JP2008041381A - Organic el display and manufacturing method therefor - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機EL表示装置に係り、特にパッシブマトリックス駆動方式の有機EL表示装置とその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic EL display device, and more particularly to a passive matrix drive type organic EL display device and a manufacturing method thereof.
有機のエレクトロルミネッセンス(EL)素子を用いた有機EL表示装置は、自発光により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体表示装置であること、温度変化の影響をあまり受けないこと、視野角が大きいこと等の利点をもっており、近年、フルカラー表示装置、エリアカラー表示装置、照明等の有機発光表示装置として実用化が進んでいる。
有機EL表示装置としては、例えば、(1)三原色の有機EL素子を各発光色毎に所定のパターンで配列する方式、(2)白色発光の有機EL素子を使用し、三原色のカラーフィルタ層を介して表示する方式、(3)青色発光の有機EL素子を使用し、蛍光色素を利用した色変換蛍光体層(CCM層)を設置して、青色光を緑色蛍光や赤色蛍光に変換して三原色表示をするCCM方式等が提案されている。
An organic EL display device using an organic electroluminescence (EL) element has high visibility due to self-emission, is an all-solid-state display device unlike a liquid crystal display device, is not significantly affected by temperature changes, In recent years, it has been put into practical use as an organic light emitting display device such as a full color display device, an area color display device, and illumination.
As an organic EL display device, for example, (1) a system in which three primary color organic EL elements are arranged in a predetermined pattern for each emission color, and (2) a white light emitting organic EL element is used, and a three primary color filter layer is formed. (3) Using a blue light emitting organic EL element, installing a color conversion phosphor layer (CCM layer) using a fluorescent dye, and converting blue light into green fluorescence or red fluorescence A CCM system that displays three primary colors has been proposed.
また、有機EL表示装置には、パッシブマトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式とがある。このうち、パッシブマトリックス駆動方式は、複数のストライプ形状の陽極(透明電極)と、有機EL発光層を介して陽極と直交するように形成された複数のストライプ形状の陰極(背面電極)とを備え、各電極のリード部がドライバICに接続され、このドライバICにより陽極と陰極とが交差する所望の部位に電流を供給して駆動するものである(特許文献1)。
しかし、従来の有機EL表示装置の製造では、最終形態に切断する工程において、切断箇所の近傍に位置するリード部に切断応力が作用し、リード部の欠損、剥離等の欠陥を生じて生産効率の向上に支障を来たすという問題があった。
また、製造段階では上記のような欠陥を生じることなく有機EL表示装置とされたものであっても、外部のドライブICとの接続用のタブから外力がリード部に作用して欠損、剥離等を生じるという問題もあった。
さらに、パッシブマトリックス駆動方式は、アクティブマトリックス駆動方式に比べて構造が簡単であり製造コストが低いという利点がある反面、消費電力が大きく、画素サイズの大型化に伴い消費電力の抑制が課題となっている。これに対応するために、リード部に存在する酸化インジウム錫(ITO)等の透明導電層に金属層を形成して、リード部とタブとの接触抵抗を低減した有機EL表示装置が提案されているが、このような有機EL表示装置においても上述と同様の問題が存在する。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い有機EL表示装置と、このような有機EL表示装置を製造するための方法を提供することを目的とする。
However, in the manufacture of the conventional organic EL display device, in the process of cutting to the final form, the cutting stress acts on the lead portion located in the vicinity of the cutting portion, resulting in defects such as chipping of the lead portion, peeling, and the production efficiency. There was a problem that it hindered the improvement.
Further, even if the organic EL display device does not cause the above-described defects at the manufacturing stage, an external force acts on the lead portion from a tab for connection with an external drive IC, and the defect, peeling, etc. There was also a problem of producing.
In addition, the passive matrix drive method has the advantages of a simpler structure and lower manufacturing costs than the active matrix drive method, but it consumes a large amount of power. ing. In order to cope with this, an organic EL display device has been proposed in which a metal layer is formed on a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) existing in the lead portion to reduce the contact resistance between the lead portion and the tab. However, such an organic EL display device has the same problem as described above.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a highly reliable organic EL display device and a method for manufacturing such an organic EL display device.
このような目的を達成するために、本発明の有機EL表示装置は、透明基材の一方の面に透明電極と背面電極からなる一対の電極と、該電極間に配された有機EL発光層と、非発光領域にマトリックス状に配設された絶縁層とを少なくとも備え、前記一対の電極に接続されているリード部を表示領域の外側に備え、前記絶縁層は表示領域の外側の前記リード部上にも、その一部露出させるようにして位置しているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記絶縁層は、前記リード部を露出させるための開口部を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記リード部は、透明導電層上に銀合金層が積層されたものであるような構成とした。
本発明の他の態様として、カラーフィルタ層を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記カラーフィルタ層と前記電極との間に色変換蛍光体層を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機EL発光層は、白色発光、青色発光、赤色発光、緑色発光のいずれか、あるいは、青色発光、赤色発光、緑色発光が所定のパターンで組み合わされたものであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機EL発光層は、青色発光であり、前記色変換蛍光体層は青色光を緑色蛍光に変換して発光する緑色変換層と、青色光を赤色蛍光に変換して発光する赤色変換層とを備えているような構成とした。
In order to achieve such an object, an organic EL display device of the present invention includes a pair of electrodes including a transparent electrode and a back electrode on one surface of a transparent substrate, and an organic EL light emitting layer disposed between the electrodes. And at least an insulating layer arranged in a matrix in the non-light emitting area, and a lead portion connected to the pair of electrodes is provided outside the display area, and the insulating layer is the lead outside the display area. The part is also arranged so as to be partially exposed.
As another aspect of the present invention, the insulating layer has an opening for exposing the lead portion.
As another aspect of the present invention, the lead portion is configured such that a silver alloy layer is laminated on a transparent conductive layer.
As another aspect of the present invention, a color filter layer is provided.
As another aspect of the present invention, a color conversion phosphor layer is provided between the color filter layer and the electrode.
As another aspect of the present invention, the organic EL light emitting layer is one of white light emission, blue light emission, red light emission, and green light emission, or a combination of blue light emission, red light emission, and green light emission in a predetermined pattern. A certain configuration was adopted.
As another aspect of the present invention, the organic EL light emitting layer emits blue light, the color conversion phosphor layer converts a blue light into green fluorescence and emits light, and converts the blue light into red fluorescence. And a red conversion layer that emits light.
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、透明基材上に透明導電膜を成膜し、該透明導電膜をパターニングして、リード部と透明電極とを形成する電極形成工程と、表示領域と、該表示領域の外側の少なくとも前記リード部を被覆するように絶縁膜を形成し、該絶縁膜をパターニングして、非発光領域にマトリックス状に位置し、かつ、前記リード部の一部を露出させるように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に前記透明電極と直交する方向で複数の隔壁を形成し、該隔壁をマスクとして有機EL発光層と背面電極とを形成する発光層形成工程と、を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電極形成工程において、前記透明導電膜上に銀合金層を成膜し、該銀合金層をパターニングしてリード部を形成し、その後、透明導電膜をパターニングして、前記銀合金層の下層となるリード部と透明電極とを形成するような構成とした。
An organic EL display device manufacturing method according to the present invention includes an electrode forming step of forming a transparent conductive film on a transparent substrate, patterning the transparent conductive film to form a lead portion and a transparent electrode, and a display region And forming an insulating film so as to cover at least the lead portion outside the display region, patterning the insulating film, being located in a matrix in the non-light emitting region, and part of the lead portion An insulating layer forming step for forming an insulating layer so as to be exposed; and a plurality of partition walls are formed on the insulating layer in a direction perpendicular to the transparent electrode, and an organic EL light emitting layer and a back electrode are formed using the partition walls as a mask. And a light emitting layer forming step.
As another aspect of the present invention, in the electrode forming step, a silver alloy layer is formed on the transparent conductive film, the silver alloy layer is patterned to form a lead portion, and then the transparent conductive film is patterned. Thus, the lead portion and the transparent electrode, which are the lower layer of the silver alloy layer, are formed.
本発明の有機EL表示装置は、表示領域の外側のリード部上にも絶縁層が存在するので、リード部に外力が作用しても欠損、剥離等の発生が防止され、信頼性が極めて高いものとなる。
また、本発明の製造方法では、電極形成工程で作成されたリード部上にも絶縁層が形成されるので、発光層形成工程後の切断における応力がリード部に作用することが抑制され、リード部の欠損、剥離等の欠陥を生じることなく有機EL表示装置を製造することができる。
Since the organic EL display device of the present invention has an insulating layer also on the lead portion outside the display area, even if an external force is applied to the lead portion, the occurrence of defects, peeling, etc. is prevented, and the reliability is extremely high. It will be a thing.
