JP2007529004A - フォトゲート及び線量制御を有するx線検出器 - Google Patents
フォトゲート及び線量制御を有するx線検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007529004A JP2007529004A JP2006552732A JP2006552732A JP2007529004A JP 2007529004 A JP2007529004 A JP 2007529004A JP 2006552732 A JP2006552732 A JP 2006552732A JP 2006552732 A JP2006552732 A JP 2006552732A JP 2007529004 A JP2007529004 A JP 2007529004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- photogate
- radiation detection
- ray
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
a)入射放射線の自由電荷(例えば、半導体中の電子又は電子−正孔対)への変換のための変換要素。
b)変換要素により生成された前記自由電荷の中間蓄積のための電荷蓄積要素。その電荷蓄積要素は電荷蓄積領域から同時に電気的に分離され且つ電荷蓄積領域に配置されているフォトゲート電極と電荷蓄積要素とを有し、その電極は電荷蓄積領域において電界を誘起する。
c)フォトゲートの電極を外部の駆動回路と接続するフォトゲートライン。
d)画素の出力ラインにおける電気信号(例えば、電荷又は電圧)への電荷蓄積要素に蓄積された電荷の選択的変換のための少なくとも1つの読み出し要素。
X線エネルギーに対して検査される対象物を暴露するためのX線源と;
検査される対象物による減衰の後、X線画像を受けるための上記のような種類のX線検出装置と;
を有するX線検査装置に更に関する。
− X線に対して検査される対象物を暴露する段階と;
− X線暴露中に電流センサの出力信号をモニタリングする段階であって、その電流センサは上記のようなフォトゲートラインに挿入されている、段階と;
− 電流センサの出力信号の前記モニタリングに応じて、X線暴露を停止する段階と;
− X線画像を得るために検出画素の電界蓄積要素に蓄積された電荷を読み出す段階と
を有する。
a)入射放射線の自由電荷(例えば、半導体中の電子又は電子−正孔対)への変換のための変換要素。
b)変換要素により生成された前記自由電荷の中間蓄積のための電荷蓄積要素。その電荷蓄積要素は電荷蓄積領域から同時に電気的に分離され且つ電荷蓄積領域に配置されているフォトゲート電極と電荷蓄積要素とを有し、その電極は電荷蓄積領域において電界を誘起する。
c)フォトゲートの電極を外部の駆動回路と接続するフォトゲートライン。
d)画素の出力ラインにおける電気信号(例えば、電荷又は電圧)への電荷蓄積要素に蓄積された電荷の選択的変換のための少なくとも1つの読み出し要素。
Claims (10)
- 検出画素のアレイを有する放射線検出装置であって、各々の画素は:
a)入射放射線の自由電荷(例えば、半導体中の電子又は電子−正孔対)への変換のための変換要素;
b)前記自由電荷の蓄積のための電荷蓄積要素であって、電荷蓄積領域と、電界を誘起するために前記電荷蓄積領域から電気的に分離され且つ前記電荷蓄積領域の上方に配置されたフォトゲート電極とを有する、電荷蓄積要素;及び
c)外部のドライバ回路に前記フォトゲート電極を接続しているフォトゲートライン;
d)前記画素の出力ラインにおける電気信号への前記電荷蓄積要素に蓄積された電荷の選択的変換のための読み出し要素;
を有する、放射線検出装置であり、
前記フォトゲートラインの少なくとも1つは、そのラインに結合された電荷蓄積要素の電荷における変化によりもたらされる変位電流を検出するための電流センサを介して対応する外部ドライバ回路に接続されている;
ことを特徴とする放射線検出装置。 - 請求項1に記載の放射線検出装置であって、隣接する前記画素の少なくとも1つの群は同じ前記フォトゲートライン及び前記電流センサに結合されている、ことを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1に記載の放射線検出装置であって、前記外部ドライバ回路は、それに結合されたフォトゲート電極に一定電圧を適用することができる、ことを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1に記載の放射線検出装置であって、前記電流センサは電荷感応増幅器を有する、ことを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1に記載の放射線検出装置であって、前記電荷蓄積領域は、好適には、結晶性シリコンの半導体から成る、ことを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1に記載の放射線検出装置であって、前記変換要素は可視光及び/又はX線に感応する、ことを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項6に記載の放射線検出装置であって、各々の画素は、入射X線を光フォトンに変換するためのシンチレーション層を有する、ことを特徴とする放射線検出装置。
- X線検査装置であって:
X線エネルギーに対して検査される対象物を暴露するためのX線源;及び
検査される対象物による減衰の後、X線画像を受けるための請求項1乃至7に記載のX線検出装置;
を有することを特徴とするX線検査装置。 - 請求項8に記載のX線検査装置を制御するための方法であって、
X線に対して検査される対象物を暴露する段階;
X線暴露中に電流センサの出力信号をモニタリングする段階;
前記の信号のモニタリングに応じて、前記X線暴露を停止する段階;及び
X線画像を得るように前記電界蓄積要素に蓄積された電荷を読み出す段階;
を有することを特徴とする方法。 - 放射線検出装置の少なくとも1つの画素により収集された線量をモニタリングするための方法であって、前記画素は:
a)入射放射線の自由電荷(例えば、半導体中の電子又は電子−正孔対)への変換のための変換要素;
b)前記自由電荷の蓄積のための電荷蓄積要素であって、電荷蓄積領域と、電界を誘起するために前記電荷蓄積領域から電気的に分離され且つ前記電荷蓄積領域の上方に配置されたフォトゲート電極とを有する、電荷蓄積要素;及び
c)外部のドライバ回路に前記フォトゲート電極を接続しているフォトゲートライン;
d)前記画素の出力ラインにおける電気信号への前記電荷蓄積要素に蓄積された電荷の選択的変換のための読み出し要素;
を有する、放射線検出装置であり、
変位電流は少なくとも1つのフォトゲートラインの少なくとも1つにおいて検知され、前記変位電流は、前記ラインに接続された電荷蓄積要素の帯電における変化により誘起される;
ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04100512 | 2004-02-11 | ||
EP04100512.5 | 2004-02-11 | ||
