JP2008053698A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 透光性を有する基板の一方の面に光吸収層を形成し、
   前記光吸収層に対向するように基板を設け、前記透光性を有する基板の他方の面に対向するようにマスクを設け、
   前記マスクを介して前記光吸収層にレーザビームを照射し、前記光吸収層の一部を前記基板に転写し、
   前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 透光性を有する基板の一方の面に光吸収層を形成し、
   前記透光性を有する基板の他方の面にマスクを形成し、
   前記透光性を有する基板の他方の面側から前記光吸収層にレーザビームを照射し、前記光吸収層の一部を前記基板に転写し、
   前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または２において、前記光吸収層は、前記レーザビームを吸収することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記光吸収層は、導電層、半導体層、または絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第１の層及び前記第１の層に接する第２の層を形成し、
   前記第２の層に対向するように基板を設け、前記透光性を有する基板の他方の面に対向するようにマスクを設け、
   前記マスクを介して前記光を吸収する第１の層にレーザビームを照射し、前記第２の層の一部を前記基板に転写し、
   前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第１の層及び前記第１の層に接する第２の層を形成し、
   前記透光性を有する基板の他方の面にマスクを形成し、
   前記第２の層に対向するように基板を設け、
   前記透光性を有する基板の他方の面側から前記光を吸収する第１の層にレーザビームを照射し、前記第２の層の一部を前記基板に転写し、
   前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第１の層及び前記第１の層に接する第２の層を形成し、
   前記第２の層に対向するように基板を設け、前記透光性を有する基板の他方の面に対向するようにマスクを設け、
   前記マスクを介して前記光を吸収する第１の層にレーザビームを照射し、前記第１の層の一部及び第２の層の一部を前記基板に転写し、
   前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第１の層及び前記第１の層に接する第２の層を形成し、
   前記透光性を有する基板の他方の面にマスクを形成し、
   前記第２の層に対向するように基板を設け、
   前記透光性を有する基板の他方の面側から前記光を吸収する第１の層にレーザビームを照射し、前記第１の層の一部及び第２の層の一部を前記基板に転写し、
   前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項５乃至８のいずれか一項において、前記光を吸収する第１の層は、前記レーザビームを吸収することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項５乃至９のいずれか一項において、前記光を吸収する第１の層は、導電層、半導体層、または絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項５乃至１０のいずれか一項において、前記第２の層は、導電層、半導体層、及び絶縁層のいずれか一つ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項おいて、前記マイクロレンズの周辺には遮光層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記透光性を有する基板及び前記基板を真空雰囲気に設置し、前記光吸収層に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記基板を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。