JP2008028279A - 配線不良検出用試験構造体及び配線不良検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置された複数の配線とからなる配線不良検出用の試験構造体において、
前記絶縁膜上に一定方向に配置された複数の配線不良検知用配線からなる配線不良検知用配線群を、所定の方向に一定の周期で繰り返し配置してなると配線不良検知領域と、
前記配線不良検知用配線を延長して形成された検査用配線からなり、前記配線不良検知用配線群に含まれる前記配線不良検知用配線の本数の整数倍(0を除く)に一致しない数の前記検査用配線を含む対比区間を、所定の方向に一定の周期で繰り返し配置してなるアレイ検査領域とからなることを特徴とする配線不良検出用の試験構造体による。
【選択図】 図1
Description
本発明による試験構造体の一例について説明する。以下に説明する試験構造体は、ウエハ内に一定間隔で配置する専用チップの構成要素として形成しても良いし、スクライブ領域に形成しても良い。上記試験構造体を形成したウエハは、半導体製造ラインの不具合による配線不良を未然に防止するため、定期的に半導体製造ラインに流される。半導体製造ラインにおける配線工程の終了後、ボルテージコントラスト法によって、製造ラインで正常に配線形成が行われたか否か検査される。
図1は、本実施の形態に係る試験構造体の平面図である。図2は、そのA-A´断面図である。
次に、この様な構成が、システマチックな欠陥に対して何故有効であるのかを説明する。
次に、本発明による試験構造体の他の例について説明する。
次に、本発明の一実施形態による配線不良の検知方法について説明する。図11は、本検知方法に用いる検査装置の概略図である。図12は、この検査装置で用いる検査プログラムのフローチャートである。
以上の実施の形態によれば、システマチックに発生する欠陥の検出が効率的に行えるとともに検査パターンのカバレッジ特性が向上する。しかし、半導体の製造ラインにおける配線不良の評価では、塵等による偶発的な欠陥の発生だけが評価の対象になることもある。
2 絶縁膜
3 半導体基板
8 欠陥
13 配線不良検知用配線
15 配線不良検知用配線群
16 アレイ検査用配線
19 アレイ検査領域
23 対比区間
40 配線不良検知領域
Claims (5)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置された複数の配線とからなる配線不良検出用の試験構造体において、
前記絶縁膜上に一定方向に配置された複数の配線不良検知用配線からなる配線不良検知用配線群を、所定の方向に一定の周期で繰り返し配置してなる配線不良検知領域と、
前記配線不良検知用配線を延長して形成された検査用配線からなり、前記配線不良検知用配線群に含まれる前記配線不良検知用配線の本数の整数倍(0を除く)に一致しない数の前記検査用配線を含む対比区間を、所定の方向に一定の周期で繰り返し配置してなるアレイ検査領域とからなることを特徴とする配線不良検出用の試験構造体。 - 前記配線不良検知用配線間のピッチが相互に異なように形成されたことを特徴とする請求項1記載の配線不良検出用の試験構造体。
- 絶縁膜上に配置した複数の導電体に二次電子生成可能な粒子線を照射して帯電させ、帯電量に応じて生じた電位の相違に起因する、前記複数の導電体に対する二次電子像の強度の相違を利用して、前記導電体の電気的欠陥を検出する配線不良の検出方法において、
請求項1又は請求項2に記載の試験構造体を試験対象として、前記アレイ検査領域の二次電子像を撮影する第1の工程と
前記二次電子像の強度を隣接した前記対比区間の間で対比して、前記配線不良検知用配線に生じた電気的欠陥を検出する第2の工程とを有することを特徴とする配線不良の検出方法。 - 半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置された複数の配線とからなる配線不良検出用の試験構造体において、
前記絶縁膜上に一定方向に配置された複数の配線不良検知用配線からなり、前記配線不良検知用配線間のピッチが相互に異なように形成された配線不良検知用配線群を、所定の方向に一定の周期で繰り返し配置してなる配線不良検出用の試験構造体。 - 絶縁膜上に配置した複数の導電体に二次電子生成可能な粒子線を照射して帯電させ、帯電量に応じて生じた電位の相違に起因する、前記複数の導電体に対する二次電子像の強度の相違を利用して、前記導電体の電気的欠陥を検出する配線不良の検出方法において、
請求項4に記載の試験構造体を試験対象として、前記複数の配線不良検知用配線の端部の二次電子像を撮影する第1の工程と、
前記二次電子像を、前記配線不良検知用配線群を構成する配線不良検知用配線の本数と同数又は整数倍の配線を有する複数の対比区間に分割する第2の工程と、
前記二次電子像の強度を、隣接した前記対比区間の間で対比して、前記配線不良検知用配線に生じた電気的欠陥を検出する第3の工程とを有することを特徴とする配線不良の検出方法。
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