JP2008060263A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

配線回路基板およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】導体パターンの伝送損失を低減させることができながら、導体パターンを精度よく形成することができ、優れた長期信頼性を確保することのできる配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２を用意し、厚みが２．０μｍ未満の金属箔５を、金属支持基板２の上に形成し、金属支持基板２の上に、金属箔５を被覆するように、第２金属薄膜６を形成し、第１ベース絶縁層７を、金属支持基板２の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成し、第３金属薄膜８を、第１ベース絶縁層７の上に形成し、導体パターン９を、第３金属薄膜８の上に形成し、第４金属薄膜１１を、導体パターン９および第３金属薄膜８を被覆するように形成し、カバー絶縁層１２を、第１ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１１を被覆するように形成する。
【選択図】図６

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関し、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。
従来より、ステンレスからなる金属支持基板と、その上に形成され、ポリイミド樹脂からなる絶縁層と、その上に形成され、銅からなる導体パターンとを備える回路付サスペンション基板が知られている。
また、近年、データの高密度化の観点から、このような回路付サスペンション基板では、信号の高周波数化が必要になるところ、高周波数化を図ると、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、例えば、サスペンションの上に、厚さが５μｍの銅または銅を主成分とする銅合金から形成される下部導体を設け、その下部導体の上に、厚さが５〜１０μｍの絶縁層を設け、その絶縁層の上に、記録側線路および再生側線路からなる導体を設けて、導体の伝送損失を低減させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、上記の提案では、下部導体の厚さを２〜１２μｍにすれば、導体の伝送損失を効率よく低減できるというシミュレーションが試案されている。
特開２００５−１１３８７号公報（請求項１、図８および図９）
しかし、上記した提案や試案の厚さで下部導体を形成した後、これをベース絶縁層で被覆する場合には、下部導体の端部において、その上を被覆するベース絶縁層に、下部導体の厚さに対応する大きな段差が生じる。
そのため、このようなベース絶縁層の上に、導体パターンを形成すると、段差に起因して導体パターンの位置ずれが生じ、その精度が低下するというおそれがある。
さらに、ベース絶縁層の上に、その導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する場合には、ベース絶縁層の段差および導体パターンの位置ずれに起因する凹凸により、カバー絶縁層には、空気溜まりが発生し易くなる。そのため、熱膨張などにより剥離が生じて、配線回路基板の信頼性が低下するというおそれがある。
本発明の目的は、導体パターンの伝送損失を低減させることができながら、導体パターンを精度よく形成することができ、優れた長期信頼性を確保することのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成され、厚みが２．０μｍ未満である金属箔と、前記金属支持基板の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される導体パターンとを備えていることを特徴としている。
この配線回路基板は、導体パターンの下に金属箔が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができる。
また、その金属箔の厚みが２．０μｍ未満であるので、第１絶縁層において、金属箔が形成される部分と、金属箔が形成されない部分との段差を小さくすることができる。そのため、その第１絶縁層の上に、導体パターンを精度よく形成することができる。
また、第１絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する場合には、第１絶縁層の段差が小さく、かつ、導体パターンが精度よく形成されていることから、凹凸の少ない第１絶縁層の表面にカバー絶縁層を形成することができる。そのため、カバー絶縁層に空気溜まりが発生することを抑制することができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記金属箔と前記金属支持基板との間に介在するように形成される第１金属薄膜を備えていることが好適である。
この配線回路基板では、金属支持基板と金属箔との間に、第１金属薄膜が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属支持基板と金属箔との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記第１金属薄膜と前記金属支持基板との間に介在するように形成される第２絶縁層を備えていることが好適である。
この配線回路基板では、第１金属薄膜と金属支持基板との間に、第２絶縁層が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１金属薄膜と金属支持基板との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記金属箔と前記金属支持基板との間に介在するように形成される第２絶縁層を備えていることが好適である。
