JP2008004730A - プローバ用チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】載置されたウエハを保持するプローバ用チャックであって、導電材料で作られウエハが載置されるチャックトップ31と、絶縁材料で作られチャックトップの底面を支持する絶縁部材32と、絶縁部材の下側に設けられ内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレート34と、を備え、絶縁部材32は、上面に設けられた上面導電層32Aと、下面に設けられた下面導電層32Bと、を備え、上面導電層32Aと下面導電層32Bは互いに絶縁されており、上面導電層はチャックトップ31の底面に接触し、下面導電層32Bは、バックプレート34の導電性の表面に接触する。
【選択図】図4
Description
32 絶縁部材
32A 導電層
32B ガード層
33 ヒータ
34 バックプレート
35 ガードリング
Claims (9)
- 載置されたウエハを保持するプローバ用チャックであって、
導電材料で作られ、前記ウエハが載置されるチャックトップと、
絶縁材料で作られ、前記チャックトップの底面を支持する絶縁部材と、
前記絶縁部材の下側に設けられ、内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレートと、を備え、
前記絶縁部材は、上面に設けられた上面導電層と、下面に設けられた下面導電層と、を備え、
前記上面導電層と前記下面導電層は互いに絶縁されており、
前記上面導電層は前記チャックトップの底面に接触し、
前記下面導電層は、前記バックプレートの導電性の表面に接触することを特徴とするプローバ用チャック。 - 前記上面導電層及び前記下面導電層は、メッキ又はイオンプレーティングにより形成される請求項1に記載のプローバ用チャック。
- 前記絶縁部材は、酸化系の高純度アルミナ・セラミックス製である請求項1又は2に記載のプローバ用チャック。
- 当該プローバ用チャックの側面をリング状に覆い、前記バックプレートの導電性の表面に接続され、前記チャックトップからは絶縁されている導電性ガードリングを更に備える請求項1から3のいずれか1項に記載のプローバ用チャック。
- 載置されたウエハを保持するプローバ用チャックであって、
絶縁材料で作られ、上面に前記ウエハが載置されるチャックトップと、
導電材料で作られ、前記チャックトップの底面を支持する導電部材と、
前記導電部材の下側に設けられ、内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレートと、を備え、
前記チャックトップは、下面に設けられた下面導電層を備え、
前記下面導電層は、前記導電部材の表面に接触することを特徴とするプローバ用チャック。 - 前記チャックトップは、上面に設けられた上面導電層を備える請求項5に記載のプローバ用チャック。
- 前記上面導電層及び前記下面導電層は、メッキ又はイオンプレーティングにより形成される請求項6に記載のプローバ用チャック。
- 前記チャックトップは、酸化系の高純度アルミナ・セラミックス製である請求項5から7のいずれか1項に記載のプローバ用チャック。
- 当該プローバ用チャックの側面をリング状に覆い、前記導電部材に接続され、前記チャックトップの前記上面導電層からは絶縁されている導電性ガードリングを更に備える請求項6又は7に記載のプローバ用チャック。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049510A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | プローバ用チャック、プローバ用チャックの製造方法および検査装置 |
WO2014123094A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社東栄科学産業 | 磁気メモリ用プローバチャック及びそれを備えた磁気メモリ用プローバ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58220438A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | 半導体ウエハ測定載置台 |
JP2001033484A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ |
JP2001135681A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ装置 |
JP2001135680A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ、ウエハプローバに使用されるセラミック基板およびウエハプローバ装置 |
JP2004505443A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-02-19 | テンプトロニック コーポレイション | 交互配置された加熱および冷却要素と交換可能な上面アセンブリと硬膜層表面とをもつ熱プレートを有するウェーハチャック |
JP2004063486A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバのチャック機構 |
JP2004088117A (ja) * | 1999-08-25 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 |
-
2006
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58220438A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | 半導体ウエハ測定載置台 |
JP2001033484A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ |
JP2001135680A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ、ウエハプローバに使用されるセラミック基板およびウエハプローバ装置 |
JP2001135681A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバ装置 |
JP2004088117A (ja) * | 1999-08-25 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 |
JP2004505443A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-02-19 | テンプトロニック コーポレイション | 交互配置された加熱および冷却要素と交換可能な上面アセンブリと硬膜層表面とをもつ熱プレートを有するウェーハチャック |
JP2004063486A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバのチャック機構 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049510A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | プローバ用チャック、プローバ用チャックの製造方法および検査装置 |
WO2014123094A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社東栄科学産業 | 磁気メモリ用プローバチャック及びそれを備えた磁気メモリ用プローバ |
JP2014154588A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Toei Scientific Industrial Co Ltd | 磁気メモリ用プローバチャック及びそれを備えた磁気メモリ用プローバ |
KR20150104234A (ko) * | 2013-02-05 | 2015-09-14 | 토에이 과학 산업 주식회사 | 자기 메모리용 프로버 척 및 이를 구비한 자기 메모리용 프로버 |
KR101642749B1 (ko) | 2013-02-05 | 2016-08-10 | 토에이 과학 산업 주식회사 | 자기 메모리용 프로버 척 및 이를 구비한 자기 메모리용 프로버 |
US9741453B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Toei Scientific Industrial Co., Ltd. | Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck |
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Publication number | Publication date |
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