JP2008078429A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 熱によりピンが膨張して、ピン穴に接触しても第1の蓋体が破損することのない基板処理装置を提供する。
【解決手段】 第1の蓋体5は、不透明石英ガラスを材料として形成されており、第1の蓋体5の底面には、少なくとも1つ以上のピン穴11a,11bが形成されている。第2の蓋体6は、第1の蓋体5よりも熱膨張率が大きい材質であるステンレス(SUS)製であり、第2の蓋体6の前記ピン穴11a,11bと相対する位置には、第1の蓋体5よりも弾力性の高い材質である樹脂製(例えばPTFE製)のピン7a,7bが設けられている。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1の蓋体5は、不透明石英ガラスを材料として形成されており、第1の蓋体5の底面には、少なくとも1つ以上のピン穴11a,11bが形成されている。第2の蓋体6は、第1の蓋体5よりも熱膨張率が大きい材質であるステンレス(SUS)製であり、第2の蓋体6の前記ピン穴11a,11bと相対する位置には、第1の蓋体5よりも弾力性の高い材質である樹脂製(例えばPTFE製)のピン7a,7bが設けられている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、縦型の反応室内で半導体基板の処理を行う基板処理装置に関し、特に、反応室を開閉するための蓋体の位置決め機構を備えた縦型の基板処理装置に関するものである。
縦型の反応室を有する基板処理装置としては、例えば、縦型炉を具備した熱処理装置などが知られている(例えば、特許文献1参照)。この熱処理装置は、反応管、均熱管、及びヒータが同心状に設けられ、反応管内部で基板に熱処理が施されるように構成された装置であって、反応管と均熱管との間に第1空間が形成され、かつ均熱管とヒータとの間に第2空間が形成されていて、第1空間に冷却ガスを供給して均熱管の上端より排出すると共に、ヒータの外周囲から第2空間に冷却ガスを供給してヒータの上端より排出するように構成されている。これによって、熱容量の小さい反応管が冷却ガスによって直接冷却されるので、基板に対する冷却効果が大きく、かつ反応管と共に均熱管を同時に直接冷却するので、大きな降温速度が得られる。さらに、均熱管を外部から補充的に冷却するので、冷却の形態を任意に選択することができる。例えば、反応管の上部を部分的に冷却して降温時における熱分布を均一にすることなどができる。
図4は、一般的な縦型の反応炉の概略的な構成図である。図4に示すように、反応炉10は、垂直に設けられたヒータ1の内部に石英からなる反応管2が設けられている。また、反応管2の内部には基板(ウェハ)を保持するボート3と、ボート3を支持するボート支持体4とが設けられている。さらに、ボート支持体4の下部には第1の蓋体5と第2の蓋体6とが設けられている。第1の蓋体5には石英などの材料が使用され、第2の蓋体6にはSUS(ステンレス)などの材料が使用されている。また、第1の蓋体5と第2の蓋体6は、例えば、SUS(ステンレス)などの材料の2本の位置決め用のピン7a,7bによって第1の蓋体5及び第2の蓋体6の中心と回転方向の位置決めが行われている。
特開2002−164298号公報
しかしながら、図4に示すような一般的な縦型の反応炉においては、反応管2の内部の基板は1200℃程度の高温プロセスで処理が行われているため、1200℃程度のプロセスでは、蓋体の位置の温度は100℃〜500℃程度となり、このような温度領域では殆んど熱変形しない石英製の第1の蓋体5に比べて、SUS製の第2の蓋体6及び位置決め用のピン7a(または、ピン7b)はかなり大きく熱変形する。また、第1の蓋体5を形成する石英の縦弾性係数は、72500N/mm2であり、第2の蓋体6及び位置決め用のピン7a(または、ピン7b)の縦弾性係数は、197000N/mm2である。したがって、この程度の高温になると、第2の蓋体6に固定された位置決め用のピン7a(または、ピン7b)は、第2の蓋体6が特に半径方向に熱膨張するのにともない、第2の蓋体の半径方向に移動して、第1の蓋体5の位置決めを行うための位置決め用のピン穴(図示せず)と接触して、第1の蓋体5を破損させてしまうなどの不具合が生じる場合がある。
また、前述の特許文献1に開示されているような熱処理装置においても、大きな降温速度で各部分に温度勾配が生じる過程において、蓋体の位置決めを行うピンとピン溝の壁面との間に蓋体それぞれの材料の熱膨張係数の違いによって生じる応力が作用して、ピンや蓋体を破損させてしまうおそれがある。
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、反応炉の蓋体の部分における熱変形を考慮し、位置決め用のピンの材質を変更した基板処理装置を提供することを目的としている。
