JP2006084776A - Wire-grid polarizer and its manufacturing method - Google Patents

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アン,セー・ウォン
Ki Dong Lee
イ,キ・ドン
Sung Eun Lee
イ,スン・ウン
Sang Soo Yoon
ユン,サン・スー
Jin Sung Kim
キム,ジン・スン
Joo Do Park
パク,ジョー・ド
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wire-grid polarizer which can be mass-produced at a low cost by allowing repeated and simple production of the wire-grid polarizer by utilizing an embossing technique when the wire-grid polarizer operating in the visible light band is manufactured, and has excellent polarizing performance at red R, green G and blue B in the visible light band. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the wire-grid polarizer comprises a process of manufacturing a die, a process of forming a metal thin film and polymer on a substrate in a prescribed order, a process of molding polymer by the use of the die, a process of forming a metal grid pattern by etching the metal thin film by the use of the molded polymer and a process of removing the polymer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法に係り、可視光線領域で作動するワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a wire grid polarizer and a manufacturing method thereof, and more particularly to a wire grid polarizer operating in the visible light region and a manufacturing method thereof.

電磁波で特定の光だけを偏光させるために平行した導電体線を配列させる平行伝導電線(parallel conducting wires)のアレイを用い始めて約100年が過ぎた。   About 100 years have passed since we began using arrays of parallel conducting wires that arranged parallel conductor wires to polarize only certain light with electromagnetic waves.

一般にこれをワイヤーグリッド(wire grid)といっており、透明な基板上に形成されて電磁波のうちの赤外線領域用の偏光子として使用されている。   Generally, this is called a wire grid, which is formed on a transparent substrate and used as a polarizer for the infrared region of electromagnetic waves.

通常的に、ワイヤーグリッドの偏光子性能を決定する重要な要素は平行したワイヤーとワイヤー間の距離すなわち、平行グリッド要素の周期と入射する波の波長との関係である。   Typically, an important factor that determines the polarizer performance of a wire grid is the relationship between the parallel wires and the distance between the wires, ie the period of the parallel grid elements and the wavelength of the incident wave.

もし、ワイヤーグリッドの周期が入射波の波長より大きければ、ワイヤーグリッドは偏光子よりは回折格子としての機能を果たすようになり、入射した偏光した光を回折させる。   If the period of the wire grid is larger than the wavelength of the incident wave, the wire grid functions as a diffraction grating rather than a polarizer, and diffracts the incident polarized light.

したがって、理論的によく知られた原理に従って回折干渉縞を形成させる。   Therefore, the diffraction interference fringes are formed according to a principle well known in theory.

そして、ワイヤーとワイヤーの周期が波長より短ければ、ワイヤーグリッドは偏光子として作用して電磁波がワイヤーグリッドに平行するように偏光された電磁波を反射させ、直交するように偏光された電磁波を透過させる。   If the period between the wires is shorter than the wavelength, the wire grid acts as a polarizer, reflects the electromagnetic waves polarized so that the electromagnetic waves are parallel to the wire grid, and transmits the electromagnetic waves polarized so as to be orthogonal to each other. .

一方、ワイヤーグリッド偏光ビームスプリッタを製作する時重要な要素としては周期、線幅、線の厚さ、グリッド物質の特性、基板の特性(屈折率)、入射波の波長と入射角などが考慮される。   On the other hand, important factors when manufacturing a wire grid polarization beam splitter include period, line width, line thickness, grid material characteristics, substrate characteristics (refractive index), incident wave wavelength and angle, etc. The

多くの研究は、前記グリッド物質の特性が偏光ビームスプリッタの偏光特性に大きな影響を及ぼさないことを示している。   Many studies have shown that the properties of the grid material do not significantly affect the polarization properties of the polarizing beam splitter.

図1は、従来技術の基本的なワイヤーグリッドの実施形態を図示する図である。   FIG. 1 is a diagram illustrating a basic wire grid embodiment of the prior art.

図1を参照すると、ワイヤーグリッド100は絶縁基板120に支持された多数の平行した伝導性ワイヤ110で構成される。   Referring to FIG. 1, the wire grid 100 includes a plurality of parallel conductive wires 110 supported on an insulating substrate 120.

伝導性ワイヤ110の周期はΛで表示され、伝導性ワイヤ110の幅はwで表示され、伝導性ワイヤ110の厚さはtで表示される。   The period of the conductive wire 110 is denoted by Λ, the width of the conductive wire 110 is denoted by w, and the thickness of the conductive wire 110 is denoted by t.

ここで、S、P偏光に対する一般的な定義を用いると、S偏光を有する光は入射平面に対して直交である偏光ベクトルを有し、伝導性要素に平行である。   Here, using the general definition for S, P polarization, light having S polarization has a polarization vector that is orthogonal to the plane of incidence and is parallel to the conductive element.

