JP2008010879A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 固体撮像装置は、受光領域を有する半導体基板と、半導体基板の受光領域に行列状に形成された多数の画素であって、各画素が相対的に広い面積を有する主感光部と相対的に狭い面積を有する従感光部とを含む多数の画素と、前記主感光部と従感光部を含む1画素の上方に1つの開口を有する遮光膜と、前記主感光部、前記従感光部のいずれからも選択的に画像信号を取り出すことのできる電荷読出機構と、を有する。
【選択図】 図1
Description
Cに沿う断面図である。n型半導体基板16の1表面に、p型ウエル17が形成されている。p型ウエル17の表面領域に、2つのn型領域21、22が形成され、主ホトダイオード部および従ホトダイオード部を構成している。p+型領域27は、画素、VCCD等の電気的な分離を行なうためのチャネルストップ領域である。
3 HCCD
4 出力アンプ
6 VCCD
16 半導体基板(n型領域)
17 p型ウエル
21 n型領域(主たる感光部)
22 n型領域(従たる感光部)
EL 転送電極
14、15、18、19 ポリシリコン電極
10 カラーフィルタ層
11 マイクロレンズ
12 遮光膜
13 層間絶縁膜
25、26 カラーフィルタ
Claims (4)
- 受光領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の受光領域に行列状に形成された多数の画素であって、各画素が相対的に広い面積を有する主感光部と相対的に狭い面積を有する従感光部とを含む多数の画素と、
前記主感光部と従感光部を含む1画素の上方に1つの開口を有する遮光膜と、
前記主感光部、前記従感光部のいずれからも選択的に画像信号を取り出すことのできる電荷読出機構と、
を有する固体撮像装置。 - 前記電荷読出機構は、
前記画素の各列に沿って前記半導体基板に形成された垂直電荷転送路と、
前記垂直電荷転送路の電荷転送を制御すると共に、前記主感光部および従感光部のいずれからも前記垂直電荷転送路に電荷を読み出せる形状で、前記半導体基板上方に形成された垂直転送電極群と、
前記垂直電荷転送路の一端に隣接して前記半導体基板に形成され、前記垂直電荷転送路から電荷を受け、1行ずつの電荷信号を転送できる水平電荷転送路と、
前記半導体基板上方に形成され、前記水平電荷転送路の電荷転送を制御する水平転送電極群と、
を含む請求項1記載の固体撮像装置。 - さらに、
1つの画素の主感光部と従感光部との上に配置された2種類のカラーフィルタと、
前記主感光部および前記従感光部からの画像信号を処理し、各感光部に入射した光を整理する処理回路と、
を有する請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記多数の画素が、行方向、列方向共に1つ置きに位置をずらせたハニカム状に配列されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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JP2010129548A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
US8415602B2 (en) | 2008-11-25 | 2013-04-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus having an element isolator in a semiconductor substrate |
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