JP2007309806A

JP2007309806A - 半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法

Info

Publication number: JP2007309806A
Application number: JP2006139634A
Authority: JP
Inventors: Shinri Wakamura; 真利若村; Koji Akahori; 浩二赤堀; Masayuki Nakase; 雅之中瀬
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-05-19
Filing date: 2006-05-19
Publication date: 2007-11-29

Abstract

【課題】多数の電子部品が実装された検査用回路基板において、検査対象の半導体デバイスを検査用回路基板にコンタクトさせる際に発生する基板の歪みを抑制することができる半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法を提供する。
【解決手段】検査対象の半導体デバイス１０２を検査用回路基板１０６にコンタクトさせるための圧力と対向する検査用回路基板１０６の裏面部分に加圧容器１１１を設け、加圧容器１１１内のピストン１１５を上昇させることにより、加圧容器１１１内の気体もしくは液体の圧力を上昇させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイス特に多ピンの場合の電気特性を検査するための半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法に関するものである。

近年、半導体関連技術の進歩とともに半導体デバイスは小型かつ多ピン化し、外部端子に半田ボールを形成したＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙパッケージ（以下、ＢＧＡパッケージという）を採用した半導体デバイスが増加している。

図５はＢＧＡパッケージの半導体デバイスに対する電気特性検査に用いられる従来の半導体デバイス検査治具の断面図である。
この半導体デバイス検査治具においては、図５に示すように、検査対象でありＢＧＡパッケージを採用した半導体デバイス１０２の外部端子と検査用回路基板１０６との間に、それらの電気的接続を行うための接触子１０３（以下、ポゴピンという）を使用している。このポゴピン１０３と半導体デバイス１０２の外部端子とが一致する位置にＢＧＡパッケージの半導体デバイス１０２を配置し、コンタクトプッシャ治具１０１で半導体デバイス１０２の上面を加圧することにより、その外部端子とポゴピン１０３とを接触させる。このとき、半導体デバイス１０２の半田ボールにおいて、ポゴピン１０３の鋭利な先端形状によって、半田ボール表面に形成された酸化膜が突き破られることにより、半導体デバイス１０２の半田ボールとポゴピン１０３の電気的な接触を実現している。

上記の半導体デバイス１０２の半田ボールとポゴピン１０３の電気的接触には、半田ボールの酸化膜を破る力が必要となり、半導体デバイス１０２の外部端子１ピン当たり数十グラムの押し圧をかけている。例えば１０００ピンの半導体デバイス１０２では、全ピンの電気的接触を行うためには、半導体デバイス１０２に数十ｋｇの押し圧が必要となる。

図５に示すように、ソケット１０４と検査用回路基板１０６との接触部分では、半導体デバイス１０２からの押し圧により、ソケット１０４の下部にある検査用回路基板１０６がＵ字形に歪む。この歪により、ソケット１０４のポゴピン１０３を止めているプレートにも検査用回路基板１０６と同様にＵ字形に歪みが発生し、特にソケット１０４の中心部では、ポゴピン１０３のストロークが規定のストロークに満たないため、半田ボールの酸化膜を突き破るだけのポゴピン１０３からの押し圧を得ることができず、半導体デバイス１０２と検査用回路基板１０６との間に電気的な接触不良が発生してしまう。このような電気的接触不良は、検査対象の半導体デバイス１０２が良品の半導体デバイスであっても不良判定をしてしまうというように、半導体デバイス１０２に対する検査ミスが起きる要因になる。

そこで、図６に示すように、検査用回路基板１０６の裏面に補強板６０１を取り付けることにより、良品の半導体デバイスに対しても起こり得る不良判定等の検査ミスにつながる検査用回路基板１０６の歪みを防止し、半導体デバイス１０２と検査用回路基板１０６との間に十分な電気的接触を得るようにしている。また、他の装置（例えば、特許文献１を参照）では、検査用回路基板をその裏面に支持棒を設けて支えることにより、上記のような検査ミスにつながる検査用回路基板の歪みを防止している。
特開２００５−２３５８１８号公報

しかしながら、図５に示すような従来の半導体デバイス検査治具では、検査用回路基板１０６の裏面で半導体デバイス１０２の裏面に対向する領域に、電源の安定化やアナログ信号のノイズを抑制するための電子部品１０５を多数実装した場合には、その部分に検査用回路基板１０６の歪みを抑制するための補強板や支持棒を取り付けることができないという問題があった。