PCT/IB2005/050418 WO2005078477A1 (en) | 2004-02-11 | 2005-02-01 | X-ray detector with photogates and dose control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007529004A true JP2007529004A (ja) | 2007-10-18 |
JP4890271B2 JP4890271B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=34854678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006552732A Expired - Fee Related JP4890271B2 (ja) | 2004-02-11 | 2005-02-01 | フォトゲートを有する放射線検出装置とx線検査装置、および線量をモニタリングする方法とx線検査方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7346146B2 (ja) |
EP (1) | EP1716434B1 (ja) |
JP (1) | JP4890271B2 (ja) |
CN (1) | CN100498378C (ja) |
WO (1) | WO2005078477A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9146203B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-29 | Rigaku Corporation | X-ray stress measuring apparatus |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7659516B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-02-09 | Dalsa Corporation | C-MOS sensor readout from multiple cells across the array to generate dose sensing signal |
JP2016046336A (ja) * | 2014-08-21 | 2016-04-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに放射線撮像装置 |
EP3320371A4 (en) * | 2015-06-10 | 2019-03-06 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | DETECTOR FOR X-RAY FLUORESCENCE |
US9905607B2 (en) | 2015-07-28 | 2018-02-27 | General Electric Company | Radiation detector fabrication |
EP3411733A4 (en) * | 2016-02-01 | 2019-08-28 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | X-RAY DETECTORS THAT CAN SUPPORT CHARGE SHARING |
JP6807348B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2021-01-06 | シャープ株式会社 | 放射線検出器及び放射線透過画像取得システム |
US20220011455A1 (en) * | 2018-11-23 | 2022-01-13 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Measuring tool for irradiation source and method for measuring radiation |
EP3933881A1 (en) | 2020-06-30 | 2022-01-05 | VEC Imaging GmbH & Co. KG | X-ray source with multiple grids |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058804A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-02-25 | Ftni Inc | スタティック画像作成およびダイナミック画像作成のための固有の高電圧保護を備えた直接変換ディジタル式x線検出器 |
JP2000323699A (ja) * | 1993-12-27 | 2000-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置 |
WO2002025314A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Exposure control in an x-ray image detector |
JP2004007551A (ja) * | 2002-04-05 | 2004-01-08 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム並びに撮像方法 |
JP2004097465A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5055667A (en) | 1990-06-21 | 1991-10-08 | Loral Fairchild Corporation | Non-linear photosite response in CCD imagers |
US5471515A (en) | 1994-01-28 | 1995-11-28 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
FR2750821B1 (fr) * | 1996-07-05 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif pour la prise d'images numeriques avec controle et optimisation du temps d'exposition de l'objet a des rayonnements x ou y |
US6326230B1 (en) | 1999-01-06 | 2001-12-04 | California Institute Of Technology | High speed CMOS imager with motion artifact supression and anti-blooming |