この配線回路基板では、金属箔と金属支持基板との間に、第２絶縁層が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属箔と金属支持基板との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記金属箔と前記第１絶縁層との間に介在するように形成される第２金属薄膜を備えていることが好適である。
しかるに、金属箔の表面に、第１絶縁層が直接形成されている場合には、金属箔の金属が第１絶縁層に対して移行するイオンマイグレーション現象を生じる場合がある。
しかし、この配線回路基板では、第２金属薄膜を、金属箔と第１絶縁層との間に介在させることにより、第２金属薄膜がバリア層となって、イオンマイグレーション現象の発生を確実に防止することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記導体パターンは、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線を備え、前記金属箔は、前記配線と厚み方向において少なくとも一部が対向するように、互いに間隔を隔てて配置される複数の離間部分を備えていることが好適である。
この配線回路基板によれば、金属箔は、互いに間隔を隔てて配置される複数の離間部分を備えているので、可撓性を担保しつつ、金属箔を、複数の配線に応じて形成することができる。
また、金属箔が離間部分を備えると、離間部分に対応して、金属箔の端部がその分多く形成されるので、第１絶縁層には、その分多くの段差が生じる。しかし、この配線回路基板では、金属箔の厚みが２．０μｍ未満であり、金属箔の厚みに起因する段差を小さくすることができるので、第１絶縁層に多くの段差が生じても、導体パターンを精度よく形成することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記金属箔は、スパッタリングにより形成されていることが好適である。
金属箔の厚みが２．０μｍ以上であると、通常、スパッタリングにより種膜を形成し、その後、その種膜の上に電解めっきによりめっき層を形成する、２つの工程で金属箔を形成する必要がある。
しかし、この配線回路基板では、金属箔の厚みが２．０μｍ未満であるので、スパッタリングのみにより金属箔を形成することができ、１つの工程で金属箔を形成することができる。そのため、金属箔を簡単に形成し、製造コストの低減を図ることができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に、金属箔を、スパッタリングにより形成する工程と、前記金属支持基板の上に、第１絶縁層を、前記金属箔を被覆するように形成する工程と、前記第１絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程とを備えていることを特徴としている。
この配線回路基板の製造方法では、金属箔を形成するので、得られた配線回路基板の伝送損失を低減させることができる。
また、この配線回路基板の製造方法では、金属箔をスパッタリングのみにより形成するので、厚みの薄い金属箔を形成することができる。そのため、第１絶縁層の形成において、金属箔の厚みに起因する段差を小さくすることができる。その結果、その第１絶縁層の上に、導体パターンを精度よく形成することができる。
また、第１絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する場合には、第１絶縁層の段差が小さく、かつ、導体パターンが精度よく形成されていることから、凹凸の少ない第１絶縁層の表面にカバー絶縁層を形成することができる。そのため、カバー絶縁層に空気溜まりが発生することを抑制することができ、優れた長期信頼性を確保することのできる配線回路基板を製造することできる。
さらに、金属箔をスパッタリングのみにより形成するので、１つの工程で金属箔を形成することができる。そのため、金属箔を簡単に形成し、配線回路基板を簡単に製造することができる。
本発明の配線回路基板は、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができながら、導体パターンを精度よく形成することができる。
また、カバー絶縁層を形成する場合には、空気溜まりが発生することを抑制することができるため、優れた長期信頼性を確保することができる。
本発明の配線回路基板の製造方法では、金属箔を形成するので、得られた配線回路基板の伝送損失を低減させることができる。
また、この配線回路基板の製造方法では、厚みの薄い金属箔を形成することができるため、導体パターンを精度よく形成することができる。そのため、優れた長期信頼性を確保することのできる配線回路基板を製造することできる。さらに、金属箔を簡単に形成し、配線回路基板を簡単に製造することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第２絶縁層としての第２ベース絶縁層３と、第２ベース絶縁層３の上に形成される第１金属薄膜４と、第１金属薄膜４の上に形成される金属箔５と、第２ベース絶縁層３の上に、金属箔５を被覆するように形成される第２金属薄膜６と、第２ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成される第１絶縁層としての第１ベース絶縁層７とを備えている。また、この配線回路基板１は、第１ベース絶縁層７の上に形成される第３金属薄膜８と、第３金属薄膜８の上に形成される導体パターン９と、第１ベース絶縁層７の上に、導体パターン９を被覆するように形成される第４金属薄膜１１と、第１ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１１を被覆するように形成されるカバー絶縁層１２とを備えている。
金属支持基板２は、平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
第２ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、第２ベース絶縁層３は、幅方向（長手方向に直交する方向）において、金属支持基板２の全面に形成されている。
