JP2007313587A - Polishing method using abrasive cloth, humidification for abrasive cloth, heating container, polishing device using abrasive cloth, and abrasive cloth - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、研磨布を用いた研磨方法、研磨布の加湿・加温用容器、研磨布を用いた研磨装置、研磨布に関し、特に、研磨装置の定盤に貼着された上でシリコンウェーハ、ガラスなどの研磨対象を研磨する不織布タイプの研磨布に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polishing method using a polishing cloth, a container for humidifying and heating the polishing cloth, a polishing apparatus using the polishing cloth, and a polishing cloth, and in particular, a silicon wafer after being attached to a surface plate of the polishing apparatus. The present invention relates to a nonwoven fabric type polishing cloth for polishing an object to be polished such as glass.
ロデール社のSUBAシリーズで代表される不織布タイプの研磨布(研磨クロス、研磨パッドともいう)は、シリコンウェーハ、ガラスなどの研磨対象を研磨するために広く用いられている。以下、研磨対象がシリコンウェーハである場合を例にとり研磨装置の概要について説明する。 Non-woven fabric type polishing cloths (also referred to as polishing cloths or polishing pads) typified by Rodale's SUBA series are widely used for polishing objects such as silicon wafers and glass. Hereinafter, the outline of the polishing apparatus will be described by taking as an example the case where the polishing target is a silicon wafer.
図1(a)、(b)は、シリコンウェーハ1の両面を研磨する両面研磨装置10の側面図、斜視図をそれぞれ示している。
FIGS. 1A and 1B respectively show a side view and a perspective view of a double-
両面研磨装置100は、シリコンウェーハ1の裏面1a側、表面1b側にそれぞれ設けられ、表面に研磨布2がそれぞれ貼着された上定盤101、下定盤102とから構成されている。上定盤101は、上昇下降が自在で、かつ上昇位置で水平方向に移動自在に構成されている。研磨用キャリア10は、両面研磨装置100の下定盤102上に装填される部材である。研磨用キャリア10が装填されると、研磨用キャリア10の保持孔内にシリコンウェーハ1が挿入される。研磨用キャリア10の保持孔の孔径は、シリコンウェーハ1が保持孔内で移動運動可能に、シリコンウェーハ1の径よりも大きく設定されている。
The double-side polishing apparatus 100 includes an upper surface plate 101 and a
上定盤101、下定盤102は、インナーギヤ102aの中心軸を回転中心にして回転自在に構成されている。上定盤101、下定盤102は互いに反対方向に回転される。
The upper surface plate 101 and the
上定盤101には、冷却水路106が形成されており、同様に下定盤102には、冷却水路108が形成されている。上定盤101には、研磨布2の表面の孔に連通する研磨用スラリ通路107が形成されている。この研磨用スラリ通路107は、リンス液(純水)の通路を兼用している。上定盤101の上方に設けられた切換バルブを切換作動することにより、研磨用スラリ(スラリ液)、リンス液のいずれかが研磨用スラリ通路107内に供給される。
A cooling water channel 106 is formed in the upper surface plate 101, and similarly, a cooling water channel 108 is formed in the
下定盤102の外側には、研磨加工後の研磨布2の乾燥を防止するために、リンス液(純水のシャワー)を下定盤102の内側に向けて噴霧するリンス液噴射ノズル110が設けられている。
A rinsing
研磨用キャリア10は、円板状に形成されており、周方向に等間隔に、シリコンウェーハ1を収容する保持孔が、たとえば3つ形成されている。研磨用キャリア10の外周には、下定盤102の中心に形成されたインナーギヤ(サンギア)102aに噛み合うとともに、下定盤102の外周に沿って設けられたアウターギヤ(内歯車)105と噛み合う歯12(遊星ギア)が形成されている。研磨用キャリア10は、インナーギヤ102aを中心に下定盤102の周方向に沿って等間隔に、たとえば4つ配置されている。研磨用キャリア10は、下定盤102の研磨布104上に配置されている。インナーギヤ102a、アウターギヤ105は、インナーギヤ102aの中心軸を回転中心にして回転自在に構成されている
以上のように研磨装置100が構成されており、シリコンウェーハ1が研磨用キャリア10の保持孔内に収容され、上定盤101、下定盤102がシリコンウェーハ1側に移動されることによりシリコンウェーハ1の表面、裏面にそれぞれ研磨クロス2が押し付けられ、シリコンウェーハ1の表面と上定盤101の研磨クロス2との間、およびシリコンウェーハ1の裏面と下定盤102の研磨クロス2との間に研磨用のスラリが供給されつつ、研磨用キャリア10と、上定盤101、下定盤102とが相対的に逆回転される。これによりシリコンウェーハ1の表面と裏面がそれぞれ所定の研磨代だけ研磨されて鏡面状態にされる。
The
研磨加工中は、上定盤101、下定盤102の温度が上昇するため、上定盤101、下定盤102の温度の上昇を抑え温度を安定させるために冷却水路106、108に冷却水が流される。
During the polishing process, the temperature of the upper surface plate 101 and the
研磨加工の後半では、上記切換バルブを切換作動されて、研磨用スラリからリンス液に切り換えられて、リンス液が上定盤101の研磨用スラリ通路107を介してシリコンウェーハ1の表面と上定盤101の研磨クロス2との間、およびシリコンウェーハ1の裏面と下定盤102の研磨クロス2との間それぞれに供給される。
In the latter half of the polishing process, the switching valve is switched to switch from the polishing slurry to the rinse liquid, and the rinse liquid is fixed to the surface of the silicon wafer 1 via the polishing slurry passage 107 of the upper surface plate 101. It is supplied between the
研磨加工後には、上定盤101が上昇されて、リンス液噴射ノズル110から下定盤102の内側に向けてリンス液が噴霧され、シリコンウェーハ1上に残っている研磨用スラリが取り除かれる。
After the polishing process, the upper surface plate 101 is raised and the rinsing liquid is sprayed from the rinsing
研磨加工の時間、バッチ回数が増加するに伴い、研磨布2の摩耗が徐々に進行し、シリコンウェーハ1の平坦度が徐々に低下していく。このため研磨布2は、数十バッチの研磨加工に使用されると、定盤101、102から外され、未使用の新しい研磨布2が定盤101、102に貼着される。
As the polishing time and the number of batches increase, the wear of the
シリコンウェーハ1に要求される平坦度、つまり製品として出荷できる平坦度の基準レベルは、SFQR(μm)で0.09以下である。 The standard level of flatness required for the silicon wafer 1, that is, the flatness that can be shipped as a product, is 0.09 or less in SFQR (μm).
(特許文献にみられる従来技術)
下記特許文献1には、研磨加工中に、研磨用スラリが蒸発、乾燥し、これにより粉塵として飛散してシリコンウェーハにスクラッチ傷を生じせしめることを防止することを目的として、研磨加工中に、片面研磨装置の定盤上にミストを発生させ、定盤上の湿度を55%以上に制御するという発明が記載されている。
In the following Patent Document 1, during the polishing process, the polishing slurry evaporates and dries during the polishing process, thereby preventing the slurry from being scattered as dust and causing scratches on the silicon wafer. An invention is described in which mist is generated on a surface plate of a single-side polishing apparatus and the humidity on the surface plate is controlled to 55% or more.
研磨布メーカーから受け入れた未使用の研磨布2を、定盤101、102に貼着した直後は、シリコンウェーハ1を均一な安定した平坦度にすることができない。このため、平坦度が均一に安定するまで、所定のバッチ数をかけてダミーランニングを行う必要がある。
Immediately after the
しかも、研磨布メーカーから受け入れた未使用の研磨布2は、個々に品質のバラツキがあり、未使用の研磨布2を定盤101、102に貼着した直後に、すでにシリコンウェーハ1の平坦度が上記基準レベルに到達している品質のものもあれば、基準レベルに到達していない品質のものもある。このため、ダミーランニングは、個々の研磨布毎に、ダミーウェーハを消費して、ウェーハ平坦度の品質を確認しながら行う必要がある。なお、ダミーランニング中に消費したシリコンウェーハ(ダミーウェーハ)は、当然、製品として出荷することはできない。
In addition, the
図2は、研磨加工のバッチ数と、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)との関係を示すグラフである。図2の横軸は、研磨布2を定盤101、102に貼着してからのバッチ数であり、縦軸は、研磨布メーカーから受け入れた各研磨布2A、2B、2Cそれぞれを使用して研磨されたシリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)である。なお、1バッチは、30〜90分程度である。
FIG. 2 is a graph showing a relationship between the number of polishing batches and the flatness SFQR (μm) of the silicon wafer 1. The horizontal axis in FIG. 2 is the number of batches after the
図2に示すように、各研磨布2A、2B、2Cいずれの場合も、研磨布2を定盤101、102に貼着した時点、つまりバッチ数がゼロの時点から、バッチ数増加に伴い、平坦度SFQR(μm)が徐々に低下して、平坦度SFQR(μm)が安定していく。
As shown in FIG. 2, in each of the
上述したように、製品として許容されるシリコンウェーハ1の平坦度の基準レベルは、SFQR(μm)で0.09以下である。 As described above, the standard level of flatness of the silicon wafer 1 that is allowed as a product is 0.09 or less in terms of SFQR (μm).
図2からわかるように、研磨布2Aを用いた研磨されたシリコンウェーハ1のSFQR(μm)は、貼着直後ですでに基準レベル0.09(μm)近傍にあり、0〜数バッチ程度のダミーランニングを経て基準レベル0.09(μm)に到達する。
As can be seen from FIG. 2, the SFQR (μm) of the silicon wafer 1 polished using the
これに対して、研磨布2Bを用いた研磨されたシリコンウェーハ1のSFQR(μm)は、貼着直後で0.12程度であり基準レベル0.09(μm)に到達しておらず、研磨布2Aよりも多くのバッチ回数、より長時間のダミーランニングを経て基準レベル0.09(μm)に到達する。
On the other hand, the SFQR (μm) of the silicon wafer 1 polished using the
さらに、研磨布2Cを用いた研磨されたシリコンウェーハ1のSFQR(μm)は、貼着直後で0.15程度であり基準レベル0.09(μm)以下に到達しておらず、研磨布2A、2Bよりも多くのバッチ回数、より長時間のダミーランニングを経て基準レベル0.09(μm)に到達する。
Further, the SFQR (μm) of the silicon wafer 1 polished using the
このようにウェーハ平坦度を基準レベル以下に安定させるためには、平均して10バッチ程度の長時間のダミーランニングが必要である。しかも、研磨布2の品質は個々に異なるため、抜き取り検査が不可能であり、どの程度のダミーランニングを行えば本格稼働に移行できるかは、個々の研磨布毎にダミーウェーハで品質を確認しなければならない。
Thus, in order to stabilize the wafer flatness below the reference level, a long time dummy running of about 10 batches on average is required. Moreover, since the quality of the
しかし、このようにダミーランニングを長時間かけて行うことにすると、研磨装置の稼働率が低下し、ひいては、シリコンウェーハの生産効率が低下する。また、研磨布の抜き取り検査が不可能であるため、個々の研磨布毎にダミーウェーハで品質を確認することにすると、ダミーランニングに使用する素材の損失を招き、品質確認のためのコストが多大なものとなる。 However, if dummy running is performed over a long period of time in this way, the operating rate of the polishing apparatus decreases, and consequently the production efficiency of the silicon wafer decreases. In addition, since it is impossible to perform a sampling inspection of the polishing cloth, if the quality is checked with a dummy wafer for each polishing cloth, the material used for dummy running is lost, and the cost for checking the quality is great. It will be something.
本発明は、こうした実状に鑑みてなされたものであり、ダミーランニングを行うことなく研磨装置を本格稼働できるようにして、生産効率を向上させるとともに、素材の損失を無くして品質確認のためのコストを低減することを解決課題とするものである。 The present invention has been made in view of such a situation, and enables the polishing apparatus to operate in full operation without performing dummy running, thereby improving the production efficiency and eliminating the loss of materials and the cost for quality confirmation. It is a problem to be solved.
なお、特許文献1記載の発明は、粉塵によるシリコンウェーハのスクラッチ傷発生を防止することを解決課題として、研磨加工中に定盤上を加湿するという発明であり、ダミーランニングを行うことなく研磨装置を本格稼働できるようにすることを解決課題として、研磨加工前に研磨布を加湿、加温するという本発明とは、全く異なるものである。 The invention described in Patent Document 1 is an invention in which the surface of the surface plate is humidified during the polishing process with the object of preventing the generation of scratches on the silicon wafer due to dust, and a polishing apparatus without performing dummy running The present invention is completely different from the present invention in which the polishing cloth is humidified and heated before the polishing process, in order to enable full-scale operation.
第1発明は、
研磨装置に研磨布を貼着する前に、研磨布を加湿、加温して、研磨布の吸水性を高める加湿・加温工程と、
吸水性が高められた研磨布を研磨装置に貼着し、この研磨布を用いて研磨対象を研磨する研磨工程と
を含む研磨布を用いた研磨方法であることを特徴とする。
The first invention is
Before attaching the polishing cloth to the polishing device, humidifying and heating the polishing cloth to increase the water absorption of the polishing cloth,
A polishing method using a polishing cloth, comprising: attaching a polishing cloth having improved water absorption to a polishing apparatus; and polishing the object to be polished using the polishing cloth.
第2発明は、第1発明において、
加湿・加温工程は、
容器内に研磨布を収容するとともに容器内を加湿、加温された雰囲気にして、研磨布の吸水性を高める工程であること
を特徴とする。
The second invention is the first invention,
The humidification / heating process
It is a step of increasing the water absorption of the polishing cloth by storing the polishing cloth in the container and making the container a humidified and heated atmosphere.
第3発明は、
研磨装置の定盤に研磨布が貼着された状態で、研磨布を加湿、加温して、研磨布の吸水性を高める加湿・加温工程と、
吸水性が高められた研磨布を用いて、研磨対象を研磨する研磨工程と
を含む研磨布を用いた研磨方法であることを特徴とする。
The third invention is
In a state where the polishing cloth is attached to the surface plate of the polishing apparatus, humidifying and heating the polishing cloth to increase the water absorption of the polishing cloth,
A polishing method using a polishing cloth comprising a polishing step of polishing an object to be polished using a polishing cloth with improved water absorption.
第4発明は、第3発明において、
加湿・加温工程は、
研磨装置の定盤を加温するとともに、研磨布に向けて水を流すことで、研磨布の吸水性を高める工程であること
を特徴とする。
The fourth invention is the third invention,
The humidification / heating process
It is a process of increasing the water absorption of the polishing cloth by heating the surface plate of the polishing apparatus and flowing water toward the polishing cloth.
第5発明は、第3発明において、
加湿・加温工程は、
研磨布に向けて温水を流すことで、研磨布の吸水性を高める工程であること
を特徴とする。
A fifth invention is the third invention,
The humidification / heating process
It is a process that increases the water absorption of the polishing cloth by flowing warm water toward the polishing cloth.
第6発明は、第1発明〜第5発明において、
加湿・加温工程では、
研磨布を用いて研磨対象を研磨したときに、研磨対象の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、研磨布を加温、加湿すること
を特徴とする。
A sixth invention is the first invention to the fifth invention,
In the humidification / heating process,
When the polishing object is polished using the polishing cloth, the polishing cloth is heated and humidified until the flatness SFQR (μm) of the polishing object becomes 0.09 or less.
第7発明は、
容器内部に研磨布が収容されるとともに容器内部が加湿、加温された雰囲気にされて、研磨布の吸水性を高める処理が行われる研磨布の加湿・加温用容器であることを特徴とする。
The seventh invention
A polishing cloth is a container for humidifying and heating a polishing cloth in which a polishing cloth is contained in the container and the inside of the container is humidified and heated to perform a treatment for increasing the water absorption of the polishing cloth. To do.
第8発明は、第7発明において、
研磨布を用いて研磨対象を研磨したときに、研磨対象の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、容器内に研磨布が収容されることを特徴とする。
In an eighth aspect based on the seventh aspect,
When the polishing object is polished using the polishing cloth, the polishing cloth is accommodated in the container until the flatness SFQR (μm) of the polishing object becomes 0.09 or less.
第9発明は、
研磨装置に、
研磨布が貼着された定盤を加温する加温手段と、
研磨布に向けて水を流す流水手段と、
研磨装置で研磨布を用いて研磨対象を研磨する前に、予め加温手段と、流水手段を作動させて研磨布を加湿、加温して研磨布の吸水性を高める制御手段と
を備えた研磨布を用いた研磨装置であることを特徴とする。
The ninth invention
In the polishing equipment,
A heating means for heating the surface plate to which the polishing cloth is adhered;
Water flowing means for flowing water toward the polishing cloth;
Before polishing the object to be polished with the polishing cloth in the polishing apparatus, a heating means and a control means for increasing the water absorption of the polishing cloth by operating the flowing water means to humidify and heat the polishing cloth in advance. A polishing apparatus using a polishing cloth.
第10発明は、
研磨装置に、
研磨布に向けて温水を流す温水流水手段と、
研磨装置で研磨布を用いて研磨対象を研磨する前に、予め温水流水手段を作動させて研磨布を加湿、加温して研磨布の吸水性を高める制御手段と
を備えた研磨布を用いた研磨装置であることを特徴とする。
The tenth invention is
In the polishing equipment,
Hot water flowing means for flowing warm water toward the polishing cloth;
Before polishing the object to be polished with the polishing cloth in the polishing apparatus, use a polishing cloth equipped with a control means for operating the warm water flowing means in advance to humidify and heat the polishing cloth to increase the water absorption of the polishing cloth. It is characterized by being a polishing apparatus.
第11発明は、第9発明、第10発明において、
制御手段は、
研磨布を用いて研磨対象を研磨したときに、研磨対象の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、研磨布を加湿、加温すること
を特徴とする。
The eleventh invention is the ninth invention, the tenth invention,
The control means
When the polishing object is polished using the polishing cloth, the polishing cloth is humidified and heated until the flatness SFQR (μm) of the polishing object becomes 0.09 or less.
第12発明は、
研磨装置に貼着されて研磨対象を研磨するために用いられる研磨布であって、
加湿、加温され、吸水性が高められた状態にされている研磨布であることを特徴とする。
The twelfth invention
A polishing cloth that is affixed to a polishing apparatus and used to polish an object to be polished,
It is characterized by being a polishing cloth that has been humidified and heated to have improved water absorption.
第13発明は、第12発明において、
研磨対象を研磨したときに、研磨対象の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になることを特徴とする。
In a thirteenth aspect based on the twelfth aspect,
When the object to be polished is polished, the flatness SFQR (μm) of the object to be polished is 0.09 or less.
本発明者は、ある程度の時間、研磨加工に使用された研磨布(特に不織布タイプの研磨布)には、ある程度の量の研磨用スラリ(スラリ液)が含有された状態になっており、これがシリコンウェーハの平坦度を基準レベル以下で安定する原因になっているという知見に鑑みて、本発明をなし得た。 The present inventor has found that a certain amount of polishing slurry (slurry liquid) is contained in a polishing cloth (particularly a nonwoven fabric type polishing cloth) used for polishing for a certain period of time. In view of the knowledge that the flatness of the silicon wafer is stabilized below the reference level, the present invention has been achieved.
すなわち、研磨装置を稼働させて研磨加工を行う前に、研磨布を加湿、加温しておき、研磨布の吸水性を高めた状態にしておく。そうしておくと、その研磨布を研磨加工に使用した場合、即座に研磨用スラリが高い吸水性をもって研磨布に吸水され、上述したある程度の時間、研磨加工に使用した研磨布と同様に、ある程度の量の研磨用スラリが含有された状態になる。このため、研磨加工に未使用の研磨布を研磨加工(本格稼働)に使用しても、研磨加工開始直後から、シリコンウェーハ1の平坦度は、基準レベル以下(SFQR(μm)が、0.09以下)で安定する。これにより、ダミーランニングを行うことなく、研磨装置を本格稼働することができる。 That is, before the polishing apparatus is operated and the polishing process is performed, the polishing cloth is humidified and heated so that the water absorption of the polishing cloth is increased. Then, when the polishing cloth is used for polishing processing, the polishing slurry is immediately absorbed into the polishing cloth with high water absorption, and for the above-mentioned period of time, like the polishing cloth used for polishing processing, A certain amount of polishing slurry is contained. For this reason, even if a polishing cloth that is not used for polishing is used for polishing (full operation), the flatness of the silicon wafer 1 is not more than a reference level (SFQR (μm) is 0. (09 or less). As a result, the polishing apparatus can be fully operated without performing dummy running.
第1発明の方法は、図1の研磨装置100に研磨布2を貼着する前に、研磨布2を加湿、加温して、研磨布2の吸水性を高めておき、吸水性が高められた研磨布2を研磨装置100に貼着し、この研磨布2を用いて研磨対象1を研磨するという研磨方法である。
In the method of the first invention, before adhering the polishing
第2発明の方法は、第1発明の方法を実施するに際して、図3に示すような容器20内に研磨布2を収容するとともに容器20内を加湿、加温された雰囲気にして、研磨布2の吸水性を高めるようにするものである。
In the method of the second invention, when the method of the first invention is carried out, the polishing
第3発明の方法は、図1の研磨装置100の定盤101、102に研磨布2が貼着された状態で、研磨布2を加湿、加温して、研磨布2の吸水性を高めておき、この吸水性が高められた研磨布2を用いて、研磨対象1を研磨するという研磨方法である。
The method of the third invention increases the water absorption of the polishing
第4発明の方法は、第3発明の方法を実施するに際して、研磨装置100の定盤101、102を加温するとともに、研磨布2に向けて水を流すことで、研磨布2の吸水性を高めるようにするものである。
In the method of the fourth invention, when the method of the third invention is carried out, the
第5発明の方法は、第3発明の方法を実施するに際して、研磨布2に向けて温水を流すことで、研磨布2の吸水性を高めるようにするものである。
In the method of the fifth invention, when the method of the third invention is performed, the water absorption of the
第6発明の方法は、第1発明〜第5発明の方法を実施するに際して、研磨布2を用いて研磨対象1を研磨したときに、研磨対象1の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、研磨布2を加温、加湿するものである。
In the method of the sixth invention, when the polishing object 1 is polished using the polishing
第7発明は、第2発明に対応する装置発明であり、図3に示す容器2を用いて研磨布2に対して加湿、加温が行われる。
7th invention is an apparatus invention corresponding to 2nd invention, and humidification and warming are performed with respect to polishing
第8発明は、第7発明の装置発明を実施するに際して、研磨布2を用いて研磨対象1を研磨したときに、研磨対象1の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、容器20内に研磨布2を収容するものである。
In the eighth invention, when the polishing
第9発明の装置は、研磨装置100に、研磨布2が貼着された定盤101、102を加温する加温手段(冷却水路106、108)と、研磨布2に向けて水を流す流水手段(リンス液噴射ノズル110あるいは研磨用スラリ通路107)と、研磨装置100で研磨布2を用いて研磨対象1を研磨する前に、予め加温手段と、流水手段を作動させて研磨布2を加湿、加温して研磨布2の吸水性を高める制御手段とを備えるように構成したものである。
The apparatus according to the ninth aspect of the invention is a heating means (cooling water channels 106, 108) for heating the
第10発明の装置は、研磨装置100に、研磨布2に向けて温水を流す温水流水手段(リンス液噴射ノズル110あるいは研磨用スラリ通路107)と、研磨装置100で研磨布2を用いて研磨対象1を研磨する前に、予め温水流水手段を作動させて研磨布2を加湿、加温して研磨布2の吸水性を高める制御手段とを備えるように構成したものである。
The apparatus according to the tenth aspect of the present invention is to polish the polishing apparatus 100 with hot water flowing means (rinse
第11発明は、第9発明、第10発明の装置発明を実施するに際して、制御手段は、研磨布2を用いて研磨対象1を研磨したときに、研磨対象1の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、研磨布2を加湿、加温するものである。
In the eleventh aspect of the invention, when the apparatus invention of the ninth aspect and the tenth aspect of the invention is carried out, when the polishing object 1 is polished using the polishing
第12発明は、研磨装置100に貼着されて研磨対象1を研磨するために用いられる研磨布2であって、加湿、加温され、吸水性が高められた状態にされている研磨布2であることを特徴とするものである。
The twelfth invention is a polishing
第13発明は、第12発明の研磨布2が、研磨対象1を研磨したときに、研磨対象1の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になることを特徴とするものである。
The thirteenth invention is characterized in that when the polishing
本発明によれば、研磨装置100を稼働させて研磨加工を行う前に、研磨布2を加湿、加温しておき、研磨布2の吸水性を高めた状態にしておくようにしたので、その研磨布2を研磨加工に使用した場合、即座に研磨用スラリが高い吸水性をもって研磨布2に吸水され、ある程度の時間、研磨加工に使用した研磨布2と同様に、ある程度の量の研磨用スラリが含有された状態になる。このため、研磨加工に未使用の研磨布2を研磨加工(本格稼働)に使用しても、研磨加工開始直後から、シリコンウェーハ1の平坦度は、基準レベル以下(SFQR(μm)が、0.09以下)で安定する。これにより、ダミーランニングを行うことなく、研磨装置100を本格稼働することができるようになり、生産効率が向上する。また、ダミーランニングを個々の研磨布毎に行う必要がなくなるので、素材の損失が無くなり、品質確認のためのコストが飛躍的に低減する。
According to the present invention, the polishing
また、特に、第3発明、第4発明、第5発明、第9発明、第10発明によれば、研磨装置100の定盤101、102に研磨布2を貼着した状態で研磨布2を加湿、加温するようにしたので、研磨装置100に元々装着されている既存の機構、構成部品(冷却水路106、108、リンス液噴射ノズル110、研磨用スラリ通路107)を利用して、加湿、加温を行うことができる。このため加湿、加温のために新たに追加する設備、コストを最小限に抑えることができる。
In particular, according to the third invention, the fourth invention, the fifth invention, the ninth invention, and the tenth invention, the polishing
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
なお、以下の各実施例では、図1を用いて既に説明した両面研磨装置100で研磨布2を用いてシリコンウェーハ1の研磨加工が行われる場合を想定して説明する。
In each of the following embodiments, the case where the polishing process of the silicon wafer 1 is performed using the polishing
なお、実施例の研磨布2は、不織布タイプの研磨布であり、ロデール社のSUBAシリーズを使用した。
In addition, the polishing
(第1実施例)
この第1実施例の方法は、図1の研磨装置100の上定盤101、下定盤102に研磨布2を貼着する前に、研磨布2を加湿、加温して、研磨布2の吸水性を高めておくようにしておき、この吸水性が高められた研磨布2を研磨装置100に貼着し、この研磨布2を用いて研磨対象であるシリコンウェーハ1を研磨するという研磨方法である。
(First embodiment)
In the method of the first embodiment, the polishing
この方法を実施するに際して好適な加湿・加温装置は、図3に示す加湿・加温用容器20である。図3に示す加湿・加温用容器20内に研磨布2を収容するとともに容器20内を加湿、加温された雰囲気にして、研磨布2の吸水性を高めた。
A humidifying / heating device suitable for carrying out this method is a humidifying /
図3(a)、(b)はそれぞれ、加湿・加温用容器20を斜視図、側面図にて示している。
FIGS. 3A and 3B show the humidification /
容器20は、研磨布2が金属汚染しないように、非金属の材料で構成することが望ましい。特に、研磨布2が収納される部位(容器内側、内装部品)については、金属材料を使用しないことが望ましい。たとえばPVC(塩化ビニル)によって容器20を構成することが望ましい。ただし、非金属の材料といえども、切削加工等で形成された部品に関しては、切粉、バリによって発生する粉塵、パーティクルが研磨布2を汚染しないように、切粉、バリは確実に除去しておくことが望ましい。なお、容器20は、内部の研磨布2の状態を観察できるように、透明の材料で形成することが望ましい。
The
容器20の筐体21は、透明のPVCで構成されている。
The casing 21 of the
筐体21には、移動用ハンドル22、蒸気吸気口(蛇腹ホース)23、湿度、温度計24、移動用キャスタ25、ドレインバルブ26、開閉扉27が設けられている。
The housing 21 is provided with a moving
移動用ハンドル22、移動用キャスタ25は、容器20を把持して、移動させるために設けられている。
The moving
蒸気吸気口23には、加湿・加温器30の蒸気吹きだし口30aが連通している。加湿・加温器30では、湿度80%以上、温度40゜C以上の蒸気が生成されて、蒸気吹きだし口30aから吹き出され、蒸気吸気口23を介して筐体21内に吸い込まれ、筐体21内が加湿、加温雰囲気(湿度80%以上、温度40゜C以上)にされる。湿度、温度計24は、筐体21の内部の湿度、温度を測定して、筐体21内の湿度、温度を管理するために設けられている。
A
開閉扉27は、筐体21内に研磨布2を出し入れするために設けられている。
The open / close door 27 is provided to put the polishing
筐体21の内部には、複数枚の仕切り板28が設けられている。隣り合う仕切り板28同士によって、収納室29が形成される。開閉扉27が開かれて、収納室29にそれぞれ、研磨布2が収納される。これにより容器20内に、複数枚の研磨布2が収容される。仕切り板28は、各仕切り板28間で蒸気を循環させ、蒸気が筐体21内で偏在しないように、多数の孔が穿設されたパンチングプレートで構成されている。仕切り板28は、透明のPVCで構成されている。
A plurality of
ドレインバルブ26は、手動のバルブであり、必要時に開いて、筐体21内の蒸気によって生成された水を排出するために設けられている。
The
以上のように構成された容器20内を湿度80%以上、温度40゜C以上の加湿、加温雰囲気に調整して、この加湿、加温雰囲気で研磨布2を8時間、暴露した。これは、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)でいうと、後述するように、0.09以下にするために必要な湿度、温度、時間の条件である。
The inside of the
容器20内に研磨布8を収容してから、8時間経過後に、開閉扉27を開いて、筐体21内から研磨布2を取り出して、研磨布2を研磨装置100の上定盤101、下定盤102に貼着した。そして、研磨加工を行い、研磨布2を用いて研磨されたシリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)を1バッチ毎に測定して、平坦度SFQR(μm)が基準レベル(0.09μm)に到達するまでのバッチ数(ランニング時間)を計測した。なお、比較のために、容器20内に8時間、研磨布2を収容した場合以外に、0時間(容器20内に研磨布2を収容しなかった場合)、2時間(容器20内に2時間、研磨布2を収容した場合)、4時間(容器20内に4時間、研磨布2を収容した場合)、12時間(容器20内に12時間、研磨布2を収容した場合)、24時間(容器20内に24時間、研磨布2を収容した場合)それぞれについても、同様に、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)が基準レベル(0.09μm)に到達するまでのバッチ数(ランニング時間)を計測した。
After 8 hours have passed since the polishing
図4は、容器内収容時間(加湿・加温雰囲気暴露時間)と、シリコンウェーハ平坦度SFQR(μm)が基準レベル(0.09μm)に到達するまでのバッチ数(ランニング時間)との関係を示している。 FIG. 4 shows the relationship between the container storage time (humidification / heating atmosphere exposure time) and the number of batches (running time) until the silicon wafer flatness SFQR (μm) reaches the reference level (0.09 μm). Show.
図4からわかるように、容器内収容時間(加湿・加温雰囲気暴露時間)が大きくなるに伴い、徐々に、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)が基準レベル(0.09μm)に到達するまでのバッチ数(ランニング時間)が低下していくのがわかる。シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)が基準レベル(0.09μm)に到達するまでのバッチ数(ランニング時間)は、「8時間容器20内に収容」という条件のときに、はじめて「0」になり、以後、容器内収容時間を増加しても、バッチ数は、「0」でサチュレートしているのがわかる。
As can be seen from FIG. 4, the flatness SFQR (μm) of the silicon wafer 1 gradually reaches the reference level (0.09 μm) as the housing time (humidification / heated atmosphere exposure time) increases. It can be seen that the number of batches (running time) decreases. The number of batches (running time) until the flatness SFQR (μm) of the silicon wafer 1 reaches the reference level (0.09 μm) is “0” for the first time under the condition of “accommodating in the
以上の計測結果から、研磨布2を、温度40℃以上、湿度80%以上の加湿、加温雰囲気で8時間以上、研磨布2を暴露すれば、その研磨布2を研磨加工に使用した場合、最初のバッチからシリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)を基準レベル以下の平坦度で研磨することができるということがわかった。
From the above measurement results, if the polishing
図5は、図2に対応するグラフであり、研磨加工のバッチ数と、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)との関係を示すグラフである。図5の横軸は、研磨布2を定盤101、102に貼着してからのバッチ数であり、縦軸は、本実施例の装置(容器20)を用いて本実施例の方法(研磨布2を、温度40℃以上、湿度80%以上の加湿、加温雰囲気で8時間以上、研磨布2を暴露)を実施した各研磨布2A′、2B′、2C′それぞれを用いて研磨加工されたシリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)である。
FIG. 5 is a graph corresponding to FIG. 2, and is a graph showing the relationship between the number of polishing batches and the flatness SFQR (μm) of the silicon wafer 1. The horizontal axis of FIG. 5 is the number of batches after the polishing
図5に示すように、各研磨布2A′、2B′、2C′いずれの場合も、研磨布2を定盤101、102に貼着した時点、つまりバッチ数がゼロの時点ですでにシリコンウェーハ1の平坦度SFQRは基準レベル0.09(μm)以下にあり、バッチ数を増加しても基準レベル0.09(μm)以下を維持していることがわかる。図2の従来技術のグラフと比較してもわかるように、本実施例によれば、各試料の研磨布2A′、2B′、2C′で平坦度にバラツキがみられなく、研磨加工に未使用の研磨布2を研磨加工(本格稼働)に使用しても、研磨加工開始直後から、シリコンウェーハ1の平坦度は、基準レベル以下(SFQR(μm)が、0.09以下)で安定している。このため、本実施例によれば、ダミーランニングを行うことなく、研磨装置100を本格稼働することができるようになり、生産効率が向上する。また、ダミーランニングを個々の研磨布毎に行う必要がなくなるので、素材の損失が無くなり、品質確認のためのコストが飛躍的に低減する。
As shown in FIG. 5, in each of the polishing
(第2実施例)
この第2実施例の方法は、図1の両面研磨装置100の上定盤101、下定盤102に研磨布2が貼着された状態で、研磨布2を加湿、加温して、研磨布2の吸水性を高めておき、この吸水性が高められた研磨布2を用いて、研磨対象であるシリコンウェーハ1を研磨するという研磨方法である。
(Second embodiment)
In the method of the second embodiment, the polishing
加湿、加温の方法は、研磨装置100の上定盤101、下102を加温するとともに、研磨布2に向けて常温(約25゜C)の水を流すことで、研磨布2の吸水性を高めるというものである。
The humidifying and warming methods include heating the upper surface plate 101 and the lower 102 of the polishing apparatus 100 and flowing water at room temperature (about 25 ° C.) toward the polishing
本実施例の方法に好適な装置構成は、図1に示すように、両面研磨装置100に、元々装着されている既存の加温手段、流水手段(冷却水路106、108、リンス液噴射ノズル110、研磨用スラリ通路107)を利用して、研磨布2の加湿、加温を行うという装置構成である。かかる加温手段、流水手段の制御は、手動制御でもよく、自動制御でもよい。たとえば、両面研磨装置100に既存のコントローラ(図示せず)にインストールされるべきプログラムを改変して、研磨加工前に、加温手段と流水手段を作動させるプログラムに書き換えておき、加温手段、流水手段の制御を自動制御で行ってもよい。
本実施例では、研磨加工が行われる前に、予め冷却水路106、108に温水(クーラント)を流した。これにより上定盤101、下定盤102が加温され、上定盤101、下定盤102に貼着されている研磨布2が温度35゜C以上まで加温された。なお、冷却水路106、108に流れるクーラントは、前回の研磨加工の予熱によって既に温まっている。加温が不足する場合には、ヒータ等の加熱手段によって、冷却水路106、106に流れるクーラントを適温まで上昇させてもよい。このような加温処理と同時に、研磨加工が行われる前に、予め上定盤101の研磨用スラリ通路107にリンス液(純水)を流した。これにより研磨布2に向けて常温の水が流水され、研磨布2が水に浸された状態(加湿状態)にされた。なお、研磨布2全体に水がいきわたるように、上定盤101、下定盤102を回転させながら流水することが望ましい。研磨用スラリ通路107から研磨布2に向けて流水する代わりに、リンス液噴射ノズル110から常温のリンス液(純水)を噴射させてもよい。この場合も研磨布2に向けて流水され、研磨布2が水に浸された状態(加湿状態)にされる。
As shown in FIG. 1, the apparatus configuration suitable for the method of the present embodiment is the existing heating means and flowing means (cooling channels 106 and 108, rinse liquid injection nozzle 110) originally installed in the double-side polishing apparatus 100. The polishing slurry passage 107) is used to humidify and heat the polishing
In the present embodiment, warm water (coolant) was previously flowed into the cooling water channels 106 and 108 before the polishing process was performed. As a result, the upper surface plate 101 and the
このように研磨加工前に、予め研磨布2を温度35゜C以上の加温状態にするとともに、研磨布2に向けて流水して研磨布2を加湿状態にした。かかる加温状態、加湿状態のまま1時間以上、放置し、その後、流水を停止した。これは、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)でいうと、0.09以下にするために必要な湿度、温度、時間の条件である。その後、研磨用キャリア10にシリコンウェーハ1を装填して、研磨加工を行った。すると、研磨加工直後から各バッチ毎にシリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)を測定したところ、前述した図5と同様の測定結果が得られた。すなわち、本実施例においてもダミーランニングを行うことなく、研磨装置100を本格稼働することができるようになり、生産効率が向上することになる。また、ダミーランニングを個々の研磨布毎に行う必要がなくなるので、素材の損失が無くなり、品質確認のためのコストが飛躍的に低減する。
Thus, before polishing, the polishing
さらに、本実施例によれば、両面研磨装置100に、元々装着されている既存の機構、構成部品(冷却水路106、108、リンス液噴射ノズル110あるいは研磨用スラリ通路107)を利用して、加湿、加温を行うようにしたので、加湿、加温のために新たに追加する設備、コストを最小限に抑えることができるという効果が得られる。
Furthermore, according to the present embodiment, the existing mechanism and components (cooling water channels 106 and 108, the rinse
(第3実施例)
この第3実施例の方法は、第2実施例と同様に、図1の両面研磨装置100の上定盤101、下定盤102に研磨布2が貼着された状態で、研磨布2を加湿、加温して、研磨布2の吸水性を高めておき、この吸水性が高められた研磨布2を用いて、研磨対象であるシリコンウェーハ1を研磨するという研磨方法である。
(Third embodiment)
As in the second embodiment, the method of the third embodiment humidifies the polishing
加湿、加温の方法は、研磨布2に向けて温水(35゜C以上)を流すことで、研磨布2の吸水性を高めるというものである。
The method of humidification and warming is to increase the water absorption of the polishing
本実施例の方法に好適な装置構成は、図1に示すように、両面研磨装置100に、元々装着されている既存の流水手段(リンス液噴射ノズル110、研磨用スラリ通路107)を利用して、研磨布2の加湿、加温を行うという装置構成である。ただし、リンス液噴射ノズル110、研磨用スラリ通路107を流れるリンス液(純水)は、常温であるため、ヒータ等の加熱手段を用いて、リンス液を加温する必要がある。かかる温水流水手段の制御は、手動制御でもよく、自動制御でもよい。たとえば、両面研磨装置100に既存のコントローラ(図示せず)にインストールされるべきプログラムを改変して、研磨加工前に、温水流水手段を作動させるプログラムに書き換えておき、温水流水手段の制御を自動制御で行ってもよい。
本実施例では、研磨加工が行われる前に、予め上定盤101の研磨用スラリ通路107に、35゜C以上まで加温されたリンス液(純水)を流した。これにより研磨布2に向けて温水(35゜C以上)が流水され、研磨布2が温水に浸された状態(加温、加湿状態)にされた。なお、研磨布2全体に温水がいきわたるように、上定盤101、下定盤102を回転させながら温水流水することが望ましい。研磨用スラリ通路107から研磨布2に向けて温水流水する代わりに、リンス液噴射ノズル110から加温されたリンス液(純水)を噴射させてもよい。この場合も研磨布2に向けて温水流水され、研磨布2が温水に浸された状態(加温、加湿状態)にされる。
As shown in FIG. 1, an apparatus configuration suitable for the method of the present embodiment uses existing flowing water means (rinse
In this embodiment, before the polishing process is performed, a rinsing liquid (pure water) that has been heated to 35 ° C. or higher is passed through the polishing slurry passage 107 of the upper surface plate 101 in advance. As a result, warm water (35 ° C. or more) was allowed to flow toward the polishing
このように研磨加工前に、予め研磨布2に向けて温水を流水して、研磨布2を温度35゜C以上の加温、加湿状態にした。かかる加温状態、加湿状態のまま1時間以上、放置し、その後、温水の流水を停止した。これは、シリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)でいうと、0.09以下にするために必要な湿度、温度、時間の条件である。その後、研磨用キャリア10にシリコンウェーハ1を装填して、研磨加工を行った。すると、研磨加工直後から各バッチ毎にシリコンウェーハ1の平坦度SFQR(μm)を測定したところ、前述した図5と同様の測定結果が得られた。すなわち、本実施例においてもダミーランニングを行うことなく、研磨装置100を本格稼働することができるようになり、生産効率が向上することになる。また、ダミーランニングを個々の研磨布毎に行う必要がなくなるので、素材の損失が無くなり、品質確認のためのコストが飛躍的に低減する。
In this way, before polishing, warm water was poured in advance toward the polishing
さらに、本実施例によれば、両面研磨装置100に、元々装着されている既存の機構、構成部品(リンス液噴射ノズル110あるいは研磨用スラリ通路107)を利用して、加湿、加温を行うようにしたので、加湿、加温のために新たに追加する設備、コストを最小限に抑えることができるという効果が得られる。
Furthermore, according to the present embodiment, humidification and heating are performed using the existing mechanism and components (the rinse
なお、以上の実施例では、研磨布が両面研磨加工装置に使用される場合を想定したが、本発明は、研磨布が片面研磨装置を使用される場合にも適用することができる。 In the above embodiment, it is assumed that the polishing cloth is used in a double-side polishing apparatus, but the present invention can also be applied to a case where the polishing cloth uses a single-side polishing apparatus.
また、以上の実施例では、シリコンウェーハを研磨対象とする場合を想定したが、本発明は、シリコンウェーハ以外の研磨対象、たとえばガラスを研磨加工する場合にも当然に適用することができる。 Moreover, although the case where a silicon wafer was made into the grinding | polishing object was assumed in the above Example, naturally this invention can be applied also when grinding | polishing the grinding | polishing object other than a silicon wafer, for example, glass.
また、以上の説明では、研磨工程で研磨装置に研磨布が使用される場合を想定したが、本発明は、ラッピング工程でラッピング装置に研磨布が使用される場合にも適用することができる。本明細書で「研磨」の概念の中には、「ラッピング」も含まれているものとする。 In the above description, it is assumed that a polishing cloth is used in the polishing apparatus in the polishing process, but the present invention can also be applied to a case where the polishing cloth is used in the wrapping apparatus in the lapping process. In the present specification, the concept of “polishing” includes “lapping”.
1 シリコンウェーハ 2 研磨布 20 加湿・加温用容器 30 加湿・加温器 100 両面研磨装置 102 上定盤 103 下定盤 106、108 冷却水路 107 研磨用スラリ通路 110 リンス液噴射ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (13)
吸水性が高められた研磨布を研磨装置に貼着し、この研磨布を用いて研磨対象を研磨する研磨工程と
を含むことを特徴とする研磨布を用いた研磨方法。 Before attaching the polishing cloth to the polishing device, humidifying and heating the polishing cloth to increase the water absorption of the polishing cloth,
A polishing method using a polishing cloth, comprising: attaching a polishing cloth having improved water absorption to a polishing apparatus, and polishing the object to be polished using the polishing cloth.
容器内に研磨布を収容するとともに容器内を加湿、加温された雰囲気にして、研磨布の吸水性を高める工程であること
を特徴とする請求項1記載の研磨布を用いた研磨方法。 The humidification / heating process
The polishing method using the polishing cloth according to claim 1, wherein the polishing cloth is contained in the container and the container is humidified and heated to increase the water absorption of the polishing cloth.
吸水性が高められた研磨布を用いて、研磨対象を研磨する研磨工程と
を含むことを特徴とする研磨布を用いた研磨方法。 In a state where the polishing cloth is attached to the surface plate of the polishing apparatus, humidifying and heating the polishing cloth to increase the water absorption of the polishing cloth,
A polishing method using a polishing cloth, comprising: a polishing step of polishing an object to be polished using a polishing cloth having improved water absorption.
研磨装置の定盤を加温するとともに、研磨布に向けて水を流すことで、研磨布の吸水性を高める工程であること
を特徴とする請求項3記載の研磨布を用いた研磨方法。 The humidification / heating process
The polishing method using the polishing cloth according to claim 3, which is a step of increasing the water absorption of the polishing cloth by heating the surface plate of the polishing apparatus and flowing water toward the polishing cloth.
研磨布に向けて温水を流すことで、研磨布の吸水性を高める工程であること
を特徴とする請求項3記載の研磨布を用いた研磨方法。 The humidification / heating process
The polishing method using the polishing cloth according to claim 3, wherein the polishing cloth is a step of increasing the water absorption of the polishing cloth by flowing warm water toward the polishing cloth.
研磨布を用いて研磨対象を研磨したときに、研磨対象の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、研磨布を加温、加湿すること
を特徴とする請求項1〜5記載の研磨布を用いた研磨方法。 In the humidification / heating process,
The polishing cloth is heated and humidified until the flatness SFQR (μm) of the polishing object becomes 0.09 or less when the polishing object is polished using the polishing cloth. A polishing method using the polishing cloth as described.
を特徴とする研磨布の加湿・加温用容器。 A container for humidifying and heating a polishing cloth, characterized in that the polishing cloth is contained in the container and the inside of the container is humidified and heated to perform a treatment for increasing the water absorption of the polishing cloth.
を特徴とする請求項7記載の研磨布の加湿・加温用容器。 The polishing cloth is accommodated in the container until the flatness SFQR (μm) of the polishing object becomes 0.09 or less when the polishing object is polished using the polishing cloth. A container for humidifying and warming abrasive cloth.
研磨布が貼着された定盤を加温する加温手段と、
研磨布に向けて水を流す流水手段と、
研磨装置で研磨布を用いて研磨対象を研磨する前に、予め加温手段と、流水手段を作動させて研磨布を加湿、加温して研磨布の吸水性を高める制御手段と
を備えたこと
を特徴とする研磨布を用いた研磨装置。 In the polishing equipment,
A heating means for heating the surface plate to which the polishing cloth is adhered;
Water flowing means for flowing water toward the polishing cloth;
Before polishing the object to be polished with the polishing cloth in the polishing apparatus, a heating means and a control means for increasing the water absorption of the polishing cloth by operating the flowing water means to humidify and heat the polishing cloth in advance. A polishing apparatus using a polishing cloth.
研磨布に向けて温水を流す温水流水手段と、
研磨装置で研磨布を用いて研磨対象を研磨する前に、予め温水流水手段を作動させて研磨布を加湿、加温して研磨布の吸水性を高める制御手段と
を備えたこと
を特徴とする研磨布を用いた研磨装置。 In the polishing equipment,
Hot water flowing means for flowing warm water toward the polishing cloth;
Before polishing the object to be polished with the polishing cloth in the polishing apparatus, the apparatus is provided with a control means for increasing the water absorption of the polishing cloth by operating the warm water flowing means in advance to humidify and heat the polishing cloth. Polishing device using polishing cloth.
研磨布を用いて研磨対象を研磨したときに、研磨対象の平坦度SFQR(μm)が、0.09以下になるまで、研磨布を加湿、加温すること
を特徴とする請求項9、10記載の研磨布を用いた研磨装置。 The control means
The polishing cloth is humidified and heated until the flatness SFQR (μm) of the polishing object becomes 0.09 or less when the polishing object is polished using the polishing cloth. A polishing apparatus using the described polishing cloth.
加湿、加温され、吸水性が高められた状態にされていること
を特徴とする研磨布。 A polishing cloth that is attached to a polishing apparatus and used to polish an object to be polished,
A polishing cloth characterized by being humidified and heated to have an increased water absorption.
を特徴とする請求項12記載の研磨布。 The polishing cloth according to claim 12, wherein when the object to be polished is polished, the flatness SFQR (μm) of the object to be polished is 0.09 or less.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090804 |