JP2008028516A - カメラシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フォトダイオード101 と電荷蓄積部103 と転送トランジスタ102 とリセットトランジスタ104 と増幅トランジスタ105 と選択トランジスタ106 とを有する画素100 を二次元状に複数配列した画素部を備え、フォトダイオードの信号を全画素同時にリセットし、所定時間後にフォトダイオードから電荷蓄積部へ信号転送を行った後、画素からの信号読み出し動作を順次行うMOS型撮像素子と、MOS型撮像素子の各画素からの信号読み出し動作中に入射する光量を抑圧する入射光量変更手段としての絞り機構3を設けてカメラシステムを構成する。
【選択図】 図3
Description
2 撮像光学系
3 絞り機構
4 クイックリターンミラー
5 測光部
6 焦点検出用ミラー
7 焦点検出部
8 撮像素子
11 レンズ
12 入射光量変更手段
13 MOS型撮像素子
14 A/D変換器
15,17 メモリ
16 信号処理回路
18 撮像記録用制御装置
19 記録装置
20 TG回路
21 レンズ制御装置
22 焦点検出部
23 測光部
24 制御装置
30 液晶シャッター
100 画素
101 フォトダイオード
101-1 第1のフォトダイオード
101-2 第2のフォトダイオード
102 転送トランジスタ
102-1 第1の転送トランジスタ
102-2 第2の転送トランジスタ
103 電荷蓄積部
104 リセットトランジスタ
105 増幅トランジスタ
106 選択トランジスタ
110 画素電源
111 リセット線
112 転送線
112-1 第1の転送線
112-2 第2の転送線
113 選択線
200-1 ,200-2 ,・・・ 信号用画素
300-1 ,300-2 ,・・・ 補正用画素
Claims (7)
- 入射した光量に応じて電気信号を発生させる光電変換部と、該光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への信号の転送を制御する転送スイッチ手段と、前記光電変換部の信号をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の信号に応じた電圧値を出力する増幅部と、該増幅部の出力を選択する選択スイッチとを有する画素を行方向及び列方向に二次元状に複数配列した画素部を少なくとも有し、前記光電変換部の信号を全画素同時にリセットし、所定の時間後に前記光電変換部から前記蓄積部への信号の転送を行うことで露光時間を決定し、その後前記画素からの信号の読み出しを順次行うMOS型撮像素子と、
該MOS型撮像素子の各画素からの信号読み出し動作中に前記MOS型撮像素子に入射する光量を抑圧する入射光量抑圧手段と、
を少なくとも有することを特徴とするカメラシステム。 - 入射した光量に応じて電気信号を発生させる光電変換部と、該光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への信号の転送を制御する転送スイッチ手段と、前記光電変換部の信号をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の信号に応じた電圧値を出力する増幅部と、該増幅部の出力を選択する選択スイッチとを有する画素を行方向及び列方向に二次元状に複数配列した画素部であって、露光期間終了後に、前記光電変換部で発生した信号を前記蓄積部へ転送する信号用画素群と、前記光電変換部で発生した信号を前記蓄積部へ転送しない補正用画素群からなる画素部を少なくとも有し、前記光電変換部の信号を全画素同時にリセットし、所定の時間後に、前記信号用画素の光電変換部から前記蓄積部への信号転送を行うことで露光時間を決定し、前記信号用画素群の画素からの読み出し信号と前記補正用画素群の画素からの読み出し信号との差分を撮像信号として出力するMOS型撮像素子と、
該MOS型撮像素子の各画素からの信号読み出し動作中に前記MOS型撮像素子に入射する光量を抑圧する入射光量抑圧手段と、
を少なくとも有することを特徴とするカメラシステム。 - 入射した光量に応じて電気信号を発生させる第1及び第2の光電変換部と、該第1及び第2の光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記第1及び第2の光電変換部から前記蓄積部への信号の転送を制御する第1及び第2の転送スイッチ手段と、前記第1及び第2の光電変換部の信号をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の信号に応じた電圧値を出力する増幅部と、該増幅部の出力に接続された選択スイッチとを有する画素を行方向及び列方向に二次元状に複数配列した画素部を少なくとも有し、前記第1の光電変換部の信号を全画素同時にリセットし、所定の時間後に前記第2の光電変換部の信号のリセットを全画素同時に行い、前記第1の光電変換部のリセットから、前記第2の光電変換部のリセットの時間差を露光時間とし、その後前記各画素の第1及び第2の光電変換部の信号の読み出し動作を順次行い、前記第1の光電変換部の信号と前記第2の光電変換部の信号との差分を撮像信号として出力するMOS型撮像素子と、
該MOS型撮像素子の各画素からの信号読み出し動作中に前記MOS型撮像素子に入射する光量を抑圧する入射光量抑圧手段と、
を少なくとも有することを特徴とするカメラシステム。 - 前記入射光量抑圧手段は、機械的な機構により、前記MOS型撮像素子に入射する光量を抑圧することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に係るカメラシステム。
- 前記入射光量抑圧手段は、絞り機構及び/又はクイックリターンミラーであることを特徴とする請求項4に係るカメラシステム。
- 前記入射光量抑圧手段は、光透過率変更部材の電気的制御により、前記MOS型撮像素子に入射する光量を抑圧することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に係るカメラシステム。
- 前記入射光量抑圧手段は、前記MOS型撮像素子において信号読み出しの遅い行又は列から順に前記MOS型撮像素子に入射する光量を抑圧することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に係るカメラシステム。
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