parallel to the longitudinal direction. Preferably, it was made from a metal layer.

本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記金属ワイヤのピッチが１５０ｎｍ以下であることが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, the pitch of the metal wires is preferably 150 nm or less.

本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記基材が、透明な樹脂基材であることが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, the base material is preferably a transparent resin base material.

本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記無機誘電体は、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、及びそれらの複合物からなる群より選ばれたもので構成されていることが好ましい。 In the wire grid polarizer of the present invention, the inorganic dielectric is selected from the group consisting of titanium oxide, cerium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, yttrium oxide, silicon oxide, silicon nitride, aluminum nitride, and composites thereof. It is preferable that it is comprised.

本発明のワイヤグリッド偏光板においては、前記金属ワイヤは、アルミニウム又はその合金で構成されていることが好ましい。 In the wire grid polarizer of the present invention, the metal wire is preferably made of aluminum or an alloy thereof.

本発明のワイヤグリッド偏光板においては、単位寸法が１００ｃｍ^２以上であることが好ましい。 In the wire grid polarizing plate of the present invention, the unit dimension is preferably 100 cm ² or more.

本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法は、基材上に、前記基材を構成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する無機誘電体で構成された誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で、前記長手方向と略平行な方向に一軸延伸することにより得られた延伸部材の微細凹凸格子を転写してスタンパを作製する工程と、前記スタンパを用いて、前記金属層を、互いに平行で等間隔に立設された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ層にする工程と、を具備することを特徴とする。 The method for producing a wire grid polarizing plate of the present invention includes a step of forming a dielectric layer made of an inorganic dielectric having a refractive index larger than the refractive index of the material constituting the base material on the base material, A step of forming a metal layer on the dielectric layer, and a stretched member having a concavo-convex lattice with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface, the width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the concavo-convex lattice can be freely set. In this state, a step of producing a stamper by transferring a fine concavo-convex lattice of a stretched member obtained by uniaxially stretching in a direction substantially parallel to the longitudinal direction, and using the stamper, the metal layer, And a step of forming a metal wire layer having a plurality of metal wires standing in parallel with each other at equal intervals.

本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法においては、前記金属層を金属ワイヤ層にする工程は、前記金属層上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層に前記スタンパの微細凹凸格子を転写する工程と、前記樹脂層に転写された微細凹凸格子をマスクとして前記金属層をエッチングすることにより前記金属ワイヤ層を形成する工程と、を含むことが好ましい。 In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the step of converting the metal layer into a metal wire layer includes a step of forming a resin layer on the metal layer, and a transfer of the fine uneven lattice of the stamper to the resin layer. And a step of forming the metal wire layer by etching the metal layer using the fine concavo-convex lattice transferred to the resin layer as a mask.

本発明によれば、基材と金属ワイヤ層との間に誘電体層を設けているので、基材と誘電体層との間及び誘電体層と金属ワイヤ層との間で十分な密着力があり、結果として狭ピッチの金属ワイヤを安定して立設することができると共に、可視光領域の広帯域にわたって優れた偏光度と透過率を両立することができる。また、現在のフォトリソグラフィー技術だけを用いるのではなく、延伸によってピッチを縮小して作製した型を用いるので、金属ワイヤのピッチを１５０ｎｍ以下で、１００ｃｍ^２以上の大面積のワイヤグリッド偏光板を容易に製造することができる。 According to the present invention, since the dielectric layer is provided between the base material and the metal wire layer, sufficient adhesion between the base material and the dielectric layer and between the dielectric layer and the metal wire layer is sufficient. As a result, a metal wire with a narrow pitch can be stably erected, and an excellent degree of polarization and transmittance can be achieved over a wide band in the visible light region. In addition, since a mold produced by reducing the pitch by stretching is used instead of using only the current photolithography technology, a wire grid polarizer having a large area of 100 cm ² or more with a metal wire pitch of 150 nm or less can be easily obtained. Can be manufactured.

以下、本発明の実施の形態について、（１）本発明のワイヤグリッド偏光板、（２）本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法において用いる型の作製方法、（３）本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法の順で添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, with respect to the embodiments of the present invention, (1) the wire grid polarizing plate of the present invention, (2) the mold production method used in the method of manufacturing the wire grid polarizing plate of the present invention, and (3) the wire grid polarization of the present invention. A plate manufacturing method will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

（１）本発明のワイヤグリッド偏光板
図１は、本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板の一部を示す概略断面図である。図１に示すワイヤグリッド偏光板は、基材１と、この基材１上に設けられ、基材１を構成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する無機誘電体で構成された誘電体層２と、誘電体層２上に、互いに平行で等間隔に立設された複数の金属ワイヤ３を有する金属ワイヤ層と、から主に構成されている。 (1) Wire Grid Polarizing Plate of the Present Invention FIG. 1 is a schematic sectional view showing a part of the wire grid polarizing plate according to the embodiment of the present invention. The wire grid polarizing plate shown in FIG. 1 is a dielectric composed of a base material 1 and an inorganic dielectric provided on the base material 1 and having a refractive index larger than the refractive index of the material constituting the base material 1. It is mainly composed of a layer 2 and a metal wire layer having a plurality of metal wires 3 standing on the dielectric layer 2 in parallel with each other at equal intervals.

基材１としては、可視光領域で実質的に透明な基材を用いることができる。基材１としては、液晶パネルに組み込みしやすくするためのフレキシブル性、大型化する際の軽量化のしやすさ、安価に大量に製造することなどを考慮すると、可視光領域で実質的に透明な樹脂であることが好ましい。可視光領域で実質的に透明な樹脂としては、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、架橋ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアリレート樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などの非晶性熱可塑性樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂などの結晶性熱可塑性樹脂；アクリル系、エポキシ系、ウレタン系などの紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。また、基材１としては、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂で構成された樹脂基材と、ガラス基板などの無機基板、上記熱可塑性樹脂基材、トリアセテート樹脂基材とを組み合せた積層基材を用いることもできる。 As the substrate 1, a substrate that is substantially transparent in the visible light region can be used. Substrate 1 is substantially transparent in the visible light region in consideration of flexibility for easy incorporation into a liquid crystal panel, ease of weight reduction when it is enlarged, and mass production at low cost. It is preferable that it is resin. Examples of the substantially transparent resin in the visible light region include polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polystyrene (PS) resin, cycloolefin polymer (COP), cross-linked polyethylene resin, polyvinyl chloride resin, polyarylate resin polyphenylene ether. Amorphous thermoplastic resins such as resins, modified polyphenylene ether resins, polyetherimide resins, polyether sulfone resins, polysulfone resins, polyether ketone resins; polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate resins, polyethylene resins, polypropylene resins Crystalline thermoplastic resins such as polybutylene terephthalate resin, aromatic polyester resin, polyacetal resin, polyamide resin; UV light such as acrylic, epoxy, and urethane It includes resistance resin or thermosetting resin. Moreover, as the base material 1, the laminated base which combined the resin base material comprised with the ultraviolet curable resin or the thermosetting resin, inorganic substrates, such as a glass substrate, the said thermoplastic resin base material, and a triacetate resin base material. A material can also be used.

本発明に係るワイヤグリッド偏光板においては、ワイヤグリッドの周期（金属ワイヤのピッチｐ）が可視光の波長に比べて十分に小さいことから、誘電体層２の屈折率については制限がない。すなわち、誘電体層２及び誘電体層２を含む厚さの領域の屈折率は、基材１を構成する材料の屈折率よりも高くても、低くても、あるいは同じであっても良い。しかしながら、誘電体層２の厚みを薄くすることができる、誘電体層２の構造強度が一般的に高くなる、ということから、誘電体層２の屈折率は、基材１を構成する材料の屈折率よりも高く設定する。 In the wire grid polarizing plate according to the present invention, since the period of the wire grid (the pitch p of the metal wire) is sufficiently smaller than the wavelength of visible light, the refractive index of the dielectric layer 2 is not limited. That is, the refractive index of the dielectric layer 2 and the thickness region including the dielectric layer 2 may be higher, lower, or the same as the refractive index of the material constituting the substrate 1. However, since the thickness of the dielectric layer 2 can be reduced, and the structural strength of the dielectric layer 2 is generally increased, the refractive index of the dielectric layer 2 is determined by the material constituting the substrate 1. Set higher than the refractive index.

