JP2008031326A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008031326A JP2008031326A JP2006207346A JP2006207346A JP2008031326A JP 2008031326 A JP2008031326 A JP 2008031326A JP 2006207346 A JP2006207346 A JP 2006207346A JP 2006207346 A JP2006207346 A JP 2006207346A JP 2008031326 A JP2008031326 A JP 2008031326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- polyethylene wax
- oxidized polyethylene
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)離型剤を含むエポキシ樹脂組成物において、前記硬化促進剤(D)がカチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)を含み、前記離型剤(E)が酸化ポリエチレンワックス(e1)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【選択図】図1
Description
その最大の問題点は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは半田処理工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装置内、特に半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の金メッキや銀メッキ等の各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたりして、信頼性が著しく低下する現象である。また、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行に伴い、半田処理時の温度が高くなり、半導体装置中に含まれる水分の気化によって発生する爆発的な応力による耐半田性が、従来以上に大きな問題となってきている。
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、及び(E)離型剤を含むエポキシ樹脂組成物において、前記硬化促進剤(D)がカチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)を含み、前記離型剤(E)が酸化ポリエチレンワックス(e1)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 前記カチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)のカチオン部が燐カチオンを含むものである第[1]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[5] 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の平均粒径が20μm以上、70μm以下であり、全酸化ポリエチレンワックス(e1)中における粒径106μm以上の粒子の含有比率が0.1重量%以下である第[1]項ないし第[4]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[6] 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の酸価が10mgKOH/g以上、50mgKOH/g以下である第[1]項ないし第[5]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[7] 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の数平均分子量が500以上、5000以下である第[1]項ないし第[6]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[8] 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の密度が0.94g/cm3以上、1.03g/cm3以下である第[1]項ないし第[7]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[9] 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)が低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物(e11)、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物(e12)、及び高密度ポリエチレンポリマーの酸化物(e13)から選ばれる少なくとも一つである第[1]項ないし第[8]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[10] 第[1]項ないし第[9]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
無機充填材(C)の含有量は、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中80重量%以上、94重量%以下が好ましい。この範囲であると、耐半田性の低下、流動性の低下等を抑えることができる。
本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックス(e1)としては、低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物(e11)、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物(e12)、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物(e13)が好ましい。
本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックス(e1)を用いることによる効果を損なわない範囲で他の離型剤を併用することもできる。併用できる離型剤としては、例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
なお、実施例、比較例で用いた硬化促進剤と離型剤の内容について以下に示す。
メタノール1800gを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン249.5g、2,3−ジヒドロキシナフタレン384.0gを加えて溶かし、次に室温攪拌下28%ナトリウムメトキシド−メタノール溶液231.5gを滴下した。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド503.0gをメタノール600gに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、桃白色結晶の硬化促進剤1を得た。
780重量部
溶融球状シリカ2:(平均粒径0.5μm、比表面積5.9m2/g)
100重量部
硬化促進剤1 5重量部
離型剤1 2重量部
カップリング剤:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、商品名KBM−403) 3重量部
カーボンブラック:(三菱化学(株)製、商品名MA−600) 3重量部
をミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間溶融混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−15)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。
表1、表2、表3の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例1と同様にして評価した。結果を表1、表2、表3に示す。
実施例1以外で用いた原材料を以下に示す。
エポキシ樹脂2:下記式(11)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (10)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、及び(E)離型剤を含むエポキシ樹脂組成物において、前記硬化促進剤(D)がカチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)を含み、前記離型剤(E)が酸化ポリエチレンワックス(e1)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記カチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)のカチオン部が燐カチオンを含むものである請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記カチオン部とシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)が下記一般式(1)で表される化合物である請求項1又は請求項2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の滴点が100℃以上、140℃以下である請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の平均粒径が20μm以上、70μm以下であり、全酸化ポリエチレンワックス(e1)中における粒径106μm以上の粒子の含有比率が0.1重量%以下である請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の酸価が10mgKOH/g以上、50mgKOH/g以下である請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の数平均分子量が500以上、5000以下である請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)の密度が0.94g/cm3以上、1.03g/cm3以下である請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記酸化ポリエチレンワックス(e1)が低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物(e11)、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物(e12)、及び高密度ポリエチレンポリマーの酸化物(e13)から選ばれる少なくとも一つである請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006207346A JP2008031326A (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006207346A JP2008031326A (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008031326A true JP2008031326A (ja) | 2008-02-14 |
Family
ID=39121103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006207346A Pending JP2008031326A (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008031326A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008063564A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-03-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2012201695A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US20130277867A1 (en) * | 2011-01-28 | 2013-10-24 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for sealing, and electronic component device |
KR20140102475A (ko) * | 2013-02-14 | 2014-08-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 |
CN114456755A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-10 | 江苏科化新材料科技有限公司 | 环氧树脂组合物及其制备方法和应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005298794A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-10-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂用潜伏性触媒、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2006124479A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006124643A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2006143952A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-07-31 JP JP2006207346A patent/JP2008031326A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005298794A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-10-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂用潜伏性触媒、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2006124643A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2006124479A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006143952A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008063564A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-03-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US20130277867A1 (en) * | 2011-01-28 | 2013-10-24 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for sealing, and electronic component device |
US8987355B2 (en) * | 2011-01-28 | 2015-03-24 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for sealing, and electronic component device |
JP2012201695A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR20140102475A (ko) * | 2013-02-14 | 2014-08-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 |
KR101995362B1 (ko) * | 2013-02-14 | 2019-07-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 |
CN114456755A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-10 | 江苏科化新材料科技有限公司 | 环氧树脂组合物及其制备方法和应用 |
CN114456755B (zh) * | 2021-12-30 | 2024-03-12 | 江苏中科科化新材料股份有限公司 | 环氧树脂组合物及其制备方法和应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5487540B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5338028B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006312720A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2008031326A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5141125B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5070692B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP4973146B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP5141124B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5157473B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5029133B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4561220B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4956982B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006282765A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006052267A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5526963B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5087860B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5347979B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2008007692A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2008195875A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2007009180A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005281584A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5332097B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5125901B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2007063402A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5326975B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090430 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120313 |