Further, in the manufacturing method of the present invention, since an insulating layer is also formed on the lead portion created in the electrode forming step, the stress in cutting after the light emitting layer forming step is suppressed from acting on the lead portion, and the lead An organic EL display device can be manufactured without causing defects such as part defects and peeling.
以下、本発明について図面を参照しながら説明する。
[有機EL表示装置]
図1は、本発明の有機EL表示装置の一実施形態を示す部分斜視図であり、図2は部分平面図であり、図3は図2に示される有機EL表示装置のI−I線における縦断面図であり、図4は図2に示される有機EL表示装置のII−II線における縦断面図である。
The present invention will be described below with reference to the drawings.
[Organic EL display device]
FIG. 1 is a partial perspective view showing an embodiment of the organic EL display device of the present invention, FIG. 2 is a partial plan view, and FIG. 3 is taken along line II of the organic EL display device shown in FIG. 4 is a longitudinal sectional view, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view taken along line II-II of the organic EL display device shown in FIG.
図1〜図4において、有機EL表示装置1は、透明基材2と、この透明基材2上にブラックマトリックス4を介して設けられたカラーフィルタ層3と、このカラーフィルタ層3を覆うように配設された透明平坦化層6と、この透明平坦化層6上に、周辺のリード部10から中央の表示領域A(図2にて一点鎖線を付した領域)まで帯状に配設された透明電極7aとを備え、リード部10が配設された端辺と異なる端辺(帯状の透明電極7aの長手方向に沿った辺)に沿ってリード部11を備えている。上記のカラーフィルタ層3は、帯状の赤色着色層3R、緑色着色層3G、青色着色層3Bからなる。
さらに、本発明の有機EL表示装置1では、非発光領域(透明電極8と後述する背面電極17とが交差する領域を除く領域)にマトリックス状に配設された絶縁層13を備えている。この絶縁層13は、リード部10,11上に開口部13aを位置させるようにして、表示領域Aの外側にも位置している。上記のリード部10は、透明電極7aに接続した透明導電層7bと金属層8との積層であり、開口部13aには金属層8が露出している。一方、リード部11は、透明導電層7bと金属層8との積層であり、開口部13aには金属層8が露出している。
1 to 4, the organic
Further, the organic
また、有機EL表示装置1は、帯状の透明電極7aと直交するように絶縁層13上に隔壁14を備えている。この隔壁14間には、これらと平行に(帯状の透明電極7aと直交するように)帯状の有機EL発光層16(白色発光)と背面電極17とが形成されている。有機EL発光層16は絶縁層13の開口部13aを被覆しないものであり、一方、背面電極17は開口部13aを被覆して、リード部11を構成する金属層8に接続されている。このように、背面電極17は端辺に位置するリード部11から中央の表示領域A(図2にて一点鎖線を付した領域)まで帯状に延設されている。
また、上記の隔壁14の上部面にはダミー有機EL発光層16′とダミー背面電極17′とが形成されている。これらは、隔壁14をパターニング手段として利用した有機EL発光層16および背面電極17の形成において、帯状のパターンを形成するために、不要な形成材料を透明電極7a上に到達しないよう隔壁14に付着させて排除した結果形成されたものである。尚、図1、図2では、上記のダミー有機EL発光層16′とダミー背面電極17′を省略している。
Further, the organic
A dummy organic EL
このような本発明の有機EL表示装置1では、表示領域Aの外側領域に配設されたリード部10,11上にも絶縁層13が存在するので、例えば、外部のドライブICとの接続用のタブが異方性導電膜を介してリード部10,11に圧着され、外力がリード部10,11に作用しても、リード部10,11(図示例では、透明導電層7bと金属層8の積層)の欠損、剥離等の発生が防止される。
In the organic
本発明の有機EL表示装置は、カラーフィルタ層3と透明平坦化層6との間に色変換蛍光体層を備えるものであってもよい。図5は、このような色変換蛍光体層を備えた有機EL表示装置の一例を示す図4相当の縦断面図である。図5において、有機EL表示装置1′は、カラーフィルタ層3を覆うように色変換蛍光体層5を備えるとともに、有機EL発光層16が青色発光である他は、上述の有機EL表示装置1と同様であり、同じ部材には同じ部材番号を付して示している。この有機EL表示装置1′では、赤色着色層3R上に赤色変換蛍光体層5R(青色光を赤色蛍光に変換する層)が設けられ、緑色着色層3G上に緑色変換蛍光体層5G(青色光を緑色蛍光に変換する層)が設けられ、青色着色層3B上には、青色変換ダミー層(青色発光をそのまま透過する層)5Bが設けられている。
The organic EL display device of the present invention may include a color conversion phosphor layer between the
次に、本発明の有機EL表示装置1,1′の各構成部材について説明する。
有機EL表示装置1,1′を構成する透明基材2としては、ガラス材料、樹脂材料、または、これらの複合材料からなるもの、例えば、ガラス板に保護プラスチックフィルムもしくは保護プラスチック層を設けたもの等が用いられる。
上記の樹脂材料、保護プラスチック材料としては、例えば、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。この他の樹脂材料であっても、有機EL表示装置用として使用できる高分子材料であれば、使用可能である。透明基材2の厚さは、通常、50μm〜2.0mm程度とすることができる。
Next, each component of the organic
The
Examples of the resin material and protective plastic material include fluorine resin, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinyl fluoride, polystyrene, ABS resin, polyamide, polyacetal, polyester, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polysulfone, and polyarylate. , Polyetherimide, polyamideimide, polyimide, polyphenylene sulfide, liquid crystalline polyester, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyoxymethylene, polyethersulfone, polyetheretherketone, polyacrylate, acrylonitrile-styrene resin, Phenolic resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane, Recone resins, amorphous polyolefins, and the like. Other resin materials can be used as long as they are polymer materials that can be used for organic EL display devices. The thickness of the
このような透明基材は、水蒸気や酸素等のガスバリア性の良好なものであれば更に好ましい。また、透明基材に水蒸気や酸素等のガスバリア層を形成してもよい。このようなガスバリア層としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機酸化物をスパッタリング法や真空蒸着法等の物理蒸着法により形成したものであってよい。
また、有機EL表示装置1,1′を構成するカラーフィルタ層3は、有機EL発光層16からの光を色補正したり、色純度を高めるものである。カラーフィルタ層3を構成する赤色着色層3R、緑色着色層3G、青色着色層3Bは、有機EL発光層16の発光特性に応じて適宜材料を選択することができ、例えば、顔料、顔料分散剤、バインダー樹脂、反応性化合物および溶媒を含有する顔料分散組成物で形成することができる。このようなカラーフィルタ層3の厚みは、各着色層の材料、有機EL発光層の発光特性等に応じて適宜設定することができ、例えば、0.5〜10μm程度の範囲で設定することができる。
また、ブラックマトリックス4は、例えば、クロム等の金属薄膜パターン、あるいは、カーボン微粒子等の遮光性粒子を含有した樹脂層パターン等、いずれであってもよい。
Such a transparent substrate is more preferable if it has good gas barrier properties such as water vapor and oxygen. Moreover, you may form gas barrier layers, such as water vapor | steam and oxygen, in a transparent base material. As such a gas barrier layer, for example, an inorganic oxide such as silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide may be formed by a physical vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum vapor deposition method.