第２ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、配線回路基板の絶縁体として通常用いられる、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。第２ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
第１金属薄膜４は、第２ベース絶縁層３の表面において、金属箔５が形成されている部分と厚み方向において対向するように、パターンとして形成されている。より具体的には、第１金属薄膜４は、後述するように幅方向おいて互いに間隔を隔てて配置される複数（４つ）の配線１０のうち幅方向の最外両側の配線１０間にわたって、これらの配線１０と厚み方向において対向し、かつ、第２ベース絶縁層３よりも幅狭となるように形成されている。また、この第１金属薄膜４は、金属箔５と第２ベース絶縁層３との間に介在するように形成されている。
第１金属薄膜４を形成する金属としては、例えば、銅、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が用いられる。また、第１金属薄膜４は、複数の層から形成することもできる。第１金属薄膜４の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
金属箔５は、第１金属薄膜４の表面において、少なくとも導体パターン９が形成されている部分と厚み方向において対向するように、パターンとして形成されている。より具体的には、金属箔５は、第１金属薄膜４の全面に形成されている。
金属箔５を形成する金属としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。金属箔５の厚みは、２．０μｍ未満であり、より具体的には、例えば、０．１μｍ以上で２．０μｍ未満、好ましくは、０．２〜１．５μｍ、さらに好ましくは、０．２〜０．５μｍである。金属箔５の厚みが２．０μｍ以上であると、後述する第１ベース絶縁層７の段差１５（図９参照）が大きくなり、導体パターン９を精度よく形成することが困難である。
第２金属薄膜６は、金属箔５の表面に、金属箔５を被覆するように形成されている。より具体的には、第２金属薄膜６は、金属箔５の上面および側面と、第１金属薄膜４の側面とに、これらを被覆するように、形成されている。また、この第２金属薄膜６は、金属箔５および第１金属薄膜４と、第１ベース絶縁層７との間に介在するように形成されている。
第２金属薄膜６を形成する金属としては、例えば、ニッケル、クロム、またはニッケルとクロムとの合金（ニクロム）が用いられる。好ましくは、ニッケルが用いられる。第２金属薄膜６の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
第１ベース絶縁層７は、第２ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成されている。
第１ベース絶縁層７を形成する絶縁体としては、上記した第２ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。第１ベース絶縁層７の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、５〜１０μｍである。
第３金属薄膜８は、第１ベース絶縁層７の表面において、導体パターン９が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。また、この第３金属薄膜８は、導体パターン９と第１ベース絶縁層７との間に介在するように形成されている。
第３金属薄膜８を形成する金属としては、上記した第１金属薄膜４と同様の金属が用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルが用いられる。また、第３金属薄膜８は、複数の層から形成することもできる。第３金属薄膜８の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
導体パターン９は、第１ベース絶縁層７の上であって、第３金属薄膜８の表面に、幅方向において互いに間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って平行状に設けられる複数（例えば、４本）の配線１０および各配線１０の長手方向両端部に設けられる図示しない端子部からなる配線回路パターンとして形成されている。
導体パターン９を形成する導体としては、配線回路基板の導体として通常用いられる、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン９の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。各配線１０の幅は、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍであり、各配線１０間の間隔は、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。
第４金属薄膜１１は、導体パターン９の表面に、導体パターン９を被覆するように形成されている。より具体的には、第４金属薄膜１１は、導体パターン９の各配線の上面（端子部の上面を除く。）および側面と、第３金属薄膜８の側面とに、これらを被覆するように、形成されている。また、この第４金属薄膜１１は、導体パターン９および第３金属薄膜８と、カバー絶縁層１２との間に介在するように形成されている。
第４金属薄膜１１を形成する金属としては、第２金属薄膜６と同様の金属が用いられ、好ましくは、ニッケルが用いられる。また、第４金属薄膜１１の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
