JP2008081756A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 基板3が収容される空間と被エッチング部材12が収容される空間にチャンバ1内を仕切るゲート弁31を備え、ゲート弁31を用いて一つの処理を行うチャンバ1内を仕切ることで、基板3が収容される空間とは無関係に被エッチング部材12の取り扱いを行い、真空装置18の不具合をなくしてメンテナンス性の向上を図る。
【選択図】 図2
Description
本発明は、被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができる半導体製造装置に関する。
現在、半導体等の製造においては、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いた成膜が知られている。プラズマCVD装置とは、真空処理容器としてのチャンバ内に導入した膜の材料となる有機金属錯体等のガスを、高周波アンテナから入射する高周波によりプラズマ状態にし、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化学的な反応を促進して金属薄膜等を成膜する装置である。
これに対し、本発明者等は、高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属成分であって、成膜を望む金属成分からなる被エッチング部材をチャンバに設置し、ハロゲンガスをプラズマ化して前記被エッチング部材をハロゲンのラジカルによりエッチングすることで金属成分のハロゲン化物である前駆体を生成させるとともに、前駆体の金属成分のみを基板上に成膜するプラズマCVD装置(以下、新方式のプラズマCVD装置という)および成膜方法を開発した(例えば、下記、特許文献1参照)。
上記新方式のプラズマCVD装置では、成膜される金属源となる被エッチング部材の温度に対して基板の温度が低くなるように制御して基板に当該金属膜を成膜している。例えば、被エッチング部材の金属をM、ハロゲンガスをCl2とした場合、被エッチング部材を高温(例えば300℃〜700℃)に、また基板を低温(例えば200℃程度)に制御することにより、前記基板にM薄膜を形成することができる。これは、次のような反応によるものと考えられる。
(i)プラズマの解離反応;Cl2→2Cl*
(ii)エッチング反応;M+Cl*→MCl(g)
(iii)基板への吸着反応;MCl(g)→MCl(ad)
(iv)成膜反応;MCl(ad)+Cl* →M+Cl2↑
(ii)エッチング反応;M+Cl*→MCl(g)
(iii)基板への吸着反応;MCl(g)→MCl(ad)
(iv)成膜反応;MCl(ad)+Cl* →M+Cl2↑
ここで、Cl*はClのラジカルであることを、(g)はガス状態であることを、(ad)は吸着状態であることをそれぞれ表している。
新方式のCVD装置においては、MClとCl*との割合を適正に保つことで、成膜反応が適切に行われる。即ち、成膜条件として、Cl2ガスの流量、圧力、パワー、基板及び被エッチング部材の温度、基板と被エッチング部材との距離等を適正に設定することで、MClとCl*との割合をほぼ等しく制御することができ、成膜速度を低下させることなく、しかも、基板に対してCl*によるエッチング過多が生じることなくMが析出される。
新方式のCVD装置における被エッチング部材は消耗品であるため、成膜反応を一定の期間にわたり繰り返した後は、外部に取り出して洗浄したり交換することが必要である。この場合、チャンバ内の真空状態を解除して被エッチング部材の搬出・搬入を行うことになる。
この時、チャンバ内部のパーティクルが落下したり、取り扱いを間違えると被エッチング部材自体が落下する虞がある。パーティクルや被エッチング部材が落下して破片がチャンバ内に飛散すると、真空排気を行って成膜処理を実施する際に、排気系に破片等が引き込まれて機器の不具合が生じる虞がある。また、また、被エッチング部材だけのメンテナンスのために被エッチング部材の取り出しを行おうとする場合であっても、チャンバ全体を大気開放する必要があり、効率が悪い作業になってしまう。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができる半導体製造装置を提供し、機器の不具合をなくしてメンテナンス性の向上を図ることを目的とする。
上記目的を達成するための請求項1に係る本発明の半導体製造装置は、被処理体及び機能部材が収容され一つの処理を行う圧力制御可能なチャンバと、被処理体に所定の処理を施すためのプラズマ発生手段と、被処理体が収容される空間と機能部材が収容される空間にチャンバ内を仕切るゲート弁とを備えたことを特徴とする。
請求項1に係る本発明では、一つの処理を行うチャンバ内を、被処理体が収容される空間と機能部材が収容される空間とにゲート弁を用いて仕切ることができる。
そして、請求項2に係る本発明の半導体製造装置は、請求項1に記載の半導体製造装置において、ゲート弁によりチャンバ内が仕切られた際にチャンバの圧力制御を行う手段が接続されていない側の空間を所定の圧力に調整する圧力調整手段を備えたことを特徴とする。
請求項2に係る本発明では、圧力調整手段により、チャンバの圧力制御を行う手段が接続されていない側の空間を独立して圧力調整することができる。