Further, the
The
有機EL表示装置1,1′を構成する透明平坦化層6は、透明平坦化層6よりも透明基材2側に位置するカラーフィルタ層3等の構成により段差(表面凹凸)が存在する場合に、この段差を解消して平坦化を図り、有機EL発光層16の厚みムラ発生を防止する作用をなす。このような透明平坦化層6は、透明(可視光透過率50%以上)樹脂により形成することができる。具体的には、アクリレート系、メタクリレート系、ポリ桂皮酸ビニル系、もしくは環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、また、透明樹脂として、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、4−メチルペンテン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレナフタレート樹脂、ポリプロピレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、マレイン酸樹脂等の透明樹脂材が挙げられる。さらには、ポリシロキサンオリゴマー等からなるゾルゲル材料もしくはポリシロキサンオリゴマー等と有機ポリマー等とからなる有機−無機ハイブリッド材料を挙げることもできる。
The
このような透明平坦化層6の厚みは、使用する材料を考慮し、平坦化作用が発現できる範囲で設定することができ、例えば、カラーフィルタ層3上の厚みを1〜5μm程度の範囲で適宜設定することができる。
また、有機EL表示装置1,1′を構成する透明電極7aの材料としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、これらの混合物を使用することができ、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化第二スズ等の導電材料を挙げることができる。このような透明電極7aはシート抵抗が数百Ω/□以下が好ましく、材質にもよるが、透明電極7aの厚みは、例えば、0.005〜1μm程度とすることができる。
また、リード部10,11を構成する透明導電層7bの材料としては、上述の透明電極7aと同様の材料を挙げることができる。また、透明導電層7bの厚みは、例えば、0.005〜1μm程度とすることができ、上記の透明電極7aと同じ厚みであってよい。
The thickness of the
Further, as a material of the
Moreover, as a material of the transparent
また、リード部10,11を構成する金属層8は、リード部10,11と外部のタブとの接触抵抗を低減するための層である。このような金属層8の材質は、例えば、金、銀、銅、銀合金(Ag−Pd、Ag−Cu、Ag−Al、Ag−Au等)、マグネシウム合金(Mg−Ag等)、アルミニウム合金(Al−Li、Al−Ca、Al−Mg等)、金属カルシウム等を挙げることができる。
ここで、リード部10は、上述のように、透明電極7aに接続した透明導電層7bと金属層8との積層であり、金属層8の大きさ、形状は、外部タブとの接続、リード部の配設ピッチ等を考慮して適宜設定することができ、図示例では方形状となっているが、これに限定されるものではない。また、リード部11は、上述のように、透明導電層7bと金属層8との積層であり、この積層部の大きさ、形状は、背面電極17形成後の外部タブとの接続、リード部の配設ピッチ等を考慮して適宜設定することができ、図示例では方形状となっているが、これに限定されるものではない。
尚、リード部10を構成する金属層8は、補助電極として、透明電極7aの側端部に一部重なるようにリード部10から中央の表示領域Aまで非発光領域上を細幅で延設されてもよい。
The
Here, as described above, the
Note that the
本発明の有機EL表示装置1,1′を構成する絶縁層13は、例えば、チタン窒化物、チタン酸化物、チタン酸窒化物等のチタン系黒色顔料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜し、その後、エッチングによるパターニング等を行なうことにより形成することができる。このような絶縁層13の厚みは、例えば、0.2〜1μm程度とすることができる。また、絶縁層13は、感光性樹脂材料を用いてパターニングした後、硬化させたものであってもよい。この場合、脱ガス性が低く、有機EL発光層16へ脱ガス成分の拡散による画像表示品質の低下、短寿命化を防止できるポジ型感光性樹脂材料を使用することが好ましい。例えば、このようなポジ型感光性樹脂材料に、上述のようなチタン系黒色顔料の1種、あるいは2種以上を含有させた塗布液を用いて、フォトリソグラフィー法により絶縁層13を形成することができる。このような樹脂材料からなる絶縁層13の厚みは、例えば、1〜3μm程度とすることができる。尚、絶縁層13は、多層構造であってもよい。
The insulating
リード部10の一部を露出させるために絶縁層13が備える開口部13aの大きさ、形状は、外部タブとの接続が可能であり、透明導電層7bと金属層8との積層部位を保護可能なものであれば特に制限はない。また、リード部11の一部を露出させるために絶縁層13が備える開口部13aの大きさ、形状は、この開口部13aを被覆するように背面電極17が配設された後の状態が、外部タブとの接続に支障を来たさないものであり、透明導電層7bと金属層8との積層部位を保護可能なものであれば特に制限はない。このような開口部13aとしては、例えば、金属層8の周縁部を10μm以上の幅で被覆するような方形状、円形状とすることができる。
The size and shape of the
有機EL表示装置1,1′を構成する隔壁14は、上述のように、帯状の透明電極7aと直角に交差するように有機EL発光層16と背面電極17とを帯状に形成するための隔壁パターンである。すなわち、隔壁14は、透明電極7a上に有機EL発光層16と背面電極17を真空蒸着法等により形成する際のマスクの役割を果たすものである。このような隔壁14は、感光性樹脂をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングして形成することができる。図1、図3に示される例では、隔壁14は下すぼまりの逆台形状の断面を有しているが、このように、隔壁14を下すぼまり、もしくは、上すぼまりの形状とするには、所定の厚みで形成したポジ型またはネガ型の感光性樹脂層を、露光方向を変えて多重露光する方法、パターンをずらして異なる方向から多重露光する方法等により実現することができる。このような隔壁14の高さは1〜20μm程度、幅は5〜30μm程度の範囲で設定することができる。
As described above, the
有機EL表示装置1を構成する有機EL発光層16は白色発光であり、また、図5に示す有機EL表示装置1′を構成する有機EL発光層16は青色発光であり、このような有機EL発光層16は、例えば、透明電極7a側から正孔注入層、発光層、および電子注入層が積層された構造、発光層単独からなる構造、正孔注入層と発光層とからなる構造、発光層と電子注入層とからなる構造、さらに、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を介在させた構造、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を介在させた構造等とすることができる。
また、発光波長を調整したり、発光効率を向上させる等の目的で、上記の各層に適当な材料をドーピングすることもできる。
The organic EL
In addition, for the purpose of adjusting the emission wavelength or improving the light emission efficiency, an appropriate material can be doped in each of the above layers.
有機EL発光層を構成する発光層は、上述の例では、白色発光、青色発光であるが、有機EL表示装置の使用目的等に応じて、所望の発光色、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の三原色とすることができ、あるいは、黄色、水色、オレンジ色である発光層を単独で、また、赤色発光、緑色発光、青色発光以外の他の複数の発光色の所望の組み合わせ等、いずれであってもよい。 In the above example, the light emitting layer constituting the organic EL light emitting layer is white light emission and blue light emission, but depending on the purpose of use of the organic EL display device, etc., a desired light emission color, for example, red light emission, green light emission, It can be the three primary colors of blue light emission, or the light emitting layer which is yellow, light blue and orange alone, or a desired combination of a plurality of light emission colors other than red light emission, green light emission and blue light emission, etc. Either may be sufficient.
有機EL発光層を構成する発光層に用いる有機発光材料としては、例えば、下記のような色素系、金属錯体系、高分子系のものを挙げることができる。
(1)色素系発光材料
シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
Examples of the organic light-emitting material used for the light-emitting layer constituting the organic EL light-emitting layer include the following dye-based, metal complex-based, and polymer-based materials.
(1) Dye-based luminescent materials cyclopentadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine rings Examples thereof include compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, and pyrazoline dimers.
(2)金属錯体系発光材料
アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属にAl、Zn、Be等、または、Tb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体が挙げられる。
(2) Metal complex light emitting material Aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethylzinc complex, porphyrin zinc complex, europium complex, etc., center metal such as Al, Zn, Be, etc. , Tb, Eu, Dy and the like, and a metal complex having oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure and the like as a ligand.
(3)高分子系発光材料
ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。
特に、図5に示す有機EL表示装置1′においては、有機EL発光層16に使用する青色発光である有機発光材料として、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリディン系化合物等を挙げることができる。
(3) Polymer-based light-emitting material Examples include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polyfluorene derivatives, and the like.
In particular, in the organic
具体的には、2−2′−(p−フェニレンジビニレン)−ビスヘンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系; 2−[2−[4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系; 2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4′−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニル]ナフト[1,2−d]オキサゾール等のベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤を挙げることができる。
また、上記の金属キレート化オキシノイド化合物としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノール)亜鉛等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げることができる。
Specifically, benzothiazoles such as 2-2 '-(p-phenylenedivinylene) -bishenzothiazole; 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [ Benzimidazoles such as 2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole; 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole, Benzoxazole series such as 4,4'-bis (5,7-t-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] oxazole And the like.
Examples of the metal chelated oxinoid compound include 8-hydroxyquinoline metal complexes such as tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, and bis (benzo [f] -8-quinolinol) zinc. Examples include dilithium epinetridione.
また、上記のスチリルベンゼン系化合物としては、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼン等を挙げることができる。
また、上記のジスチリルピラジン誘導体としては、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等を挙げることができる。
Examples of the styrylbenzene compound include 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, Distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene, 1,4 -Bis (2-methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like can be mentioned.