また、図６に示すように、検査用回路基板１０６の裏面で半導体デバイス１０２の裏面に対向する領域に、検査用回路基板１０６の歪みを抑制するための補強板６０１や支持棒を取り付けた場合には、半導体デバイス１０２の上面を加圧した際に、検査用回路基板１０６の裏面に取り付けた補強板６０１または支持棒と電子部品との間に接点が生じて電子部品の剥離が発生するという問題があった。

本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、検査用回路基板の裏面で半導体デバイスの裏面に対向する領域に実装した電子部品の剥離を防止することができ、しかも、検査用回路基板の裏面で半導体デバイスの裏面に対向する領域に多数の電子部品を実装しているためにその部分に補強板や支持棒を用いることができない場合にも、そのような検査用回路基板の歪みを抑制することができる半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法を提供する。

上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の半導体デバイス検査治具は、半導体デバイスの電気的特性を検査用回路基板を通じて検査するために、前記半導体デバイスを前記検査用回路基板に電気的にコンタクトさせる機構を有する半導体デバイス検査治具において、前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧するための機構を有する加圧容器を備え、前記加圧容器の内部に、前記検査用回路基板における前記裏面の一部と前記加圧容器の内壁とともに、前記検査用回路基板を前記裏面から加圧するための密閉空間を形成する仕切り板を設け、前記密閉空間の密閉状態を保持したままで前記仕切り板が前記加圧容器の内部を可動することにより、前記密閉空間を加圧するように構成したことを特徴とする。

また、本発明の請求項２に記載の半導体デバイス検査治具は、請求項１記載の半導体デバイス検査治具であって、前記密閉空間への加圧を前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクト動作に連動させる機構を備えたことを特徴とする。

また、本発明の請求項３に記載の半導体デバイス検査治具は、半導体デバイスの電気的特性を検査用回路基板を通じて検査するために、前記半導体デバイスを前記検査用回路基板に電気的にコンタクトさせる機構を有する半導体デバイス検査治具において、前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧するための機構を有する加圧容器を備え、前記検査用回路基板における前記裏面の一部と前記加圧容器の内壁とで、前記検査用回路基板を前記裏面から加圧するための密閉空間を形成し、前記加圧容器に前記密閉空間とその外部が繋がる少なくとも１個の貫通穴を設け、前記密閉空間を前記貫通穴を通じて前記密閉空間の外部から加圧するよう構成したことを特徴とする。

また、本発明の請求項４に記載の半導体デバイス検査治具は、請求項３記載の半導体デバイス検査治具であって、前記密閉空間を前記密閉空間の外部から前記貫通穴に向かう一方向のみに加圧するよう構成したことを特徴とする。

また、本発明の請求項５に記載の半導体デバイス検査治具は、請求項３または請求項４記載の半導体デバイス検査治具であって、前記密閉空間への加圧を前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクト動作に連動させる機構を備えたことを特徴とする。

また、本発明の請求項６に記載の半導体デバイス検査治具は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体デバイス検査治具であって、前記密閉空間の加圧による圧力を調整する圧力調整弁を設けたことを特徴とする。

また、本発明の請求項７に記載の半導体デバイス検査治具は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体デバイス検査治具であって、前記密閉空間を加圧するために満たされた媒体は気体もしくは液体とすることを特徴とする。

また、本発明の請求項８に記載の半導体デバイス検査治具は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体デバイス検査治具であって、前記加圧容器が剛体であることを特徴とする。

また、本発明の請求項９に記載の半導体デバイス検査方法は、請求項１または請求項２記載の半導体デバイス検査治具を用いて、前記仕切り板を前記加圧容器の内部で可動させることにより、前記密閉空間の密閉状態を保持したままで前記密閉空間を加圧し、前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧することを特徴とする。

また、本発明の請求項１０に記載の半導体デバイス検査方法は、請求項３または請求項４または請求項５記載の半導体デバイス検査治具を用いて、前記密閉空間の外部から前記貫通穴を通じて前記密閉空間を加圧することにより、前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧することを特徴とする。

以上のように本発明によれば、検査用回路基板の裏面で半導体デバイスの裏面に対向する領域に多数の電子部品を実装しているために、その部分に従来のような補強板や支持棒を用いることができない場合にも、そのような検査用回路基板の歪みを抑制することができる。

また、従来のように補強板や支持棒を取り付けることによって生じていた補強板や支持棒と電子部品との接点がなくなるため、検査用回路基板の裏面で半導体デバイスの裏面に対向する領域に実装した電子部品の剥離を防止することができる。

以上により、半導体デバイス検査治具の不具合によって良品の半導体デバイスに対しても起こり得る不良判定等の検査ミスを防止することができる。

以下、本発明の実施の形態を示す半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
最初に、本実施の形態の半導体デバイス検査治具の構成について、図１、図２、図３、図４を用いて説明する。

図１、図２、図３、図４は本実施の形態１、２、３、４の半導体デバイス検査治具の断面図であリ、半導体デバイス検査治具における検査用回路基板の歪を抑制するように構成されている。
（実施の形態１）
図１に示すように、剛体として例えば厚み約５ｍｍ以上のステンレスなどの金属等でできた加圧容器１１１を、検査用回路基板１０６において半導体デバイス１０２がコンタクトするソケット１０４を取り付けた面とは対向する裏面部分に、加圧容器１１１の開口部が検査用回路基板１０６の裏面に接触するように取り付け、検査用回路基板１０６と加圧容器１１１により密閉空間（以下、高圧室と呼ぶ）１１３を設ける。高圧室１１３内には気体もしくは液体を充填し、加圧容器１１１と検査用回路基板１０６の間のドッキング部分には、高圧室１１３から高圧の気体もしくは液体が抜けないように、ゴムパッキン１１０を取り付け、治具固定用ネジ１０９により固定する。高圧室１１３内の圧力は一定となるように、高圧室１１３内部の壁面には圧力調整弁１１２を設ける。

高圧室１１３の内部は、検査用回路基板１０６の裏面と接する密閉空間（高圧室１１３）と接しない空間１１４に分けるために、高圧室１１３内にピストン機構１１５を設ける。検査用回路基板１０６と接する部分の高圧室１１３の圧力を上げるために、ピストン機構１１５は上下に可動する構造とする。ピストン機構１１５と高圧室１１３の壁面が接する部分は、ピストン機構１１５の可動時に高圧室１１３の圧力がピストン機構１１５と高圧室１１３の壁面との間から抜けないように、隙間寸法は１０μｍ以内とし、そしてピストン機構１１５が滑らかに動くように、ピストン機構１１５と高圧室１１３の壁面には、潤滑オイルを塗布する。

ピストン機構１１５を上下方向に可動させるため、ピストン機構１１５の下部にはネジ機構１１８を設け、ネジ機構１１８の下部に設けられたハンドル１１６を回すことによりピストン機構１１５は上下に可動する。ピストン機構１１５の下部に設けられたネジ機構１１８の緩みにより、高圧室１１３の圧力が下がらないように、ハンドル１１６部分の上部にはハンドル固定治具１１７を取り付ける。

本実施の形態１の半導体デバイス検査方法は、コンタクトプッシャ治具１０１より半導体デバイス１０２の上面に圧力がかけられると、同時もしくは瞬時にピストン機構１１５の下部に設けられたハンドル１１６を回すことにより、ピストン機構１１５を上昇させる。そして、ピストン機構１１５の上昇によって、加圧容器１１１の高圧室１１３内の容積が減少し、高圧室１１３内部の気体の圧力が上昇する。その圧力によって検査用回路基板１０６の歪みを抑制し、このように抑制できたところで、ハンドル１１６上部にあるハンドル固定治具１１７を固定して、高圧室１１３内の圧力を一定に保つ。
（実施の形態２）
図２に示すように、剛体として例えば厚み約５ｍｍ以上のステンレスなどの金属等でできた加圧容器１１１を、検査用回路基板１０６において半導体デバイス１０２がコンタクトするソケット１０４を取り付けた面とは対向する裏面部分に、加圧容器１１１の開口部が検査用回路基板１０６の裏面に接触するように取り付け、検査用回路基板１０６と加圧容器１１１により密閉空間である高圧室１１３を設ける。高圧室１１３内には気体もしくは液体を充填し、加圧容器１１１と検査用回路基板１０６の間のドッキング部分には、高圧室１１３から高圧の気体もしくは液体が抜けないように、ゴムパッキン１１０を取り付け、治具固定用ネジ１０９により固定する。高圧室１１３内の圧力は一定となるように、高圧室１１３内部の壁面には圧力調整弁１１２を設ける。