カバー絶縁層１２は、第１ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１１を被覆するように形成されている。より具体的には、カバー絶縁層１２は、幅方向において第１ベース絶縁層７の全面に形成されている。
カバー絶縁層１２を形成する絶縁体としては、上記した第２ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。カバー絶縁層１２の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。なお、カバー絶縁層１２は、図示しない導体パターン９の端子部が露出するように、開口されている。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図２〜図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、金属支持基板２の表面に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなる第２ベース絶縁層３を形成する。
また、第２ベース絶縁層３は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、第２ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、第１金属薄膜４を、第２ベース絶縁層３の全面に形成する。
第１金属薄膜４は、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成する。
スパッタリングとしては、例えば、上記した金属をターゲットとするスパッタリングが用いられ、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングが用いられ、これらによりクロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、予め表面処理（表面に図示しない種膜を形成する処理）した、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら通電する、電解めっきが用いられる。電解めっきとしては、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら通電する、電解ニッケルめっきが用いられる。
無電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、予め表面処理（表面に図示しない触媒層を形成する処理）した、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬する、無電解めっきが用いられる。無電解めっきとしては、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬する、無電解ニッケルめっきが用いられる。
これらのうち、好ましくは、スパッタリングにより、第１金属薄膜４を形成する。
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、金属箔５を、第１金属薄膜４の全面に形成する。
金属箔５は、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成する。
スパッタリングとしては、上記と同様のスパッタリングが用いられ、好ましくは、銅スパッタリングが用いられ、これにより銅箔を積層する。
電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図２（ｃ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら、第１金属薄膜４を種膜として、第１金属薄膜４から通電する、電解めっきが用いられる。
無電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図２（ｃ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬する、無電解めっきが用いられる。
これらのうち、好ましくは、スパッタリングにより、金属箔５を形成する。
なお、金属箔５をスパッタリングで形成すれば、図６に示すように、金属箔５は、第１金属薄膜４と一体的に形成される。
また、この配線回路基板１の金属箔５の形成において、金属箔５の厚みを２．０μｍ以上に設定すると、図２（ｃ）が参照されるように、例えば、電解めっきにおいて、まず、第１金属薄膜４（種膜）を形成し、その後、その第１金属薄膜４の上に、第１金属薄膜４から通電することにより、金属箔５を形成する、２つの工程で金属箔を形成する必要がある。
しかし、この配線回路基板では、金属箔の厚みが２．０μｍ未満であるので、スパッタリングのみによっても金属箔５を形成することができ、１つの工程で金属箔５を形成することができる。そのため、金属箔５を簡単に形成し、配線回路基板１を簡単に製造して、製造コストの低減を図ることができる。
次いで、この方法では、図２（ｅ）に示すように、エッチングレジスト１４を、金属箔５の表面に、上記した金属箔５のパターンと同一パターンで形成する。エッチングレジスト１４の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像する、公知の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、エッチングにより、エッチングレジスト１４から露出する金属箔５および第１金属薄膜４を順次除去する。
次いで、この方法では、図３（ｇ）に示すように、エッチングレジスト１４を、例えば、ウエットエッチングなどの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
これにより、第１金属薄膜４を、第２ベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成するとともに、金属箔５を、第１金属薄膜４の表面に、上記したパターンで形成することができる。