Examples of the distyrylpyrazine derivative include 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, and 2,5-bis [2- (1-naphthyl). Vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine Etc.
また、上記の芳香族ジメチリディン系化合物としては、1,4−フェニレンジメチリディン、4,4−フェニレンジメチリディン、2,5−キシレンジメチリディン、2,6−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニレンジメチリディン、1,4−p−テレフェニレンジメチリディン、9,10−アントラセンジイルジルメチリディン、4,4′−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフェニル、4,4′−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル等、およびその誘導体を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として、一般式(Rs−Q)2−AL−O−Lで表される化合物も挙げることができる(上記式中、ALはベンゼン環を含む炭素原子6〜24個の炭化水素であり、O−Lはフェニラート配位子であり、Qは置換8−キノリノラート配位子であり、Rsはアルミニウム原子に置換8−キノリノラート配位子が2個以上結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノリノラート置換基を表す)。具体的には、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(パラーフェニルフェノラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(III)等が挙げられる。
Examples of the aromatic dimethylidin compounds include 1,4-phenylene dimethylidin, 4,4-phenylene dimethylidin, 2,5-xylene dimethylidin, 2,6-naphthylene dimethylidin, , 4-biphenylenedimethylidin, 1,4-p-terephenylenedimethylidin, 9,10-anthracenediyldimethylidin, 4,4'-bis (2,2-di-t-butylphenylvinyl) Biphenyl, 4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl, and the like, and derivatives thereof can be mentioned.
Furthermore, as a material of the light emitting layer, a compound represented by the general formula (Rs-Q) 2-AL-OL can be exemplified (in the above formula, AL has 6 to 24 carbon atoms including a benzene ring). A hydrocarbon, OL is a phenylate ligand, Q is a substituted 8-quinolinolato ligand, Rs is a steric bond of two or more substituted 8-quinolinolato ligands to an aluminum atom. Represents an 8-quinolinolate substituent selected to interfere with. Specific examples include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (paraphenylphenolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphtholato) aluminum (III), and the like.
有機EL発光層16を構成する各層に用いるドーピング材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料等は、下記に例示するような無機材料、有機材料いずれでもよい。有機EL発光層16を構成する各層の厚みは特に制限はなく、例えば、10〜1000nm程度とすることができる。
(ドーピング材料)
ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポリフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。
The doping material, hole transport material, hole injection material, electron injection material and the like used for each layer constituting the organic EL
(Doping material)
Examples include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like.
(正孔輸送材料)
オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチルベン二量体等が挙げられる。
また、π共役系高分子として、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリ(P−フェニレン)、ポリ(P−フェニレンスルフィド)、ポリ(P−フェニレンオキシド)、ポリ(1,6−ヘプタジエン)、ポリ(P−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−チエニレン)、ポリ(2,5−ピロール)、ポリ(m−フェニレンスルフィド)、ポリ(4,4′−ビフェニレン)等が挙げられる。
(Hole transport material)
Oxadiazole, oxazole, triazole, thiazole, triphenylmethane, styryl, pyrazoline, hydrazone, aromatic amine, carbazole, polyvinylcarbazole, stilbene, enamine, azine, tri Examples include phenylamine-based, butadiene-based, polycyclic aromatic compound-based, and stilbene dimer.
Further, as the π-conjugated polymer, polyacetylene, polydiacetylene, poly (P-phenylene), poly (P-phenylene sulfide), poly (P-phenylene oxide), poly (1,6-heptadiene), poly (P— Phenylene vinylene), poly (2,5-thienylene), poly (2,5-pyrrole), poly (m-phenylene sulfide), poly (4,4'-biphenylene) and the like.
また、電荷移動高分子錯体として、ポリスチレン・AgC104、ポリビニルナフタレン・TCNE、ポリビニルナフタレン・P−CA、ポリビニルナフタレン・DDQ、ポリビニルメシチレン・TCNE、ポリナフタアセチレン・TCNE、ポリビニルアントラセン・Br2、ポリビニルアントラセン・I2、ポリビニルアントラセン・TNB、ポリジメチルアミノスチレン・CA、ポリビニルイミダゾール・CQ、ポリ−P−フェニレン・I2、ポリ−1−ビニルピリジン・I2、ポリ−4−ビニルピリジン・I2、ポリ−P−1−フェニレン・I2、ポリビニルピリジウム・TCNQ等が挙げられ、さらに、電荷移動低分子錯体として、TCNQ−TTF等が、高分子金属錯体としては、ポリ銅フタロシアニン等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、イオン化ポテンシャルの小さい材料が好ましく、特に、ブタジエン系、エナミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルアミン系が好ましい。
As charge transfer polymer complexes, polystyrene / AgC104, polyvinylnaphthalene / TCNE, polyvinylnaphthalene / P-CA, polyvinylnaphthalene / DDQ, polyvinylmesitylene / TCNE, polynaphthaacetylene / TCNE, polyvinylanthracene / Br2, polyvinylanthracene / I2 , Polyvinyl anthracene / TNB, polydimethylaminostyrene / CA, polyvinyl imidazole / CQ, poly-P-phenylene / I2, poly-1-vinylpyridine / I2, poly-4-vinylpyridine / I2, poly-P-1- Examples include phenylene, I2, polyvinylpyridium, TCNQ, and the like. Further, TCNQ-TTF and the like are exemplified as a charge transfer low molecular complex, and polycopper phthalocyanine and the like are exemplified as a polymer metal complex.
As the hole transport material, a material having a low ionization potential is preferable, and in particular, a butadiene system, an enamine system, a hydrazone system, and a triphenylamine system are preferable.
(正孔注入材料)
フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー等の誘電性高分子オリゴマー等、を挙げることができる。
(Hole injection material)
Phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, oxide such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, polythiophene derivative, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyaryl Alkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, polysilanes, aniline copolymers, And dielectric polymer oligomers such as thiophene oligomers.
さらに、正孔注入材料として、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物を挙げることもできる。上記のポリフィリン化合物としては、ポリフィン、1,10,15,20−テトラフェニル−21H、23H−ポリフィン銅(II)、アルミニウムフタロシアニンクロリド、銅オクタメチルフタロシアニン等を挙げることができる。また、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−[4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4′,4″−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン等を挙げることができる。 Furthermore, examples of the hole injection material include a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound, and a styrylamine compound. Examples of the porphyrin compound include polyfin, 1,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-polyfin copper (II), aluminum phthalocyanine chloride, copper octamethylphthalocyanine, and the like. In addition, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′-bis. (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine, 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[4 (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, 3, -Methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4 ', 4 "-tris [N- ( 3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine and the like.
(電子注入材料)
カルシウム、バリウム、アルミリチウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、上記のオキサジアゾール環の酸素原子をイオウ原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有したキノキサリン誘導体、トリス(8−キノリノール)アルミニウム等の8−キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ジスチリルピラジン誘導体等を挙げることができる。
(Electron injection material)
Calcium, barium, lithium aluminum, lithium fluoride, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride, aluminum oxide, strontium oxide, calcium oxide, polymethyl methacrylate, sodium polystyrene sulfonate, Nitro-substituted fluorene derivatives, anthraquinodimethane derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxa Diazole derivatives, thiazole derivatives in which the oxygen atom of the above oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, quinoxaline known as an electron withdrawing group Can quinoxaline derivative having, tris (8-quinolinol) metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as aluminum, phthalocyanine, metal phthalocyanine, a distyryl pyrazine derivatives.