誘電体層２は、可視光領域で透明あるいは非透明であって実質的に厚みが薄く、可視光が十分透過するものであれば良い。また、誘電体層２は、基材１を構成する材料及び／又は金属ワイヤ３を構成する金属との間の密着性が高い無機誘電体であることが重要である。このような無機誘電体としては、例えば、珪素（Ｓｉ）の酸化物、窒化物、ハロゲン化物、炭化物の単体又はその複合物や、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニア（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム（Ｂａ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、銅（Cu）などの金属の酸化物、窒化物、ハロゲン化物、炭化物の単体又はそれらの複合物を用いることができる。好ましくは、無機誘電体は、酸化珪素もしくはその複合物、又は誘電体層２の屈折率あるいは誘電体層２を含む厚さの領域の屈折率が、基材１を構成する材料の屈折率よりも高くなる珪素もしくは上記金属の酸化物、窒化物の単体又はその複合物であり、さら好ましくは、無機誘電体は、酸化珪素、酸化チタン、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム又はそれらの複合物である。 The dielectric layer 2 only needs to be transparent or non-transparent in the visible light region, substantially thin in thickness, and sufficiently transmit visible light. In addition, it is important that the dielectric layer 2 is an inorganic dielectric having high adhesion between the material constituting the substrate 1 and / or the metal constituting the metal wire 3. Examples of such inorganic dielectrics include silicon (Si) oxides, nitrides, halides, carbides alone or a composite thereof, aluminum (Al), chromium (Cr), yttrium (Y), zirconia. (Zr), tantalum (Ta), titanium (Ti), barium (Ba), indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), magnesium (Mg), calcium (Ca), cerium (Ce), copper A metal oxide such as (Cu), nitride, halide, carbide alone or a composite thereof can be used. Preferably, the inorganic dielectric has silicon oxide or a composite thereof, or the refractive index of the dielectric layer 2 or the refractive index of the region including the dielectric layer 2 is higher than the refractive index of the material constituting the substrate 1. Silicon or the above metal oxide, nitride alone or a composite thereof, more preferably, the inorganic dielectric is silicon oxide, titanium oxide, cerium oxide, aluminum oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, nitride Silicon, aluminum nitride, or a composite thereof.

本発明のワイヤグリッド偏光板において、基材１を構成する材料及び／又は金属ワイヤ３を構成する金属との間の十分な密着性を得るために誘電体層２が設けられている。基材１が樹脂基材である場合においては、樹脂基材上に直接金属ワイヤを立設すると、樹脂基材と金属ワイヤとの間の接触部分が有機材料と無機材料の接触になるので、相対的に密着力が弱く、安定して基材上に金属ワイヤを立設することが困難である。本発明のワイヤグリッド偏光板においては、基材１上全面に誘電体層２を設けているので、基材１が樹脂基材であっても、基材１と誘電体層２との間の接触面積が相対的に大きいので、両者間で密着力を発揮することができる。また、基材１上全面に誘電体層２を設けているので、樹脂基材から発生する低分子量揮発物を抑制する点からも有利である。さらに、誘電体層２は無機誘電体で構成されているので、誘電体層２上に形成される金属ワイヤ３との間は無機材料と無機材料の接触になり、両者間で密着力を発揮することができる。 In the wire grid polarizer of the present invention, the dielectric layer 2 is provided in order to obtain sufficient adhesion between the material constituting the substrate 1 and / or the metal constituting the metal wire 3. In the case where the substrate 1 is a resin substrate, when a metal wire is erected directly on the resin substrate, a contact portion between the resin substrate and the metal wire becomes a contact between the organic material and the inorganic material. Adhesive strength is relatively weak and it is difficult to stably stand a metal wire on a substrate. In the wire grid polarizing plate of the present invention, since the dielectric layer 2 is provided on the entire surface of the base material 1, even if the base material 1 is a resin base material, it is between the base material 1 and the dielectric layer 2. Since the contact area is relatively large, adhesion between the two can be exhibited. Further, since the dielectric layer 2 is provided on the entire surface of the base material 1, it is advantageous from the viewpoint of suppressing low molecular weight volatiles generated from the resin base material. Further, since the dielectric layer 2 is composed of an inorganic dielectric, the metal wire 3 formed on the dielectric layer 2 is in contact with the inorganic material and exhibits an adhesive force between the two. can do.

このように、基材１と誘電体層２との間、誘電体層２と金属ワイヤ３との間の密着性が向上することにより、誘電体層２上に安定して金属ワイヤ３を立設することができ、誘電体層２上に金属ワイヤ３を高く積層しても、ワイヤグリッドの外力に対する構造強度を高く保つことが可能となる。 As described above, the adhesion between the base material 1 and the dielectric layer 2 and between the dielectric layer 2 and the metal wire 3 is improved, so that the metal wire 3 is stably placed on the dielectric layer 2. Even if the metal wire 3 is highly stacked on the dielectric layer 2, the structural strength against the external force of the wire grid can be kept high.

誘電体層２の厚さは、基材１及び誘電体層２の屈折率を踏まえ、偏光度や光線透過率などの光学的特性が最適となるように適宜設定する。誘電体層２の断面形状は、基材１の断面形状、誘電体層２の積層方法／条件、金属ワイヤ３のエッチング方法／条件などにより決まる。良好な光学特性と、金属ワイヤ３の台座として金属ワイヤ３と高い密着強度を得るためには、さらに基材１が樹脂基材である場合のフレキシブル性を考慮すると、その誘電体層２の厚さＨ_２は、１ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは２０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは６０ｎｍ〜１２０ｎｍである。また、基材１の厚さと誘電体層２の厚さとの間の合計の厚さは、１００ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましく、さら好ましくは１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。 The thickness of the dielectric layer 2 is appropriately set based on the refractive indexes of the base material 1 and the dielectric layer 2 so that the optical characteristics such as the degree of polarization and the light transmittance are optimized. The cross-sectional shape of the dielectric layer 2 is determined by the cross-sectional shape of the substrate 1, the lamination method / condition of the dielectric layer 2, the etching method / condition of the metal wire 3, and the like. In order to obtain good optical characteristics and high adhesion strength with the metal wire 3 as a pedestal of the metal wire 3, the thickness of the dielectric layer 2 is further considered in consideration of flexibility when the substrate 1 is a resin substrate. is _{H 2} is, 1 nm to 200 nm, preferably 20 nm to 150 nm, more preferably from 60Nm～120nm. Further, the total thickness between the thickness of the substrate 1 and the dielectric layer 2 is preferably 100 nm to 300 nm, and more preferably 150 nm to 250 nm.

金属ワイヤ３を構成する金属は、可視光領域で光の反射率が高く、かつ誘電体層２を構成する材料との間の密着性が高い材料を挙げることができる。好ましくは、複素屈折率の観点からアルミニウムあるいはその合金、銀あるいはその合金であり、この中で価格の安いアルミニウムあるいはその合金が好ましい。 Examples of the metal constituting the metal wire 3 include a material having a high light reflectance in the visible light region and a high adhesion with the material constituting the dielectric layer 2. Of these, aluminum or an alloy thereof, silver or an alloy thereof is preferable from the viewpoint of complex refractive index, and among them, inexpensive aluminum or an alloy thereof is preferable.

金属ワイヤ３を構成する材料の種類（元素、化学組成、純度）、断面形状（金属ワイヤ３の高さＨ_３と幅ｗ_３）及びワイヤグリッドのピッチｐに対する金属ワイヤ３の幅ｗ_３との比率（Ｄｕｔｙ比）は、基材１や誘電体層２の種類や厚さに比べて、ワイヤグリッド偏光板の光学特性に大きな影響を与える。具体的には、アルミニウムの場合バルクの複素屈折率に近いことが光学特性の観点から好ましく、また、断面形状、Ｄｕｔｙ比にも下記に示すような適正範囲が存在する。 Type of material constituting the metal wire 3 (elemental, chemical composition, purity), the sectional shape (the height H ₃ and width w ₃ of the metal wire ₃₎ and the width w ₃ of the metal wire 3 to the pitch p of the wire grid The ratio (Duty ratio) greatly affects the optical characteristics of the wire grid polarizer compared to the type and thickness of the substrate 1 and the dielectric layer 2. Specifically, in the case of aluminum, it is preferable from the viewpoint of optical properties that it is close to the bulk complex refractive index, and there is an appropriate range as shown below in the cross-sectional shape and duty ratio.

金属ワイヤ３の高さＨ_３は、光学特性、積層に要する処理時間、エッチングに要する処理時間、金属ワイヤ３と誘電体層２との間の密着強度、ワイヤグリッド偏光板の構造強度を考慮すると、１２０ｎｍ〜２２０ｎｍ、好ましくは１４０ｎｍから２００ｎｍである。 The height H ₃ of the metal wire 3, the optical properties, processing time required for stacking, the processing time required for etching, in view of the adhesion strength, structural strength of the wire grid polarizer between the metal wires 3 and the dielectric layer 2 120 nm to 220 nm, preferably 140 nm to 200 nm.

金属ワイヤ３の幅ｗ_３は、ワイヤグリッドのＤｕｔｙ比から、ワイヤグリッドのピッチの０．３倍から０．６倍であり、好ましくは０．４倍から０．５倍である。また、金属ワイヤ３の幅ｗ_３に対する金属ワイヤ３の高さＨ_３の比（アスペクト比）は、２〜５が好ましく、さらに好ましくは２〜４である。 Width _{w 3} of the metal wire 3 from Duty ratio of the wire grid, a 0.6-fold from 0.3 times the pitch of the wire grid, preferably 0.4 to 0.5 in. Further, the ratio (aspect ratio) of the height H ₃ of the metal wire 3 to the width w ₃ of the metal wire 3 is preferably 2 to 5, more preferably 2 to 4.