反対に、P偏光を有する光は入射平面に平行である偏光ベクトルを有するので伝導性要素に直交である。   Conversely, light with P polarization is orthogonal to the conductive element because it has a polarization vector that is parallel to the plane of incidence.

入射する電磁波の波長より伝導性ワイヤ110の配列周期が短い場合、伝導性ワイヤ110と平行した偏光成分(S偏光)は反射されて垂直な偏光成分(P偏光)は透過する。   When the arrangement period of the conductive wires 110 is shorter than the wavelength of the incident electromagnetic wave, the polarized component (S-polarized light) parallel to the conductive wire 110 is reflected and the perpendicular polarized component (P-polarized light) is transmitted.

一般に、ワイヤーグリッドを利用した偏光子は伝導性ワイヤに平行した電界ベクトルを有する光を反射し、伝導性ワイヤに垂直な電界ベクトルを有する光を透過させるが、入射平面はワイヤーグリッドに垂直であることもあってそうでない場合もある。ここで説明された幾何学的な表示は明らかに例示のためのである。   In general, a polarizer using a wire grid reflects light having an electric field vector parallel to the conductive wire and transmits light having an electric field vector perpendicular to the conductive wire, but the incident plane is perpendicular to the wire grid. Sometimes it is not. The geometric representation described here is clearly for illustration purposes.

理想的にワイヤーグリッドは一つの偏光、すなわちS偏光に対しては完壁なミラーとして機能し、他の偏光、すなわちP偏光に対して完壁に透明なことである。   Ideally, the wire grid functions as a perfect mirror for one polarization, ie, S polarization, and is completely transparent for the other polarization, ie, P polarization.

しかし、実際にはミラーとして使用された反射金属は入射光のわずかを吸収し、入射光の90%から95%程度だけを反射し、平面ガラスは表面反射のため100%入射光を透過させることはできない。   In practice, however, the reflective metal used as a mirror absorbs a small amount of incident light, reflects only 90% to 95% of the incident light, and the flat glass transmits 100% incident light due to surface reflection. I can't.

図1に示したように、ワイヤーグリッド偏光子の性能は偏光消滅比(polarization extinction ratio)と透過率で示すことができる。   As shown in FIG. 1, the performance of a wire grid polarizer can be expressed in terms of polarization extinction ratio and transmittance.

ここで、偏光消滅比と透過率は次の通り定義される。
偏光消滅比:(Si/St)│Pi=0
透過率:(Pt/Pi)│Si=0
Here, the polarization extinction ratio and the transmittance are defined as follows.
Polarization extinction ratio: (Si / St) | Pi = 0
Transmittance: (Pt / Pi) | Si = 0

前記した式において、偏光消滅比は、S偏光した光が入射したとき、透過したS波(St)と入射したS波(Si)の光パワーの比であり、透過率は、P偏光が入射する場合の透過したP波(Pt)と入射するP波(Pi)の光パワーの比である。   In the above formula, the polarization extinction ratio is the ratio of the optical power of the transmitted S wave (St) and the incident S wave (Si) when S polarized light is incident, and the transmittance is incident on P polarized light. Is the ratio of the optical power of the transmitted P wave (Pt) and the incident P wave (Pi).

この時、ワイヤーグリッド偏光子が高い偏光消滅比を有するためにはワイヤーグリッドの周期が入射光の波長に比べてかなり短くなければならない。   At this time, in order for the wire grid polarizer to have a high polarization extinction ratio, the period of the wire grid must be considerably shorter than the wavelength of the incident light.

しかし、ワイヤーグリッドの周期が短くなればなるほど製作が難しくなるので、ワイヤーグリッド偏光子は主にマイクロ波または赤外線領域で製作されて応用されてきた。これは短い波長の光を偏光させようとする場合ワイヤーグリッド周期がごく短くならなければならないためである。   However, the shorter the period of the wire grid, the more difficult it is to manufacture. Therefore, wire grid polarizers have been manufactured and applied mainly in the microwave or infrared region. This is because the wire grid period must be very short when polarizing light of a short wavelength.

しかし、半導体製造装備と露光技術の発達で微細パターン製作が可能になることによって可視光線で作動するワイヤーグリッド偏光子の製作が可能になっている。   However, the development of semiconductor manufacturing equipment and exposure technology enables the production of fine patterns, making it possible to produce wire grid polarizers that operate with visible light.

可視光線領域は人が目で感知することができる普通400nmから700nmまでの波長帯を言う。   The visible light region usually refers to a wavelength band from 400 nm to 700 nm that can be detected by human eyes.