有機EL発光層16を構成する各層の形成は、表示領域Aのみに有機EL発光層16が形成されるような開口マスクを介し、更に隔壁14をマスクとした真空蒸着法等により成膜して形成することができる。
有機EL表示装置1,1′を構成する背面電極17の材料としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、これらの混合物で形成される。具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。電子注入性および電極としての酸化等に対する耐久性を考えると、電子注入性金属と、これより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物が好ましく、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が挙げられる。このような背面電極17はシート抵抗が数百Ω/□以下が好ましく、このため、背面電極17の厚みは、例えば、10nm〜1μm、好ましくは50〜200nm程度とすることができる。
The respective layers constituting the organic EL
The material of the
上記の背面電極17は、表示領域Aから絶縁層13の開口部13aが位置している部位まで形成可能な開口マスクを介し、更に隔壁14をマスクとして上述の電極材料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜して形成することができる。すなわち、開口マスクを通過した電極材料は、隔壁14がマスクパターンとなり、各隔壁14間のみを通過して有機EL発光層16上、および、リード部11に位置する絶縁層13の開口部13aに到達することができる。そして、フォトリソグラフィー法等のパターニングを行う必要がないので、有機EL発光層16の特性を劣化させることがない。
The
有機EL表示装置1′を構成する色変換蛍光体層5は、例えば、蛍光色素を単体で使用し、所望のパターンマスクを介して真空蒸着法、スパッタリング法により帯状に形成することができる。また、例えば、蛍光色素と樹脂とを分散、または可溶化させた塗布液をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングする方法、上記の塗布液をスクリーン印刷法等でパターン印刷する方法等により、樹脂中に蛍光色素を含有した層として形成することができる。
The color
上記の青色発光を赤色蛍光に変換する赤色変換蛍光体層5Rに使用する蛍光色素としては、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン等のシアニン系色素、1−エチル−2−[4−(p−ジメチルアミノフェニル)−1,3−ブタジエニル]−ピリジウム−パークロレート等のピリジン色素、ローダミンB、ローダミン6G等のローダミン系色素、オキサジン系色素等が挙げられる。また、青色発光を緑色蛍光に変換する緑色変換蛍光体層5Gに使用する蛍光色素としては、2,3,5,6−1H,4H−テトラヒドロ−8−トリフルオロメチルキノリジノ(9,9a,1−gh)クマリン、3−(2′−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2′−ベンズイミダゾリル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン等のクマリン色素、ベーシックイエロー51等のクマリン色素系染料、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等のナフタルイミド色素等が挙げられる。さらに、直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等の各種染料も蛍光性があれば使用することができる。上述のような蛍光色素は単独、あるいは、2種以上の組み合わせで使用することができる。赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、蛍光色素の含有量は、使用する蛍光色素、色変換蛍光体層の厚み等を考慮して適宜設定することができるが、例えば、使用する樹脂100重量部に対し0.1〜1重量部程度とすることができる。
また、青色変換ダミー層5Bは、有機EL発光層で発光された青色光をそのまま透過するものであり、赤色変換蛍光体層5R、緑色変換蛍光体層5Gとほぼ同じ厚みの透明樹脂層とすることができる。
The fluorescent dye used for the red-converting
The blue
赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等の透明(可視光透過率50%以上)樹脂を使用することができる。また、色変換蛍光体層のパターン形成をフォトリソグラフィー法により行う場合、例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト樹脂を使用することができる。さらに、これらの樹脂は、上述の青色変換ダミー層に使用することができる。
このような色変換蛍光体層5の厚みは、例えば、10〜20μm程度とすることができ、各色の色変換蛍光体層間で厚みが異なるように形成してもよい。
When the red conversion phosphor layer and the green conversion phosphor layer contain a fluorescent dye in the resin, the resin includes polymethyl methacrylate, polyacrylate, polycarbonate, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, Transparent (visible light transmittance of 50% or more) resin such as polyvinyl chloride resin, melamine resin, phenol resin, alkyd resin, epoxy resin, polyurethane resin, polyester resin, maleic acid resin, polyamide resin can be used. When pattern formation of the color conversion phosphor layer is performed by photolithography, for example, a photocurable resist resin having a reactive vinyl group such as acrylic acid, methacrylic acid, polyvinyl cinnamate, and ring rubber Can be used. Furthermore, these resins can be used for the above-mentioned blue conversion dummy layer.
The thickness of such a color
尚、本発明の有機EL表示装置は、上述の実施形態に限定されるものではなく、例えば、カラーフィルタ層3を備えていないもの、カラーフィルタ層3が1色の着色層からなるもの、ブラックマトリックス4を備えていないもの、金属層8を備えていないもの等であってもよい。
また、透明平坦化層6を被覆するようにガスバリア層を備えるものであってもよい。さらに、金属層8は透明導電層7bとの密着性に優れた中間層、例えば、モリブデン合金層等を介して積層されていてもよい。
また、リード部10,11の一部を露出させるために絶縁層13が備える開口部は、リード部10,11の一部を露出させて外部タブとの接続が可能であり、かつ、リード部10,11の保護機能が発現できるものであれば特に制限はない。例えば、図示例のような個々のリード部に位置する開口部の他に、透明基材2の端辺に沿って複数のリード部に亘るようなストライプ形状の開口部(スリット)等であってよい。
The organic EL display device of the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the organic EL display device does not include the
Further, a gas barrier layer may be provided so as to cover the
Further, the opening provided in the insulating
[有機EL表示装置の製造方法]
次に、本発明の有機EL表示装置の製造方法を説明する。
図6〜図9は、本発明の有機EL表示装置の製造方法を、上述の有機EL表示装置1を例として説明するための工程図である。
(電極形成工程)
まず、透明基材2の一方の面に、ブラックマトリックス4を形成し(図6(A))、その後、帯状の赤色着色層3R、緑色着色層3G、青色着色層3Bからなるカラーフィルタ層3を形成する(図6(B))。
[Method for Manufacturing Organic EL Display Device]
Next, a method for manufacturing the organic EL display device of the present invention will be described.
6 to 9 are process diagrams for explaining the method of manufacturing the organic EL display device of the present invention, using the organic
(Electrode formation process)
First, the
ブラックマトリックス4の形成は、従来のカラーフィルタ基板におけるブラックマトリックスの形成と同様に行うことができる。例えば、透明基材2上に、スパッタリング法等の真空成膜法により酸化窒化複合クロム等の遮光性薄膜を形成し、この上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成し、次いで、このレジストパターンをマスクとして遮光性薄膜をエッチングしてブラックマトリックス4を形成することができる。
また、カラーフィルタ層3は、例えば、顔料、顔料分散剤、バインダー樹脂、反応性化合物および溶媒を含有する顔料分散組成物を用いた顔料分散法等の公知の方法により形成することができ、形成方法には特に制限はない。形成するカラーフィルタ層3の厚みは、使用する材料、入射光の光学特性等に応じて適宜設定することができ、例えば、0.5〜10μm程度の範囲で設定することができる。
The
The
次に、カラーフィルタ層3、ブラックマトリックス4を被覆するように透明平坦化層6を形成する(図6(C))。透明平坦化層6の形成は、上述の説明で挙げたような樹脂材料を用いて、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。この透明平坦化層6は、リード部が形成される領域を露出させ、かつ、上述の表示領域A(図2参照)を被覆するように形成する。
次いで、透明平坦化層6を被覆するように透明基材2上に透明導電膜7′、金属層8を順次積層する(図7(A))。透明導電膜7′の形成は、上述の説明で挙げたような材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。形成する透明導電膜7′の厚みは、例えば、0.005〜1μmの範囲で適宜設定することができる。
また、金属層8の形成は、上述の説明で挙げたような金属材料を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。形成する金属層8の厚みは、例えば、0.2〜0.6μmの範囲で適宜設定することができる。
Next, a
Next, a transparent conductive film 7 ′ and a
Further, the
次に、金属層8を選択エッチング等の方法によりパターニングする。これにより、透明基材2の対向する2辺に沿って、リード部10を構成する金属層8のパターンを形成し、また、別の対向する2辺に沿って、リード部11を構成する金属層8のパターンを形成する。次いで、透明導電膜7′を選択エッチング等の方法によりパターニングして、リード部10から表示領域A方向に透明電極7aを延設し、同時に、透明導電層7bと金属層8の積層であるリード部10,11を形成する(図7(B))。表示領域Aは一点鎖線を付した図示している。
Next, the
(絶縁層形成工程)
次に、表示領域Aと、この表示領域Aの外側に位置するリード部10,11を被覆するように絶縁膜13′を形成し(図7(C))、この絶縁膜をパターニングして、非発光領域にマトリックス状に位置し、かつ、リード部10,11の一部を露出させる開口部13aを備えた絶縁層13を形成する(図8(A))。絶縁膜13′は、例えば、チタン窒化物、チタン酸化物、チタン酸窒化物等のチタン系黒色顔料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜することができる。この場合、その後の絶縁層13の形成は、エッチングによるパターニング等により行なうことができる。また、感光性樹脂材料を用いて絶縁膜13′を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして絶縁層13を形成してもよい。このような樹脂材料からなる絶縁層13の厚みは、例えば、1〜3μm程度とすることができる。
(Insulating layer forming process)
Next, an insulating
(発光層形成工程)
次に、絶縁層13上に、透明電極7aと直交する方向で複数の隔壁14を形成し(図8(B))、この隔壁14をマスクとして有機EL発光層16を形成し(図8(C))、さらにと背面電極17を形成する(図9(A))。
隔壁14は、例えば、感光性樹脂をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングして形成することができる。図示例のような下すぼまりの逆台形状の断面を有する隔壁、あるいは、上すぼまりの形状の隔壁の形成は、所定の厚みで形成したポジ型またはネガ型の感光性樹脂層を、露光方向を変えて多重露光する方法、パターンをずらして異なる方向から多重露光する方法等により行うことができる。このような隔壁14は、表示領域Aから、リード部11が配設されている領域まで延設される。
(Light emitting layer forming step)
Next, a plurality of
The
有機EL発光層16は、表示領域Aに形成するための開口マスクを介し、更に隔壁14をマスクとし、上述の説明で挙げたような材料を用いて真空蒸着法等により成膜して形成することができる。形成した有機EL発光層16は、表示領域Aに帯状に延設され、かつ、リード部11上に位置する絶縁層13の開口部13aを被覆しないものである。
また、背面電極17は、表示領域Aから絶縁層13の開口部13aが位置している部位まで形成可能な開口マスクを介し、更に隔壁14をマスクとして上述の電極材料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜して形成することができる。
次いで、リード部10、リード部11よりも外側の所望の箇所で透明基材2を切断して(図8(B))、本発明の有機EL表示装置1が得られる。図示例では、切断箇所を一点鎖線で示す。本発明では、上述の絶縁層形成工程で、リード部10,11上にも絶縁層13が開口部13aを位置させるように形成されているので、この切断工程での応力がリード部10,11に作用することが抑制され、リード部10,11の欠損、剥離等の欠陥発生が防止される。
尚、本発明の有機EL表示装置の製造方法は、上述の実施形態に限定されるものではない。
The organic EL
Further, the
Next, the
In addition, the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention is not limited to the above-described embodiment.
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
[実施例1]
透明基材として、370mm×470mm、厚み0.7mmのソーダガラス(セントラル硝子(株)製)を準備した。
Next, an Example is shown and this invention is demonstrated further in detail.
[Example 1]
As a transparent substrate, soda glass (manufactured by Central Glass Co., Ltd.) having a thickness of 370 mm × 470 mm and a thickness of 0.7 mm was prepared.
<電極形成工程>
(ブラックマトリックスの形成)
上記の透明基材上に、スパッタリング法により酸化窒化複合クロムの薄膜(厚み0.2μm)を形成した。この酸化窒化複合クロム薄膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして酸化窒化複合クロムをエッチングして、80μm×280μmの長方形状の開口部が、短辺方向に100μmピッチ、長辺方向に300μmピッチでマトリックス状に配列したブラックマトリックスを形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅10mmでブラックマトリックスの非形成領域(後工程にてリード部を形成する領域)を確保した。
<Electrode formation process>
(Formation of black matrix)
A thin film (thickness 0.2 μm) of oxynitride composite chromium was formed on the transparent substrate by a sputtering method. A photosensitive resist was coated on the oxynitride composite chromium thin film, and mask exposure and development were performed to form a resist pattern. Next, the composite chromium oxynitride is etched using this resist pattern as a mask, and a black matrix in which rectangular openings of 80 μm × 280 μm are arranged in a matrix with a pitch of 100 μm in the short side direction and a pitch of 300 μm in the long side direction is formed. Formed. In addition, the non-formation area | region (area | region which forms a lead part in a post process) with a width of 10 mm was ensured in the peripheral part of the transparent base material.
(カラーフィルタ層の形成)
まず、赤色、緑色、青色の3種の着色層用感光性塗料を調製した。すなわち、赤色着色剤として縮合アゾ系顔料(チバガイギー社製 クロモフタルレッドBRN)、緑色着色剤としてフタロシアニン系顔料緑色顔料(東洋インキ(株)製 リオノールグリーン2Y−301)、および、青色着色剤としてアントラキノン系顔料(チバガイギー社製 クロモフタルブルーA3R)を準備した。これらの着色剤を用い、バインダー樹脂としてポリビニルアルコール(10%水溶液)を用い、ポリビニルアルコール水溶液10重量部に対し、各着色剤を1重量部の割合で配合して、十分に混合分散させ、得られた溶液100重量部に1重量部の重クロム酸アンモニウムを架橋剤として添加し、赤色、緑色、青色の3種の着色層用感光性塗料を得た。
(Formation of color filter layer)
First, three types of photosensitive coatings for colored layers of red, green, and blue were prepared. That is, a condensed azo pigment (Chromophthalred BRN manufactured by Ciba Geigy Co.) as a red colorant, a phthalocyanine pigment green pigment (Lionol Green 2Y-301 manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.) as a green colorant, and a blue colorant An anthraquinone pigment (Chromophthal Blue A3R manufactured by Ciba Geigy Co.) was prepared. Using these colorants, polyvinyl alcohol (10% aqueous solution) is used as a binder resin, and each colorant is blended in a proportion of 1 part by weight with respect to 10 parts by weight of the polyvinyl alcohol aqueous solution. 1 part by weight of ammonium dichromate was added as a crosslinking agent to 100 parts by weight of the resulting solution to obtain three types of photosensitive paints for colored layers of red, green and blue.
次に、上記の3種の着色層用感光性塗料を用いて各色の着色層を成膜してカラーフィルタ層を形成した。すなわち、上記のブラックマトリックスを形成した透明基材全面に、赤色着色層用の感光性塗料をスピンコート法により塗布し、プリベーク(100℃、5分間)を行った。その後、所定の着色層用フォトマスクを用いて露光した。次いで、現像液(0.05%KOH水溶液)にて現像を行い、次いで、ポストベーク(200℃、60分間)を行って、帯状(幅85μm)の赤色着色層(厚み1.5μm)を、その幅方向がブラックマトリックスの短辺方向となり、ブラックマトリックスの開口配列上となるように、300μmピッチで形成した。
同様に、緑色着色層の感光性塗料を用いて、帯状(幅85μm)の緑色着色層(厚み1.5μm)を、上記の赤色着色層の延設方向と平行にブラックマトリックスの開口配列上となるように、それぞれ300μmピッチで形成した。隣接する赤色着色層と緑色着色層のピッチは100μmとした。さらに、青色着色層の感光性塗料を用いて、帯状(幅85μm)の青色着色層(厚み1.5μm)を、上記の赤色着色層の延設方向と平行に赤色着色層と緑色着色層の中間領域(ブラックマトリックスの開口配列上)に、それぞれ300μmピッチで形成した。これにより、着色層の延設方向と直角方向の300μm幅内に、帯状(幅85μm)の赤色着色層、緑色着色層、青色着色層が100μmピッチで配設され、この300μm単位が繰り返えされてなる着色層が形成された。
Next, a color filter layer was formed by forming a colored layer of each color using the three types of photosensitive paints for colored layers. That is, a photosensitive paint for a red colored layer was applied to the entire transparent base material on which the black matrix was formed by spin coating, and prebaked (100 ° C., 5 minutes). Then, it exposed using the predetermined photomask for colored layers. Next, development is performed with a developer (0.05% KOH aqueous solution), followed by post-baking (200 ° C., 60 minutes) to form a strip-shaped (width 85 μm) red colored layer (thickness 1.5 μm), It was formed at a pitch of 300 μm so that the width direction was the short side direction of the black matrix and was on the aperture arrangement of the black matrix.
Similarly, by using the photosensitive paint of the green colored layer, a belt-like (width 85 μm) green colored layer (thickness 1.5 μm) is placed on the black matrix opening array parallel to the extending direction of the red colored layer. Each was formed with a pitch of 300 μm. The pitch between the adjacent red colored layer and green colored layer was 100 μm. Further, by using the photosensitive paint of the blue colored layer, a belt-like (width 85 μm) blue colored layer (thickness 1.5 μm) is formed in parallel with the extending direction of the red colored layer and the red colored layer and the green colored layer. In the intermediate region (on the black matrix opening array), each was formed at a pitch of 300 μm. As a result, strip-shaped (85 μm wide) red colored layer, green colored layer, and blue colored layer are arranged at a pitch of 100 μm within a width of 300 μm perpendicular to the extending direction of the colored layer, and this 300 μm unit can be repeated. A colored layer was formed.
(透明平坦化層の形成)
アクリレート系光硬化性樹脂(JSR(株)製 JUPC)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈して平坦化層用塗布液を調製した。この平坦化層用塗布液を、スピンコート法によりカラーフィルタ層上に塗布し、プリベーク(120℃、5分間)を行った。その後、所定のフォトマスクを用いて露光、現像を行い、次いで、ポストベーク(230℃、60分間)を行って、カラーフィルタ層とブラックマトリックスを被覆する透明平坦化層(カラーフィルタ層上の厚み2μm)を形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅10mmで透明平坦化層の非形成領域(後工程にてリード部を形成する領域)を確保した。
(Formation of transparent flattening layer)
A flattening layer coating solution was prepared by diluting an acrylate-based photo-curable resin (JUPC manufactured by JSR Corporation) with propylene glycol monomethyl ether acetate. This flattening layer coating solution was applied onto the color filter layer by spin coating, and pre-baked (120 ° C., 5 minutes). Thereafter, exposure and development are performed using a predetermined photomask, followed by post-baking (230 ° C., 60 minutes), and a transparent flattening layer (thickness on the color filter layer) covering the color filter layer and the black matrix. 2 μm) was formed. In addition, the non-formation area | region (area | region which forms a lead part in a post process) of 10 mm in width | variety and the transparent planarization layer was ensured in the peripheral part of the transparent base material.
(透明導電膜の形成)
上記の透明平坦化層を被覆するように透明基材の全面に、イオンプレーティング法により膜厚150nmの酸化インジウムスズ(ITO)膜を形成して透明導電膜とした。
(Formation of transparent conductive film)
A 150 nm-thick indium tin oxide (ITO) film was formed on the entire surface of the transparent substrate so as to cover the transparent flattening layer by an ion plating method to obtain a transparent conductive film.
(金属層の形成)
上記のITO膜上に、RFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.04μmのMo層を形成し、このMo層上に、RFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmのAg/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)を形成して金属層とした。
(Formation of metal layer)
An Mo layer having a thickness of 0.04 μm is formed on the ITO film by RF magnetron sputtering, and an Ag / Pd alloy layer (Ag content = 80) having a thickness of 0.3 μm is formed on the Mo layer by RF magnetron sputtering. % By weight) to form a metal layer.
(透明電極の形成)
次に、上記の金属層上に感光性レジスト(シプレー(株)製 S1805)をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、硝酸・リン酸・酢酸混合液を用いて金属層(Ag/Pd層とMo層の積層)を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図7(B)に示されるように、透明導電膜(ITO膜)の周縁部(平坦化層が形成されていない部位)に、リード部となる金属層の方形状パターン(一辺が60μmの正方形)を100μmピッチで形成した。このように配列されたリード部の中心位置は、透明基材(370mm×470mm)の4辺において、端辺から10mmの位置とした。
(Formation of transparent electrode)
Next, a photosensitive resist (S1805 manufactured by Shipley Co., Ltd.) was applied onto the metal layer by a spin coating method and dried, and then exposed and developed through a desired photomask to provide a resist pattern. Using this resist pattern as a mask, the metal layer (lamination of Ag / Pd layer and Mo layer) was selectively etched at once using a mixed solution of nitric acid / phosphoric acid / acetic acid, and then the resist pattern was removed. As a result, as shown in FIG. 7B, a rectangular pattern (one side of the metal layer serving as the lead portion) is formed on the peripheral portion of the transparent conductive film (ITO film) (the portion where the planarization layer is not formed). 60 μm square) was formed at a pitch of 100 μm. The center position of the lead portions arranged in this way was set at a
次に、透明導電膜(ITO膜)上に、感光性レジスト(シプレー(株)製 S1805)をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、塩酸・硝酸混合液を用いて透明導電膜(ITO膜)を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図7(B)に示されるように、カラーフィルタ層の各着色層の長手方向に向ってリード部から透明電極を形成するとともに、この透明電極用のリード部を構成する透明導電層と、後工程で形成する背面電極用のリード部を構成する透明導電層を形成した。 Next, a photosensitive resist (S1805, manufactured by Shipley Co., Ltd.) is applied onto the transparent conductive film (ITO film) by a spin coating method, dried, and then exposed and developed through a desired photomask to form a resist pattern. Was provided. Using this resist pattern as a mask, the transparent conductive film (ITO film) was selectively etched using a hydrochloric acid / nitric acid mixed solution, and then the resist pattern was removed. Thereby, as shown in FIG. 7B, a transparent electrode is formed from the lead portion in the longitudinal direction of each colored layer of the color filter layer, and the transparent conductive layer constituting the lead portion for this transparent electrode And the transparent conductive layer which comprises the lead | read | reed part for back electrodes formed in a post process was formed.
<絶縁層形成工程>
上記の透明電極、リード部を覆うように感光性絶縁樹脂材料(新日鉄化学(株)製 V−259PA)をスピンコート法により塗布し、次いで、絶縁層形成用のマスクを介して塗布膜を露光し、その後、現像して、厚み1μmの絶縁層を形成した。この絶縁層は、上述のブラックマトリックスと同様に、80μm×280μmの長方形状の開口を、280μmの長辺方向に300μmピッチ、80μmの短辺方向に100μmピッチで有し、この開口の280μmの長辺が着色層や透明電極層の延設方向と同一であり、開口が各着色層上に位置するマトリックス形状であった。さらに、この絶縁層は、周縁部に形成されているリード部上に、一辺が50μmの正方形の開口部を有するものであった。この開口部には、リード部を構成する金属層が露出し、この金属層(リード部)の周囲は20μmの幅で絶縁層により被覆されたものとなった。
<Insulating layer formation process>
Photosensitive insulating resin material (V-259PA manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) is applied by spin coating so as to cover the transparent electrode and the lead part, and then the coating film is exposed through a mask for forming an insulating layer. Thereafter, development was performed to form an insulating layer having a thickness of 1 μm. This insulating layer has a rectangular opening of 80 μm × 280 μm at a pitch of 300 μm in the long side direction of 280 μm and a pitch of 100 μm in the short side direction of 80 μm, as in the black matrix described above. The side was the same as the extending direction of the colored layer and the transparent electrode layer, and the opening was a matrix shape located on each colored layer. Further, this insulating layer had a square opening with a side of 50 μm on the lead formed on the peripheral edge. A metal layer constituting the lead portion was exposed in the opening, and the periphery of the metal layer (lead portion) was covered with an insulating layer with a width of 20 μm.
<発光層形成工程>
(隔壁の形成)
次に、隔壁用塗料(日本ゼオン(株)製フォトレジスト ZPN1100)をスピンコート法により絶縁層を覆うように全面に塗布し、プリベーク(70℃、30分間)を行った。その後、所定の隔壁用フォトマスクを用いて露光し、現像液(日本ゼオン(株)製ZTMA−100)にて現像を行い、次いで、ポストベーク(100℃、30分間)を行った。これにより、マトリックス形状の絶縁層上(開口の80μmの辺に平行な方向)に隔壁を形成した。この隔壁は、高さ10μm、下部(絶縁層側)の幅15μm、上部の幅26μmである形状を有するものであった。また、この隔壁は、リード部よりも更に透明基材の端辺方向に100μm延びたものとした。
<Light emitting layer forming step>
(Formation of partition walls)
Next, a partition wall coating material (photograph ZPN1100 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied to the entire surface by a spin coating method so as to cover the insulating layer, and prebaked (70 ° C., 30 minutes). Then, it exposed using the photomask for predetermined | prescribed partition, developed with the developing solution (Nippon ZEON Co., Ltd. product ZTMA-100), and then post-baked (100 degreeC, 30 minutes). Thereby, the partition was formed on the matrix-shaped insulating layer (direction parallel to the 80 μm side of the opening). The partition wall had a shape with a height of 10 μm, a lower portion (insulating layer side) width of 15 μm, and an upper portion width of 26 μm. Further, this partition wall was further extended by 100 μm in the edge direction of the transparent base material than the lead portion.
(有機EL素子層の形成)
次いで、上記の隔壁をマスクとして、真空蒸着法により正孔注入層、発光層、電子注入層からなる有機EL素子層を形成した。すなわち、まず、4,4′,4″−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンを、表示領域に相当する30mm×20mmの開口を備えた開口マスクを介して200nm厚まで蒸着して成膜し、その後、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを20nm厚まで蒸着して成膜することによって、隔壁がマスクパターンとなり、各隔壁間のみを正孔注入層材料が通過して透明電極層上に正孔注入層が形成された。
(Formation of organic EL element layer)
Next, an organic EL element layer composed of a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer was formed by a vacuum deposition method using the partition walls as a mask. That is, first, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine is passed through an opening mask having an opening of 30 mm × 20 mm corresponding to the display area. The partition wall is masked by depositing a film to a thickness of 200 nm and then depositing 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl to a thickness of 20 nm. A hole injection layer material was passed only between the partition walls, and a hole injection layer was formed on the transparent electrode layer.
次に、上記と同様に、隔壁をマスクとして、4,4′−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニルを50nmまで蒸着して成膜することにより発光層を形成した。このとき、同時に、ルブレン(アルドリッチ(株)製)を少量含有させた。
次いで、トリス(8−キノリノール)アルミニウムを20nm厚まで蒸着して成膜することにより電子注入層とした。
このようにして形成された有機EL素子層は、幅約280μmの帯状パターンとして各隔壁間に存在するものであり、隔壁の上部表面にも同様の層構成でダミー有機EL素子層が形成された。
Next, in the same manner as described above, 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl was deposited to a thickness of 50 nm using the partition walls as a mask to form a light emitting layer. At the same time, a small amount of rubrene (manufactured by Aldrich Co.) was contained.
Next, tris (8-quinolinol) aluminum was evaporated to a thickness of 20 nm to form an electron injection layer.
The organic EL element layer thus formed exists between the partition walls as a band-shaped pattern having a width of about 280 μm, and the dummy organic EL element layer was formed in the same layer configuration on the upper surface of the partition walls. .
(背面電極層の形成)
次に、隔壁延設方向に表示領域よりも広い開口(30mm×20mm)を備えた開口マスクを介して上記の隔壁が形成されている領域に真空蒸着法によりマグネシウムと銀を同時に蒸着(マグネシウムの蒸着速度=1.3〜1.4nm/秒、銀の蒸着速度=0.1nm/秒)して成膜した。
これにより、隔壁がマスクとなって、マグネシウム/銀混合物からなる背面電極(厚み200nm)が有機EL素子層上に形成された。この背面電極は、幅280μmの帯状パターンとして有機EL素子層上に存在し、かつ、リード部に位置する絶縁層の開口部を被覆するものであった。また、隔壁の上部表面にもダミー背面電極が形成された。
その後、背面電極を形成した面側に、紫外線硬化型接着剤を介して封止板を貼り合わせて有機EL素子を封止した。この封止板は、透明基材の周縁部に形成されたリード部よりも内側の領域を封止するものであり、各リード部は露出した状態とした。
次いで、透明基板の端辺から2mm内側に位置において、透明基材をスクライバーを用いて切断した。これにより、有機EL表示装置を得た。
(Formation of back electrode layer)
Next, magnesium and silver are simultaneously deposited on the region where the partition wall is formed through an opening mask having an opening (30 mm × 20 mm) wider than the display region in the direction in which the partition wall extends (magnesium and silver). (Vapor deposition rate = 1.3 to 1.4 nm / second, Silver deposition rate = 0.1 nm / second).
Thereby, the partition electrode was used as a mask, and a back electrode (thickness 200 nm) made of a magnesium / silver mixture was formed on the organic EL element layer. This back electrode was present on the organic EL element layer as a band-like pattern having a width of 280 μm, and covered the opening of the insulating layer located in the lead portion. A dummy back electrode was also formed on the upper surface of the partition wall.
Thereafter, a sealing plate was bonded to the surface side on which the back electrode was formed via an ultraviolet curable adhesive to seal the organic EL element. This sealing plate seals the area | region inside the lead part formed in the peripheral part of the transparent base material, It was set as the state where each lead part was exposed.
Next, the transparent base material was cut using a scriber at a
<評 価>
上記の切断時のリード部の欠損、剥離の有無を観察した結果、欠損、剥離とも観察されなかった。
また、透明電極のリード部、背面電極のリード部に対して、異方性導電膜(ソニーケミカル(株)製 CP8830IH)を介して外部タブをACFの条件(0.3MPa、80℃で3秒間、その後、5MPa、190℃で10秒間)で圧着して接続した。この際のリード部の欠損、剥離の有無を観察した結果、欠損、剥離とも観察されなかった。
<Evaluation>
As a result of observing the presence or absence of chipping and peeling of the lead part at the time of the above cutting, neither the chipping nor the peeling was observed.
In addition, the external tab is attached to the lead portion of the transparent electrode and the lead portion of the back electrode through an anisotropic conductive film (CP8830IH manufactured by Sony Chemicals Corporation) under the condition of ACF (0.3 MPa, 80 ° C. for 3 seconds. Then, it was crimped and connected at 5 MPa and 190 ° C. for 10 seconds. At this time, as a result of observing the presence or absence of defects in the lead portion and peeling, neither defects nor peeling were observed.
[実施例2]
Mo層とAg/Pd合金層の積層からなる金属層を形成せず、金属層のパターニングを行うことなく、透明導電膜のパターニングを行った他は、実施例1と同様にして、有機EL表示装置を得た。
<評 価>
実施例1と同様に、切断時のリード部の欠損、剥離の有無、および、外部タブを圧着して接続した際のリード部の欠損、剥離の有無を観察した結果、いずれも、リード部の欠損、剥離が観察されなかった。
[Example 2]
An organic EL display is formed in the same manner as in Example 1 except that the transparent conductive film is patterned without forming the metal layer composed of the Mo layer and the Ag / Pd alloy layer and without patterning the metal layer. Got the device.
<Evaluation>
As in Example 1, as a result of observing the defect of the lead part at the time of cutting, the presence or absence of the peeling, and the defect of the lead part when the external tab was connected by crimping, the presence or absence of the peeling, Defects and peeling were not observed.
[比較例]
絶縁層形成工程において、周縁部のリード部上に絶縁層を形成しない他は、実施例1と同様にして、有機EL表示装置を得た。
<評 価>
実施例1と同様に、切断時のリード部の欠損、剥離の有無を観察した結果、100個中20個のリード部に欠損あるいは剥離が観察された。
また、実施例1と同様に、外部タブを圧着して接続した際のリード部の欠損、剥離の有無を観察した結果、切断時に欠損、剥離が観察されなかったリード部(100個)のうち、80個に欠損あるいは剥離が観察された。
[Comparative example]
In the insulating layer forming step, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the insulating layer was not formed on the peripheral lead portion.
<Evaluation>
Similarly to Example 1, as a result of observing the presence or absence of the lead part at the time of cutting and the presence or absence of peeling, the chipping or peeling was observed in 20 out of 100 lead parts.
In addition, as in Example 1, as a result of observing the presence or absence of peeling or peeling of the lead portion when the external tab was crimped and connected, among the lead portions (100 pieces) in which no loss or peeling was observed during cutting Defects or peeling were observed in 80 pieces.
フルカラー表示装置、エリアカラー表示装置等の種々の有機EL表示装置の製造において有用である。 This is useful in manufacturing various organic EL display devices such as full-color display devices and area color display devices.
1,1′…有機EL表示装置
2…透明基材
3…カラーフィルタ層
4…ブラックマトリックス
5…色変換蛍光体層
6…透明平坦化層
7a…透明電極
7b…透明導電層
7′…透明導電膜
8…金属層
10,11…リード部
13…絶縁層
13a…開口部
14…隔壁
16…有機EL発光層
17…背面電極
DESCRIPTION OF
Claims (9)
表示領域と、該表示領域の外側の少なくとも前記リード部を被覆するように絶縁膜を形成し、該絶縁膜をパターニングして、非発光領域にマトリックス状に位置し、かつ、前記リード部の一部を露出させるように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に前記透明電極と直交する方向で複数の隔壁を形成し、該隔壁をマスクとして有機EL発光層と背面電極とを形成する発光層形成工程と、を備えることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 An electrode forming step of forming a transparent conductive film on a transparent substrate, patterning the transparent conductive film, and forming a lead portion and a transparent electrode;
An insulating film is formed so as to cover at least the lead portion outside the display region and the display region, and the insulating film is patterned to be positioned in a matrix in the non-light emitting region, and one of the lead portions. An insulating layer forming step of forming an insulating layer so as to expose the portion;
And a light emitting layer forming step of forming a plurality of partition walls on the insulating layer in a direction orthogonal to the transparent electrode, and forming an organic EL light emitting layer and a back electrode using the partition walls as a mask. Manufacturing method of EL display device.
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