上述した課題を解決するため、本発明における基板処理装置は、基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と、該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め部が形成された第1の蓋体と、前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め部と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、前記位置決め手段は、前記第1の蓋体よりも弾力性の大きい材質で形成されていることを特徴とする。
本発明の基板処理装置によれば、熱により第2の蓋体が第1の蓋体より大きく膨張し、位置決め手段が第1の蓋体の位置決め部に接触しても、位置決め手段は第1の蓋体よりも弾力性の大きい材質で形成されているため、第1の蓋体が破損することはない。これにより、部品交換の頻度が少なくなり、ウェハの歩留まりを向上させることができる。
《発明の概要》
本発明の基板処理装置は、熱により第2の蓋体が第1の蓋体より大きく膨張し、位置決め手段が第1の蓋体の位置決め部に接触しても、第1の蓋体を破損させることがないように、位置決め手段を第1の蓋体よりも弾力性の大きい材質で形成する。さらに具体的に説明すると、第2の蓋体に設けられる位置決めピンの材質を従来の金属から樹脂に変更することにより、熱により第2の蓋体が第1の蓋体より大きく膨張し、位置決めピンが第1の蓋体の位置決め用のピン穴に接触しても、樹脂は石英に比べて軟質なので、樹脂製の位置決めピンでは石英ベース製の第1の蓋体の割れを引き起こすことはない。
本発明の基板処理装置は、熱により第2の蓋体が第1の蓋体より大きく膨張し、位置決め手段が第1の蓋体の位置決め部に接触しても、第1の蓋体を破損させることがないように、位置決め手段を第1の蓋体よりも弾力性の大きい材質で形成する。さらに具体的に説明すると、第2の蓋体に設けられる位置決めピンの材質を従来の金属から樹脂に変更することにより、熱により第2の蓋体が第1の蓋体より大きく膨張し、位置決めピンが第1の蓋体の位置決め用のピン穴に接触しても、樹脂は石英に比べて軟質なので、樹脂製の位置決めピンでは石英ベース製の第1の蓋体の割れを引き起こすことはない。
《実施の形態》
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態において、半導体装置の製造方法における基板処理工程を実施する基板処理装置の実施の形態について詳細に説明するが、図2を用いて本発明に適用される基板処理装置の全体構成について、縦型酸化拡散処理炉を例に挙げて説明する。
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態において、半導体装置の製造方法における基板処理工程を実施する基板処理装置の実施の形態について詳細に説明するが、図2を用いて本発明に適用される基板処理装置の全体構成について、縦型酸化拡散処理炉を例に挙げて説明する。
図2は、本発明に適用される縦型酸化拡散処理炉の構成図である。この縦型酸化拡散処理炉は均熱管のある拡散処理炉であり、300〜1200℃未満での熱処理として使用される拡散処理炉である。図2において、均熱管206は、例えばSIC等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、かつ下端に開口を有する円筒状の形態である。例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなる反応容器(以下、反応管203)は、下端に開口を有する円筒状の形態を有し、均熱管206内に同心円状に配置されている。反応管203の下部には例えば石英からなるガス供給管232と排気管231が連結されている。ガス供給管232と連結する導入口234は、反応管203下部から反応管203の側部に添って例えば細管状に立ち上がり、天井部で反応管203内部に連通している。
排気管231は反応管203の排気口235に接続されている。供給されるガスはガス供給管232から反応管203の天井部を介して内部に流れ、反応管203の下部に接続された排気管231から排気される。ガス供給管232は、ガス流量制御部302が制御するマスフローコントローラ(MFC)241、または水分発生器(図示せず)に連結されている。MFC241はガス流量制御部302に接続されていて供給するガスまたは水蒸気(H2O)の流量を所定の量に制御する。
反応管203の排気口235には、圧力調節器(例えばAPC242)に連結されたガスの排気管231が接続されている。APC242は反応管203内の圧力を所定の圧力に制御する。APC242は、圧力検出手段(以下圧力センサ245)によって検出された検出圧力に基づいて圧力制御部303によって制御される。
反応管203の下端開口部には、例えば石英からなる第1の蓋体としての円盤状の保持体(以下ベース257)が、Oリング220を介して気密シール可能に着脱自在に設けられ、ベース257は第2の蓋体としての円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)の上側に取付けられている。また、シールキャップ219には、回転手段(以下回転軸254)が連結されており、回転軸254がキャップ受け290を介して、保持体(以下石英キャップ218)及び基板保持手段(以下ボート217)、ボート217上に保持されている基板(以下ウェハ200)を回転させる。また、シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ115)に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254、及びボートエレベータ115は駆動制御部304により駆動制御される。
均熱管206の外周には加熱手段(以下ヒータ207)が同心円状に配置されている。ヒータ207は、温度検出手段(輻射温度計263)により検出された温度に基づいて、反応管203内の温度を所定の処理温度にするように温度制御部301によって制御される。また、温度検出手段263としては、輻射温度計と保護カバーが用いられている。これにより、均熱管からの赤外線のみを検出することが可能になる。
次に、図2に示す縦型酸化拡散処理炉による酸化、拡散処理の方法の一例を説明する。まず、ボートエレベータ115によってボート217を下降させる。そして、ボート217に複数枚のウェハ200を保持する。続いて、ヒータ207によって加熱しながら反応管203内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予め反応管203内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ115によってボート217を上昇させて反応管203内に移し、反応管203の内部温度を所定の処理温度に維持する。例えば予め反応管203の内部温度と輻射温度計263の検出する温度との相関関係を求めておき、偏差を補正するようにして制御してもよい。
反応管203内を所定の圧力に保った後、回転軸254がキャップ受け290を介してボート217及びボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。同時に、ガスの供給管232から処理用のガスを供給するか、または水分発生器から水蒸気を供給する。供給されたガスは反応管203内を下降してウェハ200に対して均等に供給される。酸化・拡散処理中の反応管203内は排気管231を介して排気され、所定の圧力になるようにAPC242により圧力が制御され、所定時間に亘って酸化・拡散処理が行われる。
このようにして酸化・拡散処理が終了すると、次のウェハ200の酸化・拡散処理に移るために、反応管203内のガスを不活性ガスに置換すると共に圧力を常圧にする。その後、ボートエレベータ115によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウェハ200を反応管203から取り出す。反応管203から取り出されたボート217上の処理済のウェハ200は、未処理のウェハ200と交換され、再び前述と同様にして反応管203内に上昇され、酸化・拡散処理が行われる。
(第1の実施の形態)
次に、本発明の特徴である基板処理装置における反応炉の蓋体が熱で変形しても、蓋体の位置決め用のピンの膨張力によりピン穴に所定値以上の応力が発生しないような機構について説明する。ここで、蓋体は図2に示したシールキャップ219に対応している。
次に、本発明の特徴である基板処理装置における反応炉の蓋体が熱で変形しても、蓋体の位置決め用のピンの膨張力によりピン穴に所定値以上の応力が発生しないような機構について説明する。ここで、蓋体は図2に示したシールキャップ219に対応している。
図1は、第1の実施の形態の蓋体部分の断面図である。
第1の蓋体5は、不透明石英ガラスを材料として形成されており、不透明石英ガラスは、材料内に微細な気泡を包含させることにより熱線・赤外線の遮断性が高い材質として形成されている。また、シール性及び機械強度において、基板処理装置の蓋体として満足のいく材質であり、本実施の形態における曲げ強度は、5.6Kgf/mm3程度、縦弾性係数は、前述の通り72500N/mm2である。第1の蓋体5の底面には、少なくとも1つ以上のピン穴(位置決め部)11a,11bが形成されており、好適には第1の蓋体5の底面中心軸に対して対称位置に2つ以上設ける。これにより、回転方向及び径方向の位置ずれを適切に防止することができる。また、ピン穴11a,11bは、貫通させない穴形状にすることにより、反応室内と位置決め部とを隔離させることが出来るため、位置決め部が擦れることにより発生する可能性のあるパーティクルが反応室内のウェハを汚染することを防止することができる。なお、穴に限らず、貫通孔にしてもよいが、その場合には、貫通孔の反応室側の面を蓋するようにすると、上記パーティクル汚染を抑止することができる。
第2の蓋体6は、第1の蓋体5よりも熱膨張率が大きい材質であるステンレス(SUS)製であり、ステンレスの縦弾性係数は、前述の通り197000N/mm2である。第2の蓋体6の前記ピン穴11a,11bと相対する位置には、第1の蓋体5よりも弾力性の高い材質である樹脂製(例えばPTFE製)のピン(位置決め手段)7a,7bが設けられている。ピン7a,7bの材質であるPTFEの縦弾性係数は、500N/mm2である。