次いで、この方法では、図３（ｈ）に示すように、金属箔５の上面および側面と、第１金属薄膜４の側面とに、第２金属薄膜６を、金属箔５および第１金属薄膜４を被覆するように、形成する。
第２金属薄膜６は、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成する。好ましくは、無電解めっきにより、第２金属薄膜６を形成する。
無電解めっきでは、例えば、上記した金属のめっき溶液、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、予め表面処理（表面に図示しない触媒層を形成する処理）した、図３（ｇ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬することにより、ニッケルからなる第２金属薄膜６を形成する。
次いで、この方法では、図３（ｉ）に示すように、第２金属薄膜６を含む第２ベース絶縁層３の全面に、例えば、第２ベース絶縁層３と同様の合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなる第１ベース絶縁層７を形成する。
また、第１ベース絶縁層７は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、第１ベース絶縁層７の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第２金属薄膜６を含む第２ベース絶縁層３の全面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
次いで、この方法では、図４（ｊ）に示すように、第１ベース絶縁層７の上に、第３金属薄膜８および導体パターン９を、順次形成する。
第３金属薄膜８および導体パターン９は、例えば、アディティブ法などのパターンニング法により、形成する。
すなわち、アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層７の全面に、第３金属薄膜８（種膜）を形成する。第３金属薄膜８は、第１金属薄膜４を形成する方法と同様の方法により形成する。好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成する。
次いで、第３金属薄膜８の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、配線回路パターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する第３金属薄膜８の表面に、導体パターン９を配線回路パターンとして形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第３金属薄膜８をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、電解めっきまたは無電解めっきのいずれでもよいが、好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｋ）に示すように、導体パターン９の上面および側面と、第３金属薄膜８の側面とに、第４金属薄膜１１を、導体パターン９および第３金属薄膜８を被覆するように、形成する。
第４金属薄膜１１は、第２金属薄膜６を形成する方法と同様の方法により形成する。好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、予め表面処理（表面に図示しない触媒層を形成する処理）した、図４（ｊ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬する無電解ニッケルめっきにより、ニッケルからなる第４金属薄膜１１を形成する。
次いで、この方法では、図４（ｌ）に示すように、第１ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１１を被覆するように、例えば、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなるカバー絶縁層１２を形成する。
また、カバー絶縁層１２は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層１２の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第１ベース絶縁層７の表面に、第４金属薄膜１１を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
なお、カバー絶縁層１２は、導体パターン９の図示しない端子部が露出するように形成する。導体パターン９の端子部を露出させるには、上記した感光性の合成樹脂を用いてパターンに形成するか、あるいは、レーザやパンチにより穿孔加工する。
その後、導体パターン９の端子部の上面に形成されている第４金属薄膜１１を、エッチングなどにより除去した後、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、配線回路基板１を得る。
そして、この配線回路基板１では、導体パターン９と厚み方向に対向して金属箔５が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができる。
また、例えば、金属箔５を２．０μｍ以上の厚さで形成した後、これを第１ベース絶縁層７で被覆する場合には、図９に示すように、金属箔５の幅方向端部において、その上を被覆する第１ベース絶縁層７に、金属箔５の厚さに対応する大きな段差（ショルダー）１５が生じる。
そのため、この第１ベース絶縁層７の上に、導体パターン９を形成すると、第１ベース絶縁層７の段差１５に形成された導体パターン９は、その段差１５に起因して位置ずれ、より具体的には、幅方向最外側の配線１０の位置ずれが生じ、その配置（パターン）の精度が低下するという不具合がある。
しかし、上記した配線回路基板１では、金属箔５の厚みが２．０μｍ未満であるので、第１ベース絶縁層７において、金属箔５が形成される部分と、金属箔５が形成されない部分との段差１５（図９参照）を小さくすることができる。そのため、その第１ベース絶縁層７の上に、導体パターン９を精度よく形成することができる。
また、第１ベース絶縁層７の上に、導体パターン９を被覆するように、カバー絶縁層１２を形成するときには、第１ベース絶縁層７の段差１５（図９参照）が小さく、かつ、導体パターン９が精度よく形成されていることから、凹凸の少ない第１ベース絶縁層７の表面にカバー絶縁層１２を形成することができる。そのため、カバー絶縁層１２に空気溜まりが発生することを抑制することができ、配線回路基板１において、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、この配線回路基板１では、第２ベース絶縁層３が、第１金属薄膜４と金属支持基板２との間に介在するように形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１金属薄膜４と金属支持基板２との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、この配線回路基板１では、第１金属薄膜４が、金属箔５と第２ベース絶縁層３との間に介在するように形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属箔５と第２ベース絶縁層３との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
つまり、この配線回路基板１では、金属支持基板２と金属箔５との間に、第２ベース絶縁層３および第１金属薄膜４が順次形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属支持基板２と金属箔５との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、この配線回路基板１では、第２金属薄膜６を、金属箔５と第１ベース絶縁層７との間に介在させることにより、第２金属薄膜６がバリア層となって、金属箔５の金属が第１ベース絶縁層７に対して移行するイオンマイグレーション現象の発生を確実に防止することができる。
図５〜図８は、本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図である。
次に、本発明の配線回路基板の他の実施形態について、図５〜図８を参照して、説明する。なお、上記した各部に対応する部材については、図５〜図８の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した図１に示す配線回路基板１の説明では、第２ベース絶縁層３を形成したが、これに制限されず、例えば、図５に示すように、第２ベース絶縁層３を形成せず、金属支持基板２の上に、第１金属薄膜４を直接形成することもできる。
図５において、この配線回路基板１では、第１金属薄膜４は、金属支持基板２の表面に形成されている。また、第１金属薄膜４は、金属箔５と金属支持基板２との間に介在するように形成されている。
第１ベース絶縁層７は、金属支持基板２の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成されている。
そして、この配線回路基板１では、第２ベース絶縁層３が形成されていないので、配線回路基板１の軽薄化を図りつつ、より簡単に配線回路基板１を得ることができる。
また、この配線回路基板１では、第１金属薄膜４が、金属箔５と金属支持基板２との間に介在するように形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属箔５と金属支持基板２との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、上記した図５に示す配線回路基板１の説明では、第１金属薄膜４を形成したが、これに制限されず、例えば、図６に示すように、第１金属薄膜４を形成せず、金属支持基板２の上に、金属箔５を直接形成し、その金属箔５を被覆するように、第１ベース絶縁層７を直接形成することもできる。
図６において、この配線回路基板１では、金属箔５は、金属支持基板２の表面に形成されている。
そして、この配線回路基板１では、第２ベース絶縁層３および第１金属薄膜４が形成されていないので、配線回路基板１の軽薄化を図りつつ、より簡単に配線回路基板１を得ることができる。
また、上記した図６に示す配線回路基板１の説明では、金属箔５を、金属支持基板２の上に直接形成したが、これに制限されず、例えば、図７に示すように、第２ベース絶縁層３を介して、金属支持基板２の上に形成することもできる。
図７において、この配線回路基板１では、金属箔５は、第２ベース絶縁層３の表面に形成されている。
第２ベース絶縁層３は、金属箔５と金属支持基板２との間に介在するように形成されている。
なお、第２金属薄膜６は、金属箔５の上面および側面に、これを被覆するように、形成されている。また、この第２金属薄膜６は、金属箔５と、第１ベース絶縁層７との間に介在するように形成されている。
そして、この配線回路基板１では、第２ベース絶縁層３が、金属箔５と金属支持基板２との間に介在するように形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属箔５と金属支持基板２との密着性を十分に図ることができ、配線回路基板１において、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、上記した図１に示す配線回路基板１では、金属箔５を、導体パターン９の幅方向最外両側の配線１０間にわたって形成したが、これに制限されず、例えば、図８に示すように、複数の配線１０に対応する離間部分１３を備えるように、形成することもできる。
図８において、この配線回路基板１では、金属箔５は、複数の離間部分１３を備えている。各離間部分１３は、各配線１０と厚み方向において対向するように、幅方向に間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って平行状に配置されている。