加圧容器１１１には高圧室１１３内部に気体もしくは液体を注入可能な穴２０４を設け、配管２０２を通して穴２０４部分から高圧室１１３内部に高圧の気体（１気圧以上）もしくは液体を送ることが可能なように、配管２０２を介して外部にコンプレッサー装置２０１を設ける。コンプレッサー装置２０１から送る気体もしくは液体は、高圧室１１３からコンプレッサー装置２０１側に流れないように、高圧室１１３の圧力より高い圧力の気体もしくは液体を送り込む。また、高圧室１１３内の気体もしくは液体がコンプレッサー装置２０１側へ逆流しないように、高圧室１１３の壁面部分の穴２０４には、逆流防止用の逆止弁２０３を設ける。

本実施の形態２の半導体デバイス検査方法は、コンタクトプッシャ治具１０１より半導体デバイス１０２の上面に圧力がかけられると、同時もしくは瞬時にコンプレッサー装置２０１からの高圧の気体もしくは液体を送り込むことにより、高圧室１１３内部の気体もしくは液体の圧力が上昇する。その圧力によって検査用回路基板１０６の歪みを抑制し、このように抑制できたところで、コンプレッサー装置２０１から高圧の気体もしく液体を送り込むのを止める。高圧室１１３内の穴２０４部分に設けられた逆止弁２０３により、高圧室１１３内の気体もしくは液体の流出を防ぎ、高圧室１１３内の圧力を一定に保つ。
（実施の形態３）
図３に示すように、剛体として例えば厚み約５ｍｍ以上のステンレスなどの金属等でできた加圧容器１１１を、検査用回路基板１０６において半導体デバイス１０２がコンタクトするソケット１０４を取り付けた面とは対向する裏面部分に、加圧容器１１１の開口部が検査用回路基板１０６の裏面に接触するように取り付け、検査用回路基板１０６と加圧容器１１１により密閉空間である高圧室１１３を設ける。高圧室１１３内には気体もしくは液体を充填し、加圧容器１１１と検査用回路基板１０６の間のドッキング部分には、高圧室１１３から高圧の気体もしくは液体が抜けないように、ゴムパッキン１１０を取り付け、治具固定用ネジ１０９により固定する。高圧室１１３内の圧力は一定となるように、高圧室１１３内部の壁面には圧力調整弁１１２を設ける。

加圧容器１１１には高圧室１１３内部に気体もしくは液体を注入可能な穴２０４を設け、配管２０２を通して穴２０４部分から高圧室１１３内部に高圧の気体（１気圧以上）もしくは液体を送ることが可能なように、配管２０２を介してシリンダ機構３０１を設ける。このシリンダ機構３０１は、半導体デバイス１０２と検査用回路基板１０６上のソケット１０４のポゴピン１０３をコンタクトさせるために用いるコンタクトプッシャ治具１０１からの圧力を利用し、この圧力は、支持棒３０３によりピストン機構３０２を上下に可動させ、ピストン機構３０２の下部に設けられたシリンダ室３０４から、その内部の気体もしくは液体が配管２０２を通って高圧室１１３内に送り込まれる構造とする。