すなわち、青色を含む赤、青、緑(R、G、B)の三原色に対して高いER(Extinction Range)特性を有するワイヤーグリッド偏光子の場合、ある程度の偏光特性を期待するためには、ワイヤーグリッドの周期が少なくとも200nmでなければならない。既存の偏光子より優れた偏光性能を得るためには0.1μm以下の周期を有するワイヤーグリッドが必要である。   That is, in the case of a wire grid polarizer having a high ER (Extinction Range) characteristic for the three primary colors including blue, red, blue, and green (R, G, B), in order to expect a certain degree of polarization characteristics, The grid period must be at least 200 nm. In order to obtain polarization performance superior to that of existing polarizers, a wire grid having a period of 0.1 μm or less is required.

現在最新の半導体工程の線幅は約0.1μmである。線と線を周期的に描くようになれば線間の空間も同じ幅を必要とするので、グリッド周期は0.2μmになる。   The line width of the latest semiconductor process is about 0.1 μm. If the lines are drawn periodically, the space between the lines also needs the same width, so the grid period is 0.2 μm.

短波長であるアルゴンレーザーを用いて干渉効果を利用すると、200nmのワイヤーグリッドまで可能である。   Using an interference effect using an argon laser having a short wavelength, a wire grid of 200 nm is possible.

このように、従来のワイヤーグリッド方式の偏光板で可能であった200nm程度の周期を約100nm程度の周期に減らせば、ワイヤーグリッド偏光板の性能を画期的に向上させることができ、偏光板の性能が向上するので、これに対する研究が必要な実情である。   Thus, if the period of about 200 nm, which was possible with a conventional wire grid type polarizing plate, is reduced to a period of about 100 nm, the performance of the wire grid polarizing plate can be dramatically improved. This is an actual situation that needs to be researched.

本発明は可視光線帯域で作動するワイヤーグリッド偏光子を製作する際に、エンボス技法を利用してワイヤーグリッド偏光子を容易に反復的に生産できるようにして低価で大量生産できるようにするのが目的である。   When manufacturing wire grid polarizers operating in the visible light band, the present invention makes it possible to easily and repeatedly produce wire grid polarizers using embossing techniques so that they can be mass produced at low cost. Is the purpose.

また、本発明は可視光線帯域の赤R、緑G、青Bのすべてにおいて偏光性能が優れているワイヤーグリッド偏光子を提供することも目的である。   Another object of the present invention is to provide a wire grid polarizer having excellent polarization performance in all of red R, green G, and blue B in the visible light band.

本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造方法は型を製作する段階と、基板上に金属薄膜とポリマーを所定の順序で形成する段階と、前記型を利用してポリマーを成形する段階と、前記成形されたポリマーを利用して金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成する段階と、前記ポリマーを除去する段階とを含むことを特徴とする。   The wire grid polarizer manufacturing method according to the present invention includes a step of manufacturing a mold, a step of forming a metal thin film and a polymer on a substrate in a predetermined order, a step of forming a polymer using the mold, and the molding. The method includes etching a metal thin film using the polymer to form a metal lattice pattern, and removing the polymer.

本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造方法は型を製作する段階と、基板上にポリマーを形成する段階と、前記型を利用してポリマーパターンを形成する段階と、前記ポリマーパターンをエッチングして基板一部領域を露出させる段階と、前記ポリマーパターンと露出した基板上に金属薄膜を堆積させる段階と、前記ポリマーパターンを除去する段階と、を含むことを特徴とする。   The method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention includes a step of manufacturing a mold, a step of forming a polymer on a substrate, a step of forming a polymer pattern using the mold, and etching the polymer pattern to form a substrate. The method includes the steps of exposing a partial region, depositing a metal thin film on the polymer pattern and the exposed substrate, and removing the polymer pattern.

本発明によるワイヤーグリッド偏光子はエンボス技法を利用して型を製作して、前記型を繰り返して用いることができるので製作費用を節減して大量生産することができる効果がある。   The wire grid polarizer according to the present invention can produce a mold by using an embossing technique, and the mold can be used repeatedly. Therefore, there is an effect that the production cost can be reduced and mass production can be performed.

また、本発明によるワイヤーグリッド偏光子製作方法は付加的な装置が不要であり、工程時間が短いので製造収率を高めることができる効果がある。   In addition, the wire grid polarizer manufacturing method according to the present invention does not require an additional device, and the process time is short, so that the manufacturing yield can be increased.

さらに、本発明は可視光線での偏光消滅比が優秀であって平板ディスプレー、プロジェクションディスプレー、光学機器などに広範囲に応用できて利用価値が高い。   Furthermore, the present invention has an excellent polarization extinction ratio in visible light, and can be applied to a wide range of flat display, projection display, optical equipment, etc., and has high utility value.

以下、添付した図面を参照にして本発明によるワイヤーグリッド偏光子に対して具体的に説明する。   Hereinafter, a wire grid polarizer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図2は、可視光線帯域でワイヤーグリッドの周期と偏光消滅比との関係を示すグラフである。   FIG. 2 is a graph showing the relationship between the period of the wire grid and the polarization extinction ratio in the visible light band.

図2に示したように、ワイヤーグリッド偏光子の偏光効率はワイヤーグリッドの周期と密接な関連がある。   As shown in FIG. 2, the polarization efficiency of the wire grid polarizer is closely related to the period of the wire grid.

ワイヤーグリッドの材料はアルミニウム(Al)を用いており、ワイヤーグリッドの高さは140nmである。   The material of the wire grid is aluminum (Al), and the height of the wire grid is 140 nm.

また、金属の線幅は60nmであって、赤R、緑G、青Bの周期はそれぞれ450nm、550nm、650nmである。   The metal line width is 60 nm, and the periods of red R, green G, and blue B are 450 nm, 550 nm, and 650 nm, respectively.

偏光消滅比が10,000以上になるためにはワイヤーグリッドの周期が120nm以下にならなければならない。   In order for the polarization extinction ratio to be 10,000 or more, the period of the wire grid must be 120 nm or less.

ワイヤーグリッド偏光子をエンボス技法を利用して製作するためにはまず型を製作しなければならない。   In order to manufacture a wire grid polarizer using an embossing technique, a mold must first be manufactured.

図3は、本発明によるワイヤーグリッドを製造するための型を製作する過程を概略的に示す図である。   FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a process of manufacturing a mold for manufacturing a wire grid according to the present invention.

ここで、ワイヤーグリッド偏光子を製造するために使われる型の材料としては、シリコン(Si)、二酸化シリコン(SiO2)、クォーツガラス、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)、高分子物質などを使用することができる。すなわち、透明な型と金属からなる型を目的に応じて使用する。 Here, the types of materials used to manufacture the wire grid polarizer include silicon (Si), silicon dioxide (SiO 2 ), quartz glass, nickel (Ni), platinum (Pt), chromium (Cr), A polymer substance or the like can be used. That is, a transparent mold and a metal mold are used according to the purpose.

ワイヤーグリッドを製作するために使われるエンボス技法には熱を加えてポリマーを成形するホットエンボス技法と型で押しながら紫外線を利用してポリマーを硬化させて成形する紫外線エンボス技法がある。   There are two embossing techniques used to fabricate the wire grid: a hot embossing technique in which heat is applied to form the polymer, and an ultraviolet embossing technique in which the polymer is cured using ultraviolet light while being pressed by a mold.

型の材料として羅列した物質はすべて熱エンボス技法に使用することができ、特に、クォーツガラス、透明高分子材料などは透明物質であるので紫外線エンボス技法にも適用することができる。   All materials listed as mold materials can be used in the hot embossing technique, and in particular, quartz glass, transparent polymer materials, etc. are transparent substances and can be applied to the ultraviolet embossing technique.

先に、図3Aに示したように、シリコンのような型用の基板200aに高分子層210をスプレー法、スピンコーティング法などの方法により形成する。   First, as shown in FIG. 3A, the polymer layer 210 is formed on a mold substrate 200a such as silicon by a method such as a spray method or a spin coating method.

高分子層210としては電子ビームに敏感な材料を用いており、PMMA(polymethylmethacrylate)などがその代表である。   As the polymer layer 210, a material sensitive to an electron beam is used, and PMMA (polymethylmethacrylate) is a representative example.

高分子は電子ビームに敏感であるので、照射される部位に化学反応が起こる。このような性質を利用して電子ビーム照射と現像を介して所望するパターン形成が可能である。   Since a polymer is sensitive to an electron beam, a chemical reaction occurs at the irradiated site. Utilizing such properties, a desired pattern can be formed through electron beam irradiation and development.

高分子の種類がポジ型感光剤の場合に電子ビームに照射された部分が現像溶液に溶けて、ネガ型感光剤の場合に電子ビームに照射されない部分が現像溶液に溶ける。   When the type of polymer is a positive photosensitive agent, the portion irradiated with the electron beam is dissolved in the developing solution, and when the polymer is a negative photosensitive agent, the portion not irradiated with the electron beam is dissolved in the developing solution.

したがって、前記したように、型基板200a上に高分子層210を形成した後、図3Bに示したように、電子ビームを高分子層210に照射して格子パターンを作る。   Therefore, as described above, after the polymer layer 210 is formed on the mold substrate 200a, the polymer layer 210 is irradiated with an electron beam as shown in FIG. 3B to form a lattice pattern.

次に、図3Cに示したように、現像溶液に浸して所望する格子パターン通りに現像する。   Next, as shown in FIG. 3C, it is immersed in a developing solution and developed according to a desired lattice pattern.

前記のように形成された格子パターンをエッチングマスクとして用いて図3Dに示したように、型基板を乾式エッチングまたは湿式エッチングする。   The mold substrate is dry-etched or wet-etched as shown in FIG. 3D using the lattice pattern formed as described above as an etching mask.

最後に、エッチングマスクとして用いた高分子層を除去すれば図3Eに示したように、所望するパターンを有するワイヤーグリッド偏光子製作用の型200bが完成する。   Finally, if the polymer layer used as the etching mask is removed, as shown in FIG. 3E, a wire grid polarizer mold 200b having a desired pattern is completed.

ここで、前記のような型製作工程時に高分子と型の分離を容易にするためにシラン基が含まれた薬品を利用して型を表面処理する。   Here, in order to facilitate separation of the polymer and the mold during the mold manufacturing process as described above, the mold is surface-treated using a chemical containing a silane group.

前記のように製作された型を利用して本発明による可視光線帯域で作動するワイヤーグリッド偏光子を製作する。   A wire grid polarizer operating in the visible light band according to the present invention is manufactured using the mold manufactured as described above.

図4Aないし4Hは、本発明による第1実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図である。   4A to 4H are process sequence diagrams illustrating a process of manufacturing a wire grid polarizer according to the first embodiment of the present invention.

前に説明したように、製作された型を利用してワイヤーグリッド偏光子を製作するが、最初に、両面が研磨された透明ガラス基板300を準備する(図4A)。   As described above, a wire grid polarizer is manufactured using the manufactured mold. First, a transparent glass substrate 300 having both surfaces polished is prepared (FIG. 4A).

そして、図4Bに示したように、ガラス基板300上に金属薄膜310aを堆積させる。   Then, as shown in FIG. 4B, a metal thin film 310a is deposited on the glass substrate 300.

金属薄膜310aとしてはアルミニウム(Al)、銀(Ag)、クロム(Cr)などを利用できる。   Aluminum (Al), silver (Ag), chromium (Cr), or the like can be used as the metal thin film 310a.

続いて、図4Cに示したように、金属薄膜310a上にポリマー320aをコーティングする。   Subsequently, as shown in FIG. 4C, a polymer 320a is coated on the metal thin film 310a.

そして、前述のように製作された型330をポリマー320aに圧力を加えて押し付け、型のパターンをポリマー320aに転写させる。   Then, the mold 330 manufactured as described above is pressed against the polymer 320a to transfer the pattern of the mold to the polymer 320a.

ここで、ポリマー320aが熱硬化材料の場合には型として金属型を用い、紫外線硬化材料の場合は透明な高分子型を用いることが望ましい。   Here, it is desirable to use a metal mold as the mold when the polymer 320a is a thermosetting material, and to use a transparent polymer mold when the polymer 320a is an ultraviolet curable material.

ここで、ポリマー320aが熱硬化材料の場合には熱エンボス技法を用いてポリマーを前ベーク(pre-bake)し、ポリマーが紫外線硬化材料の場合には、コーティングされたポリマーを硬化させないように、紫外線エンボス技法を用い、透明な型を用いる。   Here, if the polymer 320a is a thermosetting material, the polymer is pre-baked using a hot embossing technique, and if the polymer is an UV curable material, the coated polymer is not cured. Use UV embossing technique and use transparent mold.

したがって、図4Dに示したように、型330上に熱を加えたり紫外線を照射してポリマー320bを硬化させる。   Therefore, as shown in FIG. 4D, the polymer 320b is cured by applying heat or irradiating ultraviolet rays onto the mold 330.

以後、図4Eのように型330をポリマー320bから分離する。   Thereafter, the mold 330 is separated from the polymer 320b as shown in FIG. 4E.

それによって、ポリマー320bに型330のパターンが転写されて型330と凹凸が反対のパターンが形成される。   As a result, the pattern of the mold 330 is transferred to the polymer 320b, and a pattern opposite to the mold 330 is formed.

熱エンボス技法を用いた場合には基板の温度が冷却してからポリマー320bから型330を分離させる。   When the hot embossing technique is used, the mold 330 is separated from the polymer 320b after the temperature of the substrate is cooled.

紫外線技法を用いた場合には紫外線硬化が終わってから型330をポリマー320bから分離させる。   When the ultraviolet ray technique is used, the mold 330 is separated from the polymer 320b after the ultraviolet ray curing is finished.

次に、図4Fに示したように、金属薄膜310aの表面が露出するようにポリマー320bパターン全面を乾式エッチングする。   Next, as shown in FIG. 4F, the entire surface of the polymer 320b pattern is dry-etched so that the surface of the metal thin film 310a is exposed.

ポリマー320cは型330によって凹凸が形成されて段差があるので、ポリマー320cの厚さの薄い部分がエッチング工程により除去されて、金属薄膜310aの表面を部分的に露出させる。   Since the polymer 320c is uneven by the mold 330 and has a level difference, the thin part of the polymer 320c is removed by the etching process, and the surface of the metal thin film 310a is partially exposed.

以後、図4Gに示したように、表面の一部が露出した金属薄膜310aを乾式エッチングまたは湿式エッチング工程を介してエッチングして金属格子パターン310bを形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 4G, the metal thin film 310a with a part of the surface exposed is etched through a dry etching or wet etching process to form a metal lattice pattern 310b.

最終的に、図4Hに示したように、金属格子パターン310b上に残っているポリマー320cを除去する。   Finally, as shown in FIG. 4H, the polymer 320c remaining on the metal grid pattern 310b is removed.

そうすることで、基板300上に所望の格子パターンを有するワイヤーグリッド偏光子が完成する。   By doing so, a wire grid polarizer having a desired lattice pattern on the substrate 300 is completed.

図5Aないし5Gは、本発明による第2実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する他の工程を示す工程順序図である。   FIGS. 5A to 5G are process sequence diagrams showing another process of manufacturing a wire grid polarizer according to the second embodiment of the present invention.

先に説明したように、製作された型を利用してワイヤーグリッド偏光子を製作するが、まず、両面が研磨された透明ガラス基板を準備する(図5A)。   As described above, a wire grid polarizer is manufactured using the manufactured mold. First, a transparent glass substrate whose both surfaces are polished is prepared (FIG. 5A).

そして、図5Bに示したように、ガラス基板400上にポリマー410aをコーティングして、製作された型430を準備する。   Then, as shown in FIG. 5B, a polymer 410a is coated on the glass substrate 400 to prepare a manufactured mold 430.

さらに、図5Cに示したように、型430をポリマー410aに圧力を加えて押し付けて型430のパターンをポリマー410bに転写させる。   Further, as shown in FIG. 5C, the pattern of the mold 430 is transferred to the polymer 410b by pressing the mold 430 while applying pressure to the polymer 410a.

したがって、ポリマー410bには型430のパターンが転写されて型430と凹凸が反対のパターンが形成される。   Accordingly, the pattern of the mold 430 is transferred to the polymer 410b, and a pattern having the opposite concavities and convexities to the mold 430 is formed.

続いて、図5Dに示したように、型430上に熱を加えたり紫外線を照射してポリマー410bを硬化させる。   Subsequently, as shown in FIG. 5D, the polymer 410b is cured by applying heat or irradiating the mold 430 with ultraviolet rays.

ここで、熱エンボス技法を用いた場合には基板400の温度が冷却した後にポリマー410bから型430を分離させる。   Here, when the hot embossing technique is used, the mold 430 is separated from the polymer 410b after the temperature of the substrate 400 is cooled.

そして、紫外線技法を用いた場合には紫外線硬化が終わってから型430をポリマー410bから分離させる。   When the ultraviolet ray technique is used, the mold 430 is separated from the polymer 410b after the ultraviolet ray curing is finished.

ここで、ポリマーが熱硬化材料の場合には金属型を用いており、紫外線硬化材料の場合は透明な高分子型を用いる。   Here, when the polymer is a thermosetting material, a metal type is used, and when the polymer is an ultraviolet curable material, a transparent polymer type is used.

この時、ポリマーが熱硬化材料の場合熱エンボス技法を用いてポリマーを前ベークし、前記ポリマーが紫外線硬化材料の場合には紫外線エンボス技法を用いてコーティングされたポリマーを硬化させないで透明な型を用いる。   At this time, when the polymer is a thermosetting material, the polymer is pre-baked using a heat embossing technique, and when the polymer is an ultraviolet curable material, a transparent mold is formed without curing the coated polymer using the ultraviolet embossing technique. Use.

次に、図5Eに示したように、基板400の表面が部分的に露出するようにポリマー410cパターン全面を乾式エッチングする。   Next, as shown in FIG. 5E, the entire surface of the polymer 410c pattern is dry-etched so that the surface of the substrate 400 is partially exposed.

ポリマー410cは先に型430によって凹凸が形成されて段差があるのでポリマー410cの厚さの薄い部分がエッチング工程により除去されて基板400の表面を部分的に露出させる。   Since the polymer 410c is first formed with unevenness by the mold 430 and has a level difference, the thin portion of the polymer 410c is removed by an etching process to partially expose the surface of the substrate 400.

そして、図5Fに示したように、ガラス基板400上に金属薄膜420aを真空蒸着させる。   Then, as shown in FIG. 5F, a metal thin film 420a is vacuum deposited on the glass substrate 400.

金属薄膜420aとしてはアルミニウム(Al)、銀(Ag)、クロム(Cr)などを利用できる。   As the metal thin film 420a, aluminum (Al), silver (Ag), chromium (Cr), or the like can be used.

その後、金属薄膜420aを蒸着したポリマー410cをエッチング液に浸して除去すると、図5Gに図示したような金属格子パターン420bが残る。   Thereafter, when the polymer 410c on which the metal thin film 420a is deposited is removed by immersion in an etching solution, a metal lattice pattern 420b as illustrated in FIG. 5G remains.

すなわち、基板400上に所望する格子パターンを有するワイヤーグリッド偏光子を製造することができる。   That is, a wire grid polarizer having a desired lattice pattern on the substrate 400 can be manufactured.

以上本発明を具体的な実施形態を介して詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのことであって、本発明による波長フィルター製造方法はこれに限られなくて、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその変形や改良が可能なことが明白である。   As described above, the present invention has been described in detail through specific embodiments, but this is for specifically describing the present invention, and the wavelength filter manufacturing method according to the present invention is not limited thereto, It is apparent that modifications and improvements can be made by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention.

本発明は可視光線領域で作動するワイヤーグリッド偏光子を提供することができる。   The present invention can provide a wire grid polarizer that operates in the visible light region.

従来技術の基本的なワイヤーグリッドの実施形態を図示する図面。1 illustrates a basic wire grid embodiment of the prior art. 可視光線帯域で金属格子の周期と偏光消滅比との関係を見せるグラフ。A graph showing the relationship between the period of the metal grating and the depolarization ratio in the visible light band. 本発明によるワイヤーグリッドを製造するための型を製作する過程を概略的に示す図面。1 schematically illustrates a process of manufacturing a mold for manufacturing a wire grid according to the present invention. 本発明による第1実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。The process sequence which is 1st Embodiment by this invention, and shows the process of manufacturing a wire grid polarizer. 本発明による第1実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。The process sequence which is 1st Embodiment by this invention, and shows the process of manufacturing a wire grid polarizer. 本発明による第2実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。It is 2nd Embodiment by this invention, Comprising: The process sequence diagram which shows the process of manufacturing a wire grid polarizer. 本発明による第2実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。It is 2nd Embodiment by this invention, Comprising: The process sequence diagram which shows the process of manufacturing a wire grid polarizer.

符号の説明Explanation of symbols

100…ワイヤーグリッド、110…伝導性電極、120…絶縁基板、200a…型基板、200b、330、430…型、210…高分子層、300、400…ガラス基板、310a、420a…金属薄膜、320a、320b、320c…ポリマー、410a、410b、410c…ポリマー   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Wire grid, 110 ... Conductive electrode, 120 ... Insulating substrate, 200a ... Mold substrate, 200b, 330, 430 ... Mold, 210 ... Polymer layer, 300, 400 ... Glass substrate, 310a, 420a ... Metal thin film, 320a 320b, 320c ... polymer, 410a, 410b, 410c ... polymer

Claims (19)

