JP2007525023A - 有機電場発光デバイスにおける結晶化抑制材料の使用 - Google Patents
有機電場発光デバイスにおける結晶化抑制材料の使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007525023A JP2007525023A JP2006549322A JP2006549322A JP2007525023A JP 2007525023 A JP2007525023 A JP 2007525023A JP 2006549322 A JP2006549322 A JP 2006549322A JP 2006549322 A JP2006549322 A JP 2006549322A JP 2007525023 A JP2007525023 A JP 2007525023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transport layer
- electron transport
- crystallization
- organic electroluminescent
- electroluminescent device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/143—Polyacetylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
a)アノードと、
b)アノードの上に配置された正孔輸送層と、
c)正孔輸送層の上に配置され、正孔−電子の再結合に応答して光を生じる発光層と、
d)発光層の上に配置された電子輸送層と、
e)電子輸送層中に組み込まれた、電子輸送層が動作中結晶化するのを防止する結晶化抑制材料と、
f)電子輸送層の上に配置されたカソードとを備える有機電場発光デバイスによって達成される。
1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン
4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン
4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[4(ジ−p−トリルアミノ)−スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−4−4’−ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’−テトラ−1−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’−テトラ−2−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル
N−フェニルカルバゾール
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ビフェニル
4,4”−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]p−テルフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(3−アセナフテニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’−ビス[N−(9−アンスリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”−ビス[N−(1−アンスリル)−N−フェニルアミノ]−p−テルフェニル
4,4’−ビス[N−(2−フェナンスリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(8−フルオランテニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ピレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ナフタセニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ペリレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(1−コロレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン
2,6−ビス[ジ−(1−ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’−テトラ(2−ナフチル)−4−4”−ジアミノ−p−テルフェニル
4,4’−ビス{N−フェニル−N−[4−(1−ナフチル)−フェニル]アミノ}ビフェニル
4,4’−ビス「N−フェニル−N−(2−ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミン]フルオレン
1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’,4”−トリス[(3−メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアニン
CO−1:アルミニウムトリスオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)]
CO−2:マグネシウムビスオキシン[別名、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム(II)]
CO−3:ビス[ベンゾ{f}−8−キノリノラト]亜鉛(II)
CO−4:ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)
CO−5:インジウムトリスオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)インジウム]
CO−6:アルミニウムトリス(5−メチルオキシン)[別名、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)]
CO−7:リチウムオキシン[別名、(8−キノリノラト)リチウム(I)]
CO−8:ガリウムオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)ガリウム(III)]
CO−9:ジルコニウムオキシン[別名、テトラ(8−キノリノラト)ジルコニウム(IV)]
CO−1:アルミニウムトリスオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)]
CO−2:マグネシウムビスオキシン[別名、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム(II)]
CO−3:ビス[ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛(II)
CO−4:ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)
CO−5:インジウムトリスオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)インジウム]
CO−6:アルミニウムトリス(5−メチルオキシン)[別名、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)]
CO−7:リチウムオキシン[別名、(8−キノリノラト)リチウム(I)]
CO−8:ガリウムオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)ガリウム(III)]
CO−9:ジルコニウムオキシン[別名、テトラ(8−キノリノラト)ジルコニウム(IV)]
ITO:インジウム−スズ酸化物:ガラス基板上に透明なアノードを形成する際使用する。
CFx:重合フルオロカーボン層:ITOの上部に正孔注入層を形成する際使用する。
NPB:N,N’−ジ(ナフタレン−1−yl)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン:正孔輸送層を形成する際使用する。
TBADN:2−(1,1−ジメチルエチル)−9,10−ビス(2−ナフタレニル)アントラセン:発光層を形成する際ホスト材料として使用する。
TBP:2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレン:発光層中のドーパント材料として使用する。
Alq:トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(III):電子輸送層を形成する際使用し、また電子輸送層中の結晶化抑制材料として使用する。
Bphen:4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン:電子輸送層を形成する際使用する。
TRAZ:2,2’−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジイルビス(4,6−(p−トリル)−1,3,5−トリアジン):電子輸送層を形成する際使用する。
Mg:Ag:体積比10:0.5のマグネシウム:銀:カソードを形成する際使用する。
従来のOLEDの準備は以下の通りである。透明なITO導電層でコーティングした〜1.1mm厚のガラス基板を市販のガラス洗浄工具を使用して清掃及び乾燥した。ITOの厚さは約42nmであり、ITOのシート抵抗は約68Ω/スクエアである。次いで、ITOの表面を酸化性プラズマで処理し、表面をアノードとして調整した。RFプラズマ処理チャンバ内でCHF3ガスを分解することによって、1nm厚のCFxの層を、清掃したITOの表面にHILとして蒸着した。そして、基板を真空蒸着チャンバ(TROVATO MFG.INC)内に移動し、基板の上部に他の全ての層を蒸着した。約10-6トールの真空下で加熱したボートから気化することによって、以下の層を以下の順序で蒸着した。
(1)HTL、90nm厚、NPBを含む。
(2)LEL、20nm厚、Alqを含む。
(3)ETL、40nm厚、やはりAlqを含む。
(4)カソード、約210nm厚、MgAgを含む。
OLEDを、40nm厚のAlq ETLが40nm厚のBphen ETLによって置き換えられるステップ(3)以外は例1に記載した方法で構成した。完成したデバイス構造をITO/CFx/NPB(90)/Alq(20)/Bphen(40)/MgAgとして示す。20mA/cm2の電流密度で測定したデバイスのEL性能を表1に示し、駆動電圧、輝度、発光効率、電力効率、ELピーク、及びT70(70℃)を記載する。正規化輝度と動作時間との関係を図2に示す。
OLEDを、40nm厚のAlq ETLが、結晶化抑制材料として10体積%のAlqを含む40nm厚のBphen ETLによって置き換えられるステップ(3)以外は例1に記載した方法で構成した。完成したデバイス構造をITO/CFx/NPB(90)/Alq(20)/Bphen:Alq(10%)(40)/MgAgとして示す。20mA/cm2の電流密度で測定したデバイスのEL性能を表1に示し、駆動電圧、輝度、発光効率、電力効率、ELピーク、及びT70(70℃)を記載する。正規化輝度と動作時間との関係を図2に示す。
OLEDを、40nm厚のAlq ETLが、結晶化抑制材料として20体積%のAlqを含む40nm厚のBphen ETLによって置き換えられるステップ(3)以外は例1に記載した方法で構成した。完成したデバイス構造をITO/CFx/NPB(90)/Alq(20)/Bphen:Alq(20%)(40)/MgAgとして示す。20mA/cm2の電流密度で測定したデバイスのEL性能を表1に示し、駆動電圧、輝度、発光効率、電力効率、ELピーク、及びT70(70℃)を記載する。正規化輝度と動作時間との関係を図2に示す。
OLEDを、40nm厚のAlq ETLが、結晶化抑制材料として30体積%のAlqを含む40nm厚のBphen ETLによって置き換えられるステップ(3)以外は例1に記載した方法で構成した。完成したデバイス構造をITO/CFx/NPB(90)/Alq(20)/Bphen:Alq(30%)(40)/MgAgとして示す。20mA/cm2の電流密度で測定したデバイスのEL性能を表1に示し、駆動電圧、輝度、発光効率、電力効率、ELピーク、及びT70(70℃)を記載する。正規化輝度と動作時間との関係を図2に示す。
青色OLEDの準備は以下の通りである。透明なITO導電層でコーティングした〜1.1mm厚のガラス基板を市販のガラス洗浄工具を使用して清掃及び乾燥した。ITOの厚さは約42nmであり、ITOのシート抵抗は約68Ω/スクエアである。次いで、ITOの表面を酸化性プラズマで処理し、表面をアノードとして調整した。RFプラズマ処理チャンバ内でCHF3ガスを分解することによって、1nm厚のCFxの層を、清掃したITOの表面にHILとして蒸着した。そして、基板を真空蒸着チャンバ(TROVATO MFG.INC)内に移動し、基板の上部に他の全ての層を蒸着した。約10-6トールの真空下で加熱したボートから気化することによって、以下の層を以下の順序で蒸着した。
(1)HTL、90nm厚、NPBを含む。
(2)LEL、20nm厚、1.5体積%のTBPでドープしたTBADNを含む。
(3)ETL、35nm厚、Alqを含む。
(4)カソード、約210nm厚、MgAgを含む。
青色OLEDを、35nm厚のAlq ETLが35nm厚のTRAZ ETLによって置き換えられるステップ(3)以外は例6に記載した方法で構成した。完成したデバイス構造をITO/CFx/NPB(90)/TBADN:TBP(1.5%)(20)/TRAZ(35)/MgAgとして示す。20mA/cm2の電流密度で測定したデバイスのEL性能を表2に示し、駆動電圧、輝度、発光効率、電力効率、ELピーク、及びT70(70℃)を記載する。正規化輝度と動作時間との関係を図3に示す。
青色OLEDを、35nm厚のAlq ETLが、結晶化抑制材料として30体積%のAlqを含む35nm厚のTRAZ ETLによって置き換えられるステップ(3)以外は例6に記載した方法で構成した。完成したデバイス構造をITO/CFx/NPB(90)/TBADN:TBP(1.5%)(20)/TRAZ:Alq(30%)(35)/MgAgとして示す。20mA/cm2の電流密度で測定したデバイスのEL性能を表2に示し、駆動電圧、輝度、発光効率、電力効率、ELピーク、及びT70(70℃)を記載する。正規化輝度と動作時間との関係を図3に示す。
120 アノード
132 正孔輸送層、HTL
134 発光層、LEL
138 電子輸送層、ETL
140 カソード
150 電源
160 導電体
Claims (19)
- 有機電場発光デバイスであって、
a)アノードと、
b)前記アノードの上に配置された正孔輸送層と、
c)前記正孔輸送層の上に配置され、正孔−電子の再結合に応答して光を生じる発光層と、
d)前記発光層の上に配置された電子輸送層と、
e)前記電子輸送層中に組み込まれた、前記電子輸送層が動作中結晶化するのを防止する結晶化抑制材料と、
f)前記電子輸送層の上に配置されたカソードとを備える有機電場発光デバイス。 - 前記電子輸送層が50℃より高いガラス転移温度(Tg)を有する、請求項1に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料が、70℃より高いガラス転移温度(Tg)を有する有機材料を含む、請求項1に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料が1.5eVより広い光エネルギーバンドギャップを有する、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記電子輸送層中の前記結晶化抑制材料の濃度が、前記電子輸送層の10体積パーセント〜60体積パーセントの範囲内である、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記電子輸送層中の前記結晶化抑制材料の濃度が、前記電子輸送層の20体積パーセント〜50体積パーセントの範囲内である、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料が金属キレート化オキシノイド化合物を含む、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料がトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq)を含む、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料がアントラセン誘導体を含む、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料が2−(1,1−ジメチルエチル)−9,10−ビス(2−ナフタレニル)アントラセン(TBADN)または9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン(ADN)を含む、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料がブタジエン誘導体、複素環式蛍光増白剤、ベンザゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、ピリジンチアジアゾール、トリアジン、及びシロール誘導体を含む、請求項3に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料が、100℃より高い融点を有する無機材料を含む、請求項1に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記電子輸送層中の前記電子輸送材料に対する前記結晶化抑制材料の分子比が0.3〜5の範囲内である、請求項12に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記結晶化抑制材料が金属または金属化合物を含む、請求項12に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記電子輸送層が4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(Bphen)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)、または他のフェナントロリン誘導体を含む、請求項1に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記電子輸送層が2,2’−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジイルビス(4,6−(p−トリル)−1,3,5−トリアジン)(TRAZ)を含む、請求項1に記載の有機電場発光デバイス。
- 前記電子輸送層が、Li、Na、K、Rb、またはCsでドープしたホスト電子輸送材料を含む、請求項1に記載の有機電場発光デバイス。
- 有機電場発光デバイスを製造する方法であって、
a)アノードと、前記アノードの上に配置された正孔輸送層と、前記正孔輸送層の上に配置され正孔−電子の再結合に応答して光を生じる発光層とを提供するステップと、
b)前記発光層の上に配置された電子輸送層を提供するステップと、
c)結晶化抑制材料と前記電子輸送材料との両方を同時蒸着することによって、前記電子輸送層中に組み込まれた、前記電子輸送層が動作中結晶化するのを防止する前記結晶化抑制材料を提供するステップと、
d)前記電子輸送層の上に配置されたカソードを提供するステップとを含む方法。 - a)アノードと、前記アノードの上に配置された正孔輸送層と、前記正孔輸送層の上に配置され正孔−電子の再結合に応答して光を生じる発光層とを提供するステップと、
b)前記発光層の上に配置された電子輸送層と、前記電子輸送層中に組み込まれた、前記電子輸送層が動作中結晶化するのを防止する結晶化抑制材料とを提供するステップであって、前記電子輸送層が電子輸送材料と結晶化抑制材料との交互の層を形成することによって形成され、その際前記結晶化抑制材料が前記電子輸送材料中に拡散するステップと、
c)前記電子輸送層の上に配置されたカソードを提供するステップとを含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/756,663 US7211948B2 (en) | 2004-01-13 | 2004-01-13 | Using a crystallization-inhibitor in organic electroluminescent devices |
PCT/US2004/043795 WO2005071772A1 (en) | 2004-01-13 | 2004-12-28 | Using a crstallization-inhibitor in organic electroluminescent devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007525023A true JP2007525023A (ja) | 2007-08-30 |
JP2007525023A5 JP2007525023A5 (ja) | 2008-01-17 |
Family
ID=34739892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006549322A Withdrawn JP2007525023A (ja) | 2004-01-13 | 2004-12-28 | 有機電場発光デバイスにおける結晶化抑制材料の使用 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7211948B2 (ja) |
EP (1) | EP1704604B1 (ja) |
JP (1) | JP2007525023A (ja) |
KR (1) | KR101106605B1 (ja) |
CN (1) | CN100514697C (ja) |
TW (1) | TWI357779B (ja) |
WO (1) | WO2005071772A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066872A (ja) * | 2004-03-25 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2009107187A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2015111679A (ja) * | 2008-12-22 | 2015-06-18 | メルク パテント ゲーエムベーハー | トリアジン誘導体を含む有機エレクトロルミネセンス素子 |
KR20160130112A (ko) * | 2015-05-01 | 2016-11-10 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드계 필름 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 폴리이미드계 필름 |
JP2018133127A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2022172119A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2022172125A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2022172116A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2022172130A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005310742A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7449830B2 (en) | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having improved luminance stability |
US7449831B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having inorganic material containing anode capping layer |
US7351999B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-01 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer structure |
TWI258881B (en) * | 2005-01-06 | 2006-07-21 | Au Optronics Corp | Photoelectric device |
US20060204784A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Begley William J | Organic light-emitting devices with mixed electron transport materials |
US7517595B2 (en) | 2005-03-10 | 2009-04-14 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices with mixed electron transport materials |
US8487527B2 (en) * | 2005-05-04 | 2013-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
US7777407B2 (en) * | 2005-05-04 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer |
US20060265278A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Napster Llc | System and method for censoring randomly generated character strings |
US7943244B2 (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
US7750561B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Stacked OLED structure |
US7728517B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
US7795806B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
US7811679B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
KR100672535B1 (ko) | 2005-07-25 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
US7563518B2 (en) * | 2005-07-28 | 2009-07-21 | Eastman Kodak Company | Low voltage organic electroluminescent element |
JP4842587B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フェナントロリン誘導体化合物、並びにそれを利用する電子輸送性材料、発光素子、発光装置及び電子機器 |
US20070048545A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Eastman Kodak Company | Electron-transporting layer for white OLED device |
JP4827683B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置並びに電子機器 |
US20070103067A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-10 | Ya-Ping Tsai | Organic electroluminescence device and electron transporting layer |
US7799439B2 (en) * | 2006-01-25 | 2010-09-21 | Global Oled Technology Llc | Fluorocarbon electrode modification layer |
JP2012186392A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
KR102244374B1 (ko) | 2013-08-09 | 2021-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 디스플레이 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
TW202339325A (zh) | 2013-08-09 | 2023-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置 |
GB201320881D0 (en) * | 2013-11-26 | 2014-01-08 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emitting device and method |
US10153449B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237079A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002324680A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JPH04334894A (ja) | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜型電界発光素子 |
JPH05255664A (ja) | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
JP3511825B2 (ja) | 1996-01-29 | 2004-03-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5811834A (en) | 1996-01-29 | 1998-09-22 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted |
JP3615374B2 (ja) | 1997-11-17 | 2005-02-02 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3983405B2 (ja) | 1999-01-19 | 2007-09-26 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2002184581A (ja) | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
SG138466A1 (en) | 2000-12-28 | 2008-01-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
