JP2007335484A - 窒化物半導体ウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異種基板1と、異種基板1上に成長した窒化物半導体結晶層3と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層3が、第1結晶層31と、第1結晶層31を下地層として成長した第2結晶層32とを含んでおり、第2結晶層32の少なくとも一部にはMgが添加されており、第1結晶層31と第2結晶層32との間にはマスク層Mが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層3が、更に、第2結晶層32の上にMg拡散防止層33を含んでいる。
【選択図】図5
Description
本発明は、また、かかる新規な窒化物半導体ウェハにおける、窒化物半導体結晶層の品質の改善を目的とする。
本発明は、また、かかる新規な窒化物半導体ウェハにおける特有の問題を解決することを目的とする。
(1)異種基板と、該異種基板上に成長した窒化物半導体結晶層と、からなる窒化物半導体ウェハであって、前記窒化物半導体結晶層が、第1結晶層と、第1結晶層を下地層として成長した第2結晶層とを含んでおり、第2結晶層の少なくとも一部にはMgが添加されており、第1結晶層と第2結晶層との間にはマスク層が挟まれている窒化物半導体ウェハ。
(2)第1結晶層および第2結晶層がいずれもGaN層である、前記(1)に記載の窒化物半導体ウェハ。
(3)第1結晶層が不純物無添加である前記(1)または(2)に記載の窒化物半導体ウェハ。
(4)第2結晶層が、第1結晶層の表面から厚さ方向に成長した結晶と、該結晶を種結晶としてラテラル成長した結晶を含み、該厚さ方向に成長した結晶が不純物無添加であり、該ラテラル成長した結晶にMgが添加されている、前記(3)に記載の窒化物半導体ウェハ。
(5)第2結晶層が、第1結晶層の表面から厚さ方向に成長した結晶と、該結晶を種結晶としてラテラル成長した結晶を含むとともに、第2結晶層の内部には、該厚さ方向に成長した結晶中を第1結晶層との界面から厚さ方向に伝播した後、ラテラル方向に曲げられた転位線が存在している、前記(1)〜(4)のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
(6)前記マスク層と第2結晶層との間に空間が存在している、前記(1)〜(5)のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
(7)前記マスク層が酸化マグネシウム層を含む、前記(1)〜(6)のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
(8)前記窒化物半導体結晶層が、更に、第2結晶層の上にMg拡散防止層を含んでいる、前記(1)〜(7)のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
(9)前記Mg拡散防止層のMg濃度が、第2結晶層から遠ざかるに従って単調に減少している、前記(8)に記載の窒化物半導体ウェハ。
(10)前記Mg拡散防止層の内部に、または、前記Mg拡散防止層と第2結晶層との間に、少なくともひとつのヘテロ界面が存在する、前記(8)または(9)に記載の窒化物半導体ウェハ。
(11)前記Mg拡散防止層が、ドナーの添加によりn型半導体とされた部分を含んでいる、前記(8)〜(10)のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
図1は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体ウェハの断面構造を示す模式図である。図1において、1はサファイア基板、2はGaNバッファ層、3はGaN結晶層、MはSiO2からなるマスク層である。GaN結晶層3は、バッファ層の直上に成長した下側GaN層31と、その上にマスク層Mを挟んで成長した上側GaN層32とから構成されている。上側GaN層32は、ラテラル成長技術を用いて形成された結晶層であり、Mgが添加されている。この窒化物半導体ウェハは、テンプレート基板として、光素子、電子素子等のデバイス製造や、GaN基板の製造などに用いることができる。
まず、直径2インチのC面サファイア基板1を準備する。これをMOVPE装置の成長炉内に装着し、水素雰囲気下で1100℃まで昇温し、表面のクリーニングを行う。次に、基板温度を400℃まで下げ、原料としてトリメチルガリウム(TMG)、アンモニアを供給し、GaNバッファ層2を形成する。次に、基板温度を1000℃まで上げ、原料としてTMG、アンモニアを供給して、下側GaN層31を2μmの膜厚に形成して、一次ウェハを作製する。
本発明の窒化物半導体ウェハは上記説明したものに限定されない。
本発明の窒化物半導体ウェハには、異種基板として、サファイア基板の他に、SiC基板、Si基板、GaAs基板、GaP基板、スピネル基板、ZnO基板、NGO(NdGaO3)基板、LGO(LiGaO2)基板、LAO(LaAlO3)基板、ZrB2基板、TiB2基板などを好適に用いることができる。
2 GaNバッファ層
3 GaN結晶層
31 下側GaN層
32 上側GaN層
33 Mg拡散防止層
M マスク層
Claims (11)
- 異種基板と、該異種基板上に成長した窒化物半導体結晶層と、からなる窒化物半導体ウェハであって、
前記窒化物半導体結晶層が、第1結晶層と、第1結晶層を下地層として成長した第2結晶層とを含んでおり、
第2結晶層の少なくとも一部にはMgが添加されており、
第1結晶層と第2結晶層との間にはマスク層が挟まれている窒化物半導体ウェハ。 - 第1結晶層および第2結晶層がいずれもGaN層である、請求項1に記載の窒化物半導体ウェハ。
- 第1結晶層が不純物無添加である請求項1または2に記載の窒化物半導体ウェハ。
- 第2結晶層が、第1結晶層の表面から厚さ方向に成長した結晶と、該結晶を種結晶としてラテラル成長した結晶を含み、該厚さ方向に成長した結晶が不純物無添加であり、該ラテラル成長した結晶にMgが添加されている、請求項3に記載の窒化物半導体ウェハ。
- 第2結晶層が、第1結晶層の表面から厚さ方向に成長した結晶と、該結晶を種結晶としてラテラル成長した結晶を含むとともに、第2結晶層の内部には、該厚さ方向に成長した結晶中を第1結晶層との界面から厚さ方向に伝播した後、ラテラル方向に曲げられた転位線が存在している、請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
- 前記マスク層と第2結晶層との間に空間が存在している、請求項1〜5のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
- 前記マスク層が酸化マグネシウム層を含む、請求項1〜6のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
- 前記窒化物半導体結晶層が、更に、第2結晶層の上にMg拡散防止層を含んでいる、請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
- 前記Mg拡散防止層のMg濃度が、第2結晶層から遠ざかるに従って単調に減少している、請求項8に記載の窒化物半導体ウェハ。
- 前記Mg拡散防止層の内部に、または、前記Mg拡散防止層と第2結晶層との間に、少なくともひとつのヘテロ界面が存在する、請求項8または9に記載の窒化物半導体ウェハ。
- 前記Mg拡散防止層が、ドナーの添加によりn型半導体とされた部分を含んでいる、請求項8〜10のいずれかに記載の窒化物半導体ウェハ。
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