基板と、
前記基板上に、型により形成されて金属格子の周期が120nm以下である金属格子パターンが含まれることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子。
A substrate,
A wire grid polarizer, comprising a metal grid pattern formed by a mold and having a metal grid period of 120 nm or less on the substrate.
前記型の材質はシリコン(Si)、SiO2、クォーツガラス、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)、高分子物質のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載のワイヤーグリッド偏光子。   2. The material according to claim 1, wherein the material of the mold is any one of silicon (Si), SiO2, quartz glass, nickel (Ni), platinum (Pt), chromium (Cr), and a polymer material. The wire grid polarizer described. 前記金属格子パターンは型を利用して熱エンボス技法または紫外線エンボス技法で製作されることを特徴とする請求項1に記載のワイヤーグリッド偏光子。   The wire grid polarizer of claim 1, wherein the metal grid pattern is manufactured by a heat embossing technique or an ultraviolet embossing technique using a mold. 型を製作する段階と、
基板上に金属薄膜とポリマーを所定の順序で形成する段階と、
前記型を利用してポリマーを成形する段階と、
前記成形されたポリマーを利用して金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成する段階と、
前記ポリマーを除去する段階とを含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光子製造方法。
Making the mold,
Forming a metal thin film and a polymer in a predetermined order on a substrate;
Molding the polymer using the mold;
Etching the metal thin film using the molded polymer to form a metal lattice pattern;
Removing the polymer. A method of manufacturing a wire grid polarizer.
前記型の材質はシリコン(Si)、SiO2、クォーツガラス、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)、高分子物質のうち一つであることを特徴とする請求項4に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   5. The material of claim 4, wherein the material of the mold is one of silicon (Si), SiO2, quartz glass, nickel (Ni), platinum (Pt), chromium (Cr), and a polymer material. Wire grid polarizer manufacturing method. 前記型を利用してポリマーを成形する段階は、
前記型をポリマーに押してパターンを転写する段階と、
前記ポリマーを硬化させる段階と、
前記型をポリマーから分離させる段階とで構成されることを特徴とする請求項4に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
The step of molding the polymer using the mold includes:
Pressing the mold onto the polymer to transfer the pattern;
Curing the polymer;
The method for producing a wire grid polarizer according to claim 4, comprising separating the mold from the polymer.
前記ポリマーは熱硬化物質または紫外線硬化物質であることを特徴とする請求項4に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method of claim 4, wherein the polymer is a thermosetting material or an ultraviolet curable material. 前記型を製作する段階は、
前記型基板に感光性ポリマーを形成する段階と、
前記感光性ポリマーをパターニングする段階と、
前記感光性ポリマーをマスクにして型基板をエッチングする段階と、
前記感光性ポリマーを除去する段階とをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項4に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
The step of producing the mold includes
Forming a photosensitive polymer on the mold substrate;
Patterning the photosensitive polymer;
Etching the mold substrate using the photosensitive polymer as a mask;
The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 4, further comprising a step of removing the photosensitive polymer.
前記感光性ポリマーをパターニングする方法はフォトリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、半導体露光方法を利用することを特徴とする請求項8に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 8, wherein the method of patterning the photosensitive polymer uses photolithography, electron beam lithography, or a semiconductor exposure method. 前記金属薄膜をエッチングする方法は乾式エッチングまたは湿式エッチング方法であることを特徴とする請求項4に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 4, wherein the method of etching the metal thin film is a dry etching method or a wet etching method. 前記感光性ポリマーを除去する段階において、前記型の表面をシラン基が含まれた薬品を用いて処理することを特徴とする請求項8に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   9. The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 8, wherein in the step of removing the photosensitive polymer, the surface of the mold is treated with a chemical containing a silane group. 型を製作する段階と、
基板上にポリマーを形成する段階と、
前記型を利用してポリマーパターンを形成する段階と、
前記ポリマーパターンをエッチングして基板の一部を露出させる段階と、
前記ポリマーパターンと露出した基板上に金属薄膜を堆積させる段階と、
前記ポリマーパターンを除去する段階とを含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光子製造方法。
Making the mold,
Forming a polymer on a substrate;
Using the mold to form a polymer pattern;
Etching the polymer pattern to expose a portion of the substrate;
Depositing a metal thin film on the polymer pattern and an exposed substrate;
Removing the polymer pattern. A method of manufacturing a wire grid polarizer.
前記型の材質はシリコン(Si)、SiO2、クォーツガラス、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)、高分子物質のうち一つであることを特徴とする請求項12に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The material according to claim 12, wherein the material of the mold is one of silicon (Si), SiO2, quartz glass, nickel (Ni), platinum (Pt), chromium (Cr), and a polymer material. Wire grid polarizer manufacturing method. 前記型を利用してポリマーパターンを形成する段階は、
前記型をポリマーに押してパターンを転写する段階と、
前記ポリマーを硬化させる段階と、
前記型をポリマーから分離させる段階とで構成されることを特徴とする請求項12に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
The step of forming a polymer pattern using the mold includes:
Pressing the mold onto the polymer to transfer the pattern;
Curing the polymer;
The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 12, comprising separating the mold from the polymer.
前記ポリマーは熱硬化物質または紫外線硬化物質であることを特徴とする請求項12に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method of claim 12, wherein the polymer is a thermosetting material or an ultraviolet curable material. 前記型を製作する段階は、
前記型基板に感光性ポリマーを形成する段階と、
前記感光性ポリマーをパターニングする段階と、
前記ポリマーをマスクにしてエッチングする段階と、
前記ポリマーを除去する段階とをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項12に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
The step of producing the mold includes
Forming a photosensitive polymer on the mold substrate;
Patterning the photosensitive polymer;
Etching using the polymer as a mask;
The method for manufacturing a wire grid polarizer according to claim 12, further comprising a step of removing the polymer.
前記感光性ポリマーをパターニングする方法はフォトリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、半導体露光方法を利用することを特徴とする請求項16に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 16, wherein the method of patterning the photosensitive polymer uses photolithography, electron beam lithography, or a semiconductor exposure method. 前記金属薄膜をエッチングする方法は乾式エッチングまたは湿式エッチング方法であることを特徴とする請求項12に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 12, wherein the method for etching the metal thin film is a dry etching method or a wet etching method. 前記感光性ポリマーを除去する段階において、前記型の表面をシラン基が含まれた薬品を用いて処理することを特徴とする請求項16に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。   The method for producing a wire grid polarizer according to claim 16, wherein in the step of removing the photosensitive polymer, the surface of the mold is treated with a chemical containing a silane group.
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