JP2008034754A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に凹凸を有する活性層6と、活性層6の上方に位置し、活性層6の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有するコンタクト層8を具備する。活性層6とコンタクト層8の間には、活性層6の表面の凹凸に従った凹凸を表面に有する第1クラッド層7が形成されている。コンタクト層8の膜厚は、130nm未満であるのが好ましい。また、第1クラッド層7の膜厚は150nm以下であるのが好ましい。
【選択図】図1
Description
前記活性層の表面上又は上方に位置し、前記活性層の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有する半導体層と、
を具備することを特徴とする。
前記活性層は量子井戸層を有し、該量子井戸層数が5層以上、15層以下であるのが好ましい。
前記活性層の表面上に形成され、前記活性層の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有する第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上に形成され、前記第1クラッド層の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有するコンタクト層とを具備することを特徴とする。
すなわち前記第1クラッド層は、前記活性層と略同じ場所に凹部及び凸部を有しており、前記コンタクト層は、前記第1クラッド層と略同じ場所に凹部及び凸部を有している。
前記コンタクト層の膜厚は130nm未満とするのが好ましい。
このように、第1クラッド層7は、活性層6及び第2クラッド層5とともにダブルヘテロ接合構造を構成している。
Claims (11)
- 表面に凹凸を有する活性層と、
前記活性層の表面上又は上方に位置し、前記活性層の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有する半導体層と、
を具備することを特徴とする発光素子。 - 前記活性層は量子井戸層を有し、該量子井戸層数が5層以上、15層以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 表面に凹凸を有する活性層と、
前記活性層の表面上に形成され、前記活性層の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有する第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上に形成され、前記第1クラッド層の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有するコンタクト層と、
を具備することを特徴とする発光素子。 - 前記コンタクト層の膜厚が130nm未満であることを特徴とする請求項3に記載の発光素子。
- 表面に凹凸を有する活性層と、
前記活性層上に形成され、膜厚が前記活性層の凹凸の高低差より小さく、前記活性層の表面の凹凸に沿った凹凸を有する第1クラッド層と、
を具備することを特徴とする発光素子。 - 前記第1クラッド層の膜厚は150nm以下であることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1クラッド層は、少なくともAlを含むことを特徴とする請求項3〜6のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記活性層の下に位置する第2クラッド層を更に具備し、
前記第2クラッド層の転位欠陥密度が109〜1011/cm2であることを特徴とする請求項3〜7のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記第2クラッド層の転位欠陥の間隔が100〜170nmであることを特徴とする請求項8に記載の発光素子。
- 基材上に形成された下地層を更に具備し、
前記第2クラッド層は、前記下地層上に形成され、
前記下地層は、厚さが3μm以下であることを特徴とする請求項8又は9に記載の発光素子。 - 前記活性層は、III族窒化物半導体であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の発光素子。
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