JP2007311656A - Thermoelectric module - Google Patents

Thermoelectric module Download PDF

Info

Publication number
JP2007311656A
JP2007311656A JP2006140661A JP2006140661A JP2007311656A JP 2007311656 A JP2007311656 A JP 2007311656A JP 2006140661 A JP2006140661 A JP 2006140661A JP 2006140661 A JP2006140661 A JP 2006140661A JP 2007311656 A JP2007311656 A JP 2007311656A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
melting point
case
low melting
temperature side
thermoelectric element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006140661A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiki Fukada
善樹 深田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2006140661A priority Critical patent/JP2007311656A/en
Publication of JP2007311656A publication Critical patent/JP2007311656A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a deterioration of performance of a thermoelectric element caused from a vaporized material of a low melting point keeping satisfactorily a thermoelectric transmission efficiency between the material of a low melting point and the thermoelectric element. <P>SOLUTION: In the thermoelectric modules 100A-100G which hold the thermoelectric elements 130A-130G and buffers 120A-120G using the material of a low melting point in the same container, and the material of a low melting point of the buffers is directly contacted with a substrate which the thermoelectric elements are to be located, and sealing means (170, 172) which seal the buffers separating from the thermoelectric elements are located on it. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、熱電素子と低融点材料を使用した緩衝体とを同一の容器内に収容した熱電モジュールに関する。   The present invention relates to a thermoelectric module in which a thermoelectric element and a buffer using a low melting point material are accommodated in the same container.

従来から、この種の熱電モジュールに関連した技術として、温度差のある高温側部材と低温側部材の間に挟まれて熱を伝達すると共に熱応力の緩和を行う熱応力緩和パッドにおいて、多孔質材料をマトリックスとして、その空孔に熱伝導率が大きくかつ融点が運転時の前記低温側部材の温度に近い温度である伝熱材料を含浸させたことを特徴とする熱応力緩和パッドが知られている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, as a technology related to this type of thermoelectric module, in a thermal stress relaxation pad that transfers heat while relaxing between a high temperature side member and a low temperature side member having a temperature difference, A thermal stress relaxation pad is known in which a material is used as a matrix and the pores are impregnated with a heat transfer material having a high thermal conductivity and a melting point close to the temperature of the low-temperature side member during operation. (For example, refer to Patent Document 1).

また、温度差のある２面の間に介在しこれら２面から加圧力を受けると共に高温側の面から低温側の面へと熱を伝える伝熱用クッションであって、使用温度下で液状を呈する低融点材料と、この低融点材料を封入し且つ液状の前記低融点材料の変形を許容する柔軟性を備えるシェルとを有することを特徴とする伝熱用クッションが知られている（例えば、特許文献２参照）。
特許第３４８２１６９号公報 特開２００６−２４６０８号公報 Also, a cushion for heat transfer that is interposed between two surfaces having a temperature difference and receives pressure from these two surfaces and transfers heat from the high-temperature side surface to the low-temperature side surface. There is known a heat transfer cushion characterized by having a low melting point material to be exhibited and a shell having flexibility to enclose the low melting point material and allow deformation of the liquid low melting point material (for example, Patent Document 2).
Japanese Patent No. 3482169 JP 2006-24608 A

しかしながら、上述の特許文献１に記載の発明のような低融点材料を使用した緩衝体を、熱電素子と共に容器内に収めた場合、気化した低融点材料が容器内に滞留するので、熱電素子の内部に入り込み或いは熱電素子の表面に付着しやすくなり、熱電素子の性能が損なわれる虞がある。即ち、気化した低融点材料が熱電素子の内部に入り込むと、熱電素子の物性が変化してしまうし、気化した低融点材料が熱電素子の表面に付着すると、メッキ状態になり、熱電素子の表面に電気が流れてしまうので、いずれの場合も熱電素子の性能が損なわれることになる。   However, when a buffer using a low-melting-point material like the invention described in Patent Document 1 described above is housed in a container together with the thermoelectric element, the vaporized low-melting-point material stays in the container. There is a risk that the inside of the thermoelectric element or the surface of the thermoelectric element tends to be attached, and the performance of the thermoelectric element is impaired. That is, if the vaporized low melting point material enters the inside of the thermoelectric element, the physical properties of the thermoelectric element will change, and if the vaporized low melting point material adheres to the surface of the thermoelectric element, it will be in a plated state and the surface of the thermoelectric element In any case, the performance of the thermoelectric element is impaired.

これに対して、上述の特許文献２に記載の発明のように、袋状のシェルに低融点材料を封入する構成では、低融点材料が気化しても袋状のシェル内に封止されるので、低融点材料の蒸気に起因して熱電素子の性能が劣化する虞がなくなる。しかしながら、袋状のシェルに低融点材料を封入する構成では、低融点材料が、熱電素子を支持する基板にシェルを介して接触するので(即ち低融点材料が基板に直接接触しないので)、低融点材料と熱電素子との間の熱伝達効率が悪くなるという問題がある。   On the other hand, in the configuration in which the low-melting-point material is sealed in the bag-like shell as in the above-described Patent Document 2, even if the low-melting-point material is vaporized, it is sealed in the bag-like shell. Therefore, there is no possibility that the performance of the thermoelectric element deteriorates due to the vapor of the low melting point material. However, in the configuration in which the low melting point material is sealed in the bag-shaped shell, the low melting point material contacts the substrate supporting the thermoelectric element through the shell (that is, the low melting point material does not directly contact the substrate). There is a problem that the heat transfer efficiency between the melting point material and the thermoelectric element is deteriorated.

そこで、本発明は、低融点材料と熱電素子との間の熱伝達効率を良好に維持しつつ、気化した低融点材料に起因した熱電素子の性能劣化を防止することができる熱電モジュールの提供を目的とする。   Therefore, the present invention provides a thermoelectric module capable of preventing deterioration of the performance of the thermoelectric element due to the vaporized low melting point material while maintaining good heat transfer efficiency between the low melting point material and the thermoelectric element. Objective.

上記目的を達成するため、第１の発明は、熱電素子と低融点材料を使用した緩衝体とを同一の容器内に収容した熱電モジュールにおいて、
前記緩衝体の低融点材料を、前記熱電素子が設けられる基板に直接接触させると共に、前記緩衝体を前記熱電素子から隔離して密封するシール手段を設けることを特徴とする。尚、低融点材料を使用した緩衝体としては、低融点材料そのものや、低融点材料を含浸させた弾性体が好適である。 In order to achieve the above object, the first invention is a thermoelectric module in which a thermoelectric element and a buffer using a low melting point material are accommodated in the same container.
The low melting point material of the buffer is brought into direct contact with the substrate on which the thermoelectric element is provided, and a sealing means is provided for sealing and isolating the buffer from the thermoelectric element. As the buffer using the low melting point material, the low melting point material itself or an elastic body impregnated with the low melting point material is suitable.

第２の発明は、第１の発明に係る熱電モジュールにおいて、
前記基板が、前記容器の側面との間に隙間ができるように配置されており、
前記シール手段が、前記隙間を封止することを特徴とする。 2nd invention is the thermoelectric module which concerns on 1st invention,
The substrate is arranged so that a gap is formed between the side surface of the container and
The sealing means seals the gap.

第３の発明は、第１の発明に係る熱電モジュールにおいて、
前記シール手段が、前記容器の上面又は底面と前記基板との間の隙間を封止することを特徴とする。 A third invention is the thermoelectric module according to the first invention,
The sealing means seals a gap between an upper surface or a bottom surface of the container and the substrate.

第４の発明は、第１〜３の何れかの発明に係る熱電モジュールにおいて、
前記シール手段が伸縮構造部を有することを特徴とする。これにより、容器と基板の間に相対変位が生じても、当該相対変位を伸縮構造部により吸収することで、シール手段の剥離等が発生せず、シール手段のシール性を維持することができる。 A fourth invention is the thermoelectric module according to any one of the first to third inventions,
The sealing means has an elastic structure. Thereby, even if a relative displacement occurs between the container and the substrate, the relative displacement is absorbed by the stretchable structure portion, so that peeling of the sealing means does not occur and the sealing performance of the sealing means can be maintained. .

第５の発明は、第１〜４の何れかの発明に係る熱電モジュールにおいて、
前記容器が屈曲部を有することを特徴とする。これにより、例えば熱源と容器との間に相対的な変位が生じた場合にも、前記容器の屈曲部が変形することで当該相対変位を吸収して熱源との間で高い密着性が維持され、前記緩衝体による高い伝導性を維持することができる。 A fifth invention is the thermoelectric module according to any one of the first to fourth inventions,
The container has a bent portion. Thereby, for example, even when a relative displacement occurs between the heat source and the container, the bent portion of the container is deformed to absorb the relative displacement and maintain high adhesion with the heat source. The high conductivity of the buffer can be maintained.

本発明によれば、低融点材料と熱電素子との間の熱伝達効率を良好に維持しつつ、気化した低融点材料に起因した熱電素子の性能劣化を防止することができる熱電モジュールが得られる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the thermoelectric module which can prevent the performance deterioration of the thermoelectric element resulting from the vaporized low melting point material is obtained, maintaining the heat transfer efficiency between a low melting point material and a thermoelectric element favorably. .

以下、図面を参照して、幾つかの実施例に分けて本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in several embodiments with reference to the drawings.

図１は、本発明の実施例１による熱電モジュール１００Ａの基本断面を示す断面図である。熱電モジュール１００Ａは、例えば自動車の廃熱を利用して電気を生成する装置であり、例えばエンジンからの排ガスの排出経路(エキゾーストパイプやマフラー)に設けられてよく、この場合、排ガスの熱を利用して電気を生成することになる。以下では、熱電モジュールにおいて、マフラーのような熱源から熱を受け取る側を高温側と称し、その逆側を、低温側という。以下では、説明の便宜上、熱電モジュール１００Ａの実際の設置状態での上下方向とは関係なく、図１に示すように、高温側を下方向とし、低温側を上方向とする。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a basic cross section of a thermoelectric module 100A according to Embodiment 1 of the present invention. The thermoelectric module 100A is an apparatus that generates electricity using, for example, the waste heat of an automobile, and may be provided, for example, in an exhaust gas exhaust path (exhaust pipe or muffler) from the engine. In this case, the heat of the exhaust gas is used. As a result, electricity is generated. Hereinafter, in the thermoelectric module, a side that receives heat from a heat source such as a muffler is referred to as a high temperature side, and the opposite side is referred to as a low temperature side. In the following, for convenience of explanation, as shown in FIG. 1, the high temperature side is the downward direction and the low temperature side is the upward direction, regardless of the vertical direction in the actual installation state of the thermoelectric module 100A.

熱電モジュール１００Ａは、容器として機能するケース１４０Ａを有する。ケース１４０Ａは、底面１４２Ａと、底面１４２Ａの周縁から立設される周壁（側壁）１４４Ａとを有し、高温側が閉じた内部空間を画成する。   The thermoelectric module 100A has a case 140A that functions as a container. The case 140A has a bottom surface 142A and a peripheral wall (side wall) 144A erected from the periphery of the bottom surface 142A, and defines an internal space where the high temperature side is closed.

熱電モジュール１００Ａは、ケース１４０Ａの底面１４２Ａが熱源に押し付けられるように設置される。ケース１４０Ａの底面１４２Ａは、熱源に対して隙間なく接するように、熱源の形状に沿った形状を有する。例えば、熱源が円筒状の形状であれば、底面１４２Ａは、奥行き方向（紙面垂直方向）で熱源の曲率半径に応じた曲面を構成する。また、底面１４２Ａは、熱源との密着性を高めるため、適当な可撓性を有するように構成される。同様の観点から、ケース１４０Ａの周壁１４４Ａには、屈曲部１４６Ａが形成される。屈曲部１４６Ａは、周壁１４４Ａの全周に亘って形成されるが、部分的に形成されてもよい。これにより、製造公差等によりケース１４０Ａの底面１４２Ａと熱源と間に僅かな隙間が存在する場合であっても、熱源に対して熱電モジュール１００Ａを押し付けて設置した際にケース１４０Ａの底面１４２Ａないし屈曲部１４６Ａが変形して、熱電モジュール１００Ａ（ケース１４０Ａの底面１４２Ａ）と熱源との高い密着性（適切な押し付け力）が維持される。   The thermoelectric module 100A is installed such that the bottom surface 142A of the case 140A is pressed against the heat source. The bottom surface 142A of the case 140A has a shape along the shape of the heat source so as to be in contact with the heat source without a gap. For example, if the heat source has a cylindrical shape, the bottom surface 142A forms a curved surface according to the radius of curvature of the heat source in the depth direction (perpendicular to the paper surface). Further, the bottom surface 142A is configured to have appropriate flexibility in order to improve the adhesion with the heat source. From the same viewpoint, a bent portion 146A is formed on the peripheral wall 144A of the case 140A. The bent portion 146A is formed over the entire circumference of the peripheral wall 144A, but may be partially formed. As a result, even if there is a slight gap between the bottom surface 142A of the case 140A and the heat source due to manufacturing tolerances or the like, the bottom surface 142A or the bent portion of the case 140A is bent when the thermoelectric module 100A is pressed against the heat source. The portion 146A is deformed, and high adhesion (appropriate pressing force) between the thermoelectric module 100A (the bottom surface 142A of the case 140A) and the heat source is maintained.

ケース１４０Ａには、下から順に、緩衝体１２０Ａ、高温側絶縁基板１０４Ａ、高温側電極１０８Ａ、熱電素子１３０Ａ、低温側電極１１０Ａ及び低温側絶縁基板１１２Ａが収容されている。尚、図示の例では、低温側絶縁基板１１２Ａが、ケース１４０Ａの内部空間を上方から閉塞する蓋の役割を果たしている。ケース１４０Ａの内部空間には、熱電素子１３０Ａが酸化しないように不活性ガスが充填される。   The case 140A accommodates the buffer 120A, the high temperature side insulating substrate 104A, the high temperature side electrode 108A, the thermoelectric element 130A, the low temperature side electrode 110A, and the low temperature side insulating substrate 112A in order from the bottom. In the illustrated example, the low temperature side insulating substrate 112A serves as a lid for closing the internal space of the case 140A from above. The internal space of the case 140A is filled with an inert gas so that the thermoelectric element 130A is not oxidized.

高温側絶縁基板１０４Ａは、後述の緩衝体１２０Ａの低融点金属に直接接触するため、低融点金属に対して良好な耐性を有する材料から形成され、又は耐性を付与するための表面処理がなされてもよい。高温側絶縁基板１０４Ａは、ケース１４０Ａの周壁１４４Ａよりも僅かに小さい外形を有し、ケース１４０Ａの周壁１４４Ａとの間に隙間１４８Ａを画成する。この隙間１４８Ａは、ケース１４０Ａの変形や、熱膨張係数の相違に起因した温度変化に伴う高温側絶縁基板１０４Ａとケース１４０Ａの熱膨張量の相違を吸収すべく設定されている。   Since the high temperature side insulating substrate 104A is in direct contact with the low melting point metal of the buffer 120A described later, the high temperature side insulating substrate 104A is formed from a material having good resistance to the low melting point metal or is subjected to surface treatment for imparting resistance. Also good. The high temperature side insulating substrate 104A has an outer shape slightly smaller than the peripheral wall 144A of the case 140A, and defines a gap 148A with the peripheral wall 144A of the case 140A. The gap 148A is set to absorb the difference in thermal expansion between the high temperature side insulating substrate 104A and the case 140A due to the temperature change caused by the deformation of the case 140A or the difference in thermal expansion coefficient.

熱電素子１３０Ａは、図１に示すように、Ｐ型熱電半導体１３２ＡとＮ型熱電半導体１３４Ａからなり、Ｐ型熱電半導体１３２ＡとＮ型熱電半導体１３４Ａが交互に配列されてなる。互いに隣接するＰ型熱電半導体１３２Ａ及びＮ型熱電半導体１３４Ａ間は、低温側と高温側で交互に低温側電極１１０Ａ又は高温側電極１０８Ａにより電気的に接続される。低温側電極１１０Ａは、低温側絶縁基板１１２Ａに担持され、高温側電極１０８Ａは、高温側絶縁基板１０４Ａに担持される。尚、低温側電極１１０Ａ、高温側電極１０８Ａ、熱電素子１３０Ａ、低温側絶縁基板１１２Ａ及び高温側絶縁基板１０４Ａのうちの幾つかの部材又は全ては、接着等により一体化されてケース１４０Ａ内に組み付けられるものであってよい。   As shown in FIG. 1, the thermoelectric element 130A includes a P-type thermoelectric semiconductor 132A and an N-type thermoelectric semiconductor 134A, and the P-type thermoelectric semiconductor 132A and the N-type thermoelectric semiconductor 134A are alternately arranged. The P-type thermoelectric semiconductor 132A and the N-type thermoelectric semiconductor 134A adjacent to each other are electrically connected by the low temperature side electrode 110A or the high temperature side electrode 108A alternately on the low temperature side and the high temperature side. The low temperature side electrode 110A is carried on the low temperature side insulating substrate 112A, and the high temperature side electrode 108A is carried on the high temperature side insulating substrate 104A. Note that some or all of the low temperature side electrode 110A, the high temperature side electrode 108A, the thermoelectric element 130A, the low temperature side insulating substrate 112A, and the high temperature side insulating substrate 104A are integrated by bonding or the like and assembled in the case 140A. It may be.

緩衝体１２０Ａは、高い弾性の多孔質体又は繊維構造材料に低融点金属を含浸させてなる。多孔質体又は繊維構造材料は、例えばスチールウールや炭素繊維等である。低融点金属は、熱伝導率が高く、作動温度下で液体となる材料から選択され、例えば錫が好適である。緩衝体１２０Ａは、図１に示すように、高温側絶縁基板１０４Ａよりも幾分小さい外形を有し、高温側絶縁基板１０４Ａにおける熱電素子１３０Ａが載置された領域をカバーするような大きさを有する。   The buffer 120A is formed by impregnating a low-melting metal into a highly elastic porous body or fiber structure material. Examples of the porous body or the fiber structure material include steel wool and carbon fiber. The low melting point metal is selected from materials that have a high thermal conductivity and become liquid at the operating temperature. For example, tin is preferable. As shown in FIG. 1, the shock absorber 120A has a slightly smaller outer shape than the high temperature side insulating substrate 104A, and is large enough to cover the region where the thermoelectric element 130A is placed on the high temperature side insulating substrate 104A. Have.

緩衝体１２０Ａの低融点金属は、ケース１４０Ａの底面１４２Ａから高温側絶縁基板１０４Ａへと熱を伝導する役割を果たす。緩衝体１２０Ａの弾性材料（例えば多孔質体）は、例えば熱源の変形に追従してケース１４０Ａが変形した場合にも、緩衝体１２０Ａが自ら変形することにより当該ケース１４０Ａの変形を吸収し、緩衝体１２０Ａがケース１４０Ａの底面１４２Ａと高温側絶縁基板１０４Ａに対して密着して、ケース１４０Ａの底面１４２Ａと高温側絶縁基板１０４Ａとの間に空隙ができないようにする役割を果たす。これにより、ケース１４０Ａが変形した場合に生じうるケース１４０Ａの底面１４２Ａと高温側絶縁基板１０４Ａとの間の熱抵抗の増加を、防止することができる。   The low melting point metal of the buffer 120A plays a role of conducting heat from the bottom surface 142A of the case 140A to the high temperature side insulating substrate 104A. The elastic material (for example, a porous body) of the shock absorber 120A absorbs the deformation of the case 140A by the deformation of the shock absorber 120A even when the case 140A deforms following the deformation of the heat source, for example. The body 120A is in close contact with the bottom surface 142A of the case 140A and the high temperature side insulating substrate 104A, and serves to prevent a gap between the bottom surface 142A of the case 140A and the high temperature side insulating substrate 104A. Thereby, it is possible to prevent an increase in thermal resistance between the bottom surface 142A of the case 140A and the high temperature side insulating substrate 104A that may occur when the case 140A is deformed.

本実施例では、図１に示すように、緩衝体１２０Ａは、その下面がケース１４０Ａの底面１４２Ａ（内側の面）に接触すると共に、その上面が高温側絶縁基板１０４Ａの下面に接触する。従って、熱源に接するケース１４０Ａの底面１４２からの熱は、ケース１４０Ａの底面１４２Ａ、緩衝体１２０Ａの低融点金属、及び、高温側絶縁基板１０４Ａを介して熱電素子１３０Ａへと伝達される。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the lower surface of the buffer 120A is in contact with the bottom surface 142A (inner surface) of the case 140A, and the upper surface thereof is in contact with the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104A. Therefore, the heat from the bottom surface 142 of the case 140A in contact with the heat source is transferred to the thermoelectric element 130A via the bottom surface 142A of the case 140A, the low melting point metal of the buffer 120A, and the high temperature side insulating substrate 104A.

このように、本実施例では、緩衝体１２０Ａの低融点金属をケース１４０Ａの底面１４２Ａと高温側絶縁基板１０４Ａとの間の空間に直接的に封入するので、例えば低融点金属を袋体に封入してケースと高温側絶縁基板との間に配置する従来的な構成（例えば前記の特許文献２に開示されるような構成）に比して、界面での熱抵抗が小さくなるので、効率の良い熱伝導を実現することができる。即ち、前記の従来的な構成では、低融点金属と袋体との間の界面での熱抵抗、袋体とケースとの間の個体同士の界面での熱抵抗、及び、袋体と高温側絶縁基板との間の個体同士の界面での熱抵抗が存在し、熱抵抗が相対的に大きくなるのに対して、本実施例では、低融点金属とケース１４０Ａとの間の界面での熱抵抗、及び、低融点金属と高温側絶縁基板１０４Ａとの間の界面での熱抵抗しか存在せず、熱抵抗が相対的に小さくなる。   As described above, in this embodiment, the low melting point metal of the buffer 120A is directly enclosed in the space between the bottom surface 142A of the case 140A and the high temperature side insulating substrate 104A. For example, the low melting point metal is enclosed in the bag. As compared with the conventional configuration (for example, the configuration disclosed in Patent Document 2) disposed between the case and the high-temperature side insulating substrate, the thermal resistance at the interface is reduced. Good heat conduction can be realized. That is, in the conventional configuration, the thermal resistance at the interface between the low melting point metal and the bag body, the thermal resistance at the interface between the individual bodies between the bag body and the case, and the bag body and the high temperature side In the present embodiment, the heat resistance at the interface between the low melting point metal and the case 140 </ b> A is present in contrast to the thermal resistance at the solid interface between the insulating substrate and the relatively large thermal resistance. Only the resistance and the thermal resistance at the interface between the low melting point metal and the high temperature side insulating substrate 104A exist, and the thermal resistance becomes relatively small.

しかしながら、本実施例では、その反面として、緩衝体１２０Ａ（低融点金属）をケース１４０Ａ内の空間に、被覆なく直接的に晒すことになるので、例えば温度が上昇して僅かながら低融点金属が蒸発すると、気化した低融点金属が、ケース１４０Ａの側壁１４４Ａと高温側絶縁基板１０４Ａとの間の僅かな隙間１４８Ａを介して、ケース１４０Ａの熱電素子１３０Ａ側の空間１１４Ａに侵入しうる。かかる低融点金属の蒸気が、熱電素子１３０Ａ側の空間１１４Ａに侵入すると、上述の如く、熱電素子１３０Ａの性能が損なわれる虞がある。即ち、低融点材料の蒸気が熱電素子１３０Ａの内部に入り込むと、熱電素子１３０Ａの物性が変化してしまうし、低融点材料の蒸気が熱電素子１３０Ａの表面に付着すると、メッキ状態になる熱電素子１３０Ａの表面に電気が流れてしまう。   However, in the present embodiment, on the other hand, the buffer 120A (low melting point metal) is directly exposed to the space in the case 140A without covering. When evaporated, the vaporized low melting point metal can enter the space 114A on the thermoelectric element 130A side of the case 140A through the slight gap 148A between the side wall 144A of the case 140A and the high temperature side insulating substrate 104A. If the low melting point metal vapor enters the space 114A on the thermoelectric element 130A side, the performance of the thermoelectric element 130A may be impaired as described above. That is, when the vapor of the low melting point material enters the thermoelectric element 130A, the physical properties of the thermoelectric element 130A change, and when the vapor of the low melting point material adheres to the surface of the thermoelectric element 130A, the thermoelectric element that is in a plated state Electricity flows on the surface of 130A.

そこで、本実施例では、熱電モジュール１００Ａは、ガスケット１７０を有する。ガスケット１７０は、耐熱繊維の不織布が好適である。ガスケット１７０は、図１に示すように、ケース１４０Ａの底面１４２Ａと高温側絶縁基板１０４Ａとの間に、緩衝体１２０Ａを外周側から囲繞するように設けられる。即ち、ガスケット１７０は、高温側絶縁基板１０４Ａの下面側の外周縁と、ケース１４０Ａの底面１４２Ａの外周縁との間に挟まるように設けられ、ケース１４０Ａの緩衝体１２０Ａ側の空間１１８Ａと、ケース１４０Ａの熱電素子１３０Ａ側の空間１１４Ａとの間の流体の流通を封止する。   Therefore, in this embodiment, the thermoelectric module 100A has the gasket 170. The gasket 170 is preferably a heat-resistant non-woven fabric. As shown in FIG. 1, the gasket 170 is provided between the bottom surface 142A of the case 140A and the high temperature side insulating substrate 104A so as to surround the buffer body 120A from the outer peripheral side. That is, the gasket 170 is provided so as to be sandwiched between the outer peripheral edge on the lower surface side of the high temperature side insulating substrate 104A and the outer peripheral edge of the bottom surface 142A of the case 140A, and the space 118A on the shock absorber 120A side of the case 140A and the case The fluid flow between the space 114A on the thermoelectric element 130A side of 140A is sealed.

これにより、緩衝体１２０Ａの低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気は、ガスケット１７０により、ケース１４０Ａの熱電素子１３０Ａ側の空間１１４Ａへの侵入が阻まれるので、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ａの性能劣化を防止することができる。   As a result, even if the low melting point metal of the buffer 120A evaporates, the low melting point metal vapor is prevented from entering the space 114A on the thermoelectric element 130A side of the case 140A by the gasket 170. It is possible to prevent the performance deterioration of the thermoelectric element 130A due to the above.

このように本実施例によれば、緩衝体１２０Ａの低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ａの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ａの低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ａ周辺の空間１１４Ａに侵入するのを防止することができる。これにより、ケース１４０Ａから熱電素子１３０Ａまでの熱伝達経路における熱抵抗を少なくして熱伝導効率を高めつつ、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ａの性能劣化を防止することができる。   As described above, according to this embodiment, the low melting point metal of the buffer 120A directly contacts the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104A, and the low melting point metal vapor of the buffer 120A enters the space 114A around the thermoelectric element 130A. Can be prevented. Thereby, the thermal resistance in the heat transfer path from the case 140A to the thermoelectric element 130A can be reduced to improve the heat conduction efficiency, and the performance deterioration of the thermoelectric element 130A due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

図２は、本発明の実施例２による熱電モジュール１００Ｂの基本断面を示す断面図である。実施例２は、上述の実施例１に対して、ガスケット１７０に代えて、ガスバリア膜１７２がシール手段を構成する点が異なる。上述の実施例１と同様の構成については、上述の実施例１と同様の参照符号を付して説明を省略し、以下では、実施例２特有の構成について主に説明する。   FIG. 2 is a sectional view showing a basic section of a thermoelectric module 100B according to the second embodiment of the present invention. The second embodiment is different from the first embodiment in that the gas barrier film 172 constitutes a sealing means instead of the gasket 170. The same configurations as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and the description thereof is omitted. Hereinafter, configurations unique to the second embodiment will be mainly described.

ガスバリア膜１７２は、例えばセラミック材料等により形成され、ケース１４０Ｂの側壁１４４Ｂと高温側絶縁基板１０４Ｂとの間の僅かな隙間１４８Ｂを封止するように設けられる。即ち、ガスバリア膜１７２は、ケース１４０Ｂの側壁１４４Ｂに沿ったリング状の形態を有し、外周側の端部がケース１４０Ｂの側壁１４４Ｂに接着等により固定され、内周側の端部が高温側絶縁基板１０４Ｂの外周縁に接着等により固定される。   The gas barrier film 172 is formed of, for example, a ceramic material or the like, and is provided so as to seal a slight gap 148B between the side wall 144B of the case 140B and the high temperature side insulating substrate 104B. That is, the gas barrier film 172 has a ring shape along the side wall 144B of the case 140B, the outer end is fixed to the side wall 144B of the case 140B by bonding or the like, and the inner end is the high temperature side. It is fixed to the outer peripheral edge of the insulating substrate 104B by adhesion or the like.

これにより、緩衝体１２０Ｂの低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気は、ガスバリア膜１７２により、ケース１４０Ｂの熱電素子１３０Ｂ側の空間１１４Ｂへの侵入が阻まれるので、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｂの性能劣化を防止することができる。   Thereby, even if the low melting point metal of the buffer 120B evaporates, the gas of the low melting point metal is prevented from entering the space 114B on the thermoelectric element 130B side of the case 140B by the gas barrier film 172. The performance degradation of the thermoelectric element 130B due to evaporation can be prevented.

このように本実施例２によっても、上述の実施例１と同様、緩衝体１２０Ｂの低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ｂの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ｂの低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ｂ周辺の空間１１４Ｂに侵入するのを防止することができる。これにより、ケース１４０Ｂから熱電素子１３０Ｂまでの熱伝達経路における熱抵抗を少なくして熱伝導効率を高めつつ、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｂの性能劣化を防止することができる。   As described above, in the second embodiment, similarly to the first embodiment, the low melting point metal of the buffer 120B is directly brought into contact with the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104B, and the low melting point metal vapor of the buffer 120B Intrusion into the space 114B around the element 130B can be prevented. Thereby, the thermal resistance in the heat transfer path from the case 140B to the thermoelectric element 130B can be reduced to improve the heat conduction efficiency, and the performance deterioration of the thermoelectric element 130B due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

また、本実施例２において、ガスバリア膜１７２は、好ましくは、図２に示すように、屈曲した状態（即ちたるみを有する状態）で、ケース１４０Ｂの側壁１４４Ｂと高温側絶縁基板１０４Ｂの外周縁との間に架設される。これにより、ケース１４０Ｂの変形や、温度変化に伴い高温側絶縁基板１０４Ｂとケース１４０Ｂに熱膨張量差等に起因して、高温側絶縁基板１０４Ｂとケース１４０Ｂとの間に径方向の内外方向で相対変位が生じた場合でも、ガスバリア膜１７２が伸縮して当該相対変位を吸収するので、ガスバリア膜１７２の剥離等が発生することがなく、ガスバリア膜１７２による高いシール機能が維持される。   In the second embodiment, the gas barrier film 172 is preferably bent as shown in FIG. 2 (ie, has a slack), and the side wall 144B of the case 140B and the outer peripheral edge of the high temperature side insulating substrate 104B. It is erected between. Thereby, due to the deformation of the case 140B or the temperature change due to the difference in the amount of thermal expansion between the high temperature side insulating substrate 104B and the case 140B, the high temperature side insulating substrate 104B and the case 140B are radially inward and outward. Even when the relative displacement occurs, the gas barrier film 172 expands and contracts to absorb the relative displacement, so that the gas barrier film 172 does not peel off and the high sealing function by the gas barrier film 172 is maintained.

図３は、本発明の実施例３による熱電モジュール１００Ｃの基本断面を示す断面図である。以下、上述の実施例１と同様の構成については、上述の実施例１と同様の参照符号を付して説明を省略し、実施例３特有の構成について主に説明する。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a basic cross section of a thermoelectric module 100C according to Embodiment 3 of the present invention. Hereinafter, configurations similar to those of the above-described first embodiment will be denoted by the same reference numerals as those of the above-described first embodiment, description thereof will be omitted, and configurations unique to the third embodiment will be mainly described.

緩衝体１２０Ｃは、低融点金属そのものからなる。即ち、緩衝体１２０Ｃは、多孔質体又は繊維構造材料を含まず、低融点金属からなる。   The buffer 120C is made of a low melting point metal itself. That is, the buffer 120C does not include a porous body or a fiber structure material and is made of a low melting point metal.

ケース１４０Ｃの緩衝体１２０Ｃ側の空間１１８Ｃと、ケース１４０Ｃの熱電素子１３０Ｃ側の空間１１４Ｃとの間の流体の流通は、ガスケット１７４により封止される。即ち、ケース１４０Ｃの緩衝体１２０Ｃ側の空間１１８Ｃには、液体の低融点金属が充填され、当該液体の低融点金属を囲繞するように、ガスケット１７４が設けられる。ガスケット１７４は、低融点金属（液体）を封止する必要があるので、シール性の高いものが望ましい。このため、ガスケット１７４は、図３に示すように、金属製のＣ断面のＯリングが好適である。   The fluid flow between the space 118C on the shock absorber 120C side of the case 140C and the space 114C on the thermoelectric element 130C side of the case 140C is sealed by the gasket 174. That is, the space 118C on the buffer body 120C side of the case 140C is filled with the liquid low melting point metal, and the gasket 174 is provided so as to surround the liquid low melting point metal. Since it is necessary to seal the low melting point metal (liquid), the gasket 174 preferably has a high sealing property. For this reason, as shown in FIG. 3, the gasket 174 is preferably a metal C-section O-ring.

本実施例３においては、緩衝体１２０Ｃを構成する低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気は、ガスケット１７４により、ケース１４０Ｃの熱電素子１３０Ｃ側の空間１１４Ｃへの侵入が阻まれるので、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｃの性能劣化を防止することができる。   In the third embodiment, even if the low melting point metal constituting the buffer 120C evaporates, the low melting point metal vapor is prevented from entering the space 114C on the thermoelectric element 130C side of the case 140C by the gasket 174. Further, the performance deterioration of the thermoelectric element 130C due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

ガスケット１７４が設けられるケース１４０Ｃの部分、即ち、ケース１４０Ｃの底部１４２Ｃと側壁１４４Ｃとの境界部（ケース１４０Ｃの底部周縁部）は、好ましくは、図３に示すように、高い剛性を有するように厚肉に形成される。これにより、ケース１４０Ｃの変形に起因したガスケット１７４のシール性の低下を防止することができる。一方、ケース１４０Ｃの底部１４２Ｃは、高い可撓性を有して熱源との高い密着性を維持できるように、周縁部を除いて薄肉に形成される。また、図３に示す例では、ケース１４０Ｃの底部１４２Ｃは、周縁部の下面よりも下方に突出し、熱源に押し付けられた際に変形しやすいように構成されている。   The part of the case 140C where the gasket 174 is provided, that is, the boundary between the bottom 142C and the side wall 144C of the case 140C (the bottom peripheral edge of the case 140C) is preferably highly rigid as shown in FIG. Formed thick. Thereby, the fall of the sealing performance of gasket 174 resulting from deformation of case 140C can be prevented. On the other hand, the bottom part 142C of the case 140C is formed to be thin except for the peripheral part so as to have high flexibility and maintain high adhesion with the heat source. In the example shown in FIG. 3, the bottom portion 142C of the case 140C protrudes downward from the lower surface of the peripheral portion, and is configured to be easily deformed when pressed against a heat source.

本実施例３によれば、上述の実施例１と同様、緩衝体１２０Ｃを構成する低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ｃの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ｃを構成する低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ｃ周辺の空間１１４Ｃに侵入するのを防止することができる。これにより、ケース１４０Ｃから熱電素子１３０Ｃまでの熱伝達経路における熱抵抗を少なくして熱伝導効率を高めつつ、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｃの性能劣化を防止することができる。   According to the third embodiment, as in the first embodiment, the low melting point metal vapor constituting the buffer body 120C is made while the low melting point metal constituting the buffer body 120C is brought into direct contact with the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104C. Can be prevented from entering the space 114C around the thermoelectric element 130C. Thereby, the thermal resistance in the heat transfer path from the case 140C to the thermoelectric element 130C can be reduced to improve the heat conduction efficiency, and the performance deterioration of the thermoelectric element 130C due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

図４は、本発明の実施例４による熱電モジュール１００Ｄの基本断面を示す断面図である。以下、上述の実施例１と同様の構成については、上述の実施例１と同様の参照符号を付して説明を省略し、実施例４特有の構成について主に説明する。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a basic cross section of a thermoelectric module 100D according to Embodiment 4 of the present invention. Hereinafter, the same configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, the description thereof is omitted, and the configurations unique to the fourth embodiment are mainly described.

ケース１４０Ｄは、底面１４２Ｄと、底面１４２Ｄの周縁から立設される周壁１４４Ｄとを有する。周壁１４４Ｄには、高温側絶縁基板１０４Ｄの縁部の端面に向けて突出する突起部１４５Ｄが形成される。突起部１４５Ｄは、周壁１４４Ｄの全周に亘って形成される。互いに対向する突起部１４５Ｄの先端面と高温側絶縁基板１０４Ｄの縁部の端面との間には、隙間１４８Ｄが設定される。隙間１４８Ｄは、ケース１４０Ｄの変形や、温度変化に伴う高温側絶縁基板１０４Ｄとケース１４０Ｄの熱膨張量の相違を吸収する役割を果たす。   The case 140D has a bottom surface 142D and a peripheral wall 144D that stands up from the periphery of the bottom surface 142D. The peripheral wall 144D is formed with a protrusion 145D that protrudes toward the end surface of the edge of the high temperature side insulating substrate 104D. The protrusion 145D is formed over the entire circumference of the peripheral wall 144D. A gap 148D is set between the tip surface of the projecting portion 145D facing each other and the end surface of the edge portion of the high temperature side insulating substrate 104D. The gap 148D serves to absorb the deformation of the case 140D and the difference in the amount of thermal expansion between the high temperature side insulating substrate 104D and the case 140D due to temperature change.

ケース１４０Ｄの底面１４２Ｄには、緩衝体１２０Ｄを囲繞するように屈曲部１４６Ｄが形成され、緩衝体１２０Ｄが載置されている底面１４２Ｄの部分に可撓性を付与する。これにより、熱電モジュール１００Ｄが熱源に押し付けられた際に底面１４２Ｄと熱源の高い密着性が保障される。   A bent portion 146D is formed on the bottom surface 142D of the case 140D so as to surround the buffer body 120D, and gives flexibility to the portion of the bottom surface 142D on which the buffer body 120D is placed. This ensures high adhesion between the bottom surface 142D and the heat source when the thermoelectric module 100D is pressed against the heat source.

ケース１４０Ｄの底面１４２Ｄ、及び周壁１４４Ｄの下部（突起部１４５Ｄの上面まで）には、ガスバリア膜１７６がコーティングされる。ガスバリア膜１７６は、例えばセラミック材料を含む液状のコーティング剤を塗布することで形成され、緩衝体１２０Ｄの低融点金属とケース１４０Ｄとの望ましくない反応を防止する役割を果たす。従って、ガスバリア膜１７６は、ケース１４０Ｄの材料が低融点金属と反応性がある場合に特に好適であり、逆に、ケース１４０Ｄの材料が低融点金属と反応性がない場合には、界面の熱抵抗を可能な限り低減すべく設定されなくてよい。   A gas barrier film 176 is coated on the bottom surface 142D of the case 140D and the lower portion of the peripheral wall 144D (up to the upper surface of the protrusion 145D). The gas barrier film 176 is formed, for example, by applying a liquid coating agent containing a ceramic material, and plays a role of preventing an undesirable reaction between the low melting point metal of the buffer 120D and the case 140D. Therefore, the gas barrier film 176 is particularly suitable when the material of the case 140D is reactive with the low melting point metal, and conversely, when the material of the case 140D is not reactive with the low melting point metal, It may not be set to reduce the resistance as much as possible.

実施例４による熱電モジュール１００Ｄは、上述の実施例１におけるガスケット１７０に代えて、ガスバリア膜１８０をシール手段として備える。   The thermoelectric module 100D according to the fourth embodiment includes a gas barrier film 180 as a sealing means instead of the gasket 170 in the first embodiment.

図５は、ガスバリア膜１８０の一例を示す平面図である。ガスバリア膜１８０は、例えばセラミック材料により形成され、図５に示すように、ケース１４０Ｄの側壁１４４Ｄに対応したドーナツ状の形態を有する。ガスバリア膜１８０は、内周側と外周側の中央部付近に、伸縮構造部１８１を有し、径方向の内外方向に伸縮可能に構成されている。伸縮構造部１８１は、蛇腹状に形成されるベローズであってもよい。   FIG. 5 is a plan view showing an example of the gas barrier film 180. The gas barrier film 180 is formed of a ceramic material, for example, and has a donut shape corresponding to the side wall 144D of the case 140D as shown in FIG. The gas barrier film 180 has a stretchable structure portion 181 in the vicinity of the central portion on the inner peripheral side and the outer peripheral side, and is configured to be stretchable in the radial inner and outer directions. The stretchable structure portion 181 may be a bellows formed in a bellows shape.

ガスバリア膜１８０は、ケース１４０Ｄの側壁１４４Ｄの突起部１４５Ｄと高温側絶縁基板１０４Ｄとの間の僅かな隙間１４８Ｄを封止するように設けられる。ガスバリア膜１８０は、ケース１４０Ｄの緩衝体１２０Ｄ側の空間１１８Ｄと、ケース１４０Ｄの熱電素子１３０Ｄ側の空間１１４Ｄとの間の流体の流通を封止する機能を果たす。ガスバリア膜１８０は、外周側の端部がケース１４０Ｄの突起部１４５Ｄの上面に接着等により固定され、内周側の端部が高温側絶縁基板１０４Ｄの外周縁に接着等により固定される。   The gas barrier film 180 is provided so as to seal a slight gap 148D between the protrusion 145D of the side wall 144D of the case 140D and the high temperature side insulating substrate 104D. The gas barrier film 180 functions to seal the fluid flow between the space 118D on the buffer 120D side of the case 140D and the space 114D on the thermoelectric element 130D side of the case 140D. The gas barrier film 180 has an outer peripheral end fixed to the upper surface of the protrusion 145D of the case 140D by bonding or the like, and an inner peripheral end fixed to the outer peripheral edge of the high temperature side insulating substrate 104D by bonding or the like.

これにより、緩衝体１２０Ｄの低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気は、ガスバリア膜１７２により、ケース１４０Ｄの熱電素子１３０Ｄ側の空間１１４Ｄへの侵入が阻まれるので、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｄの性能劣化を防止することができる。また、ケース１４０Ｄの変形や、温度変化に伴い高温側絶縁基板１０４Ｄとケース１４０Ｄに熱膨張量差等に起因して、高温側絶縁基板１０４Ｄがケース１４０Ｄに対して径方向内外に相対変位した場合でも、ガスバリア膜１８０の伸縮構造部１８１が当該相対変位を吸収するので、ガスバリア膜１８０の剥離等が発生することがなく、ガスバリア膜１８０による高いシール機能が維持される。   Thereby, even if the low melting point metal of the buffer 120D evaporates, the vapor of the low melting point metal is prevented from entering the space 114D on the thermoelectric element 130D side of the case 140D by the gas barrier film 172. The performance deterioration of the thermoelectric element 130D due to evaporation can be prevented. Further, when the high temperature side insulating substrate 104D is relatively displaced inward and outward in the radial direction with respect to the case 140D due to a deformation of the case 140D or a temperature change due to a difference in thermal expansion between the high temperature side insulating substrate 104D and the case 140D. However, since the stretchable structure portion 181 of the gas barrier film 180 absorbs the relative displacement, peeling of the gas barrier film 180 does not occur, and a high sealing function by the gas barrier film 180 is maintained.

また、本実施例４によっても、上述の実施例１と同様、緩衝体１２０Ｄの低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ｄの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ｄの低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ｄ周辺の空間１１４Ｄに侵入するのを防止することができる。これにより、ケース１４０Ｄから熱電素子１３０Ｄまでの熱伝達経路における熱抵抗を少なくして熱伝導効率を高めつつ、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｄの性能劣化を防止することができる。   Also in the fourth embodiment, similarly to the first embodiment, the low melting point metal vapor of the buffer 120D is directly brought into contact with the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104D while the low melting point metal vapor of the buffer 120D is brought into contact with the thermoelectric element. Intrusion into the space 114D around 130D can be prevented. Thereby, the thermal resistance in the heat transfer path from the case 140D to the thermoelectric element 130D can be reduced to improve the heat conduction efficiency, and the performance deterioration of the thermoelectric element 130D due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

図６は、本発明の実施例５による熱電モジュール１００Ｅの基本断面を示す断面図である。以下、上述の実施例１と同様の構成については、上述の実施例１と同様の参照符号を付して説明を省略し、実施例５特有の構成について主に説明する。   FIG. 6 is a sectional view showing a basic section of a thermoelectric module 100E according to the fifth embodiment of the present invention. Hereinafter, configurations similar to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, description thereof is omitted, and configurations unique to the fifth embodiment are mainly described.

実施例５による熱電モジュール１００Ｅは、上述の実施例１におけるガスケット１７０に代えて、ガスバリア膜１８２をシール手段として備える。   The thermoelectric module 100E according to the fifth embodiment includes a gas barrier film 182 as a sealing means instead of the gasket 170 in the first embodiment.

ガスバリア膜１８２は、高温側絶縁基板１０４Ｅの外形に対応した外形であって、高温側絶縁基板１０４Ｅの外形よりも大きな外形を有する。ガスバリア膜１８２は、図６に示すように、高温側絶縁基板１０４Ｅの下面との間に、緩衝体１２０Ｅを封じ込めることで、ケース１４０Ｅの緩衝体１２０Ｅ側の空間１１８Ｅと、ケース１４０Ｅの熱電素子１３０Ｅ側の空間１１４Ｅとの間の流体の流通を封止する機能を果たす。ガスバリア膜１８２の外周縁は、高温側絶縁基板１０４Ｅの外周縁に対して密着され、ガスバリア膜１８２の外周縁には、下方から押さえ材１８４が設けられる。押さえ材１８４は、例えばスチールウール等の材料からなり、緩衝体１２０Ｅを外周側から囲繞するようなドーナツ状の形態を有する。押さえ材１８４は、ガスバリア膜１８２の外周縁を高温側絶縁基板１０４Ｅの外周縁に対して押圧して、ガスバリア膜１８２と高温側絶縁基板１０４Ｅとの間の密着性、即ちガスバリア膜１８２のシール性を高める役割を果たす。尚、ガスバリア膜１８２の外周縁が高温側絶縁基板１０４Ｅの外周縁に対して気密ないし液密的に固着可能な場合には、押さえ材１８４を無くしてもよい。   The gas barrier film 182 has an outer shape corresponding to the outer shape of the high temperature side insulating substrate 104E and is larger than the outer shape of the high temperature side insulating substrate 104E. As shown in FIG. 6, the gas barrier film 182 encloses the buffer 120E between the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104E, and thereby the space 118E on the buffer 120E side of the case 140E and the thermoelectric element 130E of the case 140E. It functions to seal the fluid flow between the side space 114E. The outer peripheral edge of the gas barrier film 182 is in close contact with the outer peripheral edge of the high temperature side insulating substrate 104E, and a pressing member 184 is provided on the outer peripheral edge of the gas barrier film 182 from below. The pressing member 184 is made of a material such as steel wool, for example, and has a donut shape that surrounds the buffer body 120E from the outer peripheral side. The pressing member 184 presses the outer peripheral edge of the gas barrier film 182 against the outer peripheral edge of the high temperature side insulating substrate 104E, and the adhesion between the gas barrier film 182 and the high temperature side insulating substrate 104E, that is, the sealing property of the gas barrier film 182. It plays a role to raise. If the outer peripheral edge of the gas barrier film 182 can be airtightly or liquid-tightly fixed to the outer peripheral edge of the high temperature side insulating substrate 104E, the pressing member 184 may be omitted.

本実施例５においては、緩衝体１２０Ｅの低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気は、ガスバリア膜１８２により、ケース１４０Ｅの熱電素子１３０Ｅ側の空間１１４Ｅへの侵入が阻まれるので、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｅの性能劣化を防止することができる。   In the fifth embodiment, even if the low melting point metal of the buffer 120E evaporates, the vapor of the low melting point metal is prevented from entering the space 114E on the thermoelectric element 130E side of the case 140E by the gas barrier film 182. The performance deterioration of the thermoelectric element 130E due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

従って、本実施例５によっても、上述の実施例１と同様、緩衝体１２０Ｅの低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ｅの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ｅの低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ｅ周辺の空間１１４Ｅに侵入するのを防止することができる。これにより、ケース１４０Ｅから熱電素子１３０Ｅまでの熱伝達経路における熱抵抗を少なくして熱伝導効率を高めつつ、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｅの性能劣化を防止することができる。   Therefore, also in the fifth embodiment, as in the first embodiment, the low melting point metal vapor of the buffer 120E is directly brought into contact with the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104E while the low melting point metal vapor of the buffer 120E is in contact with the thermoelectric element. Intrusion into the space 114E around 130E can be prevented. Thereby, the thermal resistance in the heat transfer path from the case 140E to the thermoelectric element 130E can be reduced to improve the heat conduction efficiency, and the performance deterioration of the thermoelectric element 130E due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

尚、本実施例５において、緩衝体１２０Ｅは、上述の実施例３と同様、低融点金属そのものであってもよい。この場合、液体の低融点金属は、ガスバリア膜１８２と高温側絶縁基板１０４Ｅとにより画成される閉塞空間内に封入・充填される。この場合も、上述の実施例と同様に、緩衝体１２０Ｅを構成する低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ｅの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ｅを構成する低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ｅ周辺の空間１１４Ｅに侵入するのを防止することができる。   In the fifth embodiment, the buffer 120E may be the low melting point metal itself as in the third embodiment. In this case, the liquid low melting point metal is enclosed and filled in a closed space defined by the gas barrier film 182 and the high temperature side insulating substrate 104E. Also in this case, the low melting point metal constituting the buffer 120E directly contacts the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104E while the low melting point metal constituting the buffer 120E is in contact with the thermoelectric element 130E as in the above-described embodiment. Intrusion into the surrounding space 114E can be prevented.

図７は、本発明の実施例６による熱電モジュール１００Ｆの基本断面を示す断面図である。以下、上述の実施例１と同様の構成については、上述の実施例１と同様の参照符号を付して説明を省略し、実施例６特有の構成について主に説明する。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing a basic cross section of a thermoelectric module 100F according to Embodiment 6 of the present invention. Hereinafter, the same configuration as that of the above-described first embodiment will be denoted by the same reference numerals as those of the above-described first embodiment, the description thereof will be omitted, and the configuration unique to the sixth embodiment will be mainly described.

ケース１４０Ｆは、底面１４２Ｆと、底面１４２Ｆの周縁から立設される周壁１４４Ｆとを有する。周壁１４４Ｆには、高温側絶縁基板１０４Ｆよりも上方側と下方側にそれぞれ、屈曲部１４６Ｆが設けられる。屈曲部１４６Ｆのそれぞれは、上述の各実施例と同様、周壁１４４Ｆの全周に亘って形成されるが、周壁１４４Ｆの周方向に沿って部分的に形成されてもよい。   The case 140F has a bottom surface 142F and a peripheral wall 144F that stands up from the periphery of the bottom surface 142F. The peripheral wall 144F is provided with bent portions 146F above and below the high temperature side insulating substrate 104F, respectively. Each of the bent portions 146F is formed over the entire circumference of the peripheral wall 144F as in the above-described embodiments, but may be partially formed along the circumferential direction of the peripheral wall 144F.

実施例６による熱電モジュール１００Ｆは、上述の実施例１におけるガスケット１７０に代えて、シール材１８６をシール手段として備える。   The thermoelectric module 100F according to the sixth embodiment includes a sealing material 186 as a sealing means instead of the gasket 170 in the first embodiment.

シール材１８６は、図７に示すように、高温側絶縁基板１０４Ｆの外周縁に嵌合されるコの字断面を有し、高温側絶縁基板１０４Ｆの外周縁の全周に亘って設けられる。即ち、シール材１８６は、コの字断面の背面側（外周側）が、ケース１４０Ｆの側壁１４４Ｆに密着して当接する。これにより、緩衝体１２０Ｆの低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気は、ガスバリア膜１８２により、ケース１４０Ｆの熱電素子１３０Ｆ側の空間１１４Ｆへの侵入が阻まれるので、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｆの性能劣化を防止することができる。   As shown in FIG. 7, the sealing material 186 has a U-shaped cross-section fitted to the outer peripheral edge of the high temperature side insulating substrate 104F, and is provided over the entire outer periphery of the high temperature side insulating substrate 104F. That is, the sealing material 186 is in close contact with the side wall 144F of the case 140F at the back side (outer peripheral side) of the U-shaped cross section. As a result, even if the low melting point metal of the buffer 120F evaporates, the low melting point metal vapor is prevented from entering the space 114F on the thermoelectric element 130F side of the case 140F by the gas barrier film 182. The performance degradation of the thermoelectric element 130F due to evaporation can be prevented.

従って、本実施例５によっても、上述の実施例１と同様、緩衝体１２０Ｆの低融点金属を高温側絶縁基板１０４Ｆの下面に直接接触させつつ、緩衝体１２０Ｆの低融点金属の蒸気が熱電素子１３０Ｆ周辺の空間１１４Ｆに侵入するのを防止することができる。これにより、ケース１４０Ｆから熱電素子１３０Ｆまでの熱伝達経路における熱抵抗を少なくして熱伝導効率を高めつつ、低融点金属の蒸発に起因した熱電素子１３０Ｆの性能劣化を防止することができる。   Therefore, also in the fifth embodiment, similarly to the first embodiment, the low melting point metal vapor of the buffer 120F is directly brought into contact with the lower surface of the high temperature side insulating substrate 104F while the low melting point metal vapor of the buffer 120F is transferred to the thermoelectric element. Intrusion into the space 114F around the 130F can be prevented. Thereby, the thermal resistance in the heat transfer path from the case 140F to the thermoelectric element 130F can be reduced to improve the heat conduction efficiency, and the performance deterioration of the thermoelectric element 130F due to the evaporation of the low melting point metal can be prevented.

また、本実施例６では、上述の実施例１と異なり、上述の如く、屈曲部１４６Ｆは、高温側絶縁基板１０４Ｆよりも上方側と下方側にそれぞれ設定されている。これにより、シール材１８６が取り付く高温側絶縁基板１０４Ｆの高さに対応する部分のケース１４０Ｆの剛性を低下させずに、ケース１４０Ｆに可撓性を付与することができる。即ち、本実施例６では、高温側絶縁基板１０４Ｆがケース１４０Ｆにシール材１８６を介して接合されているため、高温側絶縁基板１０４Ｆに対するケース１４０Ｆの相対的な変位は、高温側絶縁基板１０４Ｆよりも上方側と下方側の屈曲部１４６Ｆによりそれぞれ吸収される。これにより、高温側絶縁基板１０４Ｆとケース１４０Ｆの周壁１４４Ｆをシール材１８６を介して剛に接合しても、絶縁基板１１２Ｆ、１０４Ｆ上の電極１０８Ｆ，１１０Ｆの変形を防止することができる。また、上述の各実施例と同様に、高温側絶縁基板１０４Ｆよりも下方側の屈曲部１４６Ｆにより、熱源とケース１４０Ｆの底面１４２Ｆとの高い密着性を維持しつつ、緩衝体１２０Ｆの伸縮を吸収することができる。   In the sixth embodiment, unlike the first embodiment, the bent portions 146F are set on the upper side and the lower side of the high temperature side insulating substrate 104F as described above. Thereby, flexibility can be imparted to the case 140F without reducing the rigidity of the case 140F corresponding to the height of the high temperature side insulating substrate 104F to which the sealing material 186 is attached. That is, in Example 6, since the high temperature side insulating substrate 104F is joined to the case 140F via the sealing material 186, the relative displacement of the case 140F with respect to the high temperature side insulating substrate 104F is greater than that of the high temperature side insulating substrate 104F. Are also absorbed by the upper and lower bent portions 146F, respectively. Thereby, even if the high temperature side insulating substrate 104F and the peripheral wall 144F of the case 140F are rigidly bonded via the sealing material 186, the deformation of the electrodes 108F and 110F on the insulating substrates 112F and 104F can be prevented. Similarly to the above-described embodiments, the bending portion 146F below the high temperature side insulating substrate 104F absorbs expansion and contraction of the buffer 120F while maintaining high adhesion between the heat source and the bottom surface 142F of the case 140F. can do.

本実施例６において、図７に示すように、ケース１４０Ｆの底面１４２Ｆには、ガスバリア膜１８８Ｆが載置されてもよい。ガスバリア膜１８８Ｆは、例えばセラミック材料からなり、緩衝体１２０Ｆの低融点金属とケース１４０Ｆとの望ましくない反応を防止する役割を果たす。従って、ガスバリア膜１８８Ｆは、ケース１４０Ｆの材料が低融点金属と反応性がある場合に特に好適であり、逆に、ケース１４０Ｆの材料が低融点金属と反応性がない場合には、界面の熱抵抗を可能な限り低減すべく設定されなくてよい。   In the sixth embodiment, as shown in FIG. 7, a gas barrier film 188F may be placed on the bottom surface 142F of the case 140F. The gas barrier film 188F is made of, for example, a ceramic material, and plays a role of preventing an undesirable reaction between the low melting point metal of the buffer 120F and the case 140F. Therefore, the gas barrier film 188F is particularly suitable when the material of the case 140F is reactive with the low melting point metal, and conversely, when the material of the case 140F is not reactive with the low melting point metal, It may not be set to reduce the resistance as much as possible.

図８は、本発明の実施例７による熱電モジュール１００Ｇの基本断面を概略的に示す断面図である。以下、上述の実施例６と同様の構成については、上述の実施例６と同様の参照符号を付して説明を省略し、実施例７特有の構成について主に説明する。   FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a basic cross section of a thermoelectric module 100G according to Example 7 of the present invention. Hereinafter, configurations similar to those of the above-described sixth embodiment will be denoted by the same reference numerals as those of the above-described sixth embodiment, description thereof will be omitted, and configurations unique to the seventh embodiment will be mainly described.

実施例７は、図７に示した実施例６に対して、ガスバリア膜１８８Ｇが、ケース１４０Ｇの底面１４２Ｇ、及び周壁１４４Ｇの下部（シール材１８６の下面まで）にコーティングされている点が異なる。ガスバリア膜１８８Ｇは、例えばセラミック材料からなり、緩衝体１２０Ｇの低融点金属とケース１４０Ｇとの望ましくない反応を防止する役割を果たす。   The seventh embodiment differs from the sixth embodiment shown in FIG. 7 in that the gas barrier film 188G is coated on the bottom surface 142G of the case 140G and the lower portion of the peripheral wall 144G (up to the lower surface of the sealing material 186). The gas barrier film 188G is made of, for example, a ceramic material, and plays a role of preventing an undesirable reaction between the low melting point metal of the buffer 120G and the case 140G.

実施例７によれば、緩衝体１２０Ｇの低融点金属が蒸発しても、低融点金属の蒸気からケース１４０Ｇがガスバリア膜１８８Ｇにより保護されているので、ケース１４０Ｇの耐性が向上する。   According to the seventh embodiment, even when the low melting point metal of the buffer 120G evaporates, the case 140G is protected by the gas barrier film 188G from the vapor of the low melting point metal, so that the resistance of the case 140G is improved.

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.

例えば、上述した実施例では、全て、高温側にシール手段を設定しているが、低温側に緩衝体１２０Ａ〜１２０Ｇを配置して、低温側に同様のシール手段を設定することも可能である。この場合、低融点金属としては、水銀などが好適である。   For example, in the above-described embodiments, all of the sealing means are set on the high temperature side, but it is also possible to place the buffer bodies 120A to 120G on the low temperature side and set the same sealing means on the low temperature side. . In this case, mercury or the like is suitable as the low melting point metal.

また、上述では、幾つかの実施例を別々に説明しているが、各実施例の構成は適切に組み合わせることも可能である。例えば、実施例２又は実施例４によるガスバリア膜１７２又は１８０は、上述の実施例１と組み合わせることも可能である。即ち、図１に示したガスケット１７０と共に、ガスバリア膜１７２又は１８０を設けることとしてもよい。この場合、低融点金属の蒸発の侵入を２つのシール手段により阻むことができるので、信頼性が向上する。   Moreover, although several examples were demonstrated separately above, the structure of each Example can also be combined appropriately. For example, the gas barrier film 172 or 180 according to Example 2 or Example 4 can be combined with Example 1 described above. That is, the gas barrier film 172 or 180 may be provided together with the gasket 170 shown in FIG. In this case, since the penetration of evaporation of the low melting point metal can be prevented by the two sealing means, the reliability is improved.

以上のとおり本発明は、車両で発生する廃熱を利用する熱電モジュールとして適用可能であるし、その他の用途、例えば住宅やオフィス等で発生する廃熱を利用する熱電モジュールとしても適用することができる。   As described above, the present invention can be applied as a thermoelectric module that uses waste heat generated in a vehicle, and can also be applied to other uses, for example, a thermoelectric module that uses waste heat generated in a house or office. it can.

本発明の実施例１による熱電モジュール１００Ａの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of the thermoelectric module 100A by Example 1 of this invention. 本発明の実施例２による熱電モジュール１００Ｂの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of the thermoelectric module 100B by Example 2 of this invention. 本発明の実施例３による熱電モジュール１００Ｃの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of the thermoelectric module 100C by Example 3 of this invention. 本発明の実施例４による熱電モジュール１００Ｄの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of thermoelectric module 100D by Example 4 of this invention. ガスバリア膜１８０の一例を示す平面図である。4 is a plan view showing an example of a gas barrier film 180. FIG. 本発明の実施例５による熱電モジュール１００Ｅの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of the thermoelectric module 100E by Example 5 of this invention. 本発明の実施例６による熱電モジュール１００Ｆの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of the thermoelectric module 100F by Example 6 of this invention. 本発明の実施例７による熱電モジュール１００Ｇの基本断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the basic cross section of the thermoelectric module 100G by Example 7 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１００Ａ〜１００Ｇ 熱電モジュール
１０４Ａ〜１０４Ｇ 高温側絶縁基板
１０８Ａ〜１０８Ｇ 高温側電極
１１０Ａ〜１１０Ｇ 低温側電極
１１２Ａ〜１１２Ｇ 低温側絶縁基板
１１４Ａ〜１１４Ｇ ケース内部の熱電素子側の空間
１１８Ａ〜１１８Ｇ ケース内部の緩衝体側の空間
１２０Ａ〜１２０Ｇ 緩衝体、
１３０Ａ〜１３０Ｇ 熱電素子
１４０Ａ〜１４０Ｇ ケース
１４２Ａ〜１４２Ｇ 底面
１４４Ａ〜１４４Ｇ 周壁（側壁）
１４６Ａ〜１４６Ｇ 屈曲部
１４８Ａ〜１４６Ｅ 隙間
１７０ ガスケット
１７２ ガスバリア膜
１７４ ガスケット
１８０ ガスバリア膜
１８１ 伸縮構造部
１８２ ガスバリア膜
１８６ シール材 100A to 100G Thermoelectric module 104A to 104G High temperature side insulating substrate 108A to 108G High temperature side electrode 110A to 110G Low temperature side electrode 112A to 112G Low temperature side insulating substrate 114A to 114G Space on the thermoelectric element side inside the case 118A to 118G Buffer side inside the case Space 120A-120G buffer,
130A to 130G Thermoelectric element 140A to 140G Case 142A to 142G Bottom surface 144A to 144G Peripheral wall (side wall)
146A to 146G Bent part 148A to 146E Clearance 170 Gasket 172 Gas barrier film 174 Gasket 180 Gas barrier film 181 Elastic structure 182 Gas barrier film 186 Sealing material

Claims (5)

熱電素子と低融点材料を使用した緩衝体とを同一の容器内に収容した熱電モジュールにおいて、
前記緩衝体の低融点材料を、前記熱電素子が設けられる基板に直接接触させると共に、前記緩衝体を前記熱電素子から隔離して密封するシール手段を設けることを特徴とする、熱電モジュール。 In a thermoelectric module in which a thermoelectric element and a buffer using a low melting point material are accommodated in the same container,
A thermoelectric module characterized in that a low melting point material of the buffer body is brought into direct contact with a substrate on which the thermoelectric element is provided, and sealing means is provided for sealing and isolating the buffer body from the thermoelectric element. 前記基板が、前記容器の側面との間に隙間ができるように配置されており、
前記シール手段が、前記隙間を封止する、請求項１に記載の熱電モジュール。 The substrate is arranged so that a gap is formed between the side surface of the container and
The thermoelectric module according to claim 1, wherein the sealing means seals the gap. 前記シール手段が、前記容器の上面又は底面と前記基板との間の隙間を封止する、請求項１に記載の熱電モジュール。   The thermoelectric module according to claim 1, wherein the sealing unit seals a gap between an upper surface or a bottom surface of the container and the substrate. 前記シール手段が伸縮構造部を有する、請求項１〜３の何れかに記載の熱電モジュール。   The thermoelectric module according to any one of claims 1 to 3, wherein the sealing means has an elastic structure. 前記容器が屈曲部を有する、請求項１〜４の何れかに記載の熱電モジュール。   The thermoelectric module according to claim 1, wherein the container has a bent portion.
JP2006140661A 2006-05-19 2006-05-19 Thermoelectric module Withdrawn JP2007311656A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006140661A JP2007311656A (en) 2006-05-19 2006-05-19 Thermoelectric module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006140661A JP2007311656A (en) 2006-05-19 2006-05-19 Thermoelectric module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007311656A true JP2007311656A (en) 2007-11-29

Family

ID=38844220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006140661A Withdrawn JP2007311656A (en) 2006-05-19 2006-05-19 Thermoelectric module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007311656A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010084718A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-29 財団法人電力中央研究所 Packaged thermoelectric conversion module
WO2010090350A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-12 ティーエス ヒートロニクス株式会社 Electric generator
JP2012195441A (en) * 2011-03-16 2012-10-11 Hitachi Powdered Metals Co Ltd Thermoelectric conversion system and method for manufacturing the same
JP2014127617A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 Toyota Motor Corp Thermoelectric generator
JP2016082081A (en) * 2014-10-17 2016-05-16 京セラ株式会社 Thermoelectric module
KR20190006535A (en) * 2016-05-19 2019-01-18 젠썸 게엠베하 Conversion device for converting electrical energy into thermal energy
CN112997331A (en) * 2018-11-09 2021-06-18 株式会社Kelk Temperature adjusting device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010084718A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-29 財団法人電力中央研究所 Packaged thermoelectric conversion module
JP5432927B2 (en) * 2009-01-21 2014-03-05 一般財団法人電力中央研究所 Package thermoelectric conversion module
WO2010090350A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-12 ティーエス ヒートロニクス株式会社 Electric generator
JP2012195441A (en) * 2011-03-16 2012-10-11 Hitachi Powdered Metals Co Ltd Thermoelectric conversion system and method for manufacturing the same
JP2014127617A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 Toyota Motor Corp Thermoelectric generator
JP2016082081A (en) * 2014-10-17 2016-05-16 京セラ株式会社 Thermoelectric module
KR20190006535A (en) * 2016-05-19 2019-01-18 젠썸 게엠베하 Conversion device for converting electrical energy into thermal energy
KR102164185B1 (en) * 2016-05-19 2020-10-13 젠썸 게엠베하 Conversion device for converting electrical energy into thermal energy
CN112997331A (en) * 2018-11-09 2021-06-18 株式会社Kelk Temperature adjusting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007311656A (en) Thermoelectric module
US20070295734A1 (en) Thermal Insulating Container for a Heat Generating Unit of a Fuel Cell System
WO2014125843A1 (en) Poppet valve
JP4905738B2 (en) accumulator
US11555656B2 (en) Vapor chamber
JP2008209003A (en) Hydraulic vibration isolating support
JP2009014469A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201802378A (en) Sealing member, decelerator and cleaning robot preventing communication of fluid between an external space outside a device and an internal space inside the device
JP2004251451A (en) Hydraulic bearing
JPH02120585A (en) Temperature control valve
WO2021255967A1 (en) Heat conducting member
TWI266854B (en) Plate heat pipe, and manufacturing method and packing unit thereof
JP2012207986A (en) Pressure sensor
JP2008108990A (en) Piezoelectric actuator
WO2021255968A1 (en) Heat conduction member
CN112682212A (en) Annular sealing structure, split type cylinder head gasket and engine
JP5016453B2 (en) accumulator
JP2016063104A (en) Thermoelectric converter
CN109676140A (en) A kind of hot isostatic pressing joint forming annular element jacket
JPH0221648Y2 (en)
JP2015068738A (en) Capacitive pressure sensor
JP3771703B2 (en) Pressure vessel
JP2817534B2 (en) Contact seal mechanism
JP2007524035A (en) Cylinder head gasket with elastomer sealing layer
US7002244B2 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080709

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20091217