第1の蓋体5と第2の蓋体6とを閉じた状態において、ピン7a,7bがピン穴11a,11bに挿入されることにより、回転方向及び径方向の位置決めが行われる。また、熱により第1の蓋体が第2の蓋体より膨張してピン7a、7bがピン穴11a,11bに接触しても、ピン7a,7bの縦弾性係数は500N/mm2であり、軟質なので、第1の蓋体5を破損させることはない。
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態は、第1の実施の形態の変更例であり、異なる点は、第1の蓋体のピン穴11a、11bの形状を若干拡大し、該拡大した箇所に第1の蓋体より割れにくい材料を埋没させた点である。その他の構成は、第1の実施の形態で詳述したものと同様であり、説明は省略する。
図3は、第2の実施の形態の蓋体の側面の断面図、図5は、蓋体の割れの状態を示す側面の断面図である。
第2の実施の形態は、第1の実施の形態の変更例であり、異なる点は、第1の蓋体のピン穴11a、11bの形状を若干拡大し、該拡大した箇所に第1の蓋体より割れにくい材料を埋没させた点である。その他の構成は、第1の実施の形態で詳述したものと同様であり、説明は省略する。
図3は、第2の実施の形態の蓋体の側面の断面図、図5は、蓋体の割れの状態を示す側面の断面図である。
第1の蓋体5を形成する不透明石英ガラスの構造は、前述のように、石英中に気泡14を大量に含んでおり、このため、気泡14を大量に含んでいる部分に応力が集中する箇所があると、そこを起点に割れが生じる。すなわち、図5に示すように、第1の蓋体5のピン穴11a,11bに大量に気泡14を含んだ部分があると、その部分は弱いため、その弱い部分13にピン7a,7bが接触すると、その接触箇所15を起点に第1の蓋体5が割れる。また、不透明石英ガラスは通常、加工後焼き仕上げをして表面を滑らかにするが、機械的磨耗やエッチングにより、表面に気泡14による凸凹がむき出しになることがあり、凸凹部分にピン7a、7bが接触すると、その接触箇所に亀裂が入ってしまうことがある。
このため、図3に示すように、第1の蓋体5のピン穴11a,11bの表面部分を第1の蓋体5より破損しにくい材料として透明石英ガラス12で構成する。不透明石英ガラスの曲げ強度は前述のように5.6Kgf/mm3程度であるが、透明石英ガラスは、9.6Kgf/mm3程度である。また、透明石英ガラス12内に、気泡14が存在しないため、前述の大量に気泡14を含んだ部分を存在させることもないし、透明石英ガラス12内壁表面に気泡14がむき出しになることもない。従って、透明石英ガラス12部分にピン7a,7bが接触し、応力が集中しても第1の蓋体5が割れにくい構造を実現することができる。さらに、不透明石英ガラスと透明石英ガラスとは、加熱により溶着することができるため、ピン穴11a、11bに透明石英ガラス12は、加熱による溶着により強固に固着することができる。尚、図3では、ピン穴11a、11bの表面部分全面に透明石英ガラス12を埋没するようにしたが、ピン穴11a、11bの穴底には、透明石英ガラスを設けずにピン穴11a、11bの側壁のみに設けるようにしても良い。このようにすることにより、ピン穴11a、11bに透明石英ガラスに透明石英ガラス12を溶着しやすくすることができる。
また、基板保持具であるボート支持体4の底部は、ボート3の底部であっても良いし、石英キャップや断熱板ホルダの底部であっても良い。それらの石英キャップや断熱板ホルダの底部に設けられた第1の蓋体の底部に複数の位置決め部としてピン穴を形成すると良い。
また、図4に示すようなボート3や第1の蓋体5及び第2の蓋体6(シールキャップ)に加えて、図2に示すように円盤状の蓋体(シールキャップ)219とは別のキャップ受け290に載せるタイプの反応炉(拡散処理炉)を備えた基板処理装置であっても、シールキャップ219およびベース257に本発明を適用することができる。尚、キャップ受け290にピン、石英キャップ218の底部で第1の蓋体を形成し、ピン穴を設けることにより、本発明を適用しても良い。
さらに、図4に示すようなボート3や第1の蓋体5及び第2の蓋体6(シールキャップ)に加えて、例えば、同一出願人による特開2003−100730号公報の基板処理装置のように、キャップを設けずにロングボート形状として、直接、蓋体や受け台に載せるタイプの基板処理装置でも本発明を適用することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることはなく、例えば、以下のような形態とすることもできる。
すなわち、基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と、該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め穴が形成された石英製の第1の蓋体と、前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質であるステンレス製で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め穴と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、前記位置決め手段は、前記第1の蓋体よりも弾力性の大きい材質であるフッ素系樹脂製で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
