JP2008078642A - リソグラフ要素の汚染測定方法およびシステム - Google Patents
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフ要素の汚染を測定する方法は、第1リソグラフ要素を処理チャンバ内に設けるステップと、第2リソグラフ要素を処理チャンバ内に設けるステップと、第1リソグラフ要素の一部を被覆して、第1リソグラフ要素の被覆部分である参照領域を第1リソグラフ要素に設けるステップと、処理チャンバ内に汚染物質を供給するステップと、露光ビームを、第1リソグラフ要素のテスト領域および第2リソグラフ要素に向けて、少なくとも1つのリソグラフ要素が汚染物質によって汚染されるようにするステップと、処理チャンバ内で、少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素の汚染レベルを測定するステップとを含む。
【選択図】図2
Description
第2リソグラフ要素を処理チャンバ内に設けるステップと、
第1リソグラフ要素の一部を被覆して、第1リソグラフ要素の被覆部分である参照領域を第1リソグラフ要素に設け、第1リソグラフ要素の未被覆部分であるテスト領域を第1リソグラフ要素に設けるステップと、
処理チャンバ内に汚染物質を供給するステップと、
露光ビームを、第1リソグラフ要素のテスト領域および第2リソグラフ要素に向けて、少なくとも1つのリソグラフ要素が汚染物質によって汚染されるようにするステップと、
処理チャンバ内で、少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素の汚染レベルを測定するステップとを含む。該方法は、好ましくは、第1リソグラフ要素の被覆部分をはがして、未被覆参照領域を設けるステップを含む。汚染レベルの測定は、好ましくは、汚染レベルを光学的に測定することを含む。
パラメータの参照値である、第1リソグラフ要素の未被覆参照領域でのパラメータに関する値を測定するステップと、
パラメータのテスト値である、第1リソグラフ要素のテスト領域でのパラメータに関する値を測定するステップと、
参照値とテスト値の間の差を、例えば、計算によって決定するステップとを含んでもよい。
露光ビームを、第1リソグラフ要素の参照領域を経由して第2リソグラフ要素に向けて、さらにセンサに向くようにすることによって、第2リソグラフ要素のテスト領域でのパラメータに関する第2要素テスト値を測定するステップを含んでもよい。
処理チャンバと、
汚染物質を導入するための入り口と、
少なくとも1つのリソグラフ要素を、汚染物質の存在下に直接または間接的に曝すことによって、少なくとも1つのリソグラフ要素の汚染を生じさせるようにした第1エネルギービームを処理チャンバ内に供給するための第1エネルギー源と、
第1リソグラフ要素に参照領域を設けるために、第1リソグラフ要素の少なくとも一部を被覆するための手段であって、第1リソグラフ要素が第1エネルギービームに曝されたとき、参照領域が汚染されないようにする被覆手段と、
汚染を測定するためのセンサとを備える。
処理チャンバ内に汚染物質を供給するステップと、
第1リソグラフ要素のテスト領域および第2リソグラフ要素を露出して、少なくとも1つのリソグラフ要素が汚染物質によって汚染されるようにし、少なくとも1つのリソグラフ要素の一部を露出させないようにして、少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素の参照領域を得るようにするステップと、
少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素のテスト領域および参照領域について光学パラメータを測定することによって、処理チャンバ内で、少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素の汚染レベルを光学的に測定するステップとを含む。
用語「X線放射」は、典型的には、10nm〜0.01nmの波長範囲にある電磁放射を含む。
用語「深紫外放射」は、典型的には、300nm〜7nmの波長範囲にある電磁放射である。
Claims (29)
- リソグラフ要素の汚染を測定する方法(100)であって、
第1リソグラフ要素(201,301)を処理チャンバ内に設けるステップ(101)と、
第2リソグラフ要素(203,303)を処理チャンバ内に設けるステップ(102)と、
処理チャンバ内に汚染物質(206,306)を供給するステップ(104)とを含み、
第1リソグラフ要素(201,301)の一部を被覆して、第1リソグラフ要素(201,301)の被覆部分である参照領域(201b,301b)を第1リソグラフ要素(201,301)に設け、第1リソグラフ要素(201,301)の未被覆部分であるテスト領域(201a,301a)を第1リソグラフ要素(201,301)に設けるステップ(103)と、
汚染物質(206,306)を供給(104)した後、露光ビーム(205,305)を、第1リソグラフ要素(201,301)のテスト領域(201a,301a)を経由して第2リソグラフ要素(203,303)に向けて、少なくとも1つのリソグラフ要素(201,301,203,303)が汚染物質(206,306)によって汚染されるようにするステップ(105)と、
第1リソグラフ要素(201,301)の被覆部分をはがして、未被覆参照領域を設けるステップと、
処理チャンバ内で、少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素(201,301,203,303)の汚染レベルを光学的に測定するステップ(106)とを含むことを特徴とする方法。 - 第1リソグラフ要素(201,301)の一部を被覆するステップは、第1リソグラフ要素(201,301)の一部を被覆するシールド(204,304)の設置と、シールド(204,304)と第1リソグラフ要素(201,301)の少なくとも一部との間に、直接コンタクトを設置することを含む請求項1記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法(100)。
- 第1リソグラフ要素(201,301)の一部を被覆するステップは、第1リソグラフ要素(201,301)の少なくとも一部に影をつくるためのシールド(204,304)の設置を含む請求項1記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 汚染レベルを光学的に測定することは、テスト領域(201a,301a)および参照領域(201b,301b)の光学パラメータを測定することを含む請求項1〜3のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第1リソグラフ要素(201,301)は、リソグラフ光学要素である請求項1〜4のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 処理チャンバ内で少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素の汚染レベルを測定する前に、処理チャンバから汚染物質(206,306)を除去するステップをさらに含む請求項1〜5のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 少なくとも1つの汚染されたリソグラフ要素は、第1リソグラフ要素(201,301)である請求項1〜6のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 汚染レベルを光学的に測定することは、テスト領域(201a,301a)および参照領域(201b,301b)の光学パラメータを測定することを含む請求項1〜7のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 処理チャンバ内で第1リソグラフ要素(201,301)の汚染レベルを測定するステップは、
パラメータの参照値である、第1リソグラフ要素(201,301)の未被覆参照領域(201b,301b)でのパラメータに関する値を測定するステップと、
パラメータのテスト値である、第1リソグラフ要素(201,301)のテスト領域でのパラメータに関する値を測定するステップと、
参照値とテスト値の間の差を決定するステップとを含む請求項1〜8のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。 - パラメータの参照値を測定するステップは、露光ビームを、第1リソグラフ要素(201,301)の参照領域(201b,301b)を経由してセンサ(208)に向くようにするステップを含む請求項9記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- パラメータのテスト値を測定するステップは、露光ビームを、第1リソグラフ要素(201)のテスト領域(201a)を経由してセンサ(208)に向くようにするステップを含む請求項9〜10のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第2リソグラフ要素(203,303)は、マスクである請求項1〜11のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第2リソグラフ要素(203,303)は、汚染物質(206)を含む請求項1〜12のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第2リソグラフ要素(203,303)は、汚染物質(206)を含んだレジストを含み、該汚染物質は、レジストの脱ガスによって処理チャンバ内に供給されるようにした請求項13記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第2リソグラフ要素(203,303)は、露光ビームを、第1リソグラフ要素(201,301)のテスト領域(201a,301a)を経由して第2リソグラフ要素(203,303)に向くようにするステップにおいて、汚染物質(206,306)によって汚染されるようにした請求項1〜12のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 処理チャンバ内で少なくとも1つのリソグラフ要素の汚染レベルを光学的に測定するステップは、処理チャンバ内で第2リソグラフ要素(203,303)の汚染レベルを測定することを含む請求項1〜15のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 少なくとも第2リソグラフ要素(203,303)の汚染レベルを光学的に測定するステップは、
露光ビームを、第1リソグラフ要素の参照領域(201b,301b)を経由して第2リソグラフ要素(203,303)に向けて、さらにセンサ(208,308)に向くようにすることによって、第2リソグラフ要素(203,303)のテスト領域でのパラメータに関する第2要素テスト値を測定するステップを含む請求項16記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。 - 第2要素テスト値を測定するステップは、露光ビームを、第1リソグラフ要素のテスト領域(201a,301a)を経由して第2リソグラフ要素に向けて、さらにセンサ(208)に向くようにするステップをさらに含む請求項17記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第1リソグラフ要素(201,301)はミラーである請求項1〜18のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- パラメータは、第1リソグラフ要素(201,301)の反射率である請求項19記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- センサ(208)は、反射率センサである請求項19〜20のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 第1リソグラフ要素(201,301)はレンズでである請求項1〜18のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- パラメータは、第1リソグラフ要素の透過率である請求項22記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- センサ(208)は、透過率センサである請求項22〜23のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- テスト領域(201a,301a)は、複数のテストゾーンを含む請求項1〜24のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- 参照領域(201b,301b)は、複数の参照ゾーンを含む請求項1〜25のいずれかに記載のリソグラフ要素の汚染を測定する方法。
- リソグラフ要素の汚染を測定するためのシステムであって、
処理チャンバと、
第1リソグラフ要素(201,301)および第2リソグラフ要素(203,303)と、
汚染物質(206,306)を供給するための汚染源と、
少なくとも1つの第1および第2リソグラフ要素(201,301,203,303)を、汚染物質(206,306)の存在下に直接または間接的に曝すことによって、少なくとも1つの第1および第2リソグラフ要素(201,301,203,303)の汚染を生じさせるようにした第1エネルギービームを処理チャンバ内に供給するための第1エネルギー源(207,307)と、
汚染を測定するためのセンサ(208)とを備え、
第1リソグラフ要素(201,301)に参照領域(201b,301b)を設けるために、第1リソグラフ要素(201,301)の少なくとも一部を被覆するための手段(204,304)であって、第1リソグラフ要素(201,301)が第1エネルギービームに曝されたとき、参照領域(201b,301b)が汚染されないようにする被覆手段をさらに備えることを特徴とするシステム。 - 第1エネルギー源(207,307)は、極紫外範囲の電磁放射を放出するようにした請求項27記載のリソグラフ要素の汚染を測定するシステム。
- センサ(208)は、光学センサである請求項27または28記載のリソグラフ要素の汚染を測定するシステム。
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