JP2007336262A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電破壊防止装置7をトランジスタ5のエミッタへ接続することで、サージ電圧が出力端子4に印加された場合、サージ電荷をMOSトランジスタ7で構成された静電破壊防止装置で吸収することで、スイッチングトランジスタ3の静電破壊を防止する。また、静電破壊防止装置7に出力端子電圧よりも低い耐圧の素子を用いることができ、且つ、静電破壊防止装置7の寄生容量の影響を出力端子4が受けないため、高速にスイッチングを行う。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態の半導体装置の構成を示す回路図である。1は定電流源、2はバイポーラトランジスタで構成されるカレントミラー回路、3は出力電流のオン・オフを制御するスイッチングMOSトランジスタ、4は出力端子、5はカスコードトランジスタ、6は定電圧源、7はMOSトランジスタで構成される静電破壊防止装置である。
図2は本発明の第2の実施形態の半導体装置の構成を示す回路図である。1は定電流源、2はMOSトランジスタで構成されるカレントミラー回路、3は出力電流のオン・オフを制御するスイッチングMOSトランジスタ、4は出力端子、5はカスコードトランジスタ、6は定電圧源、7はMOSトランジスタで構成される静電破壊防止装置である。
図3は本発明の第3の実施形態の半導体装置の構成を示す回路図である。1は定電流源、2はバイポーラトランジスタで構成されるカレントミラー回路、3は出力電流のオン・オフを制御するスイッチングMOSトランジスタ、4は出力端子、5はカスコードトランジスタ、6は定電圧源、7はMOSトランジスタで構成される静電破壊防止装置である。第3の実施形態は第1の実施形態でカスコードトランジスタのエミッタに接続していた静電破壊防止装置7をカレントミラー回路2の2次側トランジスタとスイッチングトランジスタ3の間に接続したものである。
図4は本発明の第4の実施形態の半導体装置の構成を示す回路図である。1は定電流源、2はMOSトランジスタで構成されるカレントミラー回路、3は出力電流のオン・オフを制御するスイッチングMOSトランジスタ、4は出力端子、5はカスコードトランジスタ、6は定電圧源、7はMOSトランジスタで構成される静電破壊防止装置である。第4の実施形態は第3の実施形態のバイポーラトランジスタで構成していたカレントミラー回路2をMOSトランジスタにしたものである。
2 カレントミラー回路
3 スイッチングMOSトランジスタ
4 出力端子
5 カスコードトランジスタ
6 定電圧源
7 静電破壊防止装置
Claims (7)
- ベースに固定電圧が与えられコレクタが出力端子に接続された出力バイポーラトランジスタと、
前記出力バイポーラトランジスタのエミッタとGND間に設けられたスイッチングMOSトランジスタと、
前記出力バイポーラトランジスタのエミッタと前記スイッチングMOSトランジスタとを接続する配線に一端が接続されて他端が前記GNDに接続された静電破壊防止装置とを備え、
前記出力バイポーラトランジスタと前記スイッチングMOSトランジスタと前記静電破壊防止装置とを集積化した半導体装置。 - 前記スイッチングMOSトランジスタが、ソースを前記GNDに接続し、ドレインを前記バイポーラトランジスタのエミッタに接続し、ゲートに信号を供給してスイッチング動作させたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記静電破壊防止装置が、ソース及びゲートを前記GNDに接続し、ドレインを前記出力バイポーラトランジスタのエミッタと前記スイッチングMOSトランジスタの共通接続部に接続したMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記MOSトランジスタと前記静電破壊防止装置とを同じ構造のMOSトランジスタとで構成したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記出力バイポーラトランジスタのエミッタと前記スイッチングMOSトランジスタ間にバイポーラトランジスタを挿入接続して、このバイポーラトランジスタのコレクタを前記出力バイポーラトランジスタのエミッタに接続し、エミッタを前記スイッチングトランジスタに接続し、前記静電破壊防止装置をこのバイポーラトランジスタのエミッタと前記スイッチングトランジスタとの共通接続部に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記出力バイポーラトランジスタのエミッタと前記スイッチングMOSトランジスタ間にMOSトランジスタを挿入接続して、このMOSトランジスタのドレインを前記出力バイポーラトランジスタのエミッタに接続し、ソースを前記スイッチングトランジスタに接続し、前記静電破壊防止装置をこのMOSトランジスタのソースと前記スイッチングトランジスタとの共通接続部に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記静電破壊防止装置が、ソース及びゲートを前記GNDに接続し、ドレインを前記出力バイポーラトランジスタのエミッタと前記スイッチングMOSトランジスタの共通接続部に接続したMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項5または6記載の半導体装置。
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Cited By (2)
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WO2009101770A1 (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Panasonic Corporation | 半導体装置 |
JP2016501501A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-01-18 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 増幅器カスケードデバイスの静電放電保護 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06291638A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH09232635A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Nec Corp | 発光素子駆動回路 |
JP2002190726A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 高速電流スイッチ回路および高周波電流源 |
JP2003318276A (ja) * | 2003-04-24 | 2003-11-07 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2004039748A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06291638A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH09232635A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Nec Corp | 発光素子駆動回路 |
JP2002190726A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 高速電流スイッチ回路および高周波電流源 |
JP2004039748A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
JP2003318276A (ja) * | 2003-04-24 | 2003-11-07 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009101770A1 (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Panasonic Corporation | 半導体装置 |
JP2009194182A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
US7974056B2 (en) | 2008-02-15 | 2011-07-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
JP2016501501A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-01-18 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 増幅器カスケードデバイスの静電放電保護 |
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