JP2007329226A - 薄膜形成方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】樹脂膜102が被着(転写)されたシリコン基板103を、オーブン(加熱処理装置)110の処理室111内部に搬入し、処理室111の内部温度を、室温(約20℃)から5.5℃/minの速度で昇温する。処理室111の内容積は1リットルである。このとき、処理室111の内部温度と処理室111の内部圧力(処理圧力)とが、「内部圧力=大気圧×(273+内部温度)/(273+開始温度)」で示される関係が保持されるように、処理室111の内部圧力を上昇させる。
【選択図】 図1
Description
上述した樹脂封止方法は、MEMS素子製作に限らず、マイクロ流体デバイスなどの製作にも適用可能であり、年々期待が高まっている。
また、本発明に係る他の薄膜形成装置は、他方の薄膜形成方法を行う薄膜形成装置であって、樹脂膜の加熱を行う処理室と、この処理室の内部で平板と基板との間に荷重を加える荷重手段とを備えるようにしたものである。
Claims (9)
- シートフィルムの上に樹脂膜が形成された状態とする第1工程と、
キャビティ部が形成された基板の前記キャビティ部が形成されているキャビティ部形成面の上に前記シートフィルムの前記樹脂膜が被着された状態とする第2工程と、
前記キャビティ部形成面に被着された前記樹脂膜より前記シートフィルムが剥離された状態とする第3工程と、
前記樹脂膜が加熱されるとともに、前記樹脂膜の表面に前記基板の側への圧力が加えられた状態とする第4工程と
を少なくとも備え、
前記第4工程の加熱により前記樹脂膜が硬化された状態とし、硬化した前記樹脂膜により前記キャビティ部が封止された状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項1記載の薄膜形成方法において、
前記第4工程では、
前記キャビティ部形成面に前記樹脂膜が被着された前記基板を、大気圧よりも高い圧力とされた容器内に配置することで、前記樹脂膜の表面に前記基板の側への圧力が加えられた状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項2記載の薄膜形成方法において、
前記第4工程では、
前記容器内の圧力が、前記加熱の絶対温度を前記第2工程における絶対温度で除した値に大気圧を乗じた処理圧力とされた状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項1記載の薄膜形成方法において、
前記第4工程では、
前記基板の前記キャビティ部形成面に被着された前記樹脂膜の上に、平板を載置することで、前記樹脂膜の表面に前記基板の側への圧力が加えられた状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項4記載の薄膜形成方法において、
前記平板と前記基板との間に荷重を加える
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項4又は5記載の薄膜形成方法において、
前記平板は多孔質体より構成されたものである
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項6記載の薄膜形成方法において、
前記平板は、多孔質体よりなる複数の多孔質層が積層されて構成されたものであり、
前記樹脂膜に接触する側の前記多孔質層ほど平均気孔径が小さくされている
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項2又は3に記載の薄膜形成方法を行う薄膜形成装置であって、
前記樹脂膜の加熱を行う処理室と、
この処理室の内部圧力を上昇させる圧力制御手段と
を少なくとも備えることを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項5記載の薄膜形成方法を行う薄膜形成装置であって、
前記樹脂膜の加熱を行う処理室と、
この処理室の内部で前記平板と前記基板との間に荷重を加える荷重手段と
を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
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