US6404851B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-06-11 | General Electric Company | Method and apparatus for automatic exposure control using localized capacitive coupling in a matrix-addressed imaging panel |
-
2005
- 2005-02-01 CN CNB2005800045711A patent/CN100498378C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-01 JP JP2006552732A patent/JP4890271B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-01 US US10/597,751 patent/US7346146B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-01 WO PCT/IB2005/050418 patent/WO2005078477A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-02-01 EP EP05702856A patent/EP1716434B1/en not_active Not-in-force
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323699A (ja) * | 1993-12-27 | 2000-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2000058804A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-02-25 | Ftni Inc | スタティック画像作成およびダイナミック画像作成のための固有の高電圧保護を備えた直接変換ディジタル式x線検出器 |
WO2002025314A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Exposure control in an x-ray image detector |
JP2004007551A (ja) * | 2002-04-05 | 2004-01-08 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム並びに撮像方法 |
JP2004097465A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9146203B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-29 | Rigaku Corporation | X-ray stress measuring apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005078477A1 (en) | 2005-08-25 |
CN100498378C (zh) | 2009-06-10 |
CN1918483A (zh) | 2007-02-21 |
EP1716434A1 (en) | 2006-11-02 |
US7346146B2 (en) | 2008-03-18 |
EP1716434B1 (en) | 2012-05-30 |
JP4890271B2 (ja) | 2012-03-07 |
US20070158572A1 (en) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4890271B2 (ja) | フォトゲートを有する放射線検出装置とx線検査装置、および線量をモニタリングする方法とx線検査方法 | |
US10473801B2 (en) | Radiation imaging apparatus, radiation imaging system, method of controlling radiation imaging apparatus, and non-transitory computer-readable storage medium | |
JP6570315B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
US11187816B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
JP5060701B2 (ja) | X線検出装置およびx線検出装置を制御する方法 | |
JP3415348B2 (ja) | X線撮像装置 | |
US9417333B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
JP6663210B2 (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 | |
WO2018198491A1 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム | |
US20140061492A1 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
JP2005526985A (ja) | 結像および照射量測定用のx線検出器配列 | |
WO2007037121A1 (ja) | 放射線像撮像装置および放射線像撮像装置の撮像方法 | |
JP6887812B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP6470508B2 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
JPH09206293A (ja) | X線撮像装置 | |
JP7441033B2 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
JP7330748B2 (ja) | 放射線撮像装置、制御装置、制御方法及びプログラム | |
JP7328022B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP6929327B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
WO2020149098A1 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
JP2018195949A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2000031447A (ja) | X線画像センサ | |
JP2016146610A (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
JP2017143114A (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |