JP2007317696A - ガス処理装置、ガス処理方法、フッ化水素ガス供給装置、フッ化水素ガス供給方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 プロセスの再現性に優れるとともに、フッ化水素ガスを長期間安定して処理容器内に供給することが可能なガス処理装置を提供する。
【解決手段】 ＣＯＲ装置５は、ウエハＷを収容するチャンバー５０と、水素を送給する水素送給ライン５４ｂと、フッ素を送給するフッ素送給ライン５５ｂと、水素送給ライン５４ｂを流通する水素の流量を調整するマスフローコントローラ５４ｃと、フッ素送給ライン５５ｂを流通するフッ素の流量を調整するマスフローコントローラ５５ｃと、水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂが接続され、水素送給ライン５４ｂによって送給される水素とフッ素送給ライン５５ｂによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成する反応容器６２と、反応容器６２内で生成されたフッ化水素ガスをチャンバー５０に供給するフッ化水素供給ライン６１とを具備する。
【選択図】図２

Description

本発明は、被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理装置およびガス処理方法、処理容器内に配置された被処理体に所定の処理を施すためのフッ化水素ガスを供給するフッ化水素ガス供給装置およびフッ化水素ガス供給方法、ならびに前記のガス処理方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハを収容するチャンバー内に処理ガスを供給して、半導体ウエハまたはチャンバーの内壁にガス処理を施すといったことが一般的に行われており、半導体ウエハのベーパー（Ｖａｐｏｒ）洗浄や化学的酸化物除去（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ：ＣＯＲ）処理によるエッチング、チャンバー内のクリーニング等の種々のガス処理には、処理ガスとしてフッ化水素（ＨＦ）が用いられている。

チャンバー内へのＨＦガスの供給は通常、チャンバーに接続されたＨＦガスの送給ラインを介し、マスフローコントローラ等の流量調整機構によって流量調整しつつ行われる。ところが、ＨＦガスは、ＨＦ分子が会合（重合）した多量体（ＨＦ）_ｎ（ｎ＝１〜８）が混在して構成されており、ＨＦ分子の会合度は、圧力および温度に対して非常に敏感であるため、このような方法では、送給ラインを流通するＨＦガスの圧力または温度に僅かでも変動が生じると、ＨＦガス中の多量体成分の比率が送給ライン中で大きく変化してしまう。したがって、ＨＦガスの流量調整機構による設定流量と実流量とで誤差が生じやすく、プロセスの再現性の確保が難しい。

そこで、ＨＦガスの流量調整機構による設定流量と実流量との誤差を抑止するため、流量調整機構の流量調整弁（流量制御器）をあらかじめ加熱しておくことにより、送給ラインを流通するＨＦガスが流量調整弁を通過する際にＨＦガス中のＨＦ分子の会合を解離させ、一分子状態のＨＦ分子で構成されたＨＦガスをチャンバー内に供給するといった試みもなされている（例えば特許文献１参照）。

しかしながら、ＨＦはほとんどの無機酸化物と反応して無機酸化物を腐食させる性質を有しているため、流量調整弁を加熱する上記した従来の技術では、流量調整弁部分でＨＦの反応性が高められることにより、流量調整弁内部のＨＦガスとの接触部分が腐食してしまうおそれがある。一般的に、ＨＦガスの送給ラインは細く、流量調整弁内部のＨＦガスとの接触部分は小さいため、この部分にあらかじめ耐食性加工を施しておくことが難しい。したがって、このような技術では、ＨＦを長期間安定してチャンバー内に供給することが困難である。
特開２００４−２６４８８１号公報

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、プロセスの再現性に優れるとともに、フッ化水素ガスを長期間安定して被処理体に供給することが可能なガス処理装置、ガス処理方法、フッ化水素ガス供給装置、フッ化水素ガス供給方法、ならびに前記のガス処理方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体の提供を目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理装置であって、内部に被処理体が配置される処理容器と、水素を送給する水素送給ラインと、フッ素を送給するフッ素送給ラインと、前記水素送給ラインを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構と、前記フッ素送給ラインを流通するフッ素の流量を制御するフッ素流量制御機構とを具備し、前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成し、生成されたフッ化水素ガスにより前記処理容器内の被処理体を処理することを特徴とするガス処理装置を提供する。

本発明の第１の観点において、前記水素送給ラインおよび前記フッ素送給ラインはそれぞれ前記処理容器に接続されており、前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを前記処理容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成することができる。

本発明の第２の観点では、被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理装置であって、内部に被処理体が配置される処理容器と、水素を送給する水素送給ラインと、フッ素を送給するフッ素送給ラインと、前記水素送給ラインを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構と、前記フッ素送給ラインを流通するフッ素の流量を制御するフッ素流量制御機構と、前記水素送給ラインおよび前記フッ素送給ラインが接続され、前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成する反応容器と、前記反応容器内で生成されたフッ化水素ガスを前記処理容器内に供給するフッ化水素供給ラインとを具備することを特徴とするガス処理装置を提供する。

本発明の第２の観点において、前記反応容器内の温度を制御して水素とフッ素との反応を調整する温度制御機構をさらに具備することが好ましく、前記反応容器内に光を照射して水素とフッ素との反応を調整する光照射機構をさらに具備することが好まく、前記反応容器内には、水素とフッ素との反応を調整する触媒部が設けられていることが好ましい。

また、以上の本発明の第１、２の観点において、前記フッ素送給ラインを流通するフッ素を冷却する冷却機構をさらに具備することが好ましい。この場合に、前記冷却機構は、フッ素の冷却温度を−２２３℃以上とすることが好ましく、前記冷却機構は、フッ素の冷却温度を−１８８℃以上とすることがなお好ましい。

さらに、以上の本発明の第１、２の観点において、前記フッ素送給ラインは、希釈ガスとの混合によって希釈されたフッ素を送給することが好ましい。

また、以上の本発明の第１、２の観点において、前記水素流量制御機構および前記フッ素流量制御機構はそれぞれ、マスフローコントローラを有して構成することができる。

本発明の第３の観点では、被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理方法であって、被処理体を処理容器内に配置し、水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスによって前記処理容器内の被処理体を処理することを特徴とするガス処理方法を提供する。

水素およびフッ素を前記処理容器内に別個に送給して前記処理容器内で反応させることができる。

本発明の第４の観点では、被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理方法であって、被処理体を処理容器内に配置し、水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスを前記処理容器内に供給して前記処理容器内の被処理体を処理することを特徴とするガス処理方法を提供する。

本発明の第５の観点では、処理容器内に配置された被処理体に所定の処理を施すためのフッ化水素ガスを供給するフッ化水素ガス供給装置であって、水素を送給する水素送給ラインと、フッ素を送給するフッ素送給ラインと、前記水素送給ラインを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構と、前記フッ素送給ラインを流通するフッ素の流量を制御するフッ素流量制御機構と、前記水素送給ラインおよび前記フッ素送給ラインが接続され、前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成する反応容器と、前記反応容器内で生成されたフッ化水素ガスを処理容器内に供給するフッ化水素供給ラインとを具備することを特徴とするフッ化水素ガス供給装置を提供する。

本発明の第６の観点では、処理容器内に配置された被処理体に所定の処理を施すためのフッ化水素ガスを供給するフッ化水素ガス供給方法であって、水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスを処理容器内の被処理体に供給することを特徴とするフッ化水素ガス供給方法を提供する。

本発明の第７の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に上記ガス処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。

本発明の第１、３の観点によれば、反応性が極めて高く、かつ多量体化することのない水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスによって処理容器内に配置した被処理体を処理するため、水素およびフッ素の送給時の流量調整機構による設定流量と実流量との誤差がほとんど生じず、すなわち、水素およびフッ素の流量から算出されるフッ化水素の設定生成量と実際の生成量との誤差もほとんど生じない。したがって、プロセスの再現性を十分に確保することができるとともに、流量調整機構や送給ライン等を加熱する必要がないため、流量調整機構や送給ライン等の腐食を回避して被処理体にフッ化水素ガスを長期間安定して供給することが可能となる。

本発明の第２、４、５、６の観点によれば、反応性が極めて高く、かつ多量体化することのない水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスを前記処理容器内に供給して前記処理容器内に配置した被処理体を処理するため、水素およびフッ素の送給時の流量調整機構による設定流量と実流量との誤差がほとんど生じず、すなわち、水素およびフッ素の流量から算出されるフッ化水素の設定生成量と実際の生成量との誤差もほとんど生じない。しかも、処理容器の前段の反応容器内で生成されたフッ化水素ガスを処理容器内に供給するため、他の処理ガスを並行して処理容器内に供給する場合であっても、フッ化水素ガスを処理容器内の被処理体に均一に供給することができる。さらに、フッ化水素ガスが生成される場所、すなわち反応容器が、被処理体のガス処理を行う場所、すなわち処理容器と別に設けられているため、例えば、反応容器内と処理容器内とを異なる温度に設定したり、フッ化水素ガスの生成を調整するための反応容器内への触媒配置や反応容器内での光照射等を行ったりして、フッ化水素ガスの生成に最適な環境条件と被処理体のガス処理に最適な環境条件とを、互いに影響を及ぼすことなく別々に創出することができる。したがって、プロセスの再現性を著しく高めることが可能となるとともに、流量調整機構や送給ライン等を加熱する必要がないため、流量調整機構や送給ライン等の腐食を回避して被処理体にフッ化水素ガスを長期間安定して供給することが可能となる。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図１は本発明に係るガス処理装置の一実施形態であるＣＯＲ装置を備えたウエハ処理システムの概略図である。

ウエハ処理システム１は、例えば円盤形状をなす半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と記す）Ｗを搬入出するための搬入出部２と、搬入出部２に隣接して設けられた２つのロードロック室３と、各ロードロック室３にそれぞれ隣接して設けられた、ウエハＷにＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うＰＨＴ装置４と、各ＰＨＴ装置４にそれぞれ隣接して設けられた、ウエハＷにＣＯＲ処理を行うＣＯＲ装置５とを備えている。ロードロック室３、ＰＨＴ装置４およびＣＯＲ装置５は直線上に配列されている。

搬入出部２は、ウエハＷを搬送する第１のウエハ搬送機構２１が内部に設けられた搬送室２２を備え、第１のウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを略水平に保持し、前後動、水平回転および昇降可能に設けられた２つの搬送アーム２３ａ，２３ｂを有している。搬送室２２の側部には載置台２４が設けられ、この載置台２４には、複数枚のウエハＷを収容可能なキャリアＣが例えば３つ配置されている。また、搬送室２２の側部には、ウエハＷの位置合わせを行うオリエンタ２５が設置されている。搬入出部２においては、第１のウエハ搬送機構２１が、搬送アーム２３ａ，２３ｂによって載置台２４上のキャリアＣ、オリエンタ２５およびロードロック室３の間でウエハＷを搬入出するように構成されている。

各ロードロック室３は、ゲートバルブ１１を介して搬送室２２と接続され、ウエハＷを収容可能であるとともに、所定の圧力に減圧可能に構成されている。各ロードロック室３内には、ウエハＷを搬送する第２のウエハ搬送機構３１が設けられ、このウエハ搬送機構３１は、ウエハＷを略水平に保持し、前後動、水平回転および昇降可能に設けられた搬送アーム３２を有している。各ロードロック室３においては、第２のウエハ搬送機構３１が、搬送アーム３２により、ウエハＷをＰＨＴ装置４との間で搬入出し、さらにＣＯＲ装置５との間で搬入出するように構成されている。

ＰＨＴ装置４は、ゲートバルブ１２を介してロードロック室３と接続された、ウエハＷを収容可能な処理室４０を備え、この処理室４０内でウエハＷにＰＨＴを行うように構成されている。また、ＣＯＲ装置５は、ゲートバルブ１３を介して処理室４０と接続された、ウエハＷを収容可能なチャンバー５０を備え、このチャンバー５０内でウエハＷにＣＯＲ処理を施すように構成されている。なお、ＣＯＲ装置５については後に詳細に説明する。

ウエハ処理システム１の各構成部は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ１４に接続されて制御される。プロセスコントローラ１４には、工程管理者がウエハ処理システム１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、ウエハ処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインタフェース１５と、ウエハ処理システム１で実行される各種処理をプロセスコントローラ１４の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部１６とが接続されている。そして、必要に応じて、ユーザーインタフェース１５からの指示等にて任意のレシピを記憶部１６から呼び出してプロセスコントローラ１４に実行させることで、プロセスコントローラ１４の制御下で、ウエハ処理システム１での所望の処理が行われる。前記レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリ等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。

このような構成のウエハ処理システム１においては、まず、複数枚のウエハＷが収納されたキャリアＣを載置台２４上に載置し、第１のウエハ搬送機構２１が、キャリアＣから一枚のウエハＷを取り出し、ロードロック室３内に搬入する。ロードロック室３にウエハＷが搬入されると、ゲートバルブ１１，１２によってロードロック室３内が密閉されて減圧される。ロードロック室３内が所定の圧力まで減圧されると、ゲートバルブ１２、１３によってロードロック室３内、所定の圧力まで減圧されたＰＨＴ装置４の処理室４０内およびＣＯＲ装置５のチャンバー５０内が互いに連通し、第２のウエハ搬送機構３１が、ウエハＷを、処理室４０内を介してチャンバー５０内に搬入する。

チャンバー５０内にウエハＷが搬入されると、ゲートバルブ１３によってチャンバー５０内が閉塞され、ウエハＷにＣＯＲ処理が施される。これにより、ウエハＷの表面に形成されていた自然酸化膜が反応生成物に変質する。なお、ＣＯＲ装置５でのＣＯＲ処理については後に詳細に説明する。ＣＯＲ処理が終了すると、ゲートバルブ１２、１３によってロードロック室３内、処理室４０内およびチャンバー５０内が互いに連通し、第２のウエハ搬送機構３１が、ウエハＷを処理室４０内に搬入する。

処理室４０内にウエハＷが搬入されると、ゲートバルブ１２，１３によって処理室４０内が閉塞され、ウエハＷのＰＨＴが行われる。これにより、ウエハＷの表面の反応生成物が気化または昇華する。ＰＨＴが終了すると、ゲートバルブ１２によってロードロック室３内と処理室４０内とが互いに連通し、第２のウエハ搬送機構３１が、ウエハＷを処理室４０内から搬出してロードロック室３内に搬入する。そして、ロードロック室３内が密閉された後、ロードロック室３内と搬送室２２内とが連通し、第１のウエハ搬送機構２１が、ウエハＷを載置台２４の上のキャリアＣに戻すこととなる。

次に、ＣＯＲ装置５について詳細に説明する。
図２はＣＯＲ装置５の概略図であり、図３はＣＯＲ装置５を構成するＣＯＲチャンバーの概略図であり、図４はＣＯＲ装置５を構成する反応部の概略断面図である。

ＣＯＲ装置５は、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスを処理ガスとしてウエハＷに接触させて、エッチング後にウエハＷの表面に形成された自然酸化膜と処理ガスの分子とを化学反応させ、反応生成物を生じさせるものである。具体的に、処理ガス中のＨＦガスとＮＨ_３ガスをウエハＷ表面の自然酸化膜（ＳｉＯ_２）に作用させることにより、反応生成物としてフルオロケイ酸アンモニウム［（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６］を生成させる。ＣＯＲ装置５は、前述のチャンバー５０（処理容器）と、チャンバー５０内でウエハＷを略水平に載置する載置台５１と、チャンバー５０内に処理ガスを供給するガス供給機構５２と、チャンバー５０内を排気する排気ガス処理機構５３とを備えている。

チャンバー５０は、上部が開口した筒状のチャンバー本体５０ａと、チャンバー本体５０ａの上部開口を閉塞する蓋体５０ｂとを有している。蓋体５０ｂは、図示しないシール部材を介してチャンバー本体５０ａ上に装着されており、これによりチャンバー５０内の気密性が確保されている。

チャンバー本体５０ａの側壁部には、図３に示すように、ゲートバルブ１３によって開閉する、ウエハＷをチャンバー５０内に対して搬入出させるための搬入出口５０ｃが設けられている。

蓋体５０ｂは、図３に示すように、蓋体本体５０ｄと、この蓋体本体５０ｄに取り付けられた、ガス供給機構５２による処理ガスをチャンバー５０内に吐出するシャワーヘッド５０ｅとを有している。シャワーヘッド５０ｅは、内部に扁平な空間５０ｇを有する略板状に形成され、蓋体本体５０ｄの下部に取り付けられて蓋体５０ｂの内面（下面）を構成している。シャワーヘッド５０ｅは、処理ガスを吐出するための吐出口５０ｆを下面に複数または多数有し、ガス供給機構５２からの処理ガスを、空間５０ｇ内で拡散させ、吐出口５０ｆによって上方からチャンバー５０内またはチャンバー本体５０ａ内に吐出するように構成されている。

載置台５１は、図３に示すように、チャンバー本体５０ａの底部に固定されており、載置台５１の内部には、載置台５１の温度を調整する載置台温調器５１ａが設けられている。載置台温調器５１ａは、例えば、水等の温調流体を循環させる流路（図示せず）を有し、かかる流路を流れる温調流体と熱交換が行なわれることにより、載置台５１の温度調整、すなわち載置台５１上のウエハＷの温度調整が行われるように構成されている。

ガス供給機構５２は、図２に示すように、シャワーヘッド５０ｅを介してチャンバー５０内に、フッ化水素（ＨＦ）ガスを供給するフッ化水素ガス供給機構５９（フッ化水素ガス供給装置）、アンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給するアンモニアガス供給機構５６、ならびに不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを供給するアルゴンガス供給機構５７および窒素（Ｎ_２）ガスを供給する窒素ガス供給機構５８を備えている。

アンモニアガス供給機構５６は、アンモニアガス供給源５６ａと、アンモニアガス供給源５６ａからのアンモニアガスをシャワーヘッド５０ｅの空間５０ｇ内に導く供給路５６ｂと、供給路５６ｂを流通するアンモニアガスの流量を調整するマスフローコントローラ５６ｃおよびバルブ５６ｄと、供給路５６ｂに分岐して設けられた、アンモニアガス供給源５６ａからのアンモニアガスをフッ化水素ガス供給機構５９の後述する反応容器６２内に導く分岐供給路５６ｅと、分岐供給路５６ｅを流通するアンモニアガスの流量を調整するマスフローコントローラ５６ｆおよびバルブ５６ｇとを有している。アルゴンガス供給機構５７は、アルゴンガス供給源５７ａと、アルゴンガス供給源５７ａからのアルゴンガスをシャワーヘッド５０ｅの空間５０ｇ内に導く供給路５７ｂと、供給路５７ｂを流通するアルゴンガスの流量を調整するマスフローコントローラ５７ｃおよびバルブ５７ｄと、供給路５７ｂに分岐して設けられた、アルゴンガス供給源５７ａからのアルゴンガスをフッ化水素ガス供給機構５９の後述する反応容器６２内に導く分岐供給路５７ｅと、分岐供給路５７ｅを流通するアルゴンガスの流量を調整するマスフローコントローラ５７ｆおよびバルブ５７ｇとを有している。窒素ガス供給機構５８は、窒素ガス供給源５８ａと、窒素ガス供給源５８ａからの窒素ガスをシャワーヘッド５０ｅの空間５０ｇ内に導く供給路５８ｂと、供給路５８ｂを流通する窒素ガスの流量を調整するマスフローコントローラ５８ｃおよびバルブ５８ｄと、供給路５８ｂに分岐して設けられた、窒素ガス供給源５８ａからの窒素ガスをフッ化水素ガス供給機構５９の後述する反応容器６２内に導く分岐供給路５８ｅと、分岐供給路５８ｅを流通する窒素ガスの流量を調整するマスフローコントローラ５８ｆおよびバルブ５８ｇとを有している。

フッ化水素ガス供給機構５９は、一端部がチャンバー５０に接続されたフッ化水素供給ライン６１と、フッ化水素供給ライン６１の他端部が接続された反応部６０と、反応部６０に水素（Ｈ_２）ガスを供給する水素供給機構５４と、反応部６０にフッ素（Ｆ_２）ガス（またはフッ素あるいは液体フッ素）を供給するフッ素供給機構５５とを備えており、水素供給機構５４からの水素ガスとフッ素供給機構５５からのフッ素ガスとを反応部６０で反応させることによりフッ化水素ガスを生成し、生成されたフッ化水素ガスを、フッ化水素供給ライン６１によってチャンバー５０内に供給するように構成されている。

反応部６０は、図４に示すように、フッ化水素供給ライン６１を介してチャンバー５０内またはシャワーヘッド５０ｅ内の空間５０ｇと連通するように設けられた反応容器６２と、反応容器６２の温度を調整する温度調整機構６３と、反応容器６２内を照らす光照射機構としてのライト６４と、反応容器６２を収容するケーシング６５とを備え、水素供給機構５４からの水素ガスおよびフッ素供給機構５５からのフッ素ガスがそれぞれ、反応容器６２内に送られ、反応容器６２内でフッ化水素ガスが生成されるように構成されている。温度調整機構６３は、例えば、反応容器６２を加熱するヒーター６３ａや反応容器６２を冷却するファン６３ｂ等で構成される。反応容器６２は、例えばアルミニウム材料によって形成されている。反応容器６２の内壁には、フッ素ガスまたはフッ化水素ガスとの反応によって腐食しないように、表面酸化処理または表面窒化処理を施しておくことが好ましい。あるいは、反応容器６２は、少なくとも内壁がポリエチレン材料によって形成されていてもよく、内壁にテフロン（登録商標）コーティングが施されていてもよい。また、温度調整機構６３による反応容器６２の温度が５００℃以下であれば、反応容器６２は、少なくとも内壁が金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）で形成されていてもよい。反応容器６２は、水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂによって供給された水素ガスおよびフッ素ガスの反応が急激に進行しないように、あるいは適度に進行するように、コーディエライト、アルミナ、アルミナシリカ、ムライト、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、ゼオライト、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、白金、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、ランタン（Ｌａ）等の触媒作用を有する物質から選択された少なくとも一種類の物質を含む材料で形成された触媒（正触媒または負触媒）部としての触媒層６６が内壁の一部に設けられている。

水素供給機構５４は、水素ガス供給源５４ａと、水素ガス供給源５４ａからの水素ガスを反応容器６２内に導く、すなわち反応容器６２内に送給または供給する水素送給ライン５４ｂと、水素送給ライン５４ｂを流通する水素ガスの流量を調整するマスフローコントローラ５４ｃおよびバブル５４ｄ（水素流量調整機構）とを有している。フッ素供給機構５５は、フッ素ガス供給源５５ａと、フッ素ガス供給源５５ａからのフッ素ガスを反応容器６２内に導く、すなわち反応容器６２内に送給または供給するフッ素送給ライン５５ｂと、フッ素送給ライン５５ｂを流通するフッ素ガスの流量を調整するマスフローコントローラ５５ｃおよびバルブ５５ｄ（フッ素流量調整機構）とを有している。

フッ素は、反応性が極めて高く、ヘリウム、ネオン、アルゴン以外のほとんどの単体元素を酸化させる性質を有するため、フッ素供給機構５５がフッ素ガスと反応して腐食しないように、フッ素供給機構５５には、フッ素ガスを冷却する冷却機構を設けておき、冷却機構によってフッ素供給機構５５でのフッ素ガスの反応性を低下させることが好ましい。例えば、フッ素送給ライン５５ｂに冷却機構を設ける場合には、冷却機構を、フッ素送給ライン５５ｂの外周に配置した、所定の温度に冷却された窒素ガス等の冷却流体が流通する冷媒流路５５ｅで構成することができる。また、ペルチェ素子等を用いて冷却機構を構成してもよい。冷却機構は、冷却温度が低いほどフッ素ガスの反応性を低下させることができるが、フッ素ガス供給源５５ａからのフッ素ガスがフッ素送給ライン５５ｂによってシャワーヘッド５０ｅの空間５０ｇ内に確実に導かれるように、フッ素ガスを、融点の−２２３℃以上の温度に冷却することが好ましく、シャワーヘッド５０ｅの空間５０ｇ内により確実に導かれるように、沸点の−１８８℃以上の温度に冷却することがなお好ましい。

排気ガス処理機構５３は、チャンバー５０と連通するように設けられた排気路５３ａと、排気路５３ａを介してチャンバー５０内を強制排気するドライポンプ（ＤＰ）５３ｂと、排気路５３ａを流通する排気ガス中に含まれる固形成分（析出物）を除去するためのトラップ装置（ＴＲ）５３ｃと、排気路５３ａを開閉する開閉弁５３ｄとを有している。排気路５３ａは、例えばチャンバー５０またはチャンバー本体５０ａの底部に接続されている。開閉弁５３ｄ、ドライポンプ（ＤＰ）５３ｂおよびトラップ装置（ＴＲ）５３ｃは、排気路５３ａに上流側から下流側に向かって順に設けられている。

ＣＯＲ装置５を構成するチャンバー５０、載置台５１等の各種部材は、アルミニウム（Ａｌ）材料によって形成される。チャンバー５０の内面（チャンバー本体５０ａの内面、シャワーヘッド５０ｅの下面、載置台５１など）は、フッ素ガスまたはフッ化水素ガスとの反応によって腐食しないように、表面酸化処理または表面窒化処理を施しておくことが好ましい。表面に酸化被膜（Ａｌ_２Ｏ_３）を形成する表面酸化処理または窒化被膜（ＡｌＮ）を形成する表面窒化処理を施しておくことにより、表面の硬度、耐食性および耐久性が向上し、腐食や衝撃等から保護することができる。

次に、ＣＯＲ装置５によるウエハＷへのＣＯＲ処理について詳細に説明する。
ウエハＷが、第２のウエハ搬送機構３１（図１参照）により、ロードロック室３内から搬出され、搬入出口５０ｃからチャンバー５０内に搬入されて載置台５１上に載置されると、ゲートバルブ１３によって搬入出口５０ｃが閉塞され、チャンバー５０内が密閉される。そして、アンモニアガス供給機構５６、アルゴンガス供給機構５７および窒素ガス供給機構５８によってそれぞれ、シャワーヘッド５０ｅを介してチャンバー５０内またはチャンバー本体５０ａ内にアンモニアガス、アルゴンガスおよび窒素ガスが供給される。アンモニアガス供給機構５６、アルゴンガス供給機構５７および窒素ガス供給機構５８ではそれぞれ、アンモニアガス供給源５６ａ、アルゴンガス供給源５７ａおよび窒素ガス供給源５８ａからのアンモニアガス、アルゴンガスおよび窒素ガスが、供給路５６ｂ、５７ｂ、５８ｂを流通してマスフローコントローラ５６ｃ、５７ｃ、５８ｃおよびバルブ５６ｄ、５７ｄ、５８ｄによって所定の流量に調整されつつ供給される。この際に、載置台温調器５１ａによって載置台５１上のウエハＷが所定の温度、例えば約２５℃程度に調整される。

その後、水素供給機構５４およびフッ素供給機構５５によってそれぞれ、反応部６０の反応容器６２内に水素ガスおよびフッ素ガスが供給される。水素供給機構５４およびフッ素供給機構５５ではそれぞれ、水素ガス供給源５４ａおよびフッ素ガス供給源５５ａからの水素ガスおよびフッ素ガスが、水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂを流通してマスフローコントローラ５４ｃ、５５ｃおよびバルブ５４ｄ、５５ｄによって所定の流量に調整されつつ送給または供給される。マスフローコントローラ５４ｃ、バルブ５４ｄおよびプロセスコントローラ１４は、水素送給ライン５４ｂを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構を構成し、マスフローコントローラ５５ｃ、バルブ５５ｄおよびプロセスコントローラ１４は、フッ素送給ライン５５ｂを流通するフッ素ガスの流量を制御するフッ素流量制御機構を構成する。

水素供給機構５４およびフッ素供給機構５５による水素ガスおよびフッ素ガスの供給の際には、フッ素供給機構５５のフッ素ガス、例えばフッ素送給ライン５５ｂを流通するフッ素ガスは、冷却機構、例えば冷媒流路５５ｅを流通する冷却流体によって所定の温度に冷却される。これにより、フッ素供給機構５５でのフッ素ガスの反応性が低下し、フッ素ガスによるフッ素供給機構５５の腐食が防止される。

水素供給機構５４およびフッ素供給機構５５によって供給された水素ガスおよびフッ素ガスが、反応容器６２内で合流して反応することによりフッ化水素ガスが生成される。この際に、水素ガスおよびフッ素ガスの反応が急激に進行しないように、あるいは適度に進行するように、温度調整機構６３によって反応容器６２が所定の温度、例えば８５０度程度に調整され、さらに／または、ライト６４によって反応容器６２内が照らされる。ライト６４によって反応容器６２内を照らすことにより、反応に必要なエネルギーが熱以外のエネルギー形態として与えられて反応が促進される。また、この際に、アンモニアガス供給機構５６の分岐供給路５６ｅを介して反応容器６２内にアンモニアガスを供給して、このアンモニアガスを水素ガスおよびフッ素ガスの反応を調整する触媒として作用させてもよい。

反応容器６２内で生成されたフッ化水素ガスは、フッ化水素供給ライン６１によってシャワーヘッド５０ｅ内の空間５０ｇに導かれ、シャワーヘッド５０ｅの吐出口５０ｆからチャンバー５０内またはチャンバー本体５０ａ内に吐出される。これにより、チャンバー５０内またはチャンバー本体５０ａ内は、アンモニアガスとフッ化水素ガスとを含む処理雰囲気に満たされ、ウエハＷへのＣＯＲ処理が開始される。これにより、自然酸化膜がフッ化水素ガスの分子およびアンモニアガスの分子と化学反応して反応生成物に変質する。ＣＯＲ処理中は、チャンバー５０内が大気圧より減圧された所定の圧力、例えば約１３．３Ｐａの真空状態に維持される。反応生成物としては、フルオロケイ酸アンモニウムや水分等が生成される。なお、水素ガスおよびフッ素ガスの反応容器６２内への供給の際に、アルゴンガス供給機構５７の分岐供給路５７ｅおよび窒素ガス供給機構５８の分岐供給路５８ｅを介して反応容器６２内にアルゴンガスおよび窒素ガスを供給し、このアルゴンガスおよび窒素ガスを希釈ガスとして反応容器６２内で生成されたフッ化水素ガスを希釈すれば、フッ化水素供給ライン６１の腐食を効果的に抑止することができる。また、この場合には、未反応の水素およびフッ素がチャンバー５０内に供給されることが防止されるように、水素とフッ素との供給を同一の流量で行うことが好ましい。あるいは、フッ化水素供給ライン６１を腐食しにくい材料で形成した場合には、フッ化水素供給ライン６１を流通する処理ガスを加熱するように構成してもよい。

本実施形態では、水素およびフッ素がそれぞれ、フッ化水素のように多量体化することのない点、ならびに水素およびフッ素の反応性が極めて高い点に着目し、水素ガスおよびフッ素ガスをそれぞれ、マスフローコントローラ５４ｃ、５５ｃによって流量調整しつつ水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂを介して反応容器６２内に供給し、反応容器６２内で水素ガスとフッ素ガスとを反応させて生成されたフッ化水素ガスをチャンバー５０内に供給するように構成したため、フッ化水素ガスをチャンバー５０内に所望の量供給することが可能となる。

多量体からなるフッ化水素ガスをマスフローコントローラ等の流量調整機構によって流量調整しつつ送給ラインを介して処理容器内に供給する従来の技術では、送給ラインを流通するフッ化水素ガスの圧力または温度に僅かでも変動が生じると、フッ化水素ガス中の多量体成分の比率が送給ライン中で大きく変化してしまうため、フッ化水素ガスの流量調整機構による設定流量と実流量とで誤差が生じてしまうという問題があった。しかしながら、本実施形態では、フッ化水素ガスの原料となる、多量体化することのない水素およびフッ素を個別に流量調整しつつ供給するため、水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂをそれぞれ流通する水素ガスおよびフッ素ガスの圧力または温度に変動が生じても、水素送給ライン５４ｂおよびフッ素送給ライン５５ｂ中の水素ガスおよびフッ素ガスのマスフローコントローラ５４ｃ、５５ｃによる設定流量と実流量との誤差はほとんど生じず、水素ガスおよびフッ素ガスをそれぞれ、ほぼ設定流量通り反応容器６２内に供給することができる。しかも、水素およびフッ素の反応性が極めて高いことにより、水素ガスおよびフッ素ガスは、反応容器６２内でほぼ１００％反応してフッ化水素ガスとなるため、マスフローコントローラ５４ｃによる水素ガスの流量とマスフローコントローラ５５ｃによるフッ素ガスの流量とから算出されるチャンバー５０内へのフッ化水素ガスの設定供給量と実際の供給量との誤差もほとんど生じない。したがって、本実施形態は、フッ化水素ガスを流量調整しつつ処理容器内に供給する従来の技術と比較して、プロセスの再現性を大幅に向上させることが可能となる。

また、本実施形態では、多量体化することのない水素ガスおよびフッ素ガスを個別に流量調整しつつ供給することにより、フッ化水素ガスを流量調整しつつ処理容器内に供給する従来の技術のように、送給ラインまたは流量調整機構を加熱する必要がないため、フッ素送給ライン５５ｂやバルブ５５ｄ等のフッ素供給機構５５でフッ素ガスの反応性を高められてしまうといったことが回避され、フッ素ガスによるフッ素供給機構５５の腐食を抑止することができる。特に、冷却機構、例えば冷媒流路５５ｅによってフッ素供給機構５５、例えばフッ素送給ライン５５ｂを冷却することにより、フッ素供給機構５５の腐食を確実に防止することが可能となる。

さらに、本実施形態では、チャンバー５０の前段の反応容器６２内で生成されたフッ化水素ガスをチャンバー５０内に供給するため、フッ化水素ガスとともにアンモニアガスを並行してチャンバー５０内に供給しても、フッ化水素ガスをチャンバー５０内のウエハＷに均一に供給することができる。その上、反応容器６２内の温度等の条件とチャンバー５０内の温度等の条件とを、互いに影響を及ぼすことなく別々に設定することができる。このため、反応容器６２内にフッ素および水素の反応をより精緻に調整するための触媒層およびライト６４を設けても、チャンバー５０内でのＣＯＲ処理には直接影響せず、反応容器６２内ではフッ化水素ガスの生成に最適な環境条件を創出することができる一方で、チャンバー５０内ではＣＯＲ処理に最適な環境条件を創出することができる。したがって、本実施形態は、プロセスの再現性を著しく向上させることが可能となる。

なお、水素供給機構５４およびフッ素供給機構５５による水素ガスおよびフッ素ガスの供給前に、チャンバー５０内を減圧して所定の圧力に保持しておくと、処理雰囲気の圧力が安定しやすく、処理雰囲気中のフッ化水素ガスやアンモニアガスの濃度の均一性を高めることができ、ウエハＷの処理ムラの発生を防止できる。また、フッ化水素ガスは、液化しやすく、チャンバー５０の内面等に付着しやすいが、ＣＯＲ処理の直前にフッ化水素ガスをチャンバー５０内に供給することにより、付着を抑制することができる。

ＣＯＲ処理が終了すると、排気ガス処理機構５３によってチャンバー５０内が強制排気される。これにより、フッ化水素ガスやアンモニアガスがチャンバー５０外に強制的に排出される。この際に、フッ化水素とアンモニアとの反応により反応生成物（副生成物）としてフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）も生成し、排気ガスとともにチャンバー５０内から排出される。フッ化アンモニウムは、排気ガスとともにドライポンプ５３ｂにより排気路５３ａを流通してトラップ装置５３ｃまで運ばれ、トラップ装置５３ｃで析出して捕集される。強制排気が終了すると、ゲートバルブ１３によって搬入出口５０ｃが開放され、ウエハＷは、第２のウエハ搬送機構３１（図１参照）により、チャンバー５０内から搬出され、ＰＨＴ装置４の処理室４０内に搬入されることとなる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。上記実施の形態では、ＣＯＲ処理に適用したため、フッ素ガスおよび水素ガス以外の他の処理ガス（アンモニアガス、アルゴンガスおよび窒素ガス）の供給機構（アンモニアガス供給機構、アルゴンガス供給機構および窒素ガス供給機構）を設けたが、本発明は、フッ素ガスおよび水素ガスを反応させて生成したフッ化水素ガスによって被処理体に所定の処理を施すことを主眼とするものであり、他の処理ガスの供給および供給機構は必須ではない。フッ素ガスおよび水素ガスと反応する他の処理ガスが処理容器内に供給されない場合には、水素送給ラインおよびフッ素送給ラインを直接処理容器に接続しておき、水素送給ラインからの水素を水素流量制御機構によって所定の流量に制御しつつ処理容器内に供給するとともに、フッ素送給ラインからのフッ素をフッ素流量制御機構によって所定の流量に制御しつつ処理容器内に供給し、処理容器内で水素とフッ素とを反応させることにより生成されたフッ化水素ガスによって被処理体に所定の処理を施すように構成してもよい。

この場合には、処理容器の内壁をポリエチレン材料によって形成してもよく、処理容器の内壁にテフロン（登録商標）コーティングを施しておいてもよく、あるいは、温度調整機構６３による反応容器６２の温度が５００℃以下であれば、処理容器の内壁を金または白金で形成してもよく、フッ素との反応によって生成される四フッ化ケイ素（ＳｉＦ_４）がプロセスおよび装置に悪影響を与えないガス処理であれば、処理容器の内壁を二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）によって形成してもよい。また、水素およびフッ素の反応が急激に進行しないように、あるいは適度に進行するように、処理容器内の温度を調整する温調機構を設けておいてもよく、処理容器内壁面に、前述した反応容器内に設けたものと同様の触媒（正触媒または負触媒）層を設けておいてもよく、処理容器内を照らす光照射機構を設けてもよい。

また、水素流量調整機構およびフッ素流量調整機構はそれぞれ、マスフローコントローラ等の熱式流量調整機構に限らず、圧力式流量調整機構で構成してもよい。さらに、フッ素ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）やネオン（Ｎｅ）等の他の希釈ガスまたは不活性ガスとの混合によって希釈した状態でフッ素送給ラインにより処理容器内または反応容器内に供給してもよい。これにより、フッ素送給ラインやフッ素流量調整機構等のフッ素供給機構の腐食をより効果的に抑止することができる。

本発明によれば、ＣＯＲ処理に限らず、ウエハのベーパー洗浄やウエハを収容する処理容器の内壁（被処理体）のクリーニング等、フッ化水素ガスを含むガス処理に広く適用することができる。

本発明に係るガス処理装置の一実施形態であるＣＯＲ装置を備えたウエハ処理システムの概略平面図である。 ＣＯＲ装置の概略図である。 ＣＯＲ装置を構成するＣＯＲチャンバーの概略断面図である。 ＣＯＲ装置を構成する反応部の概略断面図である。

符号の説明

５：ＣＯＲ装置（ガス処理装置）
１４：プロセスコントローラ
５０：チャンバー（処理容器）
５４ｂ：水素送給ライン
５４ｃ：マスフローコントローラ（水素流量調整機構）
５４ｄ：バルブ（水素流量調整機構）
５５ｂ：フッ素送給ライン
５５ｃ：マスフローコントローラ（フッ素流量調整機構）
５５ｄ：バルブ（フッ素流量調整機構）
５５ｅ：冷媒流路（冷却機構）
５９：フッ化水素ガス供給機構（フッ化水素ガス供給装置）
６１：フッ化水素供給ライン
６２：反応容器
６３：温度調整機構
６４：ライト（光照射機構）
Ｗ：ウエハ（被処理体）

Claims (17)

1. 被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理装置であって、
   内部に被処理体が配置される処理容器と、
   水素を送給する水素送給ラインと、
   フッ素を送給するフッ素送給ラインと、
   前記水素送給ラインを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構と、
   前記フッ素送給ラインを流通するフッ素の流量を制御するフッ素流量制御機構と
   を具備し、
   前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成し、生成されたフッ化水素ガスにより前記処理容器内の被処理体を処理することを特徴とするガス処理装置。
2. 前記水素送給ラインおよび前記フッ素送給ラインはそれぞれ前記処理容器に接続されており、
   前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを前記処理容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成することを特徴とする請求項１に記載のガス処理装置。
3. 被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理装置であって、
   内部に被処理体が配置される処理容器と、
   水素を送給する水素送給ラインと、
   フッ素を送給するフッ素送給ラインと、
   前記水素送給ラインを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構と、
   前記フッ素送給ラインを流通するフッ素の流量を制御するフッ素流量制御機構と、
   前記水素送給ラインおよび前記フッ素送給ラインが接続され、前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成する反応容器と、
   前記反応容器内で生成されたフッ化水素ガスを前記処理容器内に供給するフッ化水素供給ラインと
   を具備することを特徴とするガス処理装置。
4. 前記反応容器内の温度を制御して水素とフッ素との反応を調整する温度制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項３に記載のガス処理装置。
5. 前記反応容器内に光を照射して水素とフッ素との反応を調整する光照射機構をさらに具備することを特徴とする請求項３または請求項４に記載のガス処理装置。
6. 前記反応容器内には、水素とフッ素との反応を調整する触媒部が設けられていることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載のガス処理装置。
7. 前記フッ素送給ラインを流通するフッ素を冷却する冷却機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のガス処理装置。
8. 前記冷却機構は、フッ素の冷却温度を−２２３℃以上とすることを特徴とする請求項７に記載のガス処理装置。
9. 前記冷却機構は、フッ素の冷却温度を−１８８℃以上とすることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のガス処理装置。
10. 前記フッ素送給ラインは、希釈ガスとの混合によって希釈されたフッ素を送給することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のガス処理装置。
11. 前記水素流量制御機構および前記フッ素流量制御機構はそれぞれ、マスフローコントローラを有することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のガス処理装置。
12. 被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理方法であって、
    被処理体を処理容器内に配置し、
    水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスによって前記処理容器内の被処理体を処理することを特徴とするガス処理方法。
13. 水素およびフッ素を前記処理容器内に別個に送給して前記処理容器内で反応させることを特徴とする請求項１１に記載のガス処理方法。
14. 被処理体にフッ化水素ガスを含むガスを供給してガス処理を施すガス処理方法であって、
    被処理体を処理容器内に配置し、
    水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスを前記処理容器内に供給して前記処理容器内の被処理体を処理することを特徴とするガス処理方法。
15. 処理容器内に配置された被処理体に所定の処理を施すためのフッ化水素ガスを供給するフッ化水素ガス供給装置であって、
    水素を送給する水素送給ラインと、
    フッ素を送給するフッ素送給ラインと、
    前記水素送給ラインを流通する水素の流量を制御する水素流量制御機構と、
    前記フッ素送給ラインを流通するフッ素の流量を制御するフッ素流量制御機構と、
    前記水素送給ラインおよび前記フッ素送給ラインが接続され、前記水素送給ラインによって送給される水素と前記フッ素送給ラインによって送給されるフッ素とを反応させてフッ化水素ガスを生成する反応容器と、
    前記反応容器内で生成されたフッ化水素ガスを処理容器内に供給するフッ化水素供給ラインと
    を具備することを特徴とするフッ化水素ガス供給装置。
16. 処理容器内に配置された被処理体に所定の処理を施すためのフッ化水素ガスを供給するフッ化水素ガス供給方法であって、
    水素およびフッ素をそれぞれ所定の流量に調整しつつ別個に送給し、これら水素およびフッ素を反応容器内で反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスを処理容器内の被処理体に供給することを特徴とするフッ化水素ガス供給方法。
17. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に請求項１２から請求項１４のいずれか１項に記載のガス処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。

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