上記目的を達成するための請求項3に係る本発明の半導体製造装置は、被処理体が収容され圧力制御可能なチャンバと、被処理体の上方に設けられ、原料を含有する金属製の被エッチング部材と、ハロゲンを含有するガスを供給するハロゲン含有ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化し、ハロゲン含有ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、ハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成するプラズマ発生手段と、被処理体が収容される空間と被エッチング部材が収容される空間にチャンバ内を仕切るゲート弁とを備えたことを特徴とする。
請求項3に係る本発明では、一つの処理を行うチャンバ内を、被処理体が収容される空間と被エッチング部材が収容される空間とにゲート弁を用いて仕切ることができる。
そして、請求項4に係る本発明の半導体製造装置は、請求項3に記載の半導体製造装置において、被処理体の下側に接続されてチャンバの圧力制御を行う排気手段と、ゲート弁によりチャンバ内が仕切られた際に被エッチング部材が収容される空間を所定の圧力に調整する圧力調整手段とを備えたことを特徴とする。
請求項4に係る本発明では、排気手段による排気制御とは独立して被エッチング部材が収容される空間を圧力調整手段により圧力調整することができる。
また、請求項5に係る本発明の半導体製造装置は、請求項3もしくは請求項4に記載の半導体製造装置において、被処理体の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることで前駆体の金属成分を成膜させる温度制御手段を備えたことを特徴とする。
請求項5に係る本発明では、前駆体の金属成分を成膜させる半導体製造装置に適用することができる。
本発明の半導体製造装置は、被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができ、機器の不具合をなくしてメンテナンス性の向上を図ることができる。
図1には本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略斜視状況、図2には本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略断面、図3には図2中の要部平面を示してある。
本実施形態例は、半導体製造装置として薄膜作製装置を適用したものであり、金属としての銅(Cu)製の被エッチング部材が備えられたチャンバ内にハロゲンを含有する作用ガスとしてのCl2ガスを供給し、誘導プラズマを発生させてCl2ガスプラズマを発生させて塩素ラジカル(Cl*)を生成し、塩素ラジカル(Cl*)で被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるCu成分とCl2ガス成分との前駆体CuClを生成し、基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより、前駆体CuClが塩素ラジカル(Cl*)で還元された状態のCu成分を基板の表面に吸着(堆積)させるようにした薄膜作製装置である。
尚、金属としては、高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属であれば銅に限らず種々の金属を適用することが可能である。また、ハロゲン含有ガスとしてCl2ガスを適用した例を説明してあるが、フッ素等の他のハロゲン含有ガスを適用することが可能である。
図に示すように、円筒状に形成された、例えば、セラミックス製(絶縁材製)のチャンバ1の底部近傍には支持台2が設けられ、支持台2には被処理体としての基板3が載置される。支持台2にはヒータ4及び冷媒流通手段5を備えた温度制御手段6が設けられ、支持台2は温度制御手段6により所定温度(例えば、基板3が100℃から300℃に維持される温度)に制御される。尚、チャンバの形状は円筒状に限らず、例えば、矩形状のチャンバを適用することも可能である。また、基板3の温度を制御する温度制御手段6としては、ヒータ4及び冷媒流通手段5に限らず、基板3の温度を所定の温度に制御できるものであればよい。
チャンバ1の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材料製(例えば、石英製)の板状の天井板7によって塞がれている。天井板7の上方にはチャンバ1の内部をプラズマ化するためのプラズマアンテナ8が設けられ、プラズマアンテナ8は天井板7の面と平行な平面リング状に形成されている。プラズマアンテナ8には整合器9及び電源10が接続されて高周波が供給される。プラズマアンテナ8、整合器9及び電源10により誘導プラズマを発生させるプラズマ発生手段が構成されている。
チャンバ1には金属として銅(Cu)製の被エッチング部材12が絶縁体製の円環部材13に支持され、被エッチング部材12は格子状とされている。被エッチング部材12は格子状とされることで、プラズマアンテナ8の電気の流れに対して基板3と天井板7の間に不連続状態で配置された状態になっている。即ち、被エッチング部材12はプラズマアンテナ8の電気の流れ方向である周方向に対して構造的に不連続な状態とされている。
尚、プラズマアンテナ8の電気の流れに対して不連続状態にする被エッチング部材の構成としては、円環部材13の内側にチャンバ1の中心側に延びる突起部を設けたり、網目状に構成する等とすることも可能である。また、被エッチング部材としては、タンタル、タングステン、チタンを始めハロゲン化物形成金属であれば銅に限定されない。
被エッチング部材12の上方におけるチャンバ1の筒部にはチャンバ1の内部にハロゲンとしての塩素を含有する塩素含有ガス(Cl2ガス)14を供給するガスノズル15が設けられている。ガスノズル15には流量及び圧力が制御される流量制御器16を介してCl2ガス14が送られる(ハロゲン含有ガス供給手段)。
チャンバ1の底部には排気口17が設けられ、排気口17には排気手段としての真空装置18が接続されている。成膜に関与しないガス等は排気口17から排気され、天井板7によって塞がれたチャンバ1の内部は真空装置18によって所定の圧力に維持される。
一方、チャンバ1の円環部材13の下側にはゲート弁31が設けられ、ゲート弁31はチャンバ1に対して抜き差し移動するようになっている。通常、ゲート弁31はチャンバ1の外に抜かれた状態にあり、チャンバ1内で一つの処理(薄膜形成処理)が行われる。ゲート弁31がチャンバ1に挿入されることにより、基板3が収容される空間と被エッチング部材12が収容される空間とにチャンバ1の内部が仕切られる。
被エッチング部材12側の空間のチャンバ1の外壁には排気ノズル32が設けられ、排気ノズル32は図示しない排気手段(圧力調整手段)に接続されている。チャンバ1の内部がゲート弁31で仕切られた際に、被エッチング部材12が収容される空間が図示しない排気手段により所定の圧力に独立して調整される。
上述した薄膜作製装置による成膜状況を説明する。通常、成膜を実施する場合にはゲート弁31はチャンバ1の外に抜かれた状態にあり、チャンバ1内は基板3が収容される空間と被エッチング部材12が収容される空間が一つの空間とされている。
チャンバ1の内部にガスノズル15からCl2ガス14を供給する。プラズマアンテナ8から電磁波をチャンバ1の内部に入射することで、Cl2ガス14をイオン化してCl2ガスプラズマ20を発生させ、チャンバ1内にClラジカルを生成する。この時の反応は、次式で表すことができる。
Cl2→2Cl* ・・・・(1)
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
Cl2→2Cl* ・・・・(1)
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
生成されたガスプラズマ20がCu製の被エッチング部材12に作用することにより、被エッチング部材12が加熱されると共に、Cuに均一な分布でエッチング反応が生じる。この時の反応は、例えば、次式で表される。
Cu(s)+Cl*→CuCl(g) ・・・・(2)
ここで、sは固体状態、gはガス状態を表す。式(2)は、Cuがガスプラズマ(塩素ラジカルCl*)20によりエッチングされ、前駆体19とされた状態である。
Cu(s)+Cl*→CuCl(g) ・・・・(2)
ここで、sは固体状態、gはガス状態を表す。式(2)は、Cuがガスプラズマ(塩素ラジカルCl*)20によりエッチングされ、前駆体19とされた状態である。
ガスプラズマ20を発生させることにより被エッチング部材12を加熱し(例えば、300℃〜700℃)、更に、温度制御手段6により基板3の温度を被エッチング部材12の温度よりも低い温度(例えば、100℃〜300℃)に設定する。この結果、均一に分布された前駆体19は基板3に吸着(堆積)される。この時の反応は、例えば、次式で表される。
CuCl(g)→CuCl(ad) ・・・・(3)
CuCl(g)→CuCl(ad) ・・・・(3)
基板3に吸着したCuClは、塩素ラジカルCl*により還元されてCu成分となる。この時の反応式は、例えば、次式で表される。
CuCl(ad)+Cl*→Cu(s)+Cl2↑ ・・・・(4)
CuCl(ad)+Cl*→Cu(s)+Cl2↑ ・・・・(4)
被エッチング部材12の交換や洗浄を行う場合、ゲート弁31をチャンバ1に挿入して、基板3が収容される空間と被エッチング部材12が収容される空間とにチャンバ1の内部を仕切る。基板3が収容される空間の真空状態を保ったまま被エッチング部材12が収容される空間を大気開放し、被エッチング部材12をチャンバ1の外部に取り出す。
この時、チャンバ1の内部が仕切られているので、基板3が収容される空間にパーティクルが落下したり、被エッチング部材12が基板3の上に落下することがない。このため、真空装置18にパーティクルや破片が吸い込まれることがなくなり、真空装置18の不具合の原因をなくすことができる。また、被エッチング部材12が収容される空間だけが大気開放されるため、基板3が収容される空間の真空状態を維持することができ、被エッチング部材12だけの取出しが可能になる。このため、チャンバ1の全体を大気開放する必要がなく、効率よくメンテナンスを行うことが可能になる。