また、次のような形態とすることもできる。
すなわち、基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と、該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め穴が形成された第1の蓋体と、前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め穴と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、前記位置決め穴は、前記第1の蓋体に形成された取り付け穴内に第1の蓋体よりも曲げ強度の高い材料からなる位置決め穴部材が埋没されて形成されていることを特徴とする基板処理装置。
すなわち、基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と、該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め穴が形成された第1の蓋体と、前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め穴と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、前記位置決め穴は、前記第1の蓋体に形成された取り付け穴内に第1の蓋体よりも曲げ強度の高い材料からなる位置決め穴部材が埋没されて形成されていることを特徴とする基板処理装置。
また、次のような形態とすることもできる。
すなわち、基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と、該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め穴が形成された不透明石英製の第1の蓋体と、前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質であるステンレス製で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め穴と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、前記位置決め穴は、前記第1の蓋体に形成された取り付け穴内に第1の蓋体よりも曲げ強度の高い材料である透明石英製の位置決め穴部材が埋没されて形成されていることを特徴とする基板処理装置。
すなわち、基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と、該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め穴が形成された不透明石英製の第1の蓋体と、前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質であるステンレス製で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め穴と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、前記位置決め穴は、前記第1の蓋体に形成された取り付け穴内に第1の蓋体よりも曲げ強度の高い材料である透明石英製の位置決め穴部材が埋没されて形成されていることを特徴とする基板処理装置。
1 ヒータ(加熱手段)
2 反応管(処理室)
5 第1の蓋体
6 第2の蓋体
7a,7b ピン(位置決め手段)
11a,11b ピン穴(位置決め部)
203 反応管(反応容器)
2 反応管(処理室)
5 第1の蓋体
6 第2の蓋体
7a,7b ピン(位置決め手段)
11a,11b ピン穴(位置決め部)
203 反応管(反応容器)
Claims (1)
- 基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、
該処理室を形成し、底部に開口部を有する反応容器と
該反応容器の外周に配設され、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、
前記基板保持具の底部に設けられ、その底面に少なくとも1つ以上の位置決め部が形成された第1の蓋体と、
前記第1の蓋体よりも熱膨張率の大きい材質で形成され、前記第1の蓋体の底面と対向配置された第2の蓋体と、
前記第2の蓋体に対して前記第1の蓋体を位置決めするために、前記第1の蓋体における位置決め部と相対する位置に設けられた少なくとも1つ以上の位置決め手段とを備え、
前記位置決め手段は、前記第1の蓋体よりも弾力性の大きい材質で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
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---|---|---|---|---|
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20091201 |