JP6719271B2

JP6719271B2 - A table for holding an object to be processed and a processing apparatus having the table

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Publication number: JP6719271B2
Application number: JP2016096276A
Authority: JP
Inventors: 直樹豊村; 宮▲崎▼　充; 充宮▲崎▼; 國澤　淳次; 淳次國澤
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2015-06-01
Filing date: 2016-05-12
Publication date: 2020-07-08
Anticipated expiration: 2036-05-12
Also published as: TWI732759B; JP2016221668A; SG10201604294XA; TW201714703A

Description

本願発明は、たとえば半導体基板のような処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置に関する。 The present invention relates to a table for holding an object to be processed such as a semiconductor substrate and a processing apparatus having the table.

半導体デバイスの製造において、基板の表面を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ，Chemical Mechanical Polishing）装置が知られている。ＣＭＰ装置では、研磨テーブルの上面に研磨パッドが貼り付けられて、研磨面が形成される。このＣＭＰ装置は、トップリングによって保持される基板の被研磨面を研磨面に押しつけ、研磨面に研磨液としてのスラリーを供給しながら、研磨テーブルとトップリングとを回転させる。これによって、研磨面と被研磨面とが摺動的に相対移動され、被研磨面が研磨される。 In manufacturing a semiconductor device, a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus for polishing the surface of a substrate is known. In the CMP apparatus, a polishing pad is attached to the upper surface of the polishing table to form a polishing surface. In this CMP apparatus, the surface to be polished of the substrate held by the top ring is pressed against the polishing surface, and the polishing table and the top ring are rotated while supplying the slurry as the polishing liquid to the polishing surface. As a result, the polishing surface and the surface to be polished are slid relative to each other, and the surface to be polished is polished.

代表的なＣＭＰ装置は、研磨テーブルあるいは研磨パッドは研磨される基板よりも大きく、基板はトップリングによって被研磨面を下向きに保持されて研磨されるものである。研磨後の基板は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などのスポンジ材を回転させながら基板に接触させることにより洗浄され、さらに乾燥される。 In a typical CMP apparatus, a polishing table or a polishing pad is larger than a substrate to be polished, and the substrate is polished while a surface to be polished is held downward by a top ring. The substrate after polishing is washed by bringing a sponge material such as polyvinyl alcohol (PVA) into contact with the substrate while rotating, and further dried.

研磨後の基板に対して基板よりも小径の接触部材を基板に押し付けて、基板と接触部材を相対運動させる仕上げユニットが知られている（たとえば、特許文献１）。このような仕上げユニットは、メインの研磨部とは別にＣＭＰ装置内に設けられ、メイン研磨後の基板をわずかに追加研磨したり、洗浄したりすることができる。 A finishing unit is known in which a contact member having a diameter smaller than that of the substrate is pressed against the substrate after polishing to relatively move the substrate and the contact member (for example, Patent Document 1). Such a finishing unit is provided in the CMP apparatus separately from the main polishing section and can slightly additionally polish or clean the substrate after the main polishing.

特開平８−７１５１１号公報JP-A-8-71511

基板を研磨する装置において、接触部材を高い圧力で接触させて洗浄効果を高めたり、研磨速度を高めたりするには、基板の裏面全体を接触支持するテーブルで基板を保持することが望ましい。このようなテーブルの例として、基板を真空吸着するための小孔を有するテーブルがある。基板を真空吸着するテーブルの場合、基板を支持するテーブルの支持面と基板との間の隙間に負圧が生じ、基板のエッジとテーブルとの間の隙間から基板を研磨するときに使用するスラリーまたは他の処理液が吸い込まれて小孔内に達することがある。基板をテーブルの支持面から離脱させるために、気体や液体を小孔から吹き出す際に、吸い込まれたスラリーや処理液がテーブルの支持面と基板との隙間から流れ出て、基板の上面に回り込んで基板を汚染することがある。 In an apparatus for polishing a substrate, in order to bring the contact member into contact with a high pressure to enhance the cleaning effect and the polishing rate, it is desirable to hold the substrate by a table that contacts and supports the entire back surface of the substrate. An example of such a table is a table having a small hole for vacuum-sucking a substrate. In the case of a table that vacuum-adsorbs a substrate, negative pressure is generated in the gap between the support surface of the table that supports the substrate and the substrate, and the slurry used when polishing the substrate from the gap between the edge of the substrate and the table Alternatively, another processing liquid may be sucked into the small holes. When the gas or liquid is blown out from the small holes to separate the substrate from the supporting surface of the table, the sucked slurry or processing liquid flows out from the gap between the supporting surface of the table and the substrate and wraps around the upper surface of the substrate. May contaminate the substrate.

そのため、基板を真空吸着するためのテーブルの小孔にスラリーや処理液ができるだけ吸い込まれないようにすることが望ましい。また、基板を離脱するときに、吸い込んだスラリーや処理液ができるだけ基板上に回り込まないようにすることが望ましい。 Therefore, it is desirable to prevent the slurry and the processing liquid from being sucked into the small holes of the table for vacuum-sucking the substrate as much as possible. Further, it is desirable that the sucked slurry and the treatment liquid do not flow around the substrate as much as possible when the substrate is released.

本願発明は、これらの課題の少なくとも一部を解決または緩和することを目的としている。 The present invention aims to solve or mitigate at least some of these problems.

本発明の第１の形態によれば、基板を処理するための湿式基板処理装置が提供される。
かかる湿式基板処理装置は、基板を保持するためのテーブルと、前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構と、を有する。前記テーブルは、基板を支持するための支持面と、前記支持面に形成される第１開口部と、前記支持面に形成され、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、真空源に接続可能に構成される第１流体通路と、前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、前記第２開口部を大気開放するように構成される第２流体通路と、を有する。 According to a first aspect of the present invention, a wet substrate processing apparatus for processing a substrate is provided.
Such a wet substrate processing apparatus has a table for holding the substrate and a processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate held by the table. The table is formed on the support surface, a support surface for supporting the substrate, a first opening formed in the support surface, and the support surface, and is arranged to at least partially surround the first opening. A second opening, a first fluid passage extending through the table to the first opening of the support surface and configured to be connectable to a vacuum source, and extending through the table to the second opening of the support surface. A second fluid passage configured to open the second opening to the atmosphere.

本発明の第２の形態によれば、第１の形態において、前記第２流体通路は前記テーブルの少なくとも一部を貫通するように延びる。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the second fluid passage extends so as to penetrate at least a part of the table.

本発明の第３の形態によれば、第２の形態において、前記テーブルは、前記テーブルの表面が拡張する方向に延びる拡張縁部を有し、前記第２開口部は前記拡張縁部に位置し、前記第２流体通路は前記拡張縁部を貫通して延びる。 According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the table has an expansion edge extending in a direction in which the surface of the table expands, and the second opening is located at the expansion edge. However, the second fluid passage extends through the expanded edge.

本発明の第４の形態によれば、第１の形態から第３の形態のいずれか１つの形態において、前記第１流体通路は、前記第１流体通路を通って前記第１開口部から流体を供給するための流体供給源に接続可能に構成される。 According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first aspect to the third aspect, the first fluid passage passes through the first fluid passage and is fluid from the first opening. Is configured to be connectable to a fluid supply source for supplying.

本発明の第５の形態によれば、第４の形態において、前記流体は、空気、窒素、および水からなるグループの少なくとも１つを有する。 According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the fluid comprises at least one of the group consisting of air, nitrogen, and water.

本発明の第６の形態によれば、第１の形態から第５の形態のいずれか１つの形態において、前記テーブルは回転可能に構成される。 According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, the table is configured to be rotatable.

本発明の第７の形態によれば、第１の形態から第６の形態のいずれか１つの形態において、前記基板を研磨処理するための研磨パッドを有する。 According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, a polishing pad for polishing the substrate is provided.

本発明の第８の形態によれば、基板を処理するための湿式基板処理装置が提供される。かかる湿式基板処理装置は、基板を保持するためのテーブルと、前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構と、を有する。前記テーブルは、基板を支持するための支持面と、前記支持面に形成される第１開口部と、前記支持面に形成され、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、真空源に接続可能に構成される第１流体通路と、前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、流体供給源に接続可能に構成される第２流体通路と、を有する。 According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a wet substrate processing apparatus for processing a substrate. Such a wet substrate processing apparatus has a table for holding the substrate and a processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate held by the table. The table is formed on the support surface, a support surface for supporting the substrate, a first opening formed in the support surface, and the support surface, and is arranged to at least partially surround the first opening. A second opening, a first fluid passage extending through the table to the first opening of the support surface and configured to be connectable to a vacuum source, and extending through the table to the second opening of the support surface. , A second fluid passage configured to be connectable to a fluid supply source.

