JP2008084800A - 同軸ケーブル及びその遮蔽性能評価方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低周波帯において遮蔽性能が改善されてノイズの侵入を防止し、ワイヤーハーネスとの統合化を図ることができる同軸ケーブル及び手間をかけずに低費用で遮蔽性能を評価することができる同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法を提供する。
【解決手段】絶縁体４で被覆された内部導体３の外周に外部導体層１７が設けられ、その外周にシース７が設けられた同軸ケーブル１５において、前記外部導体層１７が、絶縁体４の外周に設けられ、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層の主導体層１８と、その外周に設けられ、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍまで低減させる１層の補助導体層１９とからなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、自動車等の車両内の信号伝送（例えば、ラジオ、モニター画像等）に使用される同軸ケーブル及びその遮蔽性能評価方法に関するものである。

従来、この種の一般的な同軸ケーブルは、図８、図９に示すような構成になっている。図８に示す同軸ケーブル１は、絶縁体４で被覆された内部導体（中心導体）３の外周に、１層の外部導体層（遮蔽層）５が設けられ、その外周にシース（外被）７が設けられたものである。また、図９に示す同軸ケーブル２は、絶縁体４で被覆された内部導体３の外周に、遮蔽性能を改善するために、２層の外部導体層５、６が設けられ、その外周にシース７が設けられたものである。外部導体層５、６は、複数本の金属素線を網目状に編組したもの、複数本の金属素線を横巻きしたもの、金属箔、金属テープ又はプラスチックテープの片面に金属蒸着層をラミネートした複合テープを縦添え又は横巻きしたもの等が使用される（特許文献１参照）。

また、同軸ケーブル１、２の遮蔽性能評価方法としては、一般に国際標準ＩＥＣ６１１９６に定められた伝達インピーダンス法が用いられている。この方法は、図１０に示すような伝達インピーダンス測定装置８を用い、その金属パイプ９内に、規定長さｌの同軸ケーブル１、２を挿入し、発信器１０側から電流を流し、外部導体層５、６を流れる外部電磁界との結合により発生した内部導体３の電圧を測定し、その出力電圧Ｕ２と入力電圧Ｕ１との比を演算し、スペクトラムアナライザ１１で周波数に対する伝達インピーダンスを読み取る方法である。この伝達インピーダンスが小さいほど、外部導体層５、６の遮蔽性能が改善されることを意味する。

特開２００４−２１４１３７号公報

自動車等の車両内の信号伝送（例えば、ラジオ、モニター画像等）に使用される同軸ケーブル１、２は、車両内に配索されたワイヤーハーネスやオルタネータ、モータ等のノイズ源から生じるノイズの影響を受けやすい。ノイズの影響は、ラジオ、テレビ、ナビゲーション等の音声、画像信号を乱し、雑音、画像のちらつき等となってあらわれるため、従来の同軸ケーブル１、２はノイズ源となるワイヤーハーネス（Ｗ／Ｈ）から離れた別の経路に配索させていた。

近年、車両室内の拡大化の傾向に伴い、配線材の配索経路が制限されたり、配索スペースが削減されたりする傾向にあり、従来は距離を置いて配置していたワイヤーハーネスやモータ類などのノイズ源と近接配置する必要がでてきており、今までは問題視されなかった低周波帯であるＬＷ帯（１５３〜２７９ｋＨｚ）、ＡＭラジオで使用されるＡＭ帯（５２２〜１７１０ｋＨｚ）、ＳＷ帯（２．９４〜２１．９７５ＭＨｚ）にもノイズ源からノイズが侵入してくる恐れがあり、このため、低周波帯（ＬＷ帯〜ＳＷ帯）において同軸ケーブルの遮蔽性能を改善することが必要になってくる。

しかしながら、現在、低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブルを開発する設計方法が確立されていない。このため、従来の同軸ケーブル１、２は、低周波帯において遮蔽性能が改善されておらず、低周波帯において、ノイズが侵入する恐れがあり、同軸ケーブルをワイヤーハーネスなどのノイズ源に近接配置することが困難であった。また、このような同軸ケーブルを開発する場合には、同軸ケーブルの遮蔽性能を評価する必要があるが、従来の伝達インピーダンス法による遮蔽性能評価方法は、伝達インピーダンス測定装置８が高価なこと、同軸ケーブルのサンプルを試行錯誤で多数試作する必要があること、伝達インピーダンスの測定に手間（労力、時間）がかかること等により、遮蔽性能評価方法に費用がかかるという問題があった。

本発明は上記課題を解決し、低周波帯において遮蔽性能が改善されてノイズの侵入を防止し、ノイズ源と近接配置することができる同軸ケーブル及び手間をかけずに低費用で遮蔽性能を評価することができる同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法の提供を目的とするものである。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の発明は、絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けられた同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層の遮蔽抵抗が６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定されていることを特徴とするものである。

本発明の請求項２記載の発明は、請求項１記載の同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層が複数層設けられていることを特徴とするものである。

本発明の請求項３記載の発明は、請求項２記載の同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層が、絶縁体の外周に設けられ、遮蔽率が８０％以上であるか、または、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層又は複数層の主導体層と、その外周に設けられ、外部導体層全体の遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍまで低減させる１層又は複数層の補助導体層とからなることを特徴とするものである。

本発明の請求項４記載の発明は、絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けられた同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法において、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出することにより遮蔽性能を評価することを特徴とするものである。

本発明の請求項５記載の発明は、請求項７記載の同軸ケーブルの評価方法において、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が１１．０ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価することを特徴とするものである。

本発明の請求項１記載の同軸ケーブルによると、外部導体層の遮蔽抵抗が６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定されているので、低周波帯において遮蔽性能が改善されて、ノイズの侵入を防止し、ノイズ源と近接配置することができる。また外部導体層の遮蔽性能の評価が簡単になるので、遮蔽性能の優れた同軸ケーブルを容易に設計して開発することができる。

本発明の請求項２記載の同軸ケーブルによると、前記外部導体層が複数層設けられているので、外部導体層の遮蔽抵抗を容易に低減させ、遮蔽性能の改善を図ることができる。

本発明の請求項３記載の同軸ケーブルによると、外部導体層が主導体層と補助導体層からなるので、外部導体層の遮蔽抵抗を調整する場合には、外側に位置する補助導体層の遮蔽抵抗を変更して、外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出すればよい。従って、遮蔽抵抗の調整が容易になり、外部導体層の遮蔽抵抗を所望の抵抗値に的確に、且つ、速やかに設定することができる。また、主導体層の遮蔽率が８０％以上、または、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定されているので、主導体層が絶縁体の外周に一様にむらなく被覆されて遮蔽性能がばらつかず安定し、遮蔽性能を改善し易くなる。更に、補助導体層の遮蔽抵抗の調整幅を広く取れるので、外部導体層全体の遮蔽抵抗を１１．０ｍΩ／ｍ以下に調整することが容易になる。

本発明の請求項４記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法によると、外部導体層の遮蔽性能を評価する基準として、伝達インピーダンスではなく、遮蔽抵抗（導体電気抵抗）を用いるので、その遮蔽抵抗を安価な測定装置を用いて簡単、且つ、正確に測定することができる。また、必ずしも同軸ケーブルのサンプルを試作して測定する必要がなく、外部導体層のサンプルだけ試作して測定することもできる。また、同軸ケーブル又は外部導体層のサンプルを試作する代わりに、数式計算により算出することもできる。更に、同軸ケーブル又は外部導体層のサンプルを試作する場合でも、数式計算により予測される遮蔽抵抗のサンプルを試作すればよいので、サンプルを試行錯誤して多数試作する必要がなくなる。従って、同軸ケーブルの遮蔽性能の評価を従来の伝達インピーダンス法よりも手間をかけることなく能率よく低費用で行うことができる。

本発明の請求項５記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法によると、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が１１．０ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価するようにしたので、低周波帯において同軸ケーブルの遮蔽性能が改善されているかどうかの評価を的確に行うことができ、低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブルの設計、開発、試験、検査等に大きく寄与することができる。

次に本発明の好ましい実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る同軸ケーブル１５の１実施形態を示す斜視図である。なお、従来の同軸ケーブルと同一構成のものには同一符号が付してある。

本実施形態の同軸ケーブル１５は、絶縁体４で被覆された内部導体（中心導体）３の外周に、外部導体層１７が設けられ、その外周にシース７が設けられている。外部導体層１７は、絶縁体４の外周に、これを一様に、即ち、後記金属素線、金属テープ等の間に隙間が出来ないように密着させて設けられ、遮蔽率が８０％以上、または、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層の主導体層１８と、その外周に設けられ、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍまで低減させる１層の補助導体層１９とから構成されている。補助導体層１９は、外部導体層１７の遮蔽抵抗を調整する機能を備えるものであるから、主導体層１８に示すように一様に覆うのではなく、金属素線、テープ等の間に周方向に１箇所又は複数箇所にわたり隙間が形成されるように設けてもよい。

外部導体層１７を構成する主導体層１８及び補助導体層１９は、複数本の金属素線を網目状に編組したもの、複数本の金属素線を同方向若しくは交互に横巻きし（撚り合わせ）たもの、又は内部導体３の長手方向に沿って縦添えしたもの、金属箔、金属テープ又はプラスチックテープの片面に金属蒸着層をラミネートした複合テープを縦添え又は横巻きし（撚り合わせ）たもの等で構成される。主導体層１８及び補助導体層１９は前記したような１層ではなく、複数層設けるようにしてもよい。

低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブル１５の設計、開発、試験、検査等のために、その外部導体層１７の遮蔽性能を評価する場合には、その基準として伝達インピーダンスではなく遮蔽抵抗を用いる。その遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定する場合には、内側に位置する主導体層１８の遮蔽抵抗を３５ｍΩ／ｍ以下の所定値に予め設定し、次に、外側に位置する補助導体層１９の遮蔽抵抗を適宜選択した同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作し、外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定して遮蔽性能を評価する。その遮蔽抵抗の測定値が１１．０ｍΩ／ｍよりも大きい場合には、その補助導体層１９を別の遮蔽抵抗を有する補助導体層１９に取り換えた同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを再度試作し、外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定して遮蔽性能を再評価する。このような操作を必要回数行って、外部導体層１７の遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定する。

外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定する場合には、例えば、図２に示すような構造が簡単で安価な遮蔽抵抗測定装置２１を用いて測定することができる。即ち、所定長さの同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作して用意し、その両端をチャック等の把持部材２３で把持し、電源２５から把持部材２３を通して外部導体層１７に電流を流し、電気抵抗計２７で外部導体層１７の遮蔽抵抗（導体電気抵抗）を測定する。そして、得られた測定値が合否判定の基準である１１．０ｍΩ／ｍ以下である場合には合格（遮蔽性能が改善されている）、１１．０ｍΩ／ｍよりも大きい場合には不合格（遮蔽性能が改善されていない）と判定することにより、外部導体層１７の遮蔽性能を評価する。

外部導体層１７の遮蔽抵抗は、数
式計算により算出することもできる。その計算式は式（１）に示す通りである。

Ｒ＝１０ρＬ／Ｓ・・・・・・・（１）

Ｒは外部導体層１７の遮蔽抵抗（ｍΩ／ｍ）、ρは金属素線の体積固有抵抗値（μΩ・ｃｍ）、Ｓは外部導体層１７の断面積（ｍｍ^２）で、金属素線の本数をｎ、外径をｄｍｍとすると、ｎπｄ２／４、Ｌは外部導体層１７の長さ（ｍ）である。

そこで、外部導体層１７が、仮に外径０．３２ｍｍの軟銅素線の７本を横巻きし（撚り合わせて)構成された場合を想定すると、軟銅素線の体積固有抵抗値ρが１．７４２μΩ・ｃｍなので、遮蔽抵抗Ｒは式（１）による計算で、３０．９６ｍΩ／ｍとなる。このサイズの外部導体層１７を遮蔽抵抗測定装置２１で測定した場合には、遮蔽抵抗が３０．３４ｍΩ／ｍになるので、遮蔽抵抗Ｒの理論計算値が実測値によく一致する。

外部導体層１７が複数層、例えば、前記主導体層１８と補助導体層１９で構成される場合の遮蔽抵抗Ｒは、各層の遮蔽抵抗、即ち、主導体層１８の遮蔽抵抗Ｒ１と補助導体層１９の遮蔽抵抗Ｒ２を並列に接続した場合の合成抵抗の計算式を適用することができる。その計算式は式（２）に示す通りである。

Ｒ＝１／（１／Ｒ１＋１／Ｒ２）・・・・・（２）

前記外部導体層１７の遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定した理由は次の理由によるものである。

図３は、横軸にノイズ侵入が問題視されている低周波帯、即ち、ＬＷ帯（１５３〜２７９ｋＨｚ）、ＡＭ帯（５２２〜１７１０ｋＨｚ）、ＳＷ帯（２．９４〜２１．９７５ＭＨｚ）の周波数（ＭＨｚ）及びＦＭ帯（７６〜１０８ＭＨｚ）、縦軸に伝達インピーダンス（ｍΩ／ｍ）を取り、周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させたとき、外部導体層の伝達インピーダンスの目標性能値（Ｔ）と、外部導体層の異なる遮蔽抵抗（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ）に対する伝達インピーダンスとがそれぞれ変化する状態を示すものである。

図３において、Ｔは、従来一般的に用いられている同軸ケーブル（１．５Ｃ２Ｖ）の遮蔽性能に対し、ノイズレベルがＬＷ帯〜ＳＷ帯において１０ｄＢ以上低下するような遮蔽性能の改善が望まれるので、周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させ、その要件（１０ｄＢ以上の低下）を満たすように求めた外部導体層の伝達インピーダンスの目標性能値を示す曲線である。また、Ｒａは遮蔽抵抗が７．１ｍΩ／ｍ、Ｒｂは遮蔽抵抗が１０．５ｍΩ／ｍ、Ｒｃは遮蔽抵抗が１２．３ｍΩ／ｍ、Ｒｄは遮蔽抵抗が１８．３ｍΩ／ｍの場合に、周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させ、求めた伝達インピーダンスの曲線である。

図３に示す伝達インピーダンスの曲線から分かるように、ＬＷ帯の下限値である１５０ｋＨｚ近傍において、外部導体層の伝達インピーダンスがその目標性能値（Ｔ）である８．５ｍΩ／ｍ以下であれば、低周波帯（ＬＷ帯〜ＦＭ帯）すべてにおいて、遮蔽性能を改善（向上）させることができる。外部導体層の遮蔽抵抗で言えば、遮蔽抵抗（Ｒｂ）が１０．５ｍΩ／ｍの場合には、ＬＷ帯〜ＦＭ帯のすべてにおいて、伝達インピーダンスが目標性能値（Ｔ）以下になり、遮蔽性能を改善することができる。しかしながら、外部導体層の遮蔽抵抗（Ｒｃ）が１２．３ｍΩ／ｍの場合には、ＡＭ帯〜ＦＭ帯において目標性能値Ｔより低くなり、遮蔽性能を改善することができるが、ＬＷ帯において目標性能値Ｔである８．５ｍΩ／ｍより高くなってしまうため、遮蔽性能を改善することができない。

そこで、上記知見に基づいて、１５０ｋＨｚ近傍における外部導体層の伝達インピーダンスと遮蔽抵抗との関係を実験により調査した結果、図４に示すように、伝達インピーダンスと遮蔽抵抗との間には強い相関関係のあることが分かる。そこで、伝達インピーダンスの目標性能値である８．５ｍΩ／ｍを遮蔽性能の合格ラインの上限とすると、８．５ｍΩ／ｍの伝達インピーダンスに相当する遮蔽抵抗が１０．５ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍになるので、１１．０ｍΩ／ｍの遮蔽抵抗が遮蔽性能の合格ラインの上限となり、外部導体層の遮蔽抵抗が１１．０ｍΩ／ｍ以下に設定されることにより、低周波帯（ＬＷ帯〜ＳＷ帯）において、遮蔽性能が改善され、ノイズ源からのノイズの侵入を確実に防止することができる。 ところで、遮蔽抵抗が低くなるほど遮蔽性能が大きく改善されて好ましいが、外部導体層の肉厚が増大し、同軸ケーブルの外径が大きくなってくる。そこで、経済的な観点から遮蔽抵抗の下限値が６．６ｍΩ／ｍに設定される。

前記外部導体層１７の主導体層１８の遮蔽率を８０％以上または、遮蔽抵抗を３５ｍΩ／ｍ以下に設定した理由は次の理由によるものである。即ち、図５に示すように、主導体層１８の遮蔽率が８０％以下、または、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍを超えると、主導体層１８を絶縁体４の外周に一様にむらなく被覆するのが難しくなり、遮蔽性能にばらつきが生じて不安定になる。また、外部導体層１７全体の１５０ｋＨｚ近傍における伝達インピーダンスを１１．０ｍΩ／ｍ以下、即ち、遮蔽抵抗を８．５ｍΩ／ｍ以下に下げることが難しくなり、遮蔽性能を容易に改善することができなくなる。これに対して、主導体層１８の遮蔽率を８０％以上、または、遮蔽抵抗を３５ｍΩ／ｍ以下に設定すると、主導体層１８が絶縁体４の外周に一様にむらなく被覆されて遮蔽性能がばらつかず安定し、遮蔽性能を改善し易くなる。また、図６に示すように、主導体層１８の遮蔽抵抗に対して、補助導体層１９の遮蔽抵抗の調整幅を広く取れるので、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を１１．０ｍΩ／ｍ以下に調整することが容易になる。

（実施形態１） 本実施形態の同軸ケーブル１５は、図７（ａ）に示すように、ポリエチレンで形成された外径１．６１ｍｍの絶縁体４で被覆された外径（線径）０．２６５ｍｍの軟銅線（単線）で出来た内部導体（中心導体）３の外周に、外部導体層１７が設けられ、その外周に厚さ０．５ｍｍに押出し成形されたポリ塩化ビニル製のシース７が設けられる。外部導体層１７は、絶縁体４の外周に一様に設けられた１層の主導体層１８とその外周に設けられた２層の補助導体層１９とから構成される。主導体層１８は、外径（線径）０．１０ｍｍの錫めっき軟銅線をピッチ１０ｍｍ、編組密度８８％で網目状に編組して構成され、遮蔽抵抗が３９ｍΩ／ｍに設定されている。補助導体層１９は、９０本の外径０．１６ｍｍの錫めっき軟銅線を６０ｍｍのピッチで同方向に内外２層に横巻きして（撚り合わせ)構成され、遮蔽抵抗が９．５３ｍΩ／ｍに設定される。主導体層１８及び補助導体層１９とを合わせた外部導体層１７全体の遮蔽抵抗は７．６５ｍΩ／ｍまで低減させることができた。

（実施形態２） 本実施形態の同軸ケーブル１５は、図７（ｂ）に示すように、補助導体層１９として、７本の外径０．１２７ｍｍの錫めっき軟銅線を撚り合わせた撚り線を１８本、主導体層の外周に６０ｍｍのピッチで横巻きして（撚り合わせ)構成され、遮蔽抵抗が１１．１３ｍΩ／ｍに設定される。主導体層１８及び補助導体層１９とを合わせた外部導体層１７全体の遮蔽抵抗は９．１８ｍΩ／ｍまで低減させることができた。

（実施形態３） 本実施形態の同軸ケーブル１５は、図示省略するが、主導体層１８は、外径２５μｍ厚さの銅テープを１／３ラップでラップ巻きして構成され、補助導体層１９として、７本の外径０．１６ｍｍの錫めっき軟銅線を撚り合わせた撚り線を１５本、主導体層の外周に６０ｍｍのピッチで横巻きして（撚り合わせ)構成され、遮蔽抵抗が８．４２ｍΩ／ｍに設定される。主導体層１８及び補助導体層１９とを合わせた外部導体層１７全体の遮蔽抵抗は７．９３ｍΩ／ｍまで低減させることができた。

本発明の同軸ケーブル１５は、上記実施形態のものから明らかなように、外部導体層１７の遮蔽抵抗が６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定されているので、低周波帯において遮蔽性能が改善されて、ノイズの侵入を防止し、ワイヤーハーネスとの統合化を図ることができる。また外部導体層１７の遮蔽性能の評価が簡単になるので、遮蔽性能の優れた同軸ケーブルを容易に設計して開発することができる。

また、前記外部導体層１７が複数層設けられていると、外部導体層１７の遮蔽抵抗を容易に低減させ、遮蔽性能の改善を図ることができる。

更に、外部導体層１７が主導体層１８と補助導体層１９から構成されていると、外部導体層１７の遮蔽抵抗を調整する場合には、外側に位置する補助導体層１９の遮蔽抵抗を変更して、外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定又は算出すればよい。従って、遮蔽抵抗の調整が容易になり、外部導体層１７の遮蔽抵抗を所望の抵抗値に的確に、且つ、速やかに設定することができる。また、主導体層１８の遮蔽率が８０％以上、または、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定されていると、主導体層１８が絶縁体４の外周に一様にむらなく被覆されて遮蔽性能がばらつかず安定し、遮蔽性能を改善し易くなる。更に、補助導体層１９の遮蔽抵抗の調整幅を広く取れるので、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を１１．０ｍΩ／ｍ以下に調整することが容易になる。

本発明の同軸ケーブル１５の遮蔽性能評価方法は、外部導体層１７の遮蔽性能を評価する基準として、伝達インピーダンスではなく、遮蔽抵抗（導体電気抵抗）を用いるので、その遮蔽抵抗を安価な遮蔽抵抗測定装置２１を用いて簡単、且つ、正確に測定することができる。また、必ずしも同軸ケーブル１５のサンプルを試作して測定する必要がなく、外部導体層１７のサンプルだけ試作して測定することもできる。また、同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作する代わりに、数式計算により算出することもできる。更に、同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作する場合でも、数式計算により予測される遮蔽抵抗のサンプルを試作すればよいので、サンプルを試行錯誤して多数試作する必要がなくなる。従って、同軸ケーブル１５の遮蔽性能の評価を従来の伝達インピーダンス法よりも手間をかけずに能率よく低費用で行うことができる。

更に、上記遮蔽性能評価方法を使用する場合、前記外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が１１．０ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価するようにすると、低周波帯において同軸ケーブル１５の遮蔽性能が改善されているかどうかの評価を的確に行うことができ、低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブル１５の設計、開発、試験、検査等に大きく寄与することができる。

本発明に係る同軸ケーブルの１実施形態を示す斜視図である。 図１に示す同軸ケーブルの遮蔽性能を評価する遮蔽抵抗測定装置の概要図である。 周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させたとき、外部導体層の伝達インピーダンスの目標性能値と、外部導体層の異なる遮蔽抵抗に対する伝達インピーダンスとがそれぞれ変化する状態を示す図である。 １５０ｋＨｚ近傍における外部導体層の伝達インピーダンスと遮蔽抵抗との関係を示す図である。 外部導体層の主導体層と伝達インピーダンスとの関係を示す図である。 外部導体層の主導体層の遮蔽抵抗と補助導体層の遮蔽抵抗との関係を示す図である。 （ａ）は本発明の同軸ケーブルの実施形態１を示す断面図、（ｂ）は実施形態２を示す断面図である。 従来の同軸ケーブルを示す断面図である。 従来の他の同軸ケーブルを示す断面図である。 同軸ケーブルの伝達インピーダンス法による遮蔽性能評価方法を示す概要図である。

符号の説明

３：内部導体 ４：絶縁体 ７：シース １５：同軸ケーブル １７：外部導体層 １８：主導体層 １９：補助導体層 ２１：遮蔽抵抗測定装置 ２３：把持部材 ２５：電源 ２７：電気抵抗計

Claims (5)

1. 絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けられた同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層の遮蔽抵抗が６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍに設定されていることを特徴とする同軸ケーブル。
2. 前記外部導体層が複数層設けられていることを特徴とする請求項１記載の同軸ケーブル。
3. 前記外部導体層が、絶縁体の外周に設けられ、遮蔽率が８０％以上であるか、または、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層又は複数層の主導体層と、その外周に設けられ、外部導体層全体の遮蔽抵抗を６．６ｍΩ／ｍ〜１１．０ｍΩ／ｍまで低減させる１層又は複数層の補助導体層とからなることを特徴とする請求項２記載の同軸ケーブル。
4. 絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けられた同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法において、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出することにより遮蔽性能を評価することを特徴とする同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法。
5. 前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が１１．０ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価することを特徴とする請求項４に記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法。