本実施の形態３の半導体デバイス検査方法は、コンタクトプッシャ治具１０１より半導体デバイス１０２の上面に圧力がかけられると、同時にコンタクトプッシャ治具１０１に連動してシリンダ機構３０１内のピストン機構３０２が下降し、シリンダ室３０４内の気体もしくは液体が配管２０２を通して高圧室１１３に送り込まれ、高圧室１１３内部の気体もしくは液体の圧力が上昇する。その圧力によって検査用回路基板１０６の歪みを抑制する。次にコンタクトプッシャ治具１０１が上昇すると、同時にコンタクトプッシャ治具１０１に連動してシリンダ機構３０１内のピストン機構３０２が上昇し、高圧室１１３内の気体もしくは液体が配管２０２を通してシリンダ機構３０１内に送り込まれ、高圧室１１３内部の気体もしくは液体の圧力が減少する。
（実施の形態４）
図４に示すように、剛体として例えば厚み約５ｍｍ以上のステンレスなどの金属等でできた加圧容器１１１を、検査用回路基板１０６において半導体デバイス１０２がコンタクトするソケット１０４を取り付けた面とは対向する裏面部分に、加圧容器１１１の開口部が検査用回路基板１０６の裏面に接触するように取り付け、検査用回路基板１０６と加圧容器１１１により密閉空間である高圧室１１３を設ける。高圧室１１３内には気体もしくは液体を充填し、加圧容器１１１と検査用回路基板１０６の間のドッキング部分には、高圧室１１３から高圧の気体もしくは液体が抜けないように、ゴムパッキン１１０を取り付け、治具固定用ネジ１０９により固定する。高圧室１１３内の圧力は一定となるように、高圧室１１３内部の壁面には圧力調整弁１１２を設ける。

加圧容器１１１の内部空間を検査用回路基板１０６の裏面と接する密閉空間である高圧室１１３と接しない空間１１４とに分けるために、加圧容器１１１内にはピストン機構１１５を設ける。ピストン機構１１５は高圧室１１３の圧力を上げるために上下に可動する構造とする。ピストン機構１１５と加圧容器１１１の内側壁面との接する部分は、ピストン機構１１５の可動時に高圧室１１３の圧力がピストン機構１１５と加圧容器１１１の内側壁面との間から抜けないように、隙間寸法を１０μｍ以内とし、さらにピストン機構１１５が滑らかに動くように、ピストン機構１１５と加圧容器１１１の内側壁面には潤滑オイルを塗布する。

ピストン機構１１５の下部には、半導体デバイス１０２とソケット１０４のポゴピン１０３とをコンタクトさせるために用いるコンタクトプッシャ治具１０１からの圧力を利用したピストン上下動機構を設ける。このピストン上下動機構の構造は、ピストン機構１１５の下部に接続された支持棒４０３が軸受けである作用点４０６に接続され、支持棒４０１がコンタクトプッシャ治具１０１に接続され、支持棒４０２が作用点４０６とベース台４０７に固定した軸受けである支点４０５と支持棒４０１の先端部分にある力点４０４に接続されている。

本実施の形態４の半導体デバイス検査方法は、例えば半導体デバイス１０２に対する検査を開始して、コンタクトプッシャ治具１０１より半導体デバイス１０２の上面に圧力がかけられた場合には、それと同時に、上記のピストン上下動機構によって、コンタクトプッシャ治具１０１から半導体デバイス１０２の上面にかかる押し圧が、支持棒４０１に伝わって力点４０４が下方に可動することにより、支持棒４０２が「てこ」の原理によって支点４０５を軸に回動し作用点４０６を上方に可動し、この作用点４０６の上方への可動により、作用点４０６に接続された支持棒４０３がピストン機構１１５を押し上げることによって、高圧室１１３内の容積が減少し内部の気体もしくは液体の圧力が上昇する。このように高圧室１１３内の気体もしくは液体の圧力が上昇することによって、検査用回路基板１０６の歪みを抑制する。

この後に、例えば半導体デバイス１０２に対する検査が終了して、コンタクトプッシャ治具１０１を上昇させた場合には、その上昇と同時に、ピストン上下動機構による上記と逆の動きで、コンタクトプッシャ治具１０１に連動してピストン機構１１５が下降することによって、高圧室１１３内の容積が増加し内部の気体もしくは液体の圧力が減少する。

以上の各実施の形態の半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法により、検査用回路基板の裏面で半導体デバイスの裏面に対向する領域に多数の電子部品を実装しているために、その部分に従来のような補強板や支持棒を用いることができない場合にも、そのような検査用回路基板の歪みを抑制することができる。

その結果、半導体デバイス検査治具の不具合によって良品の半導体デバイスに対しても起こり得る不良判定等の検査ミスを防止することができる。

本発明の半導体デバイス検査治具および半導体デバイス検査方法は、良品の半導体デバイスに対しても起こり得る不良判定等の検査ミスにつながる検査用回路基板の歪みを抑制することができるもので、電源の安定化やアナログ信号のノイズを抑制するための多数の電子部品が実装された検査用回路基板を用いた半導体デバイス検査治具による半導体デバイスの検査技術に有用である。

本発明の実施の形態１の半導体デバイス検査治具の構成例を示す断面図本発明の実施の形態２の半導体デバイス検査治具の構成例を示す断面図本発明の実施の形態３の半導体デバイス検査治具の構成例を示す断面図本発明の実施の形態４の半導体デバイス検査治具の構成例を示す断面図従来の半導体デバイス検査治具の構成例を示す断面図従来の半導体デバイス検査治具の他の構成例を示す断面図

符号の説明

１０１コンタクトプッシャ治具
１０２（検査対象の）半導体デバイス
１０３ポゴピン
１０４ソケット筐体
１０５実装部品
１０６検査用回路基板
１０７ソケット固定用ネジ
１０８ソケット固定ネジ止め具
１０９治具固定用ネジ
１１０ゴムパッキン
１１１加圧容器
１１２圧力調整弁
１１３高圧室
１１４（検査用回路基板と接しない）空間
１１５ピストン機構
１１６ハンドル
１１７ハンドル固定治具
１１８ネジ機構
２０１コンプレッサー装置
２０２配管
２０３逆止弁
２０４穴
３０１シリンダ機構
３０２（コンタクトプッシャ治具の圧力により可動する）ピストン機構
３０３支持棒（１）
３０４シリンダ室
４０１支持棒（２）
４０２支持棒（３）
４０３支持棒（４）
４０４力点
４０５支点
４０６作用点
４０７ベース台
６０１補強版

Claims

半導体デバイスの電気的特性を検査用回路基板を通じて検査するために、前記半導体デバイスを前記検査用回路基板に電気的にコンタクトさせる機構を有する半導体デバイス検査治具において、
前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧するための機構を有する加圧容器を備え、
前記加圧容器の内部に、前記検査用回路基板における前記裏面の一部と前記加圧容器の内壁とともに、前記検査用回路基板を前記裏面から加圧するための密閉空間を形成する仕切り板を設け、
前記密閉空間の密閉状態を保持したままで前記仕切り板が前記加圧容器の内部を可動することにより、前記密閉空間を加圧するように構成した
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項１記載の半導体デバイス検査治具であって、
前記密閉空間への加圧を前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクト動作に連動させる機構を備えた
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
半導体デバイスの電気的特性を検査用回路基板を通じて検査するために、前記半導体デバイスを前記検査用回路基板に電気的にコンタクトさせる機構を有する半導体デバイス検査治具において、
前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧するための機構を有する加圧容器を備え、
前記検査用回路基板における前記裏面の一部と前記加圧容器の内壁とで、前記検査用回路基板を前記裏面から加圧するための密閉空間を形成し、
前記加圧容器に前記密閉空間とその外部が繋がる少なくとも１個の貫通穴を設け、
前記密閉空間を前記貫通穴を通じて前記密閉空間の外部から加圧するよう構成した
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項３記載の半導体デバイス検査治具であって、
前記密閉空間を前記密閉空間の外部から前記貫通穴に向かう一方向のみに加圧するよう構成した
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項３または請求項４記載の半導体デバイス検査治具であって、
前記密閉空間への加圧を前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクト動作に連動させる機構を備えた
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体デバイス検査治具であって、
前記密閉空間の加圧による圧力を調整する圧力調整弁を設けた
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体デバイス検査治具であって、
前記密閉空間を加圧するために満たされた媒体は気体もしくは液体とする
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体デバイス検査治具であって、
前記加圧容器が剛体である
ことを特徴とする半導体デバイス検査治具。
請求項１または請求項２記載の半導体デバイス検査治具を用いて、
前記仕切り板を前記加圧容器の内部で可動させることにより、前記密閉空間の密閉状態を保持したままで前記密閉空間を加圧し、
前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧する
ことを特徴とする半導体デバイス検査方法。
請求項３または請求項４または請求項５記載の半導体デバイス検査治具を用いて、
前記密閉空間の外部から前記貫通穴を通じて前記密閉空間を加圧することにより、
前記半導体デバイスの前記検査用回路基板へのコンタクトにより前記検査用回路基板に加わる圧力に対向して、前記検査用回路基板を前記半導体デバイスとのコンタクト面に対して裏面から加圧する
ことを特徴とする半導体デバイス検査方法。