本発明の第９の形態によれば、第８の形態において、前記流体は、空気、窒素、および水からなるグループの少なくとも１つを有する。 According to a ninth aspect of the present invention, in the eighth aspect, the fluid comprises at least one of the group consisting of air, nitrogen, and water.

本発明の第１０の形態によれば、第１の形態から第９の形態のいずれか１つの形態において、前記テーブルは回転可能に構成される。 According to a tenth aspect of the present invention, in any one of the first to ninth aspects, the table is configured to be rotatable.

本発明の第１１の形態によれば、第８の形態から第１０の形態のいずれか１つの形態において、基板を研磨処理するための研磨パッドを有する。 According to an eleventh aspect of the present invention, in any one of the eighth to tenth aspects, a polishing pad for polishing the substrate is provided.

本発明の第１２の形態によれば、基板を処理するための湿式基板処理装置が提供される。かかる湿式基板処理装置は、基板を保持するためのテーブルと、前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構とを有する。前記テーブルは、基板を支持するための支持面と、前記支持面に形成される第１開口部と、前記支持面に形成され
、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、流体供給源に接続可能に構成される第１流体通路と、前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、真空源に接続可能に構成される第２流体通路と、を有する。 According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a wet substrate processing apparatus for processing a substrate. Such a wet substrate processing apparatus has a table for holding the substrate and a processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate held on the table. The table is formed on the support surface, a support surface for supporting the substrate, a first opening formed in the support surface, and the support surface, and is arranged to at least partially surround the first opening. A second opening, a first fluid passage extending through the table to the first opening of the support surface and connectable to a fluid supply source, and the table through the table to the second opening of the support surface. A second fluid passage extending and connectable to the vacuum source.

本発明の第１３の形態によれば、第１２の形態において、前記流体は、空気、窒素、および水からなるグループの少なくとも１つを有する。 According to a thirteenth aspect of the present invention, in the twelfth aspect, the fluid has at least one of the group consisting of air, nitrogen, and water.

本発明の第１４の形態によれば、第１２の形態または第１３の形態において、第１流体通路は真空源に接続可能に構成される。 According to a fourteenth aspect of the present invention, in the twelfth aspect or the thirteenth aspect, the first fluid passage is configured to be connectable to a vacuum source.

本発明の第１５の形態によれば、第１２の形態から第１４の形態のいずれか１つの形態において、前記テーブルは回転可能に構成される。 According to a fifteenth aspect of the present invention, in any one of the twelfth aspect to the fourteenth aspect, the table is configured to be rotatable.

本発明の第１６の形態によれば、第１２の形態から第１５の形態のいずれか１つの形態において、基板を研磨処理するための研磨パッドを有する。 According to a sixteenth aspect of the present invention, in any one of the twelfth to fifteenth aspects, the polishing pad is provided for polishing the substrate.

本発明の第１７の形態によれば、基板を保持するためのテーブルに配置可能なバッキング材が提供される。かかるバッキング材は、第１の形態から第１６の形態のいずれか１つの湿式基板処理装置のテーブルに配置されたときに、前記テーブルの前記第１開口部および前記第２開口部の位置に対応する位置に貫通孔を有する。 According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided a backing material that can be arranged on a table for holding a substrate. The backing material corresponds to the positions of the first opening and the second opening of the table when placed on the table of the wet substrate processing apparatus according to any one of the first to sixteenth aspects. It has a through hole at a position to be formed.

処理対象物を処理するためのテーブルを有する処理装置の一例としてのバフ処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the buff processing apparatus as an example of the processing apparatus which has the table for processing a to-be-processed object. 一実施形態としてのバフテーブルの断面を概略的に示す図である。It is a figure which shows the cross section of the buff table as one embodiment roughly. 図２のバフテーブルの上面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the upper surface of the buff table of FIG. 一実施形態による、バフテーブルの切欠き部の周辺を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing the periphery of the cutout portion of the buff table according to one embodiment. 一実施形態による、図３（Ａ）に示されるバフテーブルを線分Ｅ−Ｅに沿って切り出した断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view of the buff table shown in FIG. 3A, taken along line EE, according to one embodiment. 一実施形態としてのバフテーブルの断面を概略的に示す図である。It is a figure which shows the cross section of the buff table as one embodiment roughly. 一実施形態による、図３（Ａ）に示されるバフテーブルを線分Ｅ−Ｅに沿って切り出した断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view of the buff table shown in FIG. 3A, taken along line EE, according to one embodiment.

以下に、本発明に係る処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。 An embodiment of a table for holding a processing object and a processing apparatus having the table according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or similar reference numerals are given to the same or similar elements, and redundant description of the same or similar elements may be omitted in the description of each embodiment. Further, the features shown in each embodiment can be applied to other embodiments as long as they do not contradict each other.

図１は、処理対象物を処理するためのテーブルを有する処理装置の一例としてのバフ処理装置の概略構成を示す図である。図１に示すバフ処理装置は、半導体ウェハなどの基板の研磨処理を行うＣＭＰ装置の一部またはＣＭＰ装置内の１ユニットとして構成することができる。一例として、バフ処理装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、基板の搬送機構、を有するＣＭＰ装置に組み込むことができ、バフ処理装置は、ＣＭＰ装置内でのメイン研磨の後に仕上げ処理に用いることができる。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a buff processing apparatus as an example of a processing apparatus having a table for processing an object to be processed. The buffing apparatus shown in FIG. 1 can be configured as a part of a CMP apparatus for polishing a substrate such as a semiconductor wafer or as a unit in the CMP apparatus. As an example, the buffing apparatus can be incorporated in a CMP apparatus having a polishing unit, a cleaning unit, and a substrate transfer mechanism, and the buffing apparatus can be used for finishing processing after main polishing in the CMP apparatus. ..

本明細書において、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。 In the present specification, the buff treatment includes at least one of buff polishing treatment and buff cleaning treatment.

バフ研磨処理とは、基板に対してバフパッドを接触させながら、基板とバフパッドを相対運動させ、基板とバフパッドとの間にスラリーを介在させることにより基板の処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、スポンジ材（たとえばＰＶＡスポンジ材）などを用いて基板を物理的作用により洗浄する場合に基板に加えられる物理的作用力よりも強い物理的作用力を基板に対して加えることができる処理である。そのため、バフパッドとしては、たとえば発泡ポリウレタンと不織布を積層したパッド、具体的には市場で入手できるＩＣ１０００（商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系や、スウェード状の多孔性ポリウレタン非繊維質パッド、具体的には、市場で入手できるＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標）などを用いることができる。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、メイン研磨ユニットにおける主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又はメイン研磨後の、微小領域の凹凸や基板全体に渡る膜厚分布といったモフォロジーの改善、を実現することができる。 The buffing process is a process of polishing and removing the processed surface of the substrate by moving the substrate and the buff pad relative to each other while bringing the buff pad into contact with the substrate and interposing slurry between the substrate and the buff pad. The buffing treatment may apply a physical action force to the substrate that is stronger than a physical action force applied to the substrate when cleaning the substrate by a physical action using a sponge material (for example, PVA sponge material). This is possible processing. Therefore, as the buff pad, for example, a pad obtained by laminating a foamed polyurethane and a non-woven fabric, specifically, a commercially available IC1000 (trademark)/SUBA (registered trademark) system, a suede-like porous polyurethane non-fibrous pad, For example, POLITEX (registered trademark) available on the market can be used. The buffing process removes the surface layer part where damage or contaminants such as scratches are attached, the additional removal of the part that could not be removed by the main polishing in the main polishing unit, or the unevenness of the micro area and the entire substrate after the main polishing. It is possible to realize improvement of morphology such as film thickness distribution across.

バフ洗浄処理とは、基板に対してバフパッドを接触させながら、基板とバフパッドを相対運動させ、基板とバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることにより基板表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、スポンジ材などを用いて基板を物理的作用により洗浄する場合に基板に加えられる物理的作用力よりも強い物理的作用力を基板に対して加えることができる処理である。そのため、バフパッドとしては、上述のＩＣ１０００（商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系やＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標）などが用いられる。さらに、本発明におけるバフ処理装置において、バフパッドとしてＰＶＡスポンジを用いることも可能である。 The buff cleaning process is a process in which the substrate and the buff pad are moved relative to each other while the buff pad is in contact with the substrate, and a cleaning process liquid (chemical solution or chemical solution and pure water) is interposed between the substrate and the buff pad. This is a treatment for removing contaminants on the surface or modifying the treated surface. The buff cleaning process is a process that can apply a physical action force stronger than a physical action force applied to the substrate when the substrate is washed by a physical action using a sponge material or the like. Therefore, as the buff pad, the above-mentioned IC1000 (trademark)/SUBA (registered trademark) system, POLITEX (registered trademark), or the like is used. Furthermore, it is also possible to use PVA sponge as a buff pad in the buffing apparatus of the present invention.

図１は、一実施形態による、ウェハＷｆ（基板）が取り付けられた状態のバフ処理モジュール３００Ａの構成を概略的に示す図である。図１に示すように、一実施形態によるバフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷｆが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷｆの処理面にバフ処理を行うためのバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、各種処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a buff processing module 300A with a wafer Wf (substrate) attached thereto according to an embodiment. As shown in FIG. 1, a buff processing module 300A according to one embodiment includes a buff table 400 on which a wafer Wf is installed, a buff head 500 on which a buff pad 502 for performing a buff processing is attached to a processing surface of the wafer Wf, A buff arm 600 holding the buff head 500, a liquid supply system 700 for supplying various processing liquids, and a conditioning unit 800 for conditioning the buff pad 502 are provided.

バフ処理モジュール３００Ａは、上述したバフ研磨処理および／またはバフ洗浄処理を行うことができる。 The buff processing module 300A can perform the buff polishing processing and/or the buff cleaning processing described above.

バフテーブル４００は、詳細には後述するが、ウェハＷｆの被処理面を上向きに支持する。バフテーブル４００は、真空吸着によりウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に保持することができる。ウェハＷｆは、バッキング材４５０（図２参照）を介してバフテーブル４００に吸着させるようにしてもよい。バッキング材４５０は、たとえば弾性を有する発泡ポリウレタンから形成することができる。バッキング材４５０は、バフテーブル４００とウェハＷｆとの間の緩衝材として、ウェハＷｆに傷がつくことを防いだり、バフテーブル４００の表面の凹凸のバフ処理への影響を緩和したりすることができる。バッキング材４５０は、粘着テープによりバフテーブル４００の表面に取り付けることができる。バッキング材４５０は公知のものを利用することができ、バフテーブル４００の開口部４０４に対応する位置に貫通孔４５２が設けられているものを使用することができる（図２参照）。なお、バフテーブル４００の支持面４０２は、円形とすることができ、円形のウェハＷｆを保持することができる。 The buff table 400 supports the processed surface of the wafer Wf upward, as described in detail later. The buff table 400 can hold the wafer Wf on the support surface 402 of the buff table 400 by vacuum suction. The wafer Wf may be adsorbed to the buff table 400 via the backing material 450 (see FIG. 2). The backing material 450 can be formed of, for example, elastic polyurethane foam. The backing material 450 serves as a cushioning material between the buff table 400 and the wafer Wf to prevent the wafer Wf from being scratched, and to mitigate the influence of the unevenness of the surface of the buff table 400 on the buff processing. it can. The backing material 450 can be attached to the surface of the buff table 400 with an adhesive tape. A known backing material 450 can be used, and a buff table 400 having a through hole 452 at a position corresponding to the opening 404 can be used (see FIG. 2 ). The support surface 402 of the buff table 400 can be circular and can hold the circular wafer Wf.

なお、本明細書において、ウェハＷｆがバッキング材４５０を介してバフテーブル４００に取り付けられる場合は、バッキング材４５０が取り付けられた状態におけるバッキング材４５０の表面がウェハＷｆを支持する「支持面」となり、バッキング材４５０を介さ
ずにバフテーブル４００に直接的にウェハＷｆが吸着される場合、バフテーブルの表面がウェハＷｆを支持する「支持面」となる。以下、単に「支持面」または「バフテーブルの支持面」という場合、この両者の場合を含むものとする。 In the present specification, when the wafer Wf is attached to the buff table 400 via the backing material 450, the surface of the backing material 450 with the backing material 450 attached becomes a “support surface” that supports the wafer Wf. When the wafer Wf is directly adsorbed to the buff table 400 without the interposition of the backing material 450, the surface of the buff table serves as a “support surface” that supports the wafer Wf. Hereinafter, the term “supporting surface” or “supporting surface of a buff table” includes both cases.

さらに、バフテーブル４００は、テーブル４００上の搬送機構として、図示しない搬送ロボットにより搬送されるウェハＷｆを受け取り、バフテーブル４００のウェハＷｆを載置するためのリフトピン４８０（図２参照）を有する。リフトピン４８０は、バフテーブル４００の外周に沿って複数配置され、図示しない機構によりリフトピン４８０が伸縮するようになっている。リフトピン４８０は、リフトピン４８０が突出した状態でウェハＷｆの外周部を支持して受け取り、その後、リフトピン４８０が後退してウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に載置する。バフ処理が終わった後、リフトピン４８０が突出してウェハＷｆの外周部を支持して持ち上げ、搬送ロボットがウェハＷｆを下から掬い上げるようになっている。 Further, the buff table 400 has, as a transfer mechanism on the table 400, lift pins 480 (see FIG. 2) for receiving the wafer Wf transferred by a transfer robot (not shown) and mounting the wafer Wf on the buff table 400. A plurality of lift pins 480 are arranged along the outer circumference of the buff table 400, and the lift pins 480 are expanded and contracted by a mechanism (not shown). The lift pins 480 support and receive the outer peripheral portion of the wafer Wf with the lift pins 480 protruding, and then the lift pins 480 retract to place the wafer Wf on the support surface 402 of the buff table 400. After the buffing process is completed, the lift pins 480 project to support and lift the outer peripheral portion of the wafer Wf, and the transfer robot scoops the wafer Wf from below.

また、バフテーブル４００は、図示していない駆動機構によって回転軸ＡＡの周りに回転できるようになっている。バフヘッド５００は上昇下降できるように構成されている。バフパッド５０２は、バフヘッド５００のウェハＷｆに対向する面に取り付けられる。バフパッド５０２は、バフヘッド５００の下降により、バフテーブル４００の支持面４０２に保持されたウェハＷｆに押し付けられる。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸ＢＢ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００を矢印ＣＣに示すようにウェハＷｆの径方向に揺動できるようになっている。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるようになっている。 Further, the buff table 400 can be rotated around the rotation axis AA by a drive mechanism (not shown). The buff head 500 is configured to be able to move up and down. The buff pad 502 is attached to the surface of the buff head 500 that faces the wafer Wf. The buff pad 502 is pressed against the wafer Wf held on the support surface 402 of the buff table 400 by the descent of the buff head 500. The buff arm 600 can rotate the buff head 500 around the rotation axis BB and can swing the buff head 500 in the radial direction of the wafer Wf as shown by an arrow CC. Further, the buff arm 600 can swing the buff head 500 to a position where the buff pad 502 faces the conditioning section 800.

液供給系統７００は、ウェハＷｆの処理面に純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。図示しない制御装置を用いて開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷｆの処理面またはバフテーブル４００のウェハＷｆを支持するための支持面４０２に純水を供給することができる。 The liquid supply system 700 includes a pure water nozzle 710 for supplying pure water (DIW) to the processing surface of the wafer Wf. The pure water nozzle 710 is connected to a pure water supply source 714 via a pure water pipe 712. The pure water pipe 712 is provided with an opening/closing valve 716 capable of opening and closing the pure water pipe 712. By controlling the opening/closing of the opening/closing valve 716 using a control device (not shown), pure water can be supplied to the processing surface of the wafer Wf or the supporting surface 402 of the buff table 400 for supporting the wafer Wf at arbitrary timing. it can.

また、液供給系統７００は、ウェハＷｆの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための第１薬液ノズル７２０を備える。第１薬液ノズル７２０は、バフ洗浄処理あるいはバフ研磨処理後の薬液洗浄において、ウェハＷｆ表面に薬液を供給する。第１薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して第１薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。図示しない制御装置を用いて開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷｆの処理面またはバフテーブル４００のウェハＷｆを支持するための支持面４０２に薬液を供給することができる。 Further, the liquid supply system 700 includes a first chemical liquid nozzle 720 for supplying a chemical liquid (Chemi) to the processing surface of the wafer Wf. The first chemical liquid nozzle 720 supplies the chemical liquid to the surface of the wafer Wf in the chemical liquid cleaning after the buff cleaning process or the buff polishing process. The first chemical liquid nozzle 720 is connected to the first chemical liquid supply source 724 via the chemical liquid pipe 722. The chemical liquid pipe 722 is provided with an opening/closing valve 726 capable of opening and closing the chemical liquid pipe 722. By controlling the opening/closing of the opening/closing valve 726 using a controller (not shown), the chemical liquid can be supplied to the processing surface of the wafer Wf or the supporting surface 402 for supporting the wafer Wf of the buff table 400 at an arbitrary timing. ..

図１の実施形態によるバフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及び、バフパッド５０２を介して、ウェハＷｆの処理面またはバフテーブル４００のウェハＷｆを支持するための支持面４０２に、純水、薬液、又はスラリーを選択的に供給できるようになっている。 The buff processing module 300A according to the embodiment of FIG. 1 uses pure water on the support surface 402 for supporting the processing surface of the wafer Wf or the wafer Wf of the buff table 400 via the buff arm 600, the buff head 500, and the buff pad 502. The chemical solution or the slurry can be selectively supplied.

すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における第１薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー供給源７３４に接続されたスラリー配管７３２は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉す
ることができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。 That is, a branched pure water pipe 712 a branches from between the pure water supply source 714 and the opening/closing valve 716 in the pure water pipe 712. Further, a branch chemical liquid pipe 722 a branches from between the first chemical liquid supply source 724 and the opening/closing valve 726 in the chemical liquid pipe 722. The branched pure water pipe 712 a, the branched chemical liquid pipe 722 a, and the slurry pipe 732 connected to the slurry supply source 734 join the liquid supply pipe 740. The branch pure water pipe 712a is provided with an opening/closing valve 718 capable of opening and closing the branch pure water pipe 712a. The branch chemical liquid pipe 722a is provided with an opening/closing valve 728 capable of opening and closing the branch chemical liquid pipe 722a. The slurry pipe 732 is provided with an opening/closing valve 736 capable of opening/closing the slurry pipe 732.

液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー配管７３２、の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５０２の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷｆの処理面またはバフテーブル４００のウェハＷｆを支持するための支持面４０２に向けて開口する。図示しない制御装置は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び、開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷｆの被処理面またはバフテーブル４００のウェハＷｆを支持するための支持面４０２に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。 The first end of the liquid supply pipe 740 is connected to three pipes, a branched pure water pipe 712a, a branched chemical liquid pipe 722a, and a slurry pipe 732. The liquid supply pipe 740 extends through the inside of the buff arm 600, the center of the buff head 500, and the center of the buff pad 502. The second end of the liquid supply pipe 740 opens toward the processing surface of the wafer Wf or the supporting surface 402 for supporting the wafer Wf of the buff table 400. A control device (not shown) controls opening/closing of the opening/closing valve 718, the opening/closing valve 728, and the opening/closing valve 736 to support the surface to be processed of the wafer Wf or the wafer Wf of the buff table 400 at arbitrary timing. Any one of pure water, a chemical solution, and a slurry, or a mixed solution of any combination thereof can be supplied to the support surface 402 of.

図示の実施形態によるバフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷｆに処理液を供給するとともにバフテーブル４００を回転軸ＡＡ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷｆの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸ＢＢ周りに回転させながら矢印ＣＣ方向に揺動することによって、ウェハＷｆにバフ処理を行うことができる。 The buff processing module 300A according to the illustrated embodiment supplies the processing liquid to the wafer Wf via the liquid supply pipe 740, rotates the buff table 400 around the rotation axis AA, and presses the buff pad 502 against the processing surface of the wafer Wf. The buffing process can be performed on the wafer Wf by swinging the buff head 500 in the direction of arrow CC while rotating the buff head 500 about the rotation axis BB.

図１に示すコンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするための部材である。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸ＤＤ周りに回転できるようになっている。ドレッサ８２０は、ダイヤモンドドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。 The conditioning unit 800 shown in FIG. 1 is a member for conditioning the surface of the buff pad 502. The conditioning unit 800 includes a dress table 810 and a dresser 820 installed on the dress table 810. The dress table 810 can be rotated around the rotation axis DD by a drive mechanism (not shown). The dresser 820 is formed of a diamond dresser, a brush dresser, or a combination thereof.

バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる（図２参照）。バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸ＤＤ周りに回転させるとともにバフヘッド５００を回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。 When conditioning the buff pad 502, the buff processing module 300A pivots the buff arm 600 until the buff pad 502 faces the dresser 820 (see FIG. 2). The buff processing module 300A conditions the buff pad 502 by rotating the dress table 810 around the rotation axis DD and rotating the buff head 500 to press the buff pad 502 against the dresser 820.

図２は、一実施形態としてのバフテーブル４００の断面を概略的に示す図である。図２は、バッキング材４５０およびウェハＷｆが保持された状態を示している。図３（Ａ）は、図２のバフテーブル４００の上面を示す斜視図である。バフテーブル４００は、ウェハＷｆの被処理面を上向きに支持するための支持面４０２を備えている。バフテーブル４００の支持面４０２には、ウェハＷｆを支持面４０２に真空吸着させるための複数の第１開口部４０４が形成されている。また、バフテーブル４００は、バフテーブル４００の内部に、第１開口部４０４まで延びる第１流体通路４１０を備える。第１流体通路４１０は真空源７４６に接続される。さらに、第１流体通路４１０は、ウェハＷｆを脱着させるときに使用することができる純水供給源７１４および窒素源７４４に接続される。また、第１流体通路４１０は、第１流体通路４１０内を大気開放する大気開放弁（図示せず）を備えてもよい。たとえば、ウェハＷｆを脱着するときは、第１流体通路４１０の真空を解放し、所定時間だけ第１流体通路４１０に純水を供給し、その後、所定時間だけ窒素を供給するようにすることができる。また、バフテーブル４００は、バフテーブル４００の支持面４０２および／または第１流体通路４１０を洗浄するときに任意選択で使用することができる第２薬液供給源７２４に接続することができる。バフテーブル４００の第１流体通路４１０に純水、薬液、窒素ガスを供給する配管、および第１流体通路４１０を真空引きする配管には、それぞれ開閉弁７５０、７５２、７５４、７５６が設けられる。図示しない
制御装置を用いて開閉弁７５０、７５２、７５４、７５６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでバフテーブル４００の第１流体通路４１０を通じて支持面４０２に純水、薬液、および窒素ガスを供給でき、また任意のタイミングで第１流体通路４１０を真空引きすることができる。 FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section of the buff table 400 as one embodiment. FIG. 2 shows a state in which the backing material 450 and the wafer Wf are held. FIG. 3A is a perspective view showing the upper surface of the buff table 400 of FIG. The buff table 400 includes a support surface 402 for supporting the surface of the wafer Wf to be processed upward. The support surface 402 of the buff table 400 is formed with a plurality of first openings 404 for vacuum-adsorbing the wafer Wf on the support surface 402. Further, the buff table 400 includes a first fluid passage 410 extending to the first opening 404 inside the buff table 400. The first fluid passage 410 is connected to the vacuum source 746. Further, the first fluid passage 410 is connected to a pure water supply source 714 and a nitrogen source 744 that can be used when desorbing the wafer Wf. Further, the first fluid passage 410 may include an atmosphere release valve (not shown) that releases the inside of the first fluid passage 410 to the atmosphere. For example, when removing the wafer Wf, the vacuum in the first fluid passage 410 is released, pure water is supplied to the first fluid passage 410 for a predetermined time, and then nitrogen is supplied for a predetermined time. it can. The buff table 400 can also be connected to a second chemical liquid source 724 that can optionally be used when cleaning the support surface 402 and/or the first fluid passage 410 of the buff table 400. On-off valves 750, 752, 754, and 756 are provided in the pipes for supplying pure water, the chemical liquid, and the nitrogen gas to the first fluid passage 410 of the buff table 400, and the pipe for evacuating the first fluid passage 410, respectively. By controlling the opening/closing of the on-off valves 750, 752, 754, 756 using a control device (not shown), pure water, a chemical solution, and nitrogen gas are passed through the first fluid passage 410 of the buff table 400 to the support surface 402 at arbitrary timing. Can be supplied, and the first fluid passage 410 can be evacuated at an arbitrary timing.

図４は、図３（Ａ）に示されるバフテーブル４００を線分Ｅ−Ｅに沿って切り出した断面を示す断面図である。図３（Ａ）に示されるように、バフテーブル４００は、バフテーブル４００の表面が外側に拡張する方向に延びる拡張縁部４０６を有する。図３（Ａ）および図４に示されるように、拡張縁部４０６に位置するバフテーブル４００の支持面４０２には第２開口部４２４（図２では省略されている）が形成される。また、拡張縁部４０６には、第２開口部４２４まで延びる第２流体通路４２０が形成されている。第２流体通路４２０は、複数の穴からなり、拡張縁部４０６を貫通してバフテーブル４００の外に開放されている。図３（Ａ）に示されるように、第２開口部４２４は、第１開口部４０４が配置される領域を少なくとも部分的に囲う連続的な複数の溝として形成されている。換言すれば、溝は、バフテーブル４００の支持面４０２の外周付近に形成されているともいえる。第２流体通路４２０は、バフテーブル４００の支持面４０２の外周付近に沿って、等間隔に配置されている。溝は、一定の間隔で第２流体通路４２０に接続されており、溝に入り込んだ流体（たとえば処理液）は、第２流体通路４２０を通ってバフテーブル４００の外に排出される。図３（Ａ）に示される実施例においては、第２開口部４２４は、４つの切欠き部４２６の位置を除いてバフテーブル４００の支持面４０２の外周部付近を囲うように形成されている。他の実施形態として、第２開口部４２４は、支持面４０２の外周部付近を完全に囲む１つのリング状の溝として形成してもよい。図３（Ｂ）は他の実施形態における、バフテーブル４００の切欠き部４２６周辺の拡大図である。なお、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示される実施形態における４つの切欠き部４２６の位置には、リフトピン４８０（図２参照）が配置される。さらに、他の実施形態として、第２開口部４２４は、第１開口部４０４が配置される領域を少なくとも部分的に囲うように配置される複数の穴であってもよい。複数の穴として形成される第２開口部４２４は、直接、第２流体通路４２０に接続される。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing a cross section of the buff table 400 shown in FIG. 3(A), which is cut along a line segment EE. As shown in FIG. 3A, the buff table 400 has an expansion edge portion 406 extending in a direction in which the surface of the buff table 400 expands outward. As shown in FIGS. 3A and 4, a second opening 424 (not shown in FIG. 2) is formed in the support surface 402 of the buff table 400 located at the expanded edge portion 406. A second fluid passage 420 extending to the second opening 424 is formed in the expanded edge portion 406. The second fluid passage 420 is formed of a plurality of holes, penetrates the expanded edge portion 406, and is opened to the outside of the buff table 400. As shown in FIG. 3A, the second opening 424 is formed as a plurality of continuous grooves that at least partially surround the region where the first opening 404 is arranged. In other words, it can be said that the groove is formed near the outer periphery of the support surface 402 of the buff table 400. The second fluid passages 420 are arranged at equal intervals along the vicinity of the outer periphery of the support surface 402 of the buff table 400. The groove is connected to the second fluid passage 420 at regular intervals, and the fluid (for example, the processing liquid) that has entered the groove is discharged to the outside of the buff table 400 through the second fluid passage 420. In the embodiment shown in FIG. 3A, the second opening 424 is formed so as to surround the outer peripheral portion of the support surface 402 of the buff table 400 except for the positions of the four cutouts 426. .. As another embodiment, the second opening 424 may be formed as one ring-shaped groove that completely surrounds the periphery of the support surface 402. FIG. 3B is an enlarged view around the notch portion 426 of the buff table 400 according to another embodiment. The lift pins 480 (see FIG. 2) are arranged at the positions of the four cutout portions 426 in the embodiment shown in FIGS. 3(A) and 3(B). Further, as another embodiment, the second opening 424 may be a plurality of holes arranged so as to at least partially surround the region where the first opening 404 is arranged. The second opening 424 formed as a plurality of holes is directly connected to the second fluid passage 420.

図６は、他の実施形態として、図３（Ａ）または図３（Ｂ）に示されるバフテーブル４００を線分Ｅ−Ｅに沿って切り出した断面を示す断面図である。なお、図６において、第１流体通路４１０、バッキング材４５０は省略する。図６に示されるように、第２流体通路４２０が形成される位置よりも拡張縁部４０６の先端が下向きに延伸しており、拡張縁部４０６が「ひさし」の役割をして、矢印に示しように、ウェハＷｆの外周に向かって外に流れる処理液が支持面４０２とウェハＷｆの裏面との間の隙間に入り込むことを効果的に防ぐことができる。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing, as another embodiment, a cross section of the buff table 400 shown in FIG. 3(A) or FIG. 3(B) taken along line EE. Note that, in FIG. 6, the first fluid passage 410 and the backing material 450 are omitted. As shown in FIG. 6, the tip of the expanded edge portion 406 extends downward from the position where the second fluid passage 420 is formed, and the expanded edge portion 406 functions as an “eave” to form an arrow. As shown, it is possible to effectively prevent the processing liquid flowing outward toward the outer periphery of the wafer Wf from entering the gap between the support surface 402 and the back surface of the wafer Wf.

図１に示されるバフ処理モジュール３００Ａにおいては、バフ処理が施されるウェハＷｆは、バフテーブル４００の支持面４０２に配置される。真空源７４６により第１流体通路４１０が真空引きされることで、ウェハＷｆの裏面を第１開口部４０４に真空吸着させてウェハＷｆが保持される。上述したバフ処理中には、ウェハＷｆの被処理面にスラリーや他の処理液などが供給される。バフ処理中は、第１流体通路４１０は真空引きがされ続ける。そのため、ウェハＷｆの裏面と支持面４０２との間、あるいはウェハＷｆとバッキング材４５０との間の隙間に負圧が形成される。よって、第２開口部４２４および第２流体通路４２０を設けない場合、スラリーや処理液がウェハＷｆの外周から隙間を通って支持面４０２の内側に吸い込まれる。図１〜図４に示される実施形態によるバフテーブル４００を用いてウェハＷｆを真空吸着により保持する場合、第２流体通路４２０からウェハＷｆと支持面４０２との間の隙間を通って第１流体通路４１０へ空気の流れが発生し、第２開口部４２４近傍およびその外側の支持面４０２の負圧を開放（大気開放）することができる。したがって、スラリーや処理液がウェハＷｆの外周から支持面４０２とウェハＷ
ｆの裏面との間の隙間を通って第１開口部４０４および第１流体通路４１０に吸い込まれることを抑制できる。言い換えると、第２流体通路４２０は、第２開口部４２４を大気開放する大気開放経路としての役割を持つ。第２開口部４２４とは逆側に位置する第２流体通路４２０の端部は、バフテーブル４００の外に開放されており、第２開口部４２４とは逆側に位置する第２流体通路４２０の端部は大気開放口と称することもできる。 In the buff processing module 300A shown in FIG. 1, the wafer Wf to be buffed is placed on the support surface 402 of the buff table 400. When the first fluid passage 410 is evacuated by the vacuum source 746, the back surface of the wafer Wf is vacuum-sucked to the first opening 404 and the wafer Wf is held. During the buffing process described above, slurry, other processing liquid, or the like is supplied to the surface to be processed of the wafer Wf. During the buffing, the first fluid passage 410 is continuously evacuated. Therefore, a negative pressure is formed between the back surface of the wafer Wf and the support surface 402 or in the gap between the wafer Wf and the backing material 450. Therefore, when the second opening 424 and the second fluid passage 420 are not provided, the slurry or the processing liquid is sucked from the outer periphery of the wafer Wf into the inside of the support surface 402 through the gap. When the wafer Wf is held by vacuum suction using the buff table 400 according to the embodiment shown in FIGS. 1 to 4, the first fluid is passed from the second fluid passage 420 through the gap between the wafer Wf and the support surface 402. Air flow is generated in the passage 410, and the negative pressure in the vicinity of the second opening 424 and the supporting surface 402 outside thereof can be released (open to the atmosphere). Therefore, the slurry and the processing liquid are transferred from the outer periphery of the wafer Wf to the supporting surface 402 and the wafer W
It is possible to prevent the first opening 404 and the first fluid passage 410 from being sucked through the gap between the back surface of f and the back surface. In other words, the second fluid passage 420 serves as an atmosphere opening path that opens the second opening 424 to the atmosphere. The end of the second fluid passage 420 located on the opposite side of the second opening 424 is open to the outside of the buff table 400, and the second fluid passage 420 located on the opposite side of the second opening 424. The end portion of can be also referred to as an atmosphere opening port.

バフ処理が終了すると、ウェハＷｆはバフテーブル４００から脱着される。このとき、真空吸着されているウェハＷｆを脱着させるために、真空源７４６による第１流体通路４１０の真空引きを停止し、純水供給源７１４から第１流体通路４１０に所定時間だけ純水を供給し、その後に、窒素源７４４から第１流体通路４１０に所定時間だけ窒素を供給して、第１流体通路の圧力を外気圧よりも高くすることでウェハＷｆを支持面４０２から脱着させる。このとき、バフ処理したときに使用したスラリーまたは処理液が第１流体通路４１０内に吸い込まれていると、ウェハＷｆを脱着するときの純水および窒素とともに吸い込まれたスラリーや処理液が第１流体通路４１０および第１開口部４０４から噴き出す。その結果、支持面４０２とウェハＷｆの裏面との間の隙間を通ってスラリーや処理液がウェハＷｆの外周から噴き出し、さらにウェハＷｆの被処理面側に回りこんでウェハＷｆを汚染することになる。本実施形態によるバフテーブル４００を用いる場合、スラリーおよび処理液が第１流体通路４１０へバフ処理中に吸い込まれることが抑制または最小化されるので、ウェハＷｆを脱着するときに、ウェハＷｆを汚染するリスクが軽減される。さらに、少量のスラリーまたは処理液が第１流体通路４１０に吸い込まれていたとしても、ウェハＷｆをバフテーブル４００から脱着させるために純水および窒素を第１流体通路４１０に供給したときに、純水、窒素、スラリーまたは処理液の混合流体は、ウェハＷｆのエッジに達する前に第２開口部４２４および第２流体通路４２０を通ってバフテーブル４００の外部に排出されるので、混合流体がウェハＷｆの被処理面側へ回り込むことを防止することができる。言い換えると、第２流体通路４２０は、第２開口部４２４に入り込んだ流体を排出する流体排出経路としての役割を持つ。第２開口部と逆側に位置する第２流体通路４２０は流体排出口につながっている、ともいえる。本実施形態では、第２流体通路４２０は、図４および図６に示されるように、バフテーブル４００を貫通するように形成されているが、大気開放経路あるいは流体排出経路としての第２流体通路４２０の形態はこれらに限定されない。 When the buffing process is completed, the wafer Wf is removed from the buff table 400. At this time, in order to remove the vacuum-adsorbed wafer Wf, vacuuming of the first fluid passage 410 by the vacuum source 746 is stopped, and pure water is supplied from the pure water supply source 714 to the first fluid passage 410 for a predetermined time. After the supply, nitrogen is supplied from the nitrogen source 744 to the first fluid passage 410 for a predetermined time, and the pressure in the first fluid passage is made higher than the atmospheric pressure to detach the wafer Wf from the support surface 402. At this time, if the slurry or the processing liquid used during the buffing is sucked into the first fluid passage 410, the slurry or the processing liquid sucked together with the pure water and the nitrogen when desorbing the wafer Wf becomes the first It spouts from the fluid passage 410 and the first opening 404. As a result, the slurry or the processing liquid is ejected from the outer periphery of the wafer Wf through the gap between the support surface 402 and the back surface of the wafer Wf, and further spills to the surface to be processed of the wafer Wf to contaminate the wafer Wf. Become. When the buff table 400 according to the present embodiment is used, since the slurry and the processing liquid are suppressed or minimized from being sucked into the first fluid passage 410 during the buff processing, the wafer Wf is contaminated when the wafer Wf is desorbed. Risk of Further, even if a small amount of slurry or processing liquid is sucked into the first fluid passage 410, when pure water and nitrogen are supplied to the first fluid passage 410 in order to desorb the wafer Wf from the buff table 400, pure water and nitrogen are pure. Since the mixed fluid of water, nitrogen, slurry, or the processing liquid is discharged to the outside of the buff table 400 through the second opening 424 and the second fluid passage 420 before reaching the edge of the wafer Wf, the mixed fluid is the wafer. It is possible to prevent the Wf from wrapping around to the surface to be processed. In other words, the second fluid passage 420 serves as a fluid discharge path for discharging the fluid that has entered the second opening 424. It can be said that the second fluid passage 420 located on the opposite side of the second opening is connected to the fluid discharge port. In the present embodiment, the second fluid passage 420 is formed so as to penetrate the buff table 400 as shown in FIGS. 4 and 6, but the second fluid passage 420 serves as an atmosphere opening passage or a fluid discharge passage. The form of 420 is not limited to these.

図５は、一実施形態としてのバフテーブル４００の断面を概略的に示す図である。図５は、図２と同様にバッキング材４５０およびウェハＷｆが保持された状態を示している。図５に示されるバフテーブル４００は、図１〜図４に示される実施形態と同様に、第１開口部４０４、第１流体通路４１０、第２開口部４２４、および第２流体通路４２０を備えている。ただし、図５の実施形態のバフテーブル４００の第２流体通路４２０は、図１〜図４の実施形態のバフテーブル４００の第２流体通路４２０とは異なり、バフテーブル４００の外には開放されていない。図５に示されるように、本実施形態において、第２流体通路４２０は、第１流体通路４１０と同様に、純水供給源７１４、薬液供給源７２４、窒素源７４４、および真空源７４６に接続される。第２流体通路４２０は、図示しない大気開放弁に接続されていてもよい。第２流体通路４２０に入り込んだ不要な液体は、真空源７４６の上流に配置される気液分離器（図示せず）によって、排出されるようになっている。そのため、第２流体通路４２０に各種の流体を供給したり、第２流体通路を真空引きしたりすることができる。なお、図５においては図示の便宜のため、第１流体通路４１０と第２流体通路４２０とが、同じ経路で純水供給源７１４、薬液供給減７２４、窒素源７４４、および真空源７４６に接続されているように図示されているが、第１流体通路４１０と第２流体通路４２０とはそれぞれ別の経路で純水供給源７１４、薬液供給減７２４、窒素源７４４、および真空源７４６に接続されており、第１流体通路４１０と第２流体通路４２０を流れる流体は個別に切り替えることができる。かかる構成により、ウェハＷｆを脱着するときに、スラリーや処理液によりウェハＷｆを汚染するリスクを軽減すること
ができる。 FIG. 5 is a diagram schematically showing a cross section of the buff table 400 as one embodiment. FIG. 5 shows a state in which the backing material 450 and the wafer Wf are held as in FIG. The buff table 400 shown in FIG. 5 includes a first opening 404, a first fluid passage 410, a second opening 424, and a second fluid passage 420, similar to the embodiment shown in FIGS. ing. However, unlike the second fluid passage 420 of the buff table 400 of the embodiment of FIGS. 1 to 4, the second fluid passage 420 of the buff table 400 of the embodiment of FIG. 5 is open to the outside of the buff table 400. Not not. As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the second fluid passage 420 is connected to the pure water supply source 714, the chemical liquid supply source 724, the nitrogen source 744, and the vacuum source 746 similarly to the first fluid passage 410. To be done. The second fluid passage 420 may be connected to an atmosphere release valve (not shown). The unnecessary liquid that has entered the second fluid passage 420 is discharged by a gas-liquid separator (not shown) arranged upstream of the vacuum source 746. Therefore, it is possible to supply various fluids to the second fluid passage 420 and to evacuate the second fluid passage. Note that in FIG. 5, for convenience of illustration, the first fluid passage 410 and the second fluid passage 420 are connected to the pure water supply source 714, the chemical liquid supply reduction 724, the nitrogen source 744, and the vacuum source 746 in the same route. The first fluid passage 410 and the second fluid passage 420 are connected to the pure water supply source 714, the chemical solution supply reduction 724, the nitrogen source 744, and the vacuum source 746, respectively, though they are illustrated as being shown. Therefore, the fluids flowing through the first fluid passage 410 and the second fluid passage 420 can be individually switched. With this configuration, it is possible to reduce the risk of contaminating the wafer Wf with the slurry or the processing liquid when the wafer Wf is desorbed.

たとえば、バフ処理のためにウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に真空吸着させる場合、第２流体通路４２０を真空引きしてウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に真空吸着させる。このとき、第１流体通路４１０は真空引きしない。そのため、バフ処理中にスラリーや処理液が第２流体通路４２０に吸い込まれることはあるが、第１流体通路４１０には吸い込まれない。バフ処理が終了し、ウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２から脱着させるときは、第１流体通路４１０に純水および／または窒素ガスを供給してウェハＷｆを脱着させる。このとき、第２流体通路４２０には純水および／または窒素ガスを供給しない。そのため、バフ処理中に第２流体通路４２０吸い込まれたスラリーや処理液が、ウェハＷｆの脱着時にウェハ上に噴き出すことがないので、ウェハＷｆを汚染するリスクが軽減される。なお、第２流体通路４２０に入り込んだスラリーや処理液を洗い流すために、ウェハＷｆの交換時などに、第２流体通路４２０に純水や薬液などの各種流体を供給して第２流体通路４２０およびバフテーブル４００の支持面４０２を洗浄してもよい。 For example, when the wafer Wf is vacuum-adsorbed on the support surface 402 of the buff table 400 for buff processing, the second fluid passage 420 is evacuated to vacuum-adsorb the wafer Wf on the support surface 402 of the buff table 400. At this time, the first fluid passage 410 is not evacuated. Therefore, the slurry and the treatment liquid may be sucked into the second fluid passage 420 during the buff treatment, but are not sucked into the first fluid passage 410. When the wafer Wf is desorbed from the support surface 402 of the buff table 400 after the buff processing is completed, deionized water and/or nitrogen gas is supplied to the first fluid passage 410 to desorb the wafer Wf. At this time, pure water and/or nitrogen gas is not supplied to the second fluid passage 420. Therefore, the slurry or the processing liquid sucked in the second fluid passage 420 during the buffing process does not spout onto the wafer when the wafer Wf is attached/detached, and the risk of contaminating the wafer Wf is reduced. In order to wash away the slurry and the processing liquid that have entered the second fluid passage 420, when the wafer Wf is replaced, various fluids such as pure water and a chemical liquid are supplied to the second fluid passage 420 to supply the second fluid passage 420. And the support surface 402 of the buff table 400 may be cleaned.

また、バフ処理のためにウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に真空吸着させる場合、第１流体通路４１０を真空引きしてウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に真空吸着させる。このとき、第２流体通路４２０は真空引きしない。そのため、バフ処理中にスラリーや処理液が第１流体通路４１０に吸い込まれることはあるが、第２流体通路４２０には吸い込まれない。バフ処理が終了し、ウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２から脱着させるときは、第２流体通路４２０に純水および／または窒素ガスを供給してウェハＷｆを脱着させる。このとき、第１流体通路４１０には純水および／または窒素ガスを供給しない。そのため、バフ処理中に第１流体通路４１０吸い込まれたスラリーや処理液が、ウェハＷｆの脱着時にウェハ上に噴き出すことがないので、ウェハＷｆを汚染するリスクが軽減される。なお、第１流体通路４１０に入り込んだスラリーや処理液を洗い流すために、ウェハＷｆの交換時などに、第１流体通路４１０に純水や薬液などの各種流体を供給して第１流体通路４１０およびバフテーブル４００の支持面４０２を洗浄してもよい。 Further, when the wafer Wf is vacuum-adsorbed on the support surface 402 of the buff table 400 for the buffing process, the first fluid passage 410 is evacuated and the wafer Wf is vacuum-adsorbed on the support surface 402 of the buff table 400. At this time, the second fluid passage 420 is not evacuated. Therefore, the slurry or the treatment liquid may be sucked into the first fluid passage 410 during the buff treatment, but is not sucked into the second fluid passage 420. When the wafer Wf is desorbed from the support surface 402 of the buff table 400 after the buffing process is completed, pure water and/or nitrogen gas is supplied to the second fluid passage 420 to desorb the wafer Wf. At this time, pure water and/or nitrogen gas is not supplied to the first fluid passage 410. Therefore, the slurry or the processing liquid sucked in the first fluid passage 410 during the buffing process does not spout on the wafer when the wafer Wf is attached/detached, and the risk of contaminating the wafer Wf is reduced. In order to wash away the slurry and the processing liquid that have entered the first fluid passage 410, various fluids such as pure water and chemicals are supplied to the first fluid passage 410 when the wafer Wf is exchanged. And the support surface 402 of the buff table 400 may be cleaned.

また、一実施形態として、バフ処理のためにウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に真空吸着させる場合、第１流体通路４１０と第２流体通路４２０の両方を真空引きしてウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２に真空吸着させることができる。そのため、バフ処理中にスラリーや処理液が外側に配置される第２流体通路４２０に吸い込まれることはあるが、内側に配置される第１流体通路４１０にはほとんど吸い込まれない。バフ処理が終了し、ウェハＷｆをバフテーブル４００の支持面４０２から脱着させるときは、第１流体通路４１０に純水および／または窒素ガスを供給してウェハＷｆを脱着させることができる。このとき、第２流体通路４２０には純水および／または窒素ガスを供給しない。バフ処理中に第２流体通路４２０吸い込まれたスラリーや処理液が、ウェハＷｆの脱着時にウェハ上に噴き出すことがないので、ウェハＷｆを汚染するリスクが軽減される。なお、第２流体通路４２０に入り込んだスラリーや処理液を洗い流すために、ウェハＷｆの交換時などに、第２流体通路４２０に純水や薬液などの各種流体を供給して第２流体通路４２０およびバフテーブル４００の支持面４０２を洗浄してもよい。 Further, as one embodiment, when the wafer Wf is vacuum-adsorbed on the support surface 402 of the buff table 400 for buffing, both the first fluid passage 410 and the second fluid passage 420 are evacuated to buff the wafer Wf. The supporting surface 402 of the table 400 can be vacuum-adsorbed. Therefore, during the buffing process, the slurry or the processing liquid may be sucked into the second fluid passage 420 arranged outside, but is hardly sucked into the first fluid passage 410 arranged inside. When the wafer Wf is desorbed from the support surface 402 of the buff table 400 after the buffing process is completed, pure water and/or nitrogen gas can be supplied to the first fluid passage 410 to desorb the wafer Wf. At this time, pure water and/or nitrogen gas is not supplied to the second fluid passage 420. The slurry or the processing liquid sucked in the second fluid passage 420 during the buffing process does not spout on the wafer when the wafer Wf is attached/detached, so that the risk of contaminating the wafer Wf is reduced. In order to wash away the slurry and the processing liquid that have entered the second fluid passage 420, when the wafer Wf is replaced, various fluids such as pure water and a chemical liquid are supplied to the second fluid passage 420 to supply the second fluid passage 420. And the support surface 402 of the buff table 400 may be cleaned.

図５に示される実施形態において、第１開口部４０４、第１流体通路４１０、第２開口部４２４、および第２流体通路４２０の配置は任意の配置とすることができる。たとえば、図５に示される実施形態のバフテーブル４００において、第２開口部４２４および第２流体通路４２０を、拡張縁部４０６に形成してもよく、それ以外の位置に形成してもよい。 In the embodiment shown in FIG. 5, the arrangement of the first opening 404, the first fluid passage 410, the second opening 424, and the second fluid passage 420 can be any arrangement. For example, in the buff table 400 of the embodiment shown in FIG. 5, the second opening 424 and the second fluid passage 420 may be formed in the expanded edge portion 406 or may be formed in other positions.

以上のように、本願発明の処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置について、バフ処理装置を例として説明してきたが、本発明は上述のバフ処理装置に限定されるものではない。本明細書に開示されるテーブルおよび該テーブルを有する処理装置は、真空吸着して処理対象物を保持する他の装置にも適用できる。本明細書に開示されるテーブルは、特に、基板に液体を供給して基板を処理する湿式基板処理装置において、適用することができる。 As described above, the table for holding the object to be processed of the present invention and the processing apparatus having the table have been described by taking the buff processing apparatus as an example, but the present invention is limited to the buff processing apparatus described above. is not. The table and the processing apparatus having the table disclosed in the present specification can be applied to other apparatuses that hold an object to be processed by vacuum suction. The table disclosed in the present specification can be applied particularly to a wet substrate processing apparatus that supplies a liquid to a substrate to process the substrate.

４００…テーブル
４０２…支持面
４０４…第１開口部
４０６…拡張縁部
４１０…第１流体通路
４２０…第２流体通路
４２４…第２開口部
４５０…バッキング材
４５２…貫通孔
５０２…研磨パッド
７１４…純水供給源
７２４…薬液供給源
７４４…窒素源
７４６…真空源
Ｗｆ…ウェハ 400... Table 402... Supporting surface 404... 1st opening 406... Expansion edge 410... 1st fluid passage 420... 2nd fluid passage 424... 2nd opening 450... Backing material 452... Through hole 502... Polishing pad 714... Pure water supply source 724... Chemical solution supply source 744... Nitrogen source 746... Vacuum source Wf... Wafer

Claims

基板を処理するための湿式基板処理装置であって、
基板を保持するためのテーブルと、
前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構と、を有し、
前記テーブルは、
基板を支持するための支持面と、
前記支持面に形成される第１開口部と、
前記支持面に形成され、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、気体供給源、液体供給源、および真空源に選択的に接続されるように構成される第１流体通路と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、前記第２開口部を大気開放するように構成される第２流体通路と、を有する、
湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
A table for holding the board,
A processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate held on the table,
The table is
A support surface for supporting the substrate,
A first opening formed in the support surface;
A second opening formed in the support surface and arranged to at least partially surround the first opening;
A first fluid passage extending through the table to the first opening in the support surface and configured to be selectively connected to a gas source, a liquid source, and a vacuum source;
A second fluid passage extending through the table to the second opening of the support surface and configured to open the second opening to the atmosphere.
Wet substrate processing equipment.

請求項１に記載の湿式基板処理装置であって、前記第２流体通路は前記テーブルの少なくとも一部を貫通するように延びる、湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second fluid passage extends so as to penetrate at least a part of the table.

請求項２に記載の湿式基板処理装置であって、前記テーブルは、前記テーブルの表面が拡張する方向に延びる拡張縁部を有し、前記第２開口部は前記拡張縁部に位置し、前記第２流体通路は前記拡張縁部を貫通して延びる、湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the table has an expansion edge portion that extends in a direction in which a surface of the table expands, and the second opening is located at the expansion edge portion. The wet substrate processing apparatus wherein the second fluid passage extends through the extended edge.

請求項１に記載の湿式基板処理装置であって、前記気体供給源から供給される気体は空気または窒素を含み、前記液体供給源から供給される液体は水を含む、湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the gas supplied from the gas supply source contains air or nitrogen, and the liquid supplied from the liquid supply source contains water .

請求項１乃至４のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、前記テーブルは回
転可能に構成される、湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the table is configured to be rotatable, wet the substrate processing apparatus.

請求項１乃至５のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
前記基板を研磨処理するための研磨パッドを有する、
湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
A polishing pad for polishing the substrate,
Wet substrate processing equipment.

請求項１乃至６のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
前記第１開口部および前記第２開口部は、基板が前記テーブルの前記支持面に保持された状態で、基板に塞がれるように構成されている、
湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 , wherein
The first opening and the second opening are configured to be closed by the substrate while the substrate is held on the supporting surface of the table.
Wet substrate processing equipment.

請求項１乃至７のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
前記第２開口部は、前記支持面の外周に沿って延びる、全体としてリング形状を画定する１つまたは複数の溝から形成されている、
湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7 , wherein
The second opening is formed from one or more grooves extending along an outer periphery of the support surface and defining a generally ring shape,
Wet substrate processing equipment.

基板を処理するための湿式基板処理装置であって、
基板を保持するためのテーブルと、
前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構と、を有し、
前記テーブルは、
基板を支持するための支持面と、
前記支持面に形成される第１開口部と、
前記支持面に形成され、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、気体供給源、液体供給源、および真空源に選択的に接続されるように構成される第１流体通路と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、前記気体供給源、前記液体供給源、および前記真空源に選択的に接続されるように構成される第２流体通路と、を有し、
前記第１開口部および前記第２開口部は、基板が前記テーブルの前記支持面に保持された状態で、基板に塞がれるように構成されている、
湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
A table for holding the board,
A processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate held on the table,
The table is
A support surface for supporting the substrate,
A first opening formed in the support surface;
A second opening formed in the support surface and arranged to at least partially surround the first opening;
A first fluid passage extending through the table to the first opening in the support surface and configured to be selectively connected to a gas source, a liquid source, and a vacuum source;
A second fluid passage extending through the table to the second opening of the support surface and configured to be selectively connected to the gas source, the liquid source, and the vacuum source. ,
The first opening and the second opening are configured to be closed by the substrate while the substrate is held on the supporting surface of the table.
Wet substrate processing equipment.

請求項９に記載の湿式基板処理装置であって、前記気体供給源から供給される気体は空気または窒素を含み、前記液体供給源から供給される液体は水を含む、湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to claim 9 , wherein the gas supplied from the gas supply source contains air or nitrogen, and the liquid supplied from the liquid supply source contains water .

請求項９または１０に記載の湿式基板処理装置であって、前記テーブルは回転可能に構成される、湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus according to claim 9 or 10, wherein the table is configured to be rotatable, wet the substrate processing apparatus.

請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
基板を研磨処理するための研磨パッドを有する、
湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 11,
A polishing pad for polishing the substrate,
Wet substrate processing equipment.

請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
前記第２開口部は、前記支持面の外周に沿って延びる、全体としてリング形状を画定する１つまたは複数の溝から形成されている、
湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 12,
The second opening is formed from one or more grooves extending along an outer periphery of the support surface and defining a generally ring shape,
Wet substrate processing equipment.

基板を処理するための湿式基板処理装置であって、
基板を保持するためのテーブルと、
前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構とを有し、
前記テーブルは、
基板を支持するための支持面と、
前記支持面に形成される第１開口部と、
前記支持面に形成され、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、気体供給源、液体供給源、および真空源に選択的に接続されるように構成される第１流体通路と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、前記気体供給源、前記液体供給源、および前記真空源に選択的に接続されるように構成される第２流体通路と、を有し、
前記第２開口部は、前記支持面の外周に沿って延びる、全体としてリング形状を画定する１つまたは複数の溝から形成されている、
湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
A table for holding the board,
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate held on the table,
The table is
A support surface for supporting the substrate,
A first opening formed in the support surface;
A second opening formed in the support surface and arranged to at least partially surround the first opening;
A first fluid passage extending through the table to the first opening in the support surface and configured to be selectively connected to a gas source, a liquid source, and a vacuum source ;
A second fluid passage extending through the table to the second opening of the support surface and configured to be selectively connected to the gas source, the liquid source, and the vacuum source. ,
The second opening is formed from one or more grooves extending along an outer periphery of the support surface and defining a generally ring shape,
Wet substrate processing equipment.

請求項１４に記載の湿式基板処理装置であって、前記気体供給源から供給される気体は空気または窒素を含み、前記液体供給源から供給される液体は水を含む、湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to claim 14 , wherein the gas supplied from the gas supply source contains air or nitrogen, and the liquid supplied from the liquid supply source contains water .

請求項１４または１５に記載の湿式基板処理装置であって、前記テーブルは回転可能に構成される、湿式基板処理装置。 The wet type substrate processing apparatus according to claim 14 or 15 , wherein the table is configured to be rotatable.

請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
基板を研磨処理するための研磨パッドを有する、
湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to any one of claims 14 to 16 , wherein
A polishing pad for polishing the substrate,
Wet substrate processing equipment.

請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置であって、
前記第１開口部および前記第２開口部は、基板が前記テーブルの前記支持面に保持された状態で、基板に塞がれるように構成されている、
湿式基板処理装置。 The wet substrate processing apparatus according to any one of claims 14 to 17 , wherein
The first opening and the second opening are configured to be closed by the substrate while the substrate is held on the supporting surface of the table.
Wet substrate processing equipment.

基板を処理するための湿式基板処理装置であって、
基板を保持するためのテーブルと、
前記テーブルに保持される基板に処理液を供給するための処理液供給機構とを有し、
前記テーブルは、
基板を支持するための支持面と、
前記支持面に形成される第１開口部と、
前記支持面に形成され、前記第１開口部を少なくとも部分的に囲むように配置される第２開口部と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第１開口部まで延び、気体供給源、液体供給源、および真空源に選択的に接続されるように構成される第１流体通路と、
前記テーブルを通じて前記支持面の前記第２開口部まで延び、前記気体供給源、前記液体供給源、および前記真空源に選択的に接続されるように構成される第２流体通路と、を有する、
湿式基板処理装置。 A wet substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
A table for holding the board,
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate held on the table,
The table is
A support surface for supporting the substrate,
A first opening formed in the support surface;
A second opening formed in the support surface and arranged to at least partially surround the first opening;
A first fluid passage extending through the table to the first opening in the support surface and configured to be selectively connected to a gas source, a liquid source, and a vacuum source ;
Extends to the second opening of the supporting surface through said table, said gas source, to have a, a second fluid passage arranged to be selectively connected the liquid supply source, and the vacuum source ,
Wet substrate processing equipment.

基板を保持するためのテーブルに配置可能なバッキング材であって、
前記バッキング材は、請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の湿式基板処理装置のテーブルに配置されたときに、前記テーブルの前記第１開口部および前記第２開口部の位置
に対応する位置に貫通孔を有する、バッキング材。 A backing material that can be placed on a table for holding a substrate,
The backing material corresponds to the positions of the first opening and the second opening of the table when placed on the table of the wet-type substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 19. A backing material having a through hole at a position.