JP2008053698A5 - - Google Patents
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- 透光性を有する基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記光吸収層に対向するように基板を設け、前記透光性を有する基板の他方の面に対向するようにマスクを設け、
前記マスクを介して前記光吸収層にレーザビームを照射し、前記光吸収層の一部を前記基板に転写し、
前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記透光性を有する基板の他方の面にマスクを形成し、
前記透光性を有する基板の他方の面側から前記光吸収層にレーザビームを照射し、前記光吸収層の一部を前記基板に転写し、
前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または2において、前記光吸収層は、前記レーザビームを吸収することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記光吸収層は、導電層、半導体層、または絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第1の層及び前記第1の層に接する第2の層を形成し、
前記第2の層に対向するように基板を設け、前記透光性を有する基板の他方の面に対向するようにマスクを設け、
前記マスクを介して前記光を吸収する第1の層にレーザビームを照射し、前記第2の層の一部を前記基板に転写し、
前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第1の層及び前記第1の層に接する第2の層を形成し、
前記透光性を有する基板の他方の面にマスクを形成し、
前記第2の層に対向するように基板を設け、
前記透光性を有する基板の他方の面側から前記光を吸収する第1の層にレーザビームを照射し、前記第2の層の一部を前記基板に転写し、
前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第1の層及び前記第1の層に接する第2の層を形成し、
前記第2の層に対向するように基板を設け、前記透光性を有する基板の他方の面に対向するようにマスクを設け、
前記マスクを介して前記光を吸収する第1の層にレーザビームを照射し、前記第1の層の一部及び第2の層の一部を前記基板に転写し、
前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する基板の一方の面に光を吸収する第1の層及び前記第1の層に接する第2の層を形成し、
前記透光性を有する基板の他方の面にマスクを形成し、
前記第2の層に対向するように基板を設け、
前記透光性を有する基板の他方の面側から前記光を吸収する第1の層にレーザビームを照射し、前記第1の層の一部及び第2の層の一部を前記基板に転写し、
前記マスクは、位相シフトマスクである、バイナリーマスクと位相シフトマスクを重ねたものである、又はマイクロレンズを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5乃至8のいずれか一項において、前記光を吸収する第1の層は、前記レーザビームを吸収することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5乃至9のいずれか一項において、前記光を吸収する第1の層は、導電層、半導体層、または絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5乃至10のいずれか一項において、前記第2の層は、導電層、半導体層、及び絶縁層のいずれか一つ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至11のいずれか一項おいて、前記マイクロレンズの周辺には遮光層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至12のいずれか一項において、前記透光性を有する基板及び前記基板を真空雰囲気に設置し、前記光吸収層に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至13のいずれか一項において、前記基板を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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