各離間部分１３の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍであり、各離間部分１３間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。
そして、この配線回路基板１によれば、金属箔５は、互いに間隔を隔てて配置される複数の離間部分１３を備えているので、可撓性を担保しつつ、金属箔５を、複数の配線１０に応じて、すなわち、配線１０の数および形状に対応して形成することができる。
また、金属箔５が離間部分１３を備えると、離間部分１３に対応して、金属箔５の端部が、各離間部分１３の幅方向両端部として、その分多く形成されるので、第１ベース絶縁層７には、それに対応して多くの段差１５（図９参照）が生じる。
しかし、この配線回路基板１では、金属箔５の厚みが２．０μｍ未満であり、金属箔５の厚みに起因する段差１５を小さくすることができる。そのため、第１ベース絶縁層７に多くの段差１５が生じても、導体パターン９を精度よく形成することができる。
なお、図８に示す配線回路基板１の説明では、各離間部分１３を、各配線１０に対応するように形成したが、互いに間隔を隔てて配置すれば、これに制限されず、例えば、図示しないが、少なくとも複数の離間部分１３の一部が、いずれかの配線１０と厚み方向において対向するように配置することもできる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図２（ａ）参照）、
次いで、金属支持基板の全面に、金属箔としての厚み０．０５μｍの銅箔を、銅スパッタリングによって形成した（図２（ｄ）参照）。次いで、金属箔のパターンと同一パターンのエッチングレジストを、金属箔の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像することにより、上記したパターンに形成した（図２（ｅ）参照）。次いで、エッチングレジストから露出する金属箔を、化学エッチングにより除去した後（図３（ｆ）参照）、エッチングレジストを除去した（図３（ｇ）参照）。
次いで、金属箔の上面および側面に、第２金属薄膜として厚み０．１μｍのニッケル薄膜を、無電解ニッケルめっきによって、金属箔を被覆するように、形成した（図３（ｈ）参照）。
次いで、第２金属薄膜を含む金属支持基板の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図３（ｉ）参照）。
次いで、第１ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、種膜となる第３金属薄膜および導体パターンを、順次形成した（図４（ｊ）参照）。
アディティブ法では、第１ベース絶縁層の全面に、第３金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、導体パターンの逆パターンのめっきレジストを、第３金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像することにより、形成した。次いで、めっきレジストから露出する第３金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの導体パターンを、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第３金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図４（ｊ）参照）。
次いで、導体パターンの上面および側面と、第３金属薄膜の側面とに、第４金属薄膜として厚み０．１μｍのニッケル薄膜を、無電解ニッケルめっきによって、導体パターンおよび第３金属薄膜を被覆するように、形成した（図４（ｋ）参照）。
次いで、第４金属薄膜を被覆するように、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、第１ベース絶縁層の表面に、第４金属薄膜（端子部が形成される部分を除く。）を被覆するようなパターンで形成した（図４（ｌ）参照）。その後、端子部の上面に形成された第４金属薄膜を、エッチングにより除去した後、金属支持基板をエッチングにより、所望の形状に切り抜き、回路付サスペンション基板を得た（図６参照）。
実施例２
金属箔の形成において、金属箔の厚みを０．１μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
実施例３
金属箔の形成において、金属箔の厚みを０．２μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
実施例４
金属箔の形成において、金属箔の厚みを０．５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
実施例５
金属箔の形成において、金属箔の厚みを１．５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
実施例６
金属箔の形成において、金属箔の厚みを１．８μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例１
金属箔の形成において、金属箔の厚みを２．０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例２
金属箔の形成において、金属箔の厚みを４．０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例３
金属箔および第２金属薄膜を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。すなわち、第１ベース絶縁層を、金属支持基板の全面に形成した。
（評価）
（１） 伝送効率評価
各実施例および各比較例において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度（ＰＯＵＴ）と入力信号強度（ＰＩＮ）とを測定し、下記式（１）のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果を表１に示す。
伝送効率（％）＝ＰＯＵＴ／ＰＩＮ・・・ （１）
（２） 凹凸評価
各実施例および各比較例において得られた回路付サスペンション基板において、金属箔の端部の近傍（比較例３では、幅方向最外側の配線の近傍）における、配線の位置ずれを観察することにより、回路付サスペンション基板の凹凸を評価した。その結果を、表１に示す。なお、表１中、凹凸の評価は以下の通りとした。
○：配線の位置ずれが観察されなかった
△：配線の位置ずれがわずかに認められた
Figure 2008060263
本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。 図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、第２ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、第１金属薄膜を、第２ベース絶縁層の全面に形成する工程、（ｄ）は、金属箔を、第１金属薄膜の全面に形成する工程、（ｅ）は、金属箔のパターンと同一パターンで、第１金属薄膜の表面に、エッチングレジストを形成する工程を示す。 図２に続いて、図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｆ）は、エッチングレジストから露出する第１金属薄膜および金属箔を除去する工程、（ｇ）は、エッチングレジストを除去する工程、（ｈ）は、第２金属薄膜を、金属箔を被覆するように形成する工程、（ｉ）は、第１ベース絶縁層を、第２ベース絶縁層の上に、第２金属薄膜を被覆するように形成する工程を示す。 図３に続いて、図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｊ）は、第３金属薄膜および導体パターンを、第１ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｋ）は、第４金属薄膜を、導体パターンを被覆するように形成する工程、（ｌ）は、カバー絶縁層を、第１ベース絶縁層の上に、第４金属薄膜を被覆するように形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図であって、第１金属薄膜が、金属支持基板の表面に直接形成されている形態の要部断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図であって、金属箔が、金属支持基板の表面に直接形成されている形態の要部断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図であって、金属箔が、第２ベース絶縁層を介して、金属支持基板の上に形成されている形態の要部断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図であって、金属箔が、複数の配線に対応する、複数の離間部分を備えている形態の要部断面図である。 配線回路基板の金属箔の端部における要部拡大断面図である。
符号の説明
１ 配線回路基板
２ 金属支持基板
３ 第２ベース絶縁層
４ 第１金属薄膜
５ 金属箔
６ 第２金属薄膜
７ 第１ベース絶縁層
９ 導体パターン
１０ 配線
１３ 離間部分

Claims (8)

  1. 金属支持基板と、
    前記金属支持基板の上に形成され、厚みが２．０μｍ未満である金属箔と、
    前記金属支持基板の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の上に形成される導体パターンと
    を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
  2. さらに、前記金属箔と前記金属支持基板との間に介在するように形成される第１金属薄膜を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  3. さらに、前記第１金属薄膜と前記金属支持基板との間に介在するように形成される第２絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
  4. さらに、前記金属箔と前記金属支持基板との間に介在するように形成される第２絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  5. さらに、前記金属箔と前記第１絶縁層との間に介在するように形成される第２金属薄膜を備えていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
  6. 前記導体パターンは、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線を備え、
    前記金属箔は、前記配線と厚み方向において少なくとも一部が対向するように、互いに間隔を隔てて配置される複数の離間部分を備えていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
  7. 前記金属箔は、スパッタリングにより形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
  8. 金属支持基板を用意する工程と、
    前記金属支持基板の上に、金属箔を、スパッタリングにより形成する工程と、
    前記金属支持基板の上に、第１絶縁層を、前記金属箔を被覆するように形成する工程と、
    前記第１絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程と
    を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
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