US6565996B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-05-20 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer |
US6727644B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-04-27 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer |
US7179543B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-02-20 | The Trustees Of Princeton University | Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability |
-
2004
- 2004-01-13 US US10/756,663 patent/US7211948B2/en active Active
- 2004-12-28 JP JP2006549322A patent/JP2007525023A/ja not_active Withdrawn
- 2004-12-28 CN CNB2004800403416A patent/CN100514697C/zh active Active
- 2004-12-28 WO PCT/US2004/043795 patent/WO2005071772A1/en active Application Filing
- 2004-12-28 EP EP04815796A patent/EP1704604B1/en not_active Revoked
- 2004-12-28 KR KR1020067014120A patent/KR101106605B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-01-12 TW TW094100792A patent/TWI357779B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237079A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002324680A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066872A (ja) * | 2004-03-25 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2009107187A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2015111679A (ja) * | 2008-12-22 | 2015-06-18 | メルク パテント ゲーエムベーハー | トリアジン誘導体を含む有機エレクトロルミネセンス素子 |
KR20160130112A (ko) * | 2015-05-01 | 2016-11-10 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드계 필름 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 폴리이미드계 필름 |
KR101966731B1 (ko) * | 2015-05-01 | 2019-04-09 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드계 필름 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 폴리이미드계 필름 |
JP2018133127A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2022172119A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2022172125A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2022172116A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2022172130A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050151466A1 (en) | 2005-07-14 |
KR20060128915A (ko) | 2006-12-14 |
US7211948B2 (en) | 2007-05-01 |
KR101106605B1 (ko) | 2012-01-20 |
WO2005071772A1 (en) | 2005-08-04 |
TWI357779B (en) | 2012-02-01 |
EP1704604A1 (en) | 2006-09-27 |
EP1704604B1 (en) | 2012-04-11 |
TW200541405A (en) | 2005-12-16 |
CN100514697C (zh) | 2009-07-15 |
CN1902769A (zh) | 2007-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101106605B1 (ko) | 유기 전기발광 디바이스에서의 결정화-억제제의 용도 | |
US6881502B2 (en) | Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer | |
US7126267B2 (en) | Tandem OLED having stable intermediate connectors | |
JP4789209B2 (ja) | 正孔輸送領域内の金属副層 | |
US7494722B2 (en) | Tandem OLED having an organic intermediate connector | |
US7629741B2 (en) | OLED electron-injecting layer | |
US7075231B1 (en) | Tandem OLEDs having low drive voltage | |
US8057916B2 (en) | OLED device with improved performance | |
US6936961B2 (en) | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers | |
US7799439B2 (en) | Fluorocarbon electrode modification layer | |
US20060240277A1 (en) | Tandem OLED device | |
US7138763B2 (en) | Organic electroluminescent devices having a stability-enhancing layer | |
JP4828787B2 (ja) | 有機電場発光デバイス及びその製造方法 | |
US20060240280A1 (en) | OLED anode modification layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071119 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100910 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110929 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111007 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20111216 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120723 |