メンテナンスが終了した後、被エッチング部材12を再びチャンバ1の内部にセットし、排気ノズル32を介して被エッチング部材12が収容される空間を減圧し、ゲート弁31を抜きながら真空装置18によりチャンバ1内を所定の真空雰囲気にする。尚、排気ノズル32を真空装置18に接続し、真空装置18により被エッチング部材12が収容される空間を減圧することも可能である。
上述した薄膜作製装置は、基板3とは独立して被エッチング部材12の扱いを容易に行うことができ、真空装置18等の不具合をなくしてメンテナンス性の向上を図ることができる。
上述した実施形態例では、基板3に薄膜を作成する薄膜作製装置を例に挙げて説明したが、本願発明は被処理体と機能部材が一つのチャンバに収容されて処理を行う半導体製造装置、例えば、エッチング装置に適用することが可能である。また、薄膜作製装置の被エッチング部材12の交換等に限らず、ガスノズル15や排気ノズル32、天井板7、円環部材13等の機能部材のメンテナンス等を行う場合にも、ゲート弁31で一つの処理を行うチャンバ1の内部を仕切ることが可能である。
本発明は、被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができる半導体製造装置の産業分野で利用することができる。
1 チャンバ
2 支持台
3 基板
4 ヒータ
5 冷媒流通手段
6 温度制御手段
7 天井板
8 プラズマアンテナ
9 整合器
10 電源
12 被エッチング部材
13 円環部材
14 塩素含有ガス(Cl2ガス)
15 ガスノズル
16 流量制御器
18 真空装置
19 前駆体
20 ガスプラズマ
31 ゲート弁
32 排気ノズル
2 支持台
3 基板
4 ヒータ
5 冷媒流通手段
6 温度制御手段
7 天井板
8 プラズマアンテナ
9 整合器
10 電源
12 被エッチング部材
13 円環部材
14 塩素含有ガス(Cl2ガス)
15 ガスノズル
16 流量制御器
18 真空装置
19 前駆体
20 ガスプラズマ
31 ゲート弁
32 排気ノズル
Claims (5)
- 被処理体及び機能部材が収容され一つの処理を行う圧力制御可能なチャンバと、
被処理体に所定の処理を施すためのプラズマ発生手段と、
被処理体が収容される空間と機能部材が収容される空間にチャンバ内を仕切るゲート弁と
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置において、
ゲート弁によりチャンバ内が仕切られた際にチャンバの圧力制御を行う手段が接続されていない側の空間を所定の圧力に調整する圧力調整手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 被処理体が収容され圧力制御可能なチャンバと、
被処理体の上方に設けられ、原料を含有する金属製の被エッチング部材と、
ハロゲンを含有するガスを供給するハロゲン含有ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化し、ハロゲン含有ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、ハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成するプラズマ発生手段と、
被処理体が収容される空間と被エッチング部材が収容される空間にチャンバ内を仕切るゲート弁と
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項3に記載の半導体製造装置において、
被処理体の下側に接続されてチャンバの圧力制御を行う排気手段と、
ゲート弁によりチャンバ内が仕切られた際に被エッチング部材が収容される空間を所定の圧力に調整する圧力調整手段と
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項3もしくは請求項4に記載の半導体製造装置において、
被処理体の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることで前駆体の金属成分を成膜させる温度制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006259786A JP2008081756A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2008081756A true JP2008081756A (ja) | 2008-04-10 |
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JP (1) | JP2008081756A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111276424A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 南亚科技股份有限公司 | 蚀刻装置及其操作方法 |
-
2006
- 2006-09-25 JP JP2006259786A patent/JP2008081756A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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