金属ワイヤ３を誘電体層２に立設する方法としては、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で、前記長手方向と略平行な方向に一軸延伸することにより得られた延伸部材の微細凹凸格子を転写して作製されたスタンパを用いる。すなわち、金属ワイヤ層は、前記スタンパを用いて、誘電体層２上に設けられた金属層から作製する。なお、本発明の金属ワイヤ３のピッチｐは、可視光領域の広帯域にわたる偏光特性を考慮すると、特に通常のフォトリソグラフィー技術では対応できない１２０ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎｍである。ピッチが小さくなるほど偏光特性が良くなるが、可視光に対しては８０ｎｍ〜１２０ｎｍのピッチで十分な偏光特性が得られる。また、４００ｎｍ近傍の短波長光の偏光特性を重視しない場合は、ピッチを１５０ｎｍ程度まで大きくすることもできる。 As a method of standing the metal wire 3 on the dielectric layer 2, a stretched member having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface is set to a width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the concavo-convex grid. A stamper produced by transferring a fine concavo-convex lattice of a stretched member obtained by uniaxially stretching in a direction substantially parallel to the longitudinal direction is used. That is, the metal wire layer is manufactured from the metal layer provided on the dielectric layer 2 using the stamper. Note that the pitch p of the metal wire 3 of the present invention is 120 nm or less, preferably 80 nm to 120 nm, which cannot be handled by a normal photolithography technique, considering polarization characteristics over a wide band in the visible light region. The smaller the pitch is, the better the polarization characteristics are. However, for visible light, sufficient polarization characteristics can be obtained at a pitch of 80 nm to 120 nm. If the polarization characteristics of short wavelength light in the vicinity of 400 nm are not important, the pitch can be increased to about 150 nm.

（２）本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法において用いる型（スタンパ）の作製方法
本発明のワイヤグリッド偏光板は、単位寸法が１００ｃｍ^２以上であることが好ましい。ピッチｐ（周期）が１５０ｎｍ以下であるにもかかわらず、単位寸法が１００ｃｍ^２以上という大きなワイヤグリッド偏光板を得るのは、以下に示す一連の特徴を有する製造方法を用いて作製した型を用いたことによる。本発明で用いる型を得る方法は、本出願人の特願２００６−２１００号に記載の方法を用いる。この内容はすべてここに含めておく。 (2) Method for producing mold (stamper) used in the method for producing a wire grid polarizing plate of the present invention The unit size of the wire grid polarizing plate of the present invention is preferably 100 cm ² or more. Despite the pitch p (period) of 150 nm or less, a large wire grid polarizing plate having a unit size of 100 cm ² or more is obtained by using a mold manufactured using a manufacturing method having the following series of characteristics. It depends on what happened. As a method for obtaining a mold used in the present invention, the method described in Japanese Patent Application No. 2006-2100 of the present applicant is used. All this content is included here.

図２は、本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法において用いる型の作製方法を示す図である。まず、レーザ光を用いた干渉露光法や切削法などで形成した、１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する金型４を用いて、被延伸基材６にその凹凸格子の形状を熱プレスなどの方法で転写する（２ａ）〜（２ｃ）。これにより、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する延伸部材７を得る。 FIG. 2 is a diagram showing a method for producing a mold used in the method for producing a wire grid polarizer of the present invention. First, using a mold 4 having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm formed by an interference exposure method or a cutting method using laser light, the shape of the concavo-convex grid is formed on a stretched substrate 6 by hot pressing or the like. Transfer by method (2a) to (2c). Thereby, the extending | stretching member 7 which has an uneven | corrugated lattice of 100 nm to 100 micrometers pitch on the surface is obtained.

なお、干渉露光法とは、特定の波長のレーザ光を角度θ’の２つの方向から照射して形成される干渉縞を利用した露光法であり、角度θ’を変化させることで使用するレーザの波長で制限される範囲内で色々なピッチを有する凹凸格子の構造を得ることができる。干渉露光に使用できるレーザとしては、ＴＥＭ_００モードのレーザに限定され、ＴＥＭ_００モードのレーザ発振できる紫外光レーザとしては、アルゴンレーザ（波長３６４ｎｍ，３５１ｎｍ，３３３ｎｍ）や、ＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）などが挙げられる。 The interference exposure method is an exposure method using interference fringes formed by irradiating laser light of a specific wavelength from two directions of angle θ ′, and is a laser used by changing angle θ ′. It is possible to obtain a concavo-convex lattice structure having various pitches within a range limited by the wavelength of. As the laser that can be used for the interference exposure, limited to laser _{TEM 00} mode, as the ultraviolet light laser capable lasing of _{TEM 00} mode, an argon laser (wavelength 364 nm, 351 nm, 333 nm) and, of YAG laser fourth harmonic ( Wavelength 266 nm).

ここで、被延伸部材とは、本発明に用いる樹脂基材として前記した非晶性熱可塑性樹脂や結晶性熱可塑性樹脂で構成された板状体、フィルム状体、シート状体などの樹脂基材を挙げることができる。この被延伸部材の厚さや大きさなどについては、自由端一軸延伸処理が可能な範囲であれば特に制限はない。 Here, the stretched member is a resin substrate such as a plate-like body, a film-like body, or a sheet-like body composed of the above-described amorphous thermoplastic resin or crystalline thermoplastic resin as the resin base material used in the present invention. Materials can be mentioned. The thickness and size of the stretched member are not particularly limited as long as the free end uniaxial stretching process is possible.

次いで、表面にピッチが１００ｎｍ〜１００μｍの凹凸格子を有する被延伸部材７を、前記凹凸格子の長手方向（格子状凸部の格子と平行な方向）と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で前記長手方向と略平行な方向に自由端一軸延伸加工する。この結果、前記被延伸部材の凹凸格子の凸部のピッチが縮小され、ピッチが１５０ｎｍ以下の微細凹凸格子を有する樹脂基材８（延伸済み部材と呼ぶ）が得られる（２ｄ）。被延伸部材のピッチは、１００ｎｍ〜１００μｍの範囲に設定するが、要求する延伸済み部材のピッチや延伸倍率に応じて適宜変更することができる。 Next, the stretched member 7 having a concavo-convex grid having a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface is set to a width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the concavo-convex grid (a direction parallel to the grid of the grid-like convex portions). In a state where is freed, free end uniaxial stretching is performed in a direction substantially parallel to the longitudinal direction. As a result, the pitch of the convex portions of the concavo-convex grid of the stretched member is reduced, and a resin substrate 8 (referred to as a stretched member) having a fine concavo-convex grid with a pitch of 150 nm or less is obtained (2d). The pitch of the member to be stretched is set in the range of 100 nm to 100 μm, but can be appropriately changed according to the required pitch of the stretched member and the stretching ratio.

次いで、このようにして得られた延伸済み部材８に対して、導電化処理、メッキ処理、樹脂基材の除去処理を順次施すことにより、表面にピッチが１５０ｎｍ以下の微細凹凸格子を有する金型Ａを作製する。次いで、この金型Ａの表面に酸化皮膜処理を行った後、再度メッキ処理を施し、金型Ａの微細凹凸格子を反転した形状で、かつ表面にピッチが１５０ｎｍ以下の微細凹凸格子を有する金型Ｂを作製する。さらに、紫外線に対してほぼ透明とみなせる紫外線透明基材で構成された板状体、フィルム状体、シート状体などに、この金型Ｂの形状を熱プレスなどで転写することで型Ｃを作製する。図２には、金型Ｂ及び型Ｃをスタンパ５として示した（２ｅ）。本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法で用いる型は、金型Ｂ又は型Ｃであり、金型Ｂは、熱硬化性樹脂を用いてピッチが１５０ｎｍ以下の微細凹凸格子を有する樹脂マスクを作製する場合に使用し、型Ｃは、紫外線硬化性樹脂を用いてピッチが１５０ｎｍ以下の微細凹凸格子を有する樹脂マスクを作製する場合に使用する。 Next, a die having a fine concavo-convex lattice with a pitch of 150 nm or less on the surface is obtained by sequentially conducting a conductive treatment, a plating treatment, and a resin base material removal treatment on the stretched member 8 thus obtained. A is prepared. Next, after performing an oxide film treatment on the surface of the mold A, a plating process is performed again, and a mold having a fine concavo-convex lattice having a shape obtained by inverting the fine concavo-convex lattice of the mold A and having a pitch of 150 nm or less on the surface. Mold B is produced. Further, the mold C is transferred to a plate-like body, a film-like body, a sheet-like body, etc. composed of an ultraviolet-transparent substrate that can be regarded as almost transparent to ultraviolet rays by transferring the shape of the mold B with a hot press or the like. Make it. In FIG. 2, the mold B and the mold C are shown as the stamper 5 (2e). The mold used in the manufacturing method of the wire grid polarizer of the present invention is mold B or mold C, and mold B is a resin mask having a fine concavo-convex lattice with a pitch of 150 nm or less using a thermosetting resin. The mold C is used when a resin mask having a fine concavo-convex lattice with a pitch of 150 nm or less is formed using an ultraviolet curable resin.

なお、自由端一軸延伸処理は、先ず前記被延伸部材の幅方向（凹凸格子の長手方向と直交する方向）は自由にした状態で、前記被延伸部材の凹凸格子の長手方向を一軸延伸処理装置に固定する。続いて、被延伸部材が軟化する適当な温度まで加熱し、その状態で適当な時間保持した後、前記長手方向と略平行な一方向に適当な延伸速度で、目標とする微細凹凸格子のピッチに対応する延伸倍率まで延伸処理する。最後に、延伸状態を保持した状態で材料が硬化する温度まで被延伸部材を冷却することにより、ピッチが１５０ｎｍ以下の格子状凸部を有する樹脂基材を得る方法である。この自由端一軸延伸処理を行う装置としては、通常の一軸延伸処理を行う装置を用いることができる。また、加熱条件や冷却条件については被延伸部材を構成する材料に応じて適宜決定する。 In the free end uniaxial stretching treatment, first, the width direction of the stretched member (direction perpendicular to the longitudinal direction of the concavo-convex grid) is set free, and the longitudinal direction of the concavo-convex grid of the stretched member is uniaxially stretched. Secure to. Subsequently, after heating to an appropriate temperature at which the stretched member softens and holding it for an appropriate period of time, the pitch of the target fine concavo-convex lattice is set at an appropriate drawing speed in one direction substantially parallel to the longitudinal direction. Stretching is performed up to a stretching ratio corresponding to. Finally, the member to be stretched is cooled to a temperature at which the material is cured in a state where the stretched state is maintained, thereby obtaining a resin base material having a grid-like convex portion having a pitch of 150 nm or less. As an apparatus for performing this free end uniaxial stretching process, an apparatus for performing a normal uniaxial stretching process can be used. Further, the heating condition and the cooling condition are appropriately determined according to the material constituting the stretched member.

（３）本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法
本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法においては、基材上に、前記基材を構成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する無機誘電体で構成された誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で、前記長手方向と略平行な方向に一軸延伸することにより得られた延伸部材の微細凹凸格子を転写してスタンパを作製する工程と、前記スタンパを用いて、前記金属層を、互いに平行で等間隔に立設された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ層にする工程と、を具備する。 (3) Manufacturing method of wire grid polarizing plate of this invention In the manufacturing method of the wire grid polarizing plate of this invention, the inorganic dielectric which has a refractive index larger than the refractive index of the material which comprises the said base material on a base material. A step of forming a dielectric layer composed of a body, a step of forming a metal layer on the dielectric layer, and a stretched member having a concavo-convex lattice with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface, and a longitudinal direction of the concavo-convex lattice A stamper is produced by transferring a fine concavo-convex lattice of a stretched member obtained by uniaxially stretching in a direction substantially parallel to the longitudinal direction in a state where the width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction is made free. And using the stamper, the metal layer is formed into a metal wire layer having a plurality of metal wires standing in parallel with each other at equal intervals.

また、金属層を金属ワイヤ層にする工程においては、前記金属層上に樹脂層を形成し、前記樹脂層に前記スタンパの微細凹凸格子を転写し、前記樹脂層に転写された微細凹凸格子をマスクとして前記金属層をエッチングすることにより前記金属ワイヤ層を形成する。 Further, in the step of converting the metal layer into a metal wire layer, a resin layer is formed on the metal layer, the fine uneven lattice of the stamper is transferred to the resin layer, and the fine uneven lattice transferred to the resin layer is formed. The metal wire layer is formed by etching the metal layer as a mask.

ここで、上記型を用いて作製された本発明のワイヤグリッド偏光板を製造する方法について図を用いて説明する。図３は、本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板の製造方法を説明するための断面図である。また、図１は、本発明の製造方法によって得られるワイヤグリッド偏光板の概略断面図である。 Here, a method for producing the wire grid polarizing plate of the present invention produced using the above mold will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the wire grid polarizer according to the embodiment of the present invention. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wire grid polarizer obtained by the production method of the present invention.

・基材１に誘電体層２を形成する工程
図３に示すように、基材１表面に無機誘電体を被覆して誘電体層２を形成する（３ａ），（３ｂ）。誘電体層２を基材１上に形成する方法としては、基材１と誘電体層２との間で十分な密着強度が得られるような方法を適宜選択する。具体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理的蒸着法を挙げることができる。例えば、酸化アルミニウム、窒化珪素などの無機誘電体をスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティングなどの物理的な蒸着法により厚さ１ｎｍ〜２００ｎｍで基材１上に被覆する。このような方法の中で、密着強度、生産性の観点からスパッタリング法が好ましい。積層にあたり、それぞれの方法において積層条件を調整することが重要である。 Step of Forming Dielectric Layer 2 on Substrate 1 As shown in FIG. 3, the dielectric layer 2 is formed by coating the surface of the substrate 1 with an inorganic dielectric (3a) and (3b). As a method for forming the dielectric layer 2 on the base material 1, a method for obtaining sufficient adhesion strength between the base material 1 and the dielectric layer 2 is appropriately selected. Specific examples include physical vapor deposition methods such as vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating. For example, an inorganic dielectric such as aluminum oxide or silicon nitride is coated on the substrate 1 with a thickness of 1 nm to 200 nm by a physical vapor deposition method such as sputtering, vacuum vapor deposition, or ion plating. Among these methods, the sputtering method is preferable from the viewpoint of adhesion strength and productivity. In stacking, it is important to adjust the stacking conditions in each method.

・誘電体層２上に金属層を形成する工程
次いで、誘電体層２上に金属層を形成する（３ｃ）。誘電体層２上に金属層を形成する場合には、誘電体層２を構成する材料及び／又は金属ワイヤ３を構成する金属との間の十分な密着強度が得られ、上記した金属ワイヤ３の断面の大きさ、金属バルクの複素屈折率に近い値が得られるように適宜選択する。具体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理的蒸着法を挙げることができる。例えば、アルミニウムをスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティングなどの物理的な蒸着法により厚さ１２０ｎｍ〜２２０ｎｍで誘電体層２上に積層する。このような方法の中で、密着強度、生産性の観点からスパッタリング法が好ましい。積層にあたり、それぞれの方法において積層条件を調整することは誘電体層２の形成の場合と同じように重要である。 Step of forming a metal layer on the dielectric layer 2 Next, a metal layer is formed on the dielectric layer 2 (3c). When a metal layer is formed on the dielectric layer 2, sufficient adhesion strength between the material constituting the dielectric layer 2 and / or the metal constituting the metal wire 3 can be obtained. The size of the cross section is appropriately selected so as to obtain a value close to the complex refractive index of the metal bulk. Specific examples include physical vapor deposition methods such as vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating. For example, aluminum is laminated on the dielectric layer 2 with a thickness of 120 nm to 220 nm by a physical vapor deposition method such as sputtering, vacuum vapor deposition, or ion plating. Among these methods, the sputtering method is preferable from the viewpoint of adhesion strength and productivity. In stacking, adjusting the stacking conditions in each method is as important as in forming the dielectric layer 2.

・金属層上に１５０ｎｍ以下の格子状凸部を有する樹脂マスクを形成する工程
次いで、金属層上に熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂（マスク用樹脂）を塗布して塗膜４を形成する（３ｄ）。この場合、例えば、バーコーター法、スプレー法やスピンコート法で均一に塗工する。次いで、マスク用樹脂として熱硬化性樹脂を用いた場合は上記金型Ｂを用い、マスク用樹脂として紫外線硬化性樹脂を用いた場合は型Ｃを用いて、それぞれのマスク用樹脂の表面と型５との間に隙間が生じないように密着させて押し付けながら（３ｅ）、型を通して加熱するか又は紫外線を照射してマスク用樹脂を硬化させた後、型を剥離し、金属層上に１５０ｎｍ以下の格子状凸部を有する樹脂マスクを形成する（３ｆ）。 Step of forming a resin mask having a grid-like convex portion of 150 nm or less on the metal layer Next, a coating film 4 is formed by applying a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin (mask resin) on the metal layer. (3d). In this case, for example, the coating is uniformly performed by a bar coater method, a spray method, or a spin coating method. Next, when the thermosetting resin is used as the mask resin, the mold B is used, and when the ultraviolet curable resin is used as the mask resin, the mold C is used. 5, the resin for masking is cured by heating through a mold or irradiating with ultraviolet rays, and then the mold is peeled off and 150 nm on the metal layer. A resin mask having the following lattice-shaped convex portions is formed (3f).

・金属ワイヤを形成する工程
次いで、前述した金属層上に１５０ｎｍ以下の格子状凸部を有する樹脂マスクをエッチングマスクとして用い、金属層が現れ、金属層上に樹脂マスクの格子パターンが生じるまでエッチング処理Ａを行う（３ｇ）。マスク用樹脂のエッチング処理Ａとしては、例えば酸素プラズマエッチングなどのＲＩＥ（Reactive Ion Etching）やエキシマレーザーを用いたエッチング処理などが挙げられる。これらのドライエッチングによれば、樹脂マスクの厚みの違いを利用した樹脂の分解／灰化の違いにより、樹脂マスクの格子パターンを得ることができる。 Step of forming metal wire Next, using the above-described resin mask having a grid-like convex portion of 150 nm or less on the metal layer as an etching mask, etching is performed until the metal layer appears and a resin mask lattice pattern is formed on the metal layer. Process A is performed (3 g). Examples of the etching process A for the mask resin include RIE (Reactive Ion Etching) such as oxygen plasma etching and etching process using an excimer laser. According to these dry etching, the lattice pattern of the resin mask can be obtained by the difference in the decomposition / ashing of the resin using the difference in the thickness of the resin mask.

次いで、樹脂マスクの格子パターンをエッチングマスクとして、誘電体層２が現れ、誘電体層２上に金属ワイヤ３の格子パターンが生じるまで金属層にエッチング処理Ｂを行う（３ｈ１），（３ｈ２）。このとき、（３ｈ２）に示すように、金属ワイヤ３の上部にマスク用樹脂が残った場合、再度エッチング処理Ａを行ってマスク用樹脂を除去することが好ましい。金属層のエッチング処理Ｂとしては、例えばアルミニウムの場合、四塩化炭素などのハロゲン系反応性ガスを用いたＲＩＥなどが挙げられる。これらのドライエッチングでは、反応性ガス、誘電体の種類、処理条件などの要因で誘電体層２の一部もエッチングされる場合もあるが、本発明における方法ではこのような場合も含まれるものとする。このようにして図１に示す本発明のワイヤグリッド偏光板が得られる。 Next, using the resin mask lattice pattern as an etching mask, the dielectric layer 2 appears, and the metal layer is etched B until a lattice pattern of the metal wire 3 is formed on the dielectric layer 2 (3h1) and (3h2). At this time, as shown in (3h2), when the mask resin remains on the metal wire 3, it is preferable to perform the etching process A again to remove the mask resin. Examples of the etching treatment B of the metal layer include RIE using a halogen-based reactive gas such as carbon tetrachloride in the case of aluminum. In these dry etching, a part of the dielectric layer 2 may be etched due to factors such as reactive gas, dielectric type, and processing conditions. However, the method of the present invention includes such a case. And Thus, the wire grid polarizing plate of the present invention shown in FIG. 1 is obtained.

本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法においては、フォトリソグラフィーで微細凹凸格子を作り込むのではなく、被延伸部材を自由端一軸延伸処理して微細凹凸格子を作り込んでいるので、フォトリソグラフィーでは困難である１５０ｎｍ以下の狭いピッチの微細凹凸格子を実現することができ、さらにその単位寸法が１００ｃｍ^２以上である比較的大きいワイヤグリッド偏光板を得ることができる。この場合において、それぞれの金属ワイヤ３は、実質的に約１０ｃｍ以上の長さを有し、幅方向に６×１０^４本／ｃｍ以上のピッチで光学的にほぼ平行に配列されていることが好ましい。このように、単位寸法が大きいワイヤグリッド偏光板を得られることで、大画面のディスプレイに使用する場合においても接合するワイヤグリッド偏光板の数を少なくすることができる。なお、本ワイヤグリッド偏光板を接合する場合、接合部分の接合線を１００ｎｍ〜１００μｍの線幅で、光を透過しない構造とすることが好ましい。 In the manufacturing method of the wire grid polarizing plate of the present invention, a fine concavo-convex grid is not formed by photolithography, but a stretched member is formed by subjecting a stretched member to free end uniaxial stretching. It is possible to realize a fine fine concavo-convex lattice having a narrow pitch of 150 nm or less, which is difficult, and to obtain a relatively large wire grid polarizing plate having a unit dimension of 100 cm ² or more. In this case, each metal wire 3 has a length of about 10 cm or more substantially, and is optically arranged substantially in parallel at a pitch of 6 × 10 ⁴ wires / cm or more in the width direction. preferable. Thus, by obtaining a wire grid polarizing plate having a large unit size, the number of wire grid polarizing plates to be bonded can be reduced even when used for a large screen display. In addition, when joining this wire grid polarizing plate, it is preferable to set it as the structure which does not permeate | transmit light by the line | wire width of 100 nm-100 micrometers for the joining line of a junction part.

次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
（周期的な格子状凸部を有する型Ｃの作製）
・凹凸格子形状の転写シートの作製
ピッチが２３０ｎｍで、凹凸格子の高さが２３０ｎｍである凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパを準備した。この凹凸格子は、レーザ干渉露光法を用いたパターニングにより作製されたものであり、その断面形状は正弦波状で、上面からの形状は縞状格子形状であった。また、その平面寸法は縦横ともに５００ｍｍであった。このニッケルスタンパを用いて、熱プレス法により厚さ０．５ｍｍ、縦横がそれぞれ５２０ｍｍのシクロオレフィンポリマー（以下、ＣＯＰと略す）板の表面に凹凸格子形状を転写し、凹凸格子形状の転写シートを作製した。このＣＯＰのガラス転移温度（Ｔｇ）は１０５℃であった。 Next, examples performed for clarifying the effects of the present invention will be described.
(Manufacture of mold C having periodic lattice-shaped protrusions)
-Production of transfer sheet having concavo-convex lattice shape A nickel stamper having a concavo-convex lattice having a pitch of 230 nm and a concavo-convex lattice height of 230 nm was prepared. The concavo-convex grating was produced by patterning using a laser interference exposure method, and the cross-sectional shape was a sine wave shape, and the shape from the top surface was a striped lattice shape. Moreover, the plane dimension was 500 mm in both length and width. Using this nickel stamper, the concavo-convex lattice shape was transferred to the surface of a cycloolefin polymer (hereinafter abbreviated as COP) plate having a thickness of 0.5 mm and a length and width of 520 mm, respectively, by a hot press method. Produced. The glass transition temperature (Tg) of this COP was 105 ° C.

具体的に、熱プレスは次のように行った。まず、プレス機の系内を真空排気し、ニッケルスタンパ及びＣＯＰ板を１９０℃まで加熱した。ニッケルスタンパ及びＣＯＰ板が１９０℃に達した後、プレス圧２ＭＰａ、プレス時間４分でニッケルスタンパの凹凸格子をＣＯＰ板に転写した。さらに、プレス圧を２ＭＰａに保持したままニッケルスタンパ及びＣＯＰ板を４０℃まで冷却した後、真空開放し、続けてプレス圧を開放した。このとき、ニッケルスタンパ及びＣＯＰ板は、プレス圧を開放したときに容易に離型した。電界放出型走査型電子顕微鏡（以下、ＦＥ−ＳＥＭと略す）で、凹凸格子形状の転写シートの表面形状を観察したところ、ニッケルスタンパの凹凸格子形状が忠実に転写されていた。 Specifically, the hot press was performed as follows. First, the inside of the press system was evacuated, and the nickel stamper and COP plate were heated to 190 ° C. After the nickel stamper and the COP plate reached 190 ° C., the concave / convex grid of the nickel stamper was transferred to the COP plate with a press pressure of 2 MPa and a press time of 4 minutes. Further, the nickel stamper and the COP plate were cooled to 40 ° C. while maintaining the press pressure at 2 MPa, then the vacuum was released, and the press pressure was subsequently released. At this time, the nickel stamper and the COP plate were easily released when the press pressure was released. When the surface shape of the concavo-convex grid-shaped transfer sheet was observed with a field emission scanning electron microscope (hereinafter abbreviated as FE-SEM), the concavo-convex grid shape of the nickel stamper was faithfully transferred.

・自由端一軸延伸による延伸済み部材の作製
次いで、この凹凸格子形状の転写シートを５２０ｍｍ×４６０ｍｍの長方形に切り出し、被延伸用部材とした。このとき、５２０ｍｍ×４６０ｍｍの長手方向（５２０ｍｍ）と縞状格子の長手方向とが互いに略平行になるように切り出した。 -Production of stretched member by free end uniaxial stretching Next, this uneven lattice-shaped transfer sheet was cut into a 520 mm x 460 mm rectangle to obtain a stretched member. At this time, it was cut out so that the longitudinal direction (520 mm) of 520 mm × 460 mm and the longitudinal direction of the striped lattice were substantially parallel to each other.

次いで、この被延伸用部材の表面に、スプレーによりシリコーンオイルを塗布し、約８０℃の循環式空気オーブン中に３０分放置した。次いで、被延伸用部材の長手方向の両端１０ｍｍを延伸機のチャックで固定し、その状態で１１３±１℃に温度調節された循環式空気オーブン中に被延伸用部材を１０分間放置した。その後、２５０ｍｍ／分の速度でチャック間の距離が５倍延伸したところで延伸を終え、２０秒後に延伸済み部材を室温雰囲気下に取り出し、チャック間の距離を維持したまま冷却した。延伸を終えた延伸済み部材の中央部分約４０％は、ほぼ均一にくびれており、最も幅が縮小されている部分は２００ｍｍになっていた。同様にして、チャック間の距離のみを３．５倍、２．５倍に変えて延伸したところ、それぞれ延伸済み部材中央部の最小幅は、２４０ｍｍ、２８０ｍｍになっていた。この延伸済み部材３種の表面と断面を、ＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、微細凹凸格子のピッチと高さがそれぞれ、１００ｎｍ／９５ｎｍ（ピッチ／高さ）、１２０ｎｍ／１１３ｎｍ、１４０ｎｍ／１３３ｎｍであり、その断面形状が正弦波状で、上面からの形状が縞状格子状となっており、実質的に延伸前の凹凸格子形状と相似で縮小されていた。 Next, silicone oil was applied to the surface of the member to be stretched by spraying and left in a circulating air oven at about 80 ° C. for 30 minutes. Next, both ends 10 mm in the longitudinal direction of the member to be stretched were fixed with a chuck of a stretching machine, and in this state, the member to be stretched was left in a circulating air oven whose temperature was controlled at 113 ± 1 ° C. for 10 minutes. Then, when the distance between the chucks was stretched 5 times at a speed of 250 mm / min, the stretching was finished, and after 20 seconds, the stretched member was taken out in a room temperature atmosphere and cooled while maintaining the distance between the chucks. About 40% of the center portion of the stretched member that has been stretched was constricted substantially uniformly, and the portion with the smallest width was 200 mm. Similarly, when the stretching was performed while changing only the distance between the chucks to 3.5 times and 2.5 times, the minimum width of the center part of the stretched member was 240 mm and 280 mm, respectively. When the surfaces and cross sections of the three stretched members were observed with an FE-SEM, the pitch and height of the fine concavo-convex lattice were 100 nm / 95 nm (pitch / height), 120 nm / 113 nm, and 140 nm / 133 nm, respectively. The cross-sectional shape was sinusoidal, the shape from the top surface was a striped lattice shape, and was substantially reduced in size similar to the uneven lattice shape before stretching.

・金型Ａ、金型Ｂの作製
得られた、１００ｎｍピッチ、１２０ｎｍピッチ及び１４０ｎｍピッチの延伸済み部材表面に、それぞれ導電化処理として金をスパッタリングにより３０ｎｍ被覆した後、それぞれニッケルを電気メッキし、厚さ０．３ｍｍ、縦３００ｍｍ、横１８０ｍｍの微細凹凸格子を表面に有するニッケル製の金型Ａを作製した。続いて、この金型Ａの表面に酸化皮膜処理を行った後、再度メッキ処理を施し、金型Ａの微細凹凸格子を反転した形状で、かつ表面に１００ｎｍピッチ、１２０ｎｍピッチ及び１４０ｎｍピッチの微細凹凸格子を有する、縦３００ｍｍ、横１８０ｍｍのニッケル製の金型Ｂを作製した。 -Production of mold A and mold B The obtained 100 nm pitch, 120 nm pitch and 140 nm pitch stretched member surfaces were each coated with gold by sputtering as a conductive treatment, and then electroplated with nickel, A nickel mold A having a fine concavo-convex lattice having a thickness of 0.3 mm, a length of 300 mm, and a width of 180 mm on the surface was produced. Subsequently, after the surface of the mold A is subjected to an oxide film treatment, the plating process is performed again, and the surface of the mold A has a shape in which the fine concavo-convex grid is inverted, and the surface is fine with 100 nm pitch, 120 nm pitch, and 140 nm pitch. A mold B made of nickel having a concavo-convex grid and having a length of 300 mm and a width of 180 mm was produced.

・型Ｃの作製
次いで、前記凹凸格子形状の転写シートの作製と同様にして、この金型Ｂを用いて、熱プレス法により厚さ０．５ｍｍ、縦３２０ｍｍ、横２００ｍｍのＣＯＰ板の表面に１００ｎｍピッチ、１２０ｎｍピッチ及び１４０ｎｍピッチの微細凹凸格子形状を転写し、本実施例用のＣＯＰ樹脂製の型Ｃを得た。ＦＥ−ＳＥＭにより、その表面と断面観察したところ、微細凹凸格子のピッチと高さがそれぞれ、１００ｎｍ／９５ｎｍ（ピッチ／高さ）、１２０ｎｍ／１１３ｎｍ、１４０ｎｍ／１３３ｎｍであり、その断面形状が正弦波状で、上面からの形状が縞状格子状となっていた。また、比較例２用のＣＯＰ樹脂製の型として、ピッチが２３０ｎｍで、凹凸格子の高さが２３０ｎｍである凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパを用いて作製した凹凸格子形状の転写シートを、一軸延伸によるピッチの縮小をせずに、その表面を導電化処理、メッキ処理、樹脂基材の除去処理を順次施し、ピッチが２３０ｎｍ、凹凸格子の高さが２３０ｎｍである凹凸格子を表面に有するニッケルスタンパの複製金型を作製した。次いで、この複製金型の表面に酸化皮膜処理を行った後、再度メッキ処理を施し、複製金型の微細凹凸格子を反転した形状の微細凹凸格子を有する比較例２用金型Ｂを作製した。さらに、実施例用の型Ｃと同様にして、ＣＯＰ板に、この比較例２用金型Ｂの形状を熱プレスで転写して比較例２用の型Ｃを作製した。 -Production of mold C Next, in the same manner as the production of the concavo-convex lattice-shaped transfer sheet, using this mold B, the surface of a COP plate having a thickness of 0.5 mm, a length of 320 mm, and a width of 200 mm was formed by hot pressing. The fine concavo-convex lattice shape of 100 nm pitch, 120 nm pitch and 140 nm pitch was transferred to obtain a COP resin mold C for this example. When the surface and the cross section were observed by FE-SEM, the pitch and height of the fine concavo-convex grating were 100 nm / 95 nm (pitch / height), 120 nm / 113 nm, and 140 nm / 133 nm, respectively, and the cross-sectional shapes were sinusoidal. Thus, the shape from the upper surface was a striped lattice. In addition, as a mold made of COP resin for Comparative Example 2, a concavo-convex grid-shaped transfer sheet prepared using a nickel stamper having a concavo-convex grid with a pitch of 230 nm and a concavo-convex grid height of 230 nm on a uniaxial Nickel having a concavo-convex grating with a pitch of 230 nm and a concavo-convex height of 230 nm on the surface, without subjecting the pitch to reduction by stretching, and conducting a conductive treatment, plating treatment, and resin base material removal treatment in sequence. A stamper replica mold was prepared. Next, after performing an oxide film treatment on the surface of the replica mold, a plating process was performed again, and a mold B for Comparative Example 2 having a fine concavo-convex lattice having a shape obtained by inverting the fine concavo-convex lattice of the replica mold was produced. . Further, in the same manner as the mold C for the example, the shape of the mold B for the comparative example 2 was transferred to the COP plate by a hot press to produce the mold C for the comparative example 2.

（ワイヤグリッド偏光板の作製：実施例１〜８）
・スパッタリング法を用いた誘電体層の形成
縦３００ｍｍ、横１８０ｍｍで、厚み０．１８８ｍｍのＣＯＰフィルム（ＪＳＲ株式会社製、アートンフィルム）上に、スパッタリング法を用い誘電体層を積層した。本実施例では、誘電体として窒化珪素、酸化アルミニウム、ＯＨ−５（キャノンオプトロン株式会社製）を用いた。このとき、層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なシリコンウエハを格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、シリコンウエハへの各誘電体層の厚みが８０ｎｍとなるように成膜を行った。窒化珪素の場合は、Ａｒガス圧力０．６７Ｐａ、ＤＣマグネトロンのスパッタリングパワー４Ｗ／ｃｍ^２、積層速度０．２２ｎｍ／ｓにて誘電体層を形成した。 (Preparation of wire grid polarizer: Examples 1-8)
Formation of dielectric layer using sputtering method A dielectric layer was laminated on a COP film (Arton film, manufactured by JSR Corporation) having a length of 300 mm and a width of 180 mm and a thickness of 0.188 mm. In this example, silicon nitride, aluminum oxide, OH-5 (manufactured by Canon Optron Co., Ltd.) was used as the dielectric. At this time, a silicon wafer having a smooth surface was inserted into the apparatus simultaneously with the lattice-shaped convex transfer film as a layer thickness comparison sample, and film formation was performed so that the thickness of each dielectric layer on the silicon wafer was 80 nm. . In the case of silicon nitride, the dielectric layer was formed at an Ar gas pressure of 0.67 Pa, a DC magnetron sputtering power of 4 W / cm ² , and a stacking rate of 0.22 nm / s.

・スパッタリング法を用いた金属層の形成
次いで、誘電体層を設けたＣＯＰフィルムの誘電体層上にスパッタリング法を用い金属層を形成した。本実施例では、金属としてアルミニウムを用いた。この場合、Ａｒガス圧力０．６７Ｐａ、ＤＣマグネトロンのスパッタリングパワー４Ｗ／ｃｍ^２、積層速度３．３ｎｍ／ｓとした。このとき、層厚み比較用サンプルとして表面が平滑なシリコンウエハを格子状凸部転写フィルムと同時に装置に挿入し、シリコンウエハへのアルミニウム層の厚みが所定の厚みとなるように成膜を行った。 -Formation of metal layer using sputtering method Next, a metal layer was formed on the dielectric layer of the COP film provided with the dielectric layer using the sputtering method. In this example, aluminum was used as the metal. In this case, the Ar gas pressure was 0.67 Pa, the sputtering power of the DC magnetron was 4 W / cm ² , and the stacking speed was 3.3 nm / s. At this time, a silicon wafer having a smooth surface was inserted into the apparatus at the same time as the lattice-shaped convex transfer film as a layer thickness comparison sample, and film formation was performed so that the aluminum layer on the silicon wafer had a predetermined thickness. .

・金属層上への格子状凸部を有する樹脂マスクの形成
前記金属層上にスピンコーターを用いて、紫外線硬化性樹脂（スリーボンド社製、ＴＢ３０７８Ｄ、屈折率１．４１）を約０．０３ｍｍの厚みで塗布した。次いで、塗布面上に上記１００ｎｍピッチ、１２０ｎｍピッチ、及び１４０ｎｍピッチの微細凹凸格子を表面に有するＣＯＰ樹脂製の型Ｃを、型Ｃと紫外線硬化性樹脂との間に空気が入らないようにそれぞれ端部から載せ、型Ｃ側から中心波長３６５ｎｍの紫外線ランプを用いて紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、型Ｃの微細凹凸格子を紫外線硬化性樹脂の表面に転写した。次いで、紫外線硬化性樹脂の表面から型Ｃを剥離した後、さらに窒素雰囲気下で紫外線硬化性樹脂の表面に紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、紫外線硬化性樹脂の未硬化成分を硬化させて、金属層上に、１００ｎｍピッチ、１２０ｎｍピッチ、及び１４０ｎｍピッチの格子状凸部を有する紫外線硬化性樹脂マスクを作製した。 -Formation of resin mask having lattice-shaped convex portions on metal layer Using a spin coater on the metal layer, an ultraviolet curable resin (manufactured by Three Bond, TB3078D, refractive index 1.41) is about 0.03 mm. It applied by thickness. Next, the COP resin mold C having the fine concavo-convex grating with the 100 nm pitch, 120 nm pitch, and 140 nm pitch on the coating surface is disposed so that air does not enter between the mold C and the ultraviolet curable resin. The sample was placed from the end, and irradiated with ultraviolet rays at 1000 mJ / cm ² from the mold C side using an ultraviolet lamp with a center wavelength of 365 nm, and the fine concavo-convex lattice of the mold C was transferred to the surface of the ultraviolet curable resin. Next, after the mold C is peeled from the surface of the ultraviolet curable resin, the surface of the ultraviolet curable resin is further irradiated with 500 mJ / cm ² in a nitrogen atmosphere to cure the uncured component of the ultraviolet curable resin. On the metal layer, an ultraviolet curable resin mask having lattice-shaped convex portions having a pitch of 100 nm, a pitch of 120 nm, and a pitch of 140 nm was prepared.

・金属ワイヤの形成、ワイヤグリッド偏光板の作製
金属層上の紫外線硬化性樹脂でできた１００ｎｍピッチ、１２０ｎｍピッチ、及び１４０ｎｍピッチの格子状凸部をエッチングマスクとして用い、金属層が現れ、金属層上に樹脂の格子パターンが生じるまで、エッチング処理Ａとして、酸素を５０ｃｃ／分流し、出力１００ＷでＲＩＥ処理を行った。次いで、誘電体層が現れ、誘電体層上に金属ワイヤの格子パターンが生じるまで、エッチング処理Ｂとして、アルミニウムの金属層に対して、四塩化炭素ガスを用いて、ガス流量１００ｃｃ／分、高周波電力密度０．２Ｗ／ｃｍ^２、全圧５ＰａでＲＩＥ処理を行った。このとき、アルミニウムワイヤ上部に樹脂が残ったため、再び、金属層上に樹脂が除去されるまで、再度、酸素を５０ｃｃ／分流し、出力１００ＷでＲＩＥ処理を行い、本発明のワイヤグリッド偏光板として、実施例１〜実施例８を得た。得られたワイヤグリッド偏光板における、各層の屈折率、金属ワイヤの幅／ピッチ、金属ワイヤのピッチ、誘電体層の厚さ、金属ワイヤの高さ・幅、金属ワイヤのアスペクト比については、それぞれ表１に示す通りである。 -Formation of metal wire, production of wire grid polarizing plate Using a 100-nm pitch, 120-nm pitch, and 140-nm pitch grid-like projections made of ultraviolet curable resin on the metal layer as an etching mask, the metal layer appears, and the metal layer Until the lattice pattern of the resin was generated, as the etching process A, oxygen was supplied at 50 cc / min, and the RIE process was performed at an output of 100 W. Next, until the dielectric layer appears and a lattice pattern of metal wires is formed on the dielectric layer, as the etching process B, carbon tetrachloride gas is used for the aluminum metal layer, the gas flow rate is 100 cc / min, and the high frequency. The RIE process was performed at a power density of 0.2 W / cm ² and a total pressure of 5 Pa. At this time, since the resin remained on the upper part of the aluminum wire, oxygen was again flowed at 50 cc / minute until the resin was removed on the metal layer, and the RIE treatment was performed at an output of 100 W to obtain the wire grid polarizer of the present invention. Example 1 to Example 8 were obtained. Regarding the refractive index of each layer, the width / pitch of the metal wire, the pitch of the metal wire, the thickness of the dielectric layer, the height / width of the metal wire, and the aspect ratio of the metal wire in the obtained wire grid polarizer, respectively. As shown in Table 1.

また、比較例１として、基材への誘電体層を積層する工程を省いた以外は、実施例２と同様にしてスパッタリング法を用いた金属層の形成、格子状凸部転写フィルムの作製、金属ワイヤの形成を行ったところ、偏光性能を発揮するのに必要なＡｌのワイヤが格子状凸部から部分的に剥離し、評価できるワイヤグリッド偏光板を作製することはできなかった。 Further, as Comparative Example 1, except that the step of laminating the dielectric layer on the base material was omitted, the metal layer was formed using the sputtering method in the same manner as in Example 2, and the lattice-shaped convex transfer film was produced. When a metal wire was formed, an Al wire necessary for exhibiting polarization performance was partially peeled from the lattice-shaped convex portion, and a wire grid polarizing plate that could be evaluated could not be produced.

さらに、比較例２として、実施例と同様に、ガラス（屈折率１．５２５）基材上に誘電体として弗化マグネシウム（屈折率１．３８）をスパッタリングにより被覆し、その上に金属としてアルミニウムをスパッタリングにより被覆し、さらに紫外線硬化樹脂を塗布した後、比較例２用の型Ｃを用いてエッチングマスクとしての凹凸格子を転写し、酸素及び四塩化炭素のＲＩＥ処理によって、ガラス基板上に弗化マグネシウムの誘電体層を持つ、ピッチが２３０ｎｍのワイヤグリッド偏光板を得た。 Further, as Comparative Example 2, as in the example, magnesium fluoride (refractive index: 1.38) as a dielectric was coated on a glass (refractive index: 1.525) substrate by sputtering, and aluminum as a metal was coated thereon. Is coated by sputtering, and further, an ultraviolet curable resin is applied, and then a concavo-convex lattice as an etching mask is transferred using the mold C for Comparative Example 2, and the glass substrate is fluorinated by RIE treatment of oxygen and carbon tetrachloride. A wire grid polarizer having a magnesium oxide dielectric layer and a pitch of 230 nm was obtained.

・分光光度計による偏光性能評価と形状評価
上記のようにして作製した実施例１から実施例８及び比較例２のワイヤグリッド偏光板について、分光光度計を用い直線偏光に対する平行ニコル、直交ニコル状態での透過光強度を測定した。偏光度及び光線透過率は下記式より算出した。また、測定波長域は４００ｎｍから７８０ｎｍとした。図４には、代表的な実施例及び比較例２の４００ｎｍから７８０ｎｍにわたる偏光度の変化を示す。また、図５には、代表的な実施例及び比較例２の４００ｎｍから７８０ｎｍにわたる光線透過率の変化を示した。さらに、全ての実施例及び比較例の低波長域（４００ｎｍ）、中波長域（５５０ｎｍ）、高波長域（７００ｎｍ）における偏光度、光線透過率を、ワイヤグリッド偏光板の構造と併せて表１に示す。
偏光度＝[（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）]×１００％
光線透過率＝[（Ｉmax＋Ｉmin）／２]×１００％
ここで、Ｉmaxは平行ニコル時の透過光強度であり、Ｉminは直交ニコル時の透過光強度である。

-Polarization performance evaluation and shape evaluation using a spectrophotometer About the wire grid polarizing plates of Examples 1 to 8 and Comparative Example 2 manufactured as described above, parallel Nicols and orthogonal Nicols states for linearly polarized light using a spectrophotometer The transmitted light intensity at was measured. The degree of polarization and light transmittance were calculated from the following formulas. The measurement wavelength range was 400 nm to 780 nm. In FIG. 4, the change of the polarization degree ranging from 400 nm to 780 nm in the representative example and the comparative example 2 is shown. FIG. 5 shows changes in light transmittance over 400 nm to 780 nm in the representative example and comparative example 2. Further, the degree of polarization and light transmittance in the low wavelength region (400 nm), medium wavelength region (550 nm), and high wavelength region (700 nm) of all Examples and Comparative Examples are shown in Table 1 together with the structure of the wire grid polarizer. Shown in
Polarization degree = [(Imax−Imin) / (Imax + Imin)] × 100%
Light transmittance = [(Imax + Imin) / 2] × 100%
Here, Imax is the transmitted light intensity at the time of parallel Nicols, and Imin is the transmitted light intensity at the time of crossed Nicols.

実施例と比較例１とを比較すると、基材として特に樹脂を用いた場合、無機誘電体の有無が金属ワイヤとの密着強度の向上に大きな役割を有することが分かる。また、図４、図５及び表１から分かるように、本発明に係るワイヤグリッド偏光板は、比較例に比べ、可視光領域のほぼ全領域にわたって優れた偏光度と光線透過率を示した。このように、本発明に係るワイヤグリッド偏光板は、樹脂基材と誘電体層と金属ワイヤ層との間で十分な密着力があり、構成上の制約がなく、しかも可視光領域の広帯域にわたって優れた偏光度と透過率を両立するワイヤグリッド偏光板及びその製造方法を提供ものであることが分かった。 Comparing the examples with Comparative Example 1, it can be seen that the presence or absence of an inorganic dielectric plays a major role in improving the adhesion strength with a metal wire, particularly when a resin is used as the substrate. Moreover, as can be seen from FIGS. 4 and 5 and Table 1, the wire grid polarizing plate according to the present invention showed an excellent degree of polarization and light transmittance over almost the entire visible light region as compared with the comparative example. As described above, the wire grid polarizing plate according to the present invention has sufficient adhesion between the resin base material, the dielectric layer, and the metal wire layer, has no structural restrictions, and covers a wide band in the visible light region. It has been found that the present invention provides a wire grid polarizing plate having both excellent polarization degree and transmittance and a manufacturing method thereof.

本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態における寸法、材質などは例示的なものであり、適宜変更して実施することが可能である。また、上記実施の形態における偏光板については、板状の部材である必要はなく、必要に応じてシート状、フィルム状であっても良い。さらに、本発明で得られるワイヤグリッド偏光板は、液晶表示装置や偏光が必要とされる液晶表示装置以外のデバイスなどに適用することができる。その他、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be implemented with various modifications. For example, the dimensions, materials, and the like in the above-described embodiment are illustrative, and can be changed as appropriate. Moreover, the polarizing plate in the said embodiment does not need to be a plate-shaped member, and may be a sheet form and a film form as needed. Furthermore, the wire grid polarizing plate obtained by the present invention can be applied to liquid crystal display devices and devices other than liquid crystal display devices that require polarized light. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the wire grid polarizing plate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板の製造方法で用いる型の作製方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the type | mold used with the manufacturing method of the wire grid polarizing plate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wire grid polarizing plate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板及び比較例のワイヤグリッド偏光板の偏光度を示す図である。It is a figure which shows the polarization degree of the wire grid polarizing plate which concerns on embodiment of this invention, and the wire grid polarizing plate of a comparative example. 本発明の実施の形態に係るワイヤグリッド偏光板及び比較例のワイヤグリッド偏光板の光線透過率を示す図である。It is a figure which shows the light transmittance of the wire grid polarizing plate which concerns on embodiment of this invention, and the wire grid polarizing plate of a comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

１基材
２誘電体層
３金属ワイヤ
５金型Ｂ，型Ｃ（スタンパ）
６被延伸基材
７被延伸部材
８樹脂基材
９金型 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Dielectric layer 3 Metal wire 5 Mold B, Type C (stamper)
6 Stretched substrate 7 Stretched member 8 Resin substrate 9 Mold

Claims

基材と、前記基材上に設けられ、前記基材を構成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する無機誘電体で構成された誘電体層と、前記誘電体層上に、互いに平行で等間隔に立設された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ層と、を具備することを特徴とするワイヤグリッド偏光板。 A base material, a dielectric layer formed on the base material and made of an inorganic dielectric having a refractive index larger than that of the material constituting the base material, and the dielectric layer are parallel to each other And a metal wire layer having a plurality of metal wires erected at equal intervals.

前記金属ワイヤ層は、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で、前記長手方向と略平行な方向に一軸延伸することにより得られた延伸部材の微細凹凸格子を転写して作製されたスタンパを用いて、前記誘電体層上に設けられた金属層から作製されたことを特徴とする請求項１記載のワイヤグリッド偏光板。 The metal wire layer has a stretched member having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface, and the longitudinal direction of the stretched member in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the concavo-convex grid is free. It was produced from a metal layer provided on the dielectric layer using a stamper produced by transferring a fine concavo-convex lattice of a stretched member obtained by uniaxially stretching in a direction substantially parallel to The wire grid polarizer according to claim 1.

前記金属ワイヤのピッチが１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のワイヤグリッド偏光板。 The wire grid polarizer according to claim 1 or 2, wherein a pitch of the metal wires is 150 nm or less.

前記基材が、透明な樹脂基材であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。 The wire grid polarizing plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the base material is a transparent resin base material.

前記無機誘電体は、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、及びそれらの複合物からなる群より選ばれたもので構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。 The inorganic dielectric is composed of a material selected from the group consisting of titanium oxide, cerium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, yttrium oxide, silicon oxide, silicon nitride, aluminum nitride, and a composite thereof. The wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 4, wherein the wire grid polarizer is characterized by the following.

前記金属ワイヤは、アルミニウム又はその合金で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。 The wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 5, wherein the metal wire is made of aluminum or an alloy thereof.

単位寸法が１００ｃｍ^２以上であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。 The unit size is 100 cm ² or more, and the wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 6.

基材上に、前記基材を構成する材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する無機誘電体で構成された誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、表面に１００ｎｍから１００μｍピッチの凹凸格子を有する被延伸部材を、前記凹凸格子の長手方向と略直交する方向の前記被延伸部材の幅を自由にした状態で、前記長手方向と略平行な方向に一軸延伸することにより得られた延伸部材の微細凹凸格子を転写してスタンパを作製する工程と、前記スタンパを用いて、前記金属層を、互いに平行で等間隔に立設された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ層にする工程と、を具備することを特徴とするワイヤグリッド偏光板の製造方法。 Forming a dielectric layer composed of an inorganic dielectric having a refractive index greater than the refractive index of the material constituting the substrate on the substrate, and forming a metal layer on the dielectric layer And a stretched member having a concavo-convex grid with a pitch of 100 nm to 100 μm on the surface, in a state where the width of the stretched member in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the concavo-convex grid is made free, substantially parallel to the longitudinal direction. A step of producing a stamper by transferring a fine concavo-convex lattice of a stretched member obtained by uniaxially stretching in a direction, and using the stamper, the metal layers are arranged in parallel with each other at a plurality of intervals. And a step of forming a metal wire layer having a metal wire.

前記金属層を金属ワイヤ層にする工程は、前記金属層上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層に前記スタンパの微細凹凸格子を転写する工程と、前記樹脂層に転写された微細凹凸格子をマスクとして前記金属層をエッチングすることにより前記金属ワイヤ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項８記載のワイヤグリッド偏光板の製造方法。 The step of converting the metal layer into a metal wire layer includes a step of forming a resin layer on the metal layer, a step of transferring a fine uneven lattice of the stamper to the resin layer, and a fine unevenness transferred to the resin layer. 9. The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 8, comprising: forming the metal wire layer by etching the metal